制造薄膜集成電路的方法

專利名稱：制造薄膜集成電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帝隨薄 成電路的方法。
背景技術(shù)：
，牢，已經(jīng)開發(fā)出用于轉(zhuǎn)移形成于鄉(xiāng) 襯/^±的薄^ 電路的技術(shù)。根 據(jù)這種技術(shù)，例如，ffi51在薄IM^電路和襯/Et間掛紛離層和用包含卣素的
氣體去除分離層，從支撐襯底分離薄IM^電路并然后轉(zhuǎn)移該薄MMi電路(例
如，參考; 1:日本專利公M/NoH8-254686)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)參考文獻(xiàn)1，在襯驗(yàn)面的U上形成分離層，并且在分離層:tJi形成 薄膜集成電路。然后，去除分離層。由此，從襯底分離薄IM^頓各，并且在襯
底和薄膜集成電路之間產(chǎn)生間隔。之后，將薄^ ;電路附著到基/^才料上。薄
m^;電路厚度非常薄，具有幾u(yù)m的厚度，并且非常輕。因此，雜將其附著
到基底材料上之前薄膜集成電路從襯底脫落的問(wèn)題?？紤]至l膝問(wèn)題，本發(fā)明的目 的是防止薄膜集成電路脫落。財(cái)卜，本發(fā)明的另一個(gè)目的是在去除分離層之后容 易地每薄IM^頓各轉(zhuǎn)移到基;^才料上。
根據(jù)本發(fā)明，在襯驗(yàn)面上形成分離層之后，驗(yàn)性地去除分離層。由此， 形成提供了分離層的第一區(qū)和沒有掛紛離層的第二區(qū)。隨后， ^面^±
形成作為基底膜的絕緣膜。因此，絕緣膜與第一區(qū)中的分離M^M，并且與第二
區(qū)中的襯底,。
在第一區(qū)中的絕緣膜之上形成包括多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層的薄膜集
成電路。然后，形成開口部分，并_@3131將懶臍吲^岍口部分中去除分離層。在這種情況下，在衝紛離層的第一區(qū)中在襯獻(xiàn)口纟^^膜之間產(chǎn)生間隔，而襯底 和^^，不皿分離層的第二區(qū)中相互,。
因此，即使在去除分離層之后，也獸K13i^共襯底和^^膜相互撤蟲的區(qū)域 來(lái)防止提供于絕緣膜之上的薄 ^*^脫落。通過(guò)襯/^:掙薄m成電路，并
M31提供襯底和絕緣膜相互撤蟲的區(qū)域能容易姻每薄M^i電路轉(zhuǎn)移到基/^才料上。
根據(jù)本發(fā)明的帝臘薄M^TO的方法，包括以下步驟，一區(qū)和第二區(qū) 中于具有絕 面的襯底^±形成分離層；僅去除第二區(qū)中的分離層；形成與絕
緣襯底和分離，觸的絕緣膜；在第一區(qū)中于鄉(xiāng)^^膜:tJ:形成多個(gè)元件和用作天
線的導(dǎo)電層；在其中不形成該多個(gè)元件和導(dǎo)電層的區(qū)域中 魁也形成開口部分
以暴露分離層；以^SM:將嫩臍i」引Ai岍口部分中來(lái)去除分離層。
根據(jù)本發(fā)明的制臘薄IM^電路的方法，包括以下步驟S三區(qū)和第四區(qū) 中于具有絕 面的襯底±±形成分離層；選擇性地去除^m三區(qū)中的分離層； 去除，四區(qū)中的分離層；形,絕緣襯底和分離M^的tfe^膜；^m三區(qū)中 于絕緣膜之上形成多個(gè)元件和用作纖的導(dǎo)鴨；在B^拂成了該多個(gè)元件和導(dǎo) 電層的第五區(qū)的外圍中的第六區(qū)中選擇性地形成開口部分，以暴露分離層；以及 Mii將蝕刻劑引Ag岍口部分中絲除分離層，其中，^t擇性去除第三區(qū)中的 分離層的步驟中，去除除了包括絲三區(qū)中的第五和第六區(qū)之外的第七區(qū)中的分 離層，而不去除第五和第六區(qū)中的分離層。
根據(jù)本發(fā)明的帝隨薄M^頓各的方法，包括以下步驟^m三區(qū)和第四區(qū) 中于具有絕 面的襯底;^±形成分離層；選擇性去除第三區(qū)中的分離層；去除
第四區(qū)中的分離層；形成與襯凝盼離,蟲的絕緣騰在第三區(qū)中于鄉(xiāng)M膜之 上形成多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層；在除了己鄉(xiāng)魏成該多個(gè)元件和導(dǎo)te的第 五區(qū)之外的第六區(qū)、禾口第五區(qū)的外圍中的第八區(qū)中形成開口部分，以便暴露分離 層；以^M31將懶蹄」引AI岍口部分中來(lái)去除分離層，其中，^t擇性地去除 第三區(qū)的分離層的步驟中，選擇性地去除包括綠三區(qū)中的第八區(qū)中的分離層， 但不去除^m五和第六區(qū)中的分離層。
根據(jù)本發(fā)明的偉隨薄^ ^電路的方法，包括以下步驟在第三區(qū)禾瞎四區(qū) 中于具有絕緣表面的襯底^h形成分離層；選擇性地去除^三區(qū)中的分離層； 去除在第四區(qū)中的分離層；形^襯底和分離皿觸的絕緣騰在第三區(qū)中于絕緣膜^i:形成多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層；在除了形成該多^^元件和導(dǎo)電層的 第九區(qū)之外的第十區(qū)中選樹 ^成開口部分，以便暴露分離層；以^131將蝕 亥躋U引A5岍口部分中來(lái)去除分離層，其中，^ft生去除第三區(qū)中的分離層的 步驟中，選擇性去除包括綠三區(qū)中的第九區(qū)中的分離層，但不去除第九區(qū)外部 的分離層。
在具有戰(zhàn)結(jié)構(gòu)的薄膜集成電路的制造方法中，"在第一禾嘴二區(qū)中于具有 絕,面的襯底2Ji形成分離層以及去除第二區(qū)中的分離層的步驟"可變成"在 第一和第+^區(qū)中于具有鄉(xiāng)M^面的襯底:^形成分離層以及選擇性去除第"h^ 區(qū)中的分離層的步驟"。相柳也，"，三和第四區(qū)中于具有絕,面的襯底:^± 形成分離層、,性地去除第三區(qū)中的分離層以及去除第四區(qū)中的分離層的步驟" 可，"在第三和第十二區(qū)中于具有絕,面的襯底:tJi形成分離層以^^擇性 去除第三禾嘴十二區(qū)中的分離層的步驟"。財(cái)卜，嫩臍U^^含卣織化物的氣體
根據(jù)本發(fā)明，即4贓去除了分離層之后，M^f共襯底與絕緣膜撤蟲的區(qū)域， 也能防止已經(jīng)在絕緣膜之上的薄^X電路脫落。財(cái)卜，能容易鵬每薄膜,電 路轉(zhuǎn)移到基底材料上，因?yàn)橛齘M^f共襯底與絕緣膜撤蟲的區(qū)域借助襯底來(lái)支持 薄IM^i電路。
當(dāng)根據(jù)本發(fā)明借助襯底來(lái)支掙薄麟成電路時(shí)，育諧移襯底，并且薄 ^ 頓各支^其上，并且由此能將該襯OT于包括傳輸^S的，ttl^設(shè)備。例如， 當(dāng)將支持薄膜集成電路的襯底轉(zhuǎn)移到層壓設(shè)備中時(shí)，可3^賣進(jìn)療薄IM^電路的 層虹藝。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，單獨(dú)地形成具有薄膜集成電路的一個(gè)單元的第一區(qū)和第二 區(qū)。僅能將預(yù)定的薄M^電路轉(zhuǎn)移到基/^賴斗上。
由于第一區(qū)和第二區(qū)在作為單元的一個(gè)薄膜集成電路中分別形成，因雌去 除分離層之后不一定切割多個(gè)薄IM^電路。換句i舌說(shuō)，當(dāng)將薄 成電路轉(zhuǎn)移 至瞎/^才料上時(shí)E^別該多個(gè)薄IM^電路進(jìn)行了切割。


' 在附圖中
圖1A至1C示出了根據(jù)本發(fā)明的薄麟成電路的帝臘方法；圖2A至2D示出了根據(jù)本發(fā)明的薄^^鵬的偉隨方法；
圖3A和3B示出根據(jù)本發(fā)明的薄M^輸；
圖4A和4B示出根據(jù)本發(fā)明的薄^^鵬的偉隨方法；
圖5A至5D示出了根據(jù)本發(fā)明的薄M^電路的律隨方法；
圖6A和6B示出根據(jù)本發(fā)明的薄膜誠(chéng)電路；
圖7A和7B示出了根據(jù)本發(fā)明的薄麟成電路；
圖8A至8D示出了根據(jù)本發(fā)明的薄IM^頓各的制造方法；
圖9A至9C示出了根據(jù)本發(fā)明的薄麟成電路的制造方法；
圖10A至10D示出了根據(jù)本發(fā)明的薄麟成電路的諱隨方法;
圖11A至11C均示出了根據(jù)本發(fā)明的布局的實(shí)例；
圖12示出了薄麟成電路的亂
圖13A至13E均示出了具有薄膜集成頓各的應(yīng)用實(shí)例；
圖14A和14B均示出了薄IM^頓各的應(yīng)用實(shí)例；
圖15A和15B示出了根據(jù)本發(fā)明的薄IM^電路的偉隨方法;
圖16A和16B均示出了根據(jù)本發(fā)明的薄IM^電路；以及
圖17A和17B均示出了根據(jù)本發(fā)明的薄IM^電路。
具體實(shí)魴式
以下將錄附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施伊訴試和實(shí)施例。本發(fā)明育,以多種 不同模式進(jìn)行，并且本領(lǐng):i^l術(shù)人員容易働軍的是，在不脫離本發(fā)明的樹特嚥 圍的情況下，在此公開的，試和細(xì)節(jié)可以以多種方式來(lái)修改。應(yīng)當(dāng)注意的是，本 發(fā)明不應(yīng)被解釋為限于以下給出的實(shí)施例模式和實(shí)施例的描述。注意，貫穿根據(jù) 本發(fā)明的以下結(jié)構(gòu)中的所有圖，相同的,數(shù)字用于相同的部分。
實(shí)施伊鵬
關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的薄l^;電路的帶臘方法，例如，參考附圖描述四種諱隨方法。
參考圖1A至1C和2A至2D描述第1U造方法。
在具有會(huì)^^面101的襯底的一條面上形成分離層。然后，選擇性去除分 離層，以形成樹共了分離層的第一區(qū)115和分離層被去除的第二區(qū)116 (圖1A)。 在^f將分離層的第一區(qū)115中，稍后將形鵬II^電路。其中分離層被去除的第二區(qū)116 ^)"底101與稍后將形成的^^膜相SM的區(qū)域，而在其中沒有 被衛(wèi)共薄IM^電路。
根據(jù)本發(fā)明，在作為單元的一個(gè)薄M^;頓各中分別形麟一區(qū)ii5禾嘴二
區(qū)116，并且由此僅可以將期望的薄 成電路轉(zhuǎn)移至瞎/^才料上。ltW卜，由于在 作為單元的一個(gè)薄IM^頓各中分別形職一區(qū)115和第二區(qū)116，因jttM31將它 們轉(zhuǎn)移到基底材料上的步驟該多個(gè)薄^^電路均被自動(dòng)切害ij。因此，可省略切 割該多個(gè)薄^^電路的步驟。
具有纟^ 面101的襯m應(yīng)于,t底石菊t底塑料襯底；柔性合成 樹脂襯底如丙烯酸；或者^(guò)1襯底。！^卜，通過(guò)利用公矢肪法如M^"等離子 體CVD形成包含硅的層來(lái)獲得分離層。包含硅的層對(duì)應(yīng)于非晶半導(dǎo)體層、混合了 非s曰s態(tài)和結(jié)晶態(tài)的判塌半導(dǎo)體層、赫結(jié)晶特體層。
可以細(xì)光刻工2iWI4t也去除分離層。如J^腿，在襯底101的Hi的整 條面^Jl形成分離層，并M^性去除分離層。然而，本發(fā)明不限于此。禾,
掩模如金屬掩模，剛粉離層選擇鵬形成于襯底ioi a。
然后，參考圖1A至1C和2A至2D描述以下步驟。圖1A至1C中的線A-B 對(duì)應(yīng)于圖2A至2D的截面圖中的線A-B。
形^ife^膜105作為將與襯底101和分離層102至104 ,的基繊(圖1B 和圖2A)。纟^^膜105與鶴一區(qū)115中的分離層102至104 ,并與第二區(qū)116 中的襯底101 ,。纟^^膜105艦公失仿法如等離子體CVD ^M由氧化硅、 氮化硅、織化硅、氧氮化硅等形成。
隨后，將包括的多個(gè)元件(元件組)106形成于^m—區(qū)115中的纟^fe^膜105 之上。該多個(gè)元件106包括，例如薄膜晶體管、電#^元件、電阻器元件、二極 體中的一種夠種。 匕形鵬該多個(gè)元件106中的兩個(gè)晶體管117和118。 然后，形^^fe^膜107以鶴該多個(gè)元件106，并且在絕緣膜107 a形成絕緣 膜108。然后，將用作，的導(dǎo) 110形成于^^膜108^±。將用作^^戶膜的 鄉(xiāng)fe^膜111形成于導(dǎo)te 110 ^i:。 iliiJd^步驟，完成了包Jgi亥多個(gè)元件106 和導(dǎo)電層110的薄自成電路109。注意，圖1B的頂視圖i^出了作為晶體管117 和118的晶體管117和118的有源層，沒有示出衝共于有源層a的導(dǎo)電層110 等。
絕緣膜i07、 108和in由有t附才料g無(wú)禾;m料形成。，聚St3K、丙烯酸、聚 、 ^ft^、環(huán)綱月i^乍為有mt才料。 ^括由硅(Si)和氧(0)
的^^成的骨架、禾口作為取4堪的至^^飽的有豐腿團(tuán)(如^S或芳香烴)。此 外，可將細(xì)作刺堪。財(cái)卜，可以細(xì)氟和至少^飽的有機(jī)基團(tuán)作為取4堪。 氧化硅、氮化硅、織化硅、氧氮化硅等可用作無(wú)鵬斗。
在形成了該多個(gè)元件106和導(dǎo)i^M 110的區(qū)嫩卜部選擇性地形成開口部分 112和113，以便暴露分離層102至104 (圖1C和圖2B)。換^HS說(shuō)，鄉(xiāng)成了 該多個(gè)元件106和導(dǎo)頓110的區(qū)嫩卜圍中選擇魁也形成幵口部分。例如ffl31使 用掩模的 膨成開口部分。在圖1C中，由虛線四邊形示出開口部分。
注意，可Mii激光照射代替i^的懶膨成開口部分。
然后，將用于去除分離層102至104的嫩臍吲入到開口部分112和113中， 以去除分離層102至104 (圖2C)。將包含卣^M化物的氣體，體用作嫩臍'J。 例如將三氟化氯(OF3)用作包含卣織化物的氣體。
包括該多個(gè)元件106和導(dǎo)頓110的薄^^i電路109被附著到基/^才料114 上，并^g^襯底101分離薄^g;電路109 (圖2D)。此時(shí)，將去除了分離層102 至104的部分附著到基/^才料114上，并將該部分從襯底101完全分離，同時(shí)， M31襯底101支持襯底101與絕緣膜105撤蟲的部分。
本發(fā)明不限于±^模式。當(dāng)將薄麟成電路109附著到基/^才料114上時(shí)， 襯底101與纟條膜105撤蟲的部她被附著至瞎/^才料114上，并且在一些清況 下從襯底101分離。
可將柔性襯底如塑料、雙面膠帶等用作基/^才料114?？蔀槿嵝砸r底掛共利 用粘附劑如熱固性樹脂形成的粘附表面。財(cái)卜，可以將薄麟成頓各附著至鵬體 表面上，而不{頓基/^才料114。結(jié)果，可以將l^f賄薄IM^電路的物體制作 得更薄并且更輕。
Jl^方法具有一M寺征 性形成分離層。根據(jù)該特征，由于即i吏在去除 分離層之后絕緣膜105的1她與襯底101 ,，因此可以借助襯底101支持 薄^^電路109。因此，育,防止該薄M^電路109脫落。 參考圖3A、 3B、 4A、犯和5A至5D描述第1中偉i臘方法。 在具有鄉(xiāng)^^面101的襯底的一條面上形成分離層。然后，選擇附也去除 分離層以形^t性;tt^^離層的第三區(qū)138和分離層被去除的第四區(qū)139(圖 3A和圖3B;圖3A中的線C-D對(duì)應(yīng)于圖3B中的線OD)。 S^擇,也l^f賄分離層的第三區(qū)138中，稍后將形，^^頓各。分離層被去除的第四區(qū)139 MM底101與稍后將形成的^^膜^t蟲的區(qū)域，而在其中沒有^^t共薄M^i 輸。
根據(jù)本發(fā)明，第三區(qū)138和第四區(qū)139在作為單元的一個(gè)薄m^電路中分 別形成，并且因此僅可以將所期望的薄 成電路轉(zhuǎn)移至瞎/^才料上。lt附，由 于第三區(qū)138和第四區(qū)139在作為單元的一個(gè)薄^^電路中分別形成，因《 過(guò)將它們轉(zhuǎn)移到基底材料上的步驟該多個(gè)薄^^電路均被自動(dòng)切割。由此，可
省略切割該多個(gè)薄M^;電路的步驟。
然后，##圖4A和4B以及5A至5D描述以下步驟。圖3A、 4A和4B中 的線A-B對(duì)應(yīng)于圖5A至5D中的線A-B。
形成與襯底101和分離層121及122撤蟲的絕緣膜105 (圖4A和圖5A)。 鄉(xiāng)^^膜105與第三區(qū)138中的分離層121和122及襯底101 ,并且與第四區(qū)139 中的襯底101撤蟲。
隨后，在絕緣膜105 ;tJ:形成包括多個(gè)元件的多個(gè)元件106。注意，僅示出 作為圖4A和4B中的晶體管117和118的晶體管117和118的有源層。艦，在 該多個(gè)元件中形成兩個(gè)晶贈(zèng)117和118。然后，形^^條膜107以SM該多個(gè)元 件106，并且在纟^^膜107;tii形成纟^^膜108。然后，在纟^^膜108;til形細(xì)
作，的導(dǎo)^J1 uo。在導(dǎo)^Miio;^形自作《尉戶膜的纟^^膜m。
步驟，誠(chéng)了包撤亥多個(gè)元件106和導(dǎo)鴨110的薄麟成頓各109。
,成了該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的區(qū)域(下文中的第五區(qū)135)的外
圍區(qū)(下文中的第六區(qū)136)中選擇TO形成開口部分123和124，以暴露分離層
121和122 (圖4B和5B)。換句話說(shuō)，在形成了該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的
第五區(qū)135的外圍中選擇性地形成開口部分123和124。
然后，將用于去除分離層121和122的t賅躋吲/J岍口部分123和124中，
以去除分離層121禾口 122 (圖5C)。將包含齒織化物的氣體^M體用作嫩躋IJ。 將包職多個(gè)元件106和導(dǎo)幅110的薄M^;電路109附著到基/^才料114
上，并且因llt^襯底101完全分離薄^a電路109 (圖5D)。此時(shí)，將去除了
分離層的部分附著到基/^才料114上，同時(shí)借助襯底101支持襯底101與絕緣膜
105 ^i蟲的部分。
本發(fā)明不限于±^模式。當(dāng)將薄^^電路109附著到基/^才料114上時(shí)，襯底101與絕緣膜105織蚰勺部她被附著到基/^才料114上，并且在一些瞎況 下從襯底101分離。
該帝臘方法具有一^K寺征；&^擇性去除第三區(qū)i38中的分離層的步驟中，
去除tt于第三區(qū)138中但是，五區(qū)135禾嘴六區(qū)136外部的第七區(qū)137的分 離層，但是不去除第五區(qū)135和第六區(qū)136的分離層。財(cái)卜，另一M寺征是， 六區(qū)136中選擇&ti^供開口部分。
換^Ji舌說(shuō)，將第三區(qū)138 ^J(分，五區(qū)135、第六區(qū)136和第七區(qū)137。 第五區(qū)135 ^f共了分離層、元件組106和導(dǎo)幅110的區(qū)域，第六區(qū)136題 供了分離Jli旦是不衛(wèi)共該多個(gè)元件106和導(dǎo)螺110的區(qū)域，以麟七區(qū)137是 沒有掛M離層、該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110中的〗if可一個(gè)的區(qū)域。
如J^M， M^擇性iikM^離層，即使在去除了分離層之后，纟^^膜105 的一部她與襯底101 ^!蟲。因此，育維助襯底101支掙薄| ^電路109，并 且因此能防止薄M^電路109脫落。
錄圖6A、 6B、 7A、 7B和8A至8D娜述第三種諱隨方法。
在具有ife^面101的襯底的一條面上形成分離層。然后，選擇性地去除 分離層，以形皿擇性it^供了分離層的第三區(qū)138和分離層被去除的第四區(qū)139 (圖6A和圖6B;圖6A中的線C-D對(duì)應(yīng)于圖6B中的線C-D)。 ^fc^f性地被提 M分離層的第三區(qū)138中，稍后將形成薄^^電路。分離層被去除的第四區(qū) 139 MM底101與稍后將形成的絕緣膜相撤蟲的區(qū)域，而在其中沒有被掛共薄 麟成電路。
根據(jù)本發(fā)明，在作為單元的一個(gè)薄M^;電路中分別形麟三區(qū)138禾瞎四 區(qū)139，并且因此育辦僅將所期望的薄^g^轉(zhuǎn)移至瞎/^才料上。財(cái)卜，由 于在作為單元的一個(gè)薄^^電路中分別形成第三區(qū)138和第四區(qū)139，因ltkM
過(guò)將它們轉(zhuǎn)移到基底材料上的步驟，該多個(gè)薄^￡電路均被自動(dòng)切割。因此， 可省略切割該多個(gè)薄月M^電路的步驟。
然后，參考圖7A和7B以及8A至8D描述以下步驟。圖6A、 7A和7B中 的線A-B對(duì)應(yīng)于圖8A至8D中的線A-B。
形鵬襯底101和分離層125 ^M的^^膜105作為基繊(圖7A和8A)。 鄉(xiāng)^^膜105與第三區(qū)138中的分離層125和襯底101 ,并且與第四區(qū)139中的 襯底101撤蟲。隨后，在i6^膜105 ;tJ:形成包括多個(gè)元件的多個(gè)元件106。艦，在該多 個(gè)元件106中形成兩個(gè)晶體管117和118。注意，腕出了作為圖7A和7B中的 晶體管117和118的晶體管117和118的有源層。然后，形^^色緣膜107以MM 該多個(gè)元件106，并且在絕緣膜107 ^Jl形礎(chǔ)櫞膜108。然后在纖膜108 ;t±
形自作天線的導(dǎo)電層iio。在導(dǎo)電層iioa形自作傲戶膜的絕緣膜m。通
iiJ^步驟，完成包^i亥多個(gè)元件106和導(dǎo),110的薄^^電路109。
在除了形成該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的區(qū)域(下文中的第五區(qū)135)和 第五區(qū)135的外圍區(qū)域(下文中的第八區(qū)147) 3卜的區(qū)域(下文中的第六區(qū)136) 中形成開口部分126，以暴露分離層125 (圖7B和8B)。在此，第五區(qū)135魏 供了該多個(gè)元件106和導(dǎo)幅110的區(qū)域，第八區(qū)147是第五區(qū)135的外圍中的 區(qū)域，以鄉(xiāng)六區(qū)136是除了第五區(qū)135和第八區(qū)147之外的區(qū)域。第六區(qū)136 和第八區(qū)147根據(jù)與第五區(qū)135的距離來(lái)確定。例如，離第五區(qū)135有一超巨離 的區(qū)域可稱作第八區(qū)147，并且除了這些區(qū)^t外的區(qū)域可稱作第六區(qū)136。
然后，將用于去除分離層125的嫩蹄J引/J岍口部分126中，以去除分離 層125 (圖8C)。將包含卣mE化物的氣體^^體用作嫩臍U。
將包括該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的薄皿成電路109附著到基/^才料114 上，并且因彭人襯底101完全分離薄H^成電路109 (圖8D)。此時(shí)，將分離層 被去除的部分附著到基/^才料114上，同時(shí)借助襯底101支持襯底101與絕緣材 料105繊勺部分。
本發(fā)明不限于J^模式。當(dāng)將薄膜誠(chéng)鵬109附著至瞎/^才料114上時(shí)， 襯底101與鄉(xiāng)^^膜105 ,的部她被附著到基/^才料114，并且在一些瞎況下從 襯底101分離。
該偉隨方法具有一^#征: #性地去除第三區(qū)138中的分離層的步驟中， 選擇性地去除包括^三區(qū)138中的第八區(qū)14中的分離層，但是不去除第五區(qū) 135和第六區(qū)136的分離層。
換句i射兌，將第三區(qū)138 ^t分,五區(qū)135、第六區(qū)136和第乂V區(qū)147。 第五區(qū)135 ^f共了分離層、元件組106和導(dǎo)電層110的區(qū)域，第八區(qū)147魏 擇性ii^f共分離層但是不鄉(xiāng)該多個(gè)元件106和導(dǎo)幅110的區(qū)域，以麟六區(qū) 136 ^f紛離離是不樹共該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的區(qū)域。第六區(qū)136 是被^f共有開口部分的區(qū)域。如i^M， M^擇,i^fM離層，即^&去除了分離層之后，ife^層105 的1她與襯底101織蟲。因此，能借助襯駭掙薄11 鵬109，并且因 此能防止薄M^M 109脫落。
參考圖6A、 6B、 9A至9C和10A至10D描述第四帶J^方法。
在具有^ 101的一條面上形成分離層。然后，選擇性地去除分離層 以形^^擇^Ji^f，離層的第三區(qū)138和分離層被去除的第四區(qū)139 (圖6A和 圖6B)。這些步驟與第三制臘方法中的那些相似。
然后，參考圖9A至9C和10A至10D描述以下步驟。圖9A至9C中的線 A-B對(duì)應(yīng)于圖IOA至10D的截面圖中的線A-B。
形鵬襯底101和分離層131 的^^膜105作為基繊(圖9B和圖 10A)。鄉(xiāng)^^膜105與第三區(qū)138中的分離層131禾口襯底101 ^i蟲并且與第四區(qū)139 中的襯底101撤蟲。在圖9A中，不衝紛離層131的區(qū)域由沒有用對(duì)角線硫己 的四邊形示出。
隨后，在纟^^膜105 2Jl形成包括多個(gè)元件的多個(gè)元件106。艦，在該多 個(gè)元件106中形成兩個(gè)晶體管117和118。注意，僅示出作為圖9A至9C中的晶 體管117和118的晶體管117和118的有源區(qū)。然后，形成鄉(xiāng)條膜107以M該 多個(gè)元件106，并且在鄉(xiāng)機(jī)膜107 a形^^色緣膜108。然后，在絕緣膜108:tJ:
形自作天線的導(dǎo)電層uo。在導(dǎo)電層iio^h形^作保護(hù)膜的絕緣膜m。通
^Jd^步驟，完成包^i亥多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的薄IM成電路109。
注意，在i銶驟中，掛共襯底101不與ife^膜105撤蟲的區(qū)域，以便該區(qū)域 與^fM薄^K頓各109的區(qū); 4。當(dāng)將薄IM^電路109附著到基/^才 料114上時(shí)，襯底101與ife^膜105撤蟲的這種區(qū)斬從襯底101分離。因此， 襯底101與纟^6^膜105撤蟲的區(qū)域的面積^^可能小。
然后，在^t于衝共該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的區(qū)域(下文中的第九區(qū) 148)外面的區(qū)域(下文中的第十區(qū)149)中JW性地形成開口部分132，以暴露 分離層131 (圖9C和10B)。
然后，將用于去除分離層131的嫩臍吲Ai岍口部分132中，以去除分離 層131 (圖10C)。將包含卣mm化物的氣體^^體用作嫩躋1」。-
將包括該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的薄IM^電路109附著到基底材料114 上，并_§>人襯底101完封也分離薄麟成電路109 (圖10D)。此時(shí)，除了分離層被去除的部分之外，也將襯底101與^^膜105激蟲的部分附著到基/^才料114 上。
該諱隨方法具有一^ir征在選擇性地去除第三區(qū)138的分離層的步驟中， 選擇l4t也去除第三區(qū)138中包括的第五區(qū)135的分離層，但是不去除第六區(qū)136 的分離層。
換句話說(shuō)，將第三區(qū)138 ，分,九區(qū)148和第十區(qū)149。第九區(qū)148是 離附Wf紛離層并且衛(wèi)共該多個(gè)元件106和導(dǎo)頓110的區(qū)域，以麟十區(qū) 149 ^^離層但是不衝共該多個(gè)元件106和導(dǎo)電層110的區(qū)域。財(cái)卜，第十區(qū) 149超紛皮掛賄開口部分的區(qū)域。
如J^腿， 3 性劍^^離層，即使去除了分離層之后，鄉(xiāng)條膜105的 一部她與襯底101繊。因此，能借助襯駭掙薄月M^頓各109，并因此能 防止薄^a鵬109脫落。
注意，綠1iJ^方法中，去除綠二區(qū)116中的所有分離層；但是本發(fā)明 不限于此?？纱娴诙^(qū)116形成分離層|&^擇附也去除的第+~區(qū)145。(圖 IIA)。 ^m二銅臘方法盼瞎況下，可以代替第四區(qū)139形成分離層MiW性地去 除的第十二區(qū)146 (圖IIB)。鄉(xiāng)三和第四帝隨方法的瞎況下，可以代替第四區(qū) 139形成分離層^^擇性i也去除的第十二區(qū)146 (圖11C)。
M^[頓Jd^方法，可借助襯底101穩(wěn)當(dāng)?shù)刂瓯△氤呻娐?09，并且因 此能防止薄麟成電路109脫落。
il5ii^步驟形成的薄麟成頓各109可直樹頓聽可棚基/it禍榷封
之后4頓。由于根據(jù)本發(fā)明，在^^襯/fetJl形麟M^;電路109，因此，與 <頓圓^^襯底形成的芯片相比，母襯底的^R不受限制。因此，提高了^率， 傲隨妒戯可能，并且能實(shí)5鵬一步的赫陶氐。財(cái)卜，根據(jù)本發(fā)明，0.2" m厚，小、通常為40nm至170nm厚、優(yōu)選為50nm至150nm厚的半導(dǎo)體膜可 用作有源區(qū)。因此，薄膜誠(chéng)i^變得非常薄，并且當(dāng)將它安穀,體上時(shí)難以 看到該薄麟成電路。因此，可以防止偽造。 實(shí)施例1
根據(jù)本發(fā)明形成的薄^S電^a括多個(gè)元件和用作天線的導(dǎo)電層。該多個(gè) 元件是例如薄膜晶體管、電容器元件、電阻器元件、二極t^。
薄M^i電路210包括不用,而進(jìn)行翻通信的功能，并且包括在薄麟成頓各210中的多個(gè)元件形成了多種頓各。例如，薄^^頓各210包括電源電 路211、時(shí)鐘產(chǎn)生電路212、 解調(diào)/調(diào)制電路213、控制電路214、接口TO 215、存儲(chǔ)器216、數(shù)據(jù)總線217、天線(也稱作纖線圈)218等(圖12)。
電源電路211用于tg據(jù)^^^218輸入的交刻言號(hào)產(chǎn)生衛(wèi)共到J^的M電 路的電源。時(shí)鐘產(chǎn)生電路212用于根據(jù)M線218輸入的交對(duì)言號(hào)產(chǎn)生提供到上 述的於電路的多種鄉(xiāng)的時(shí)州言號(hào)。
周/調(diào)制輸213用預(yù)調(diào)^i^ 制與讀寫器219通信的娜?？刂齐娐?14例如是中^bS單元(CPU)、微處理 器單元(MPU)等，并朋于控制其他電路?？?18用于^it和接收電磁場(chǎng)或 者職電波。讀寫器219控制與薄麟成電路的通信、其 鵬和控制。
注意，由薄M^電路構(gòu)成的秘各不限于該結(jié)構(gòu)，并且可以采用多種結(jié)構(gòu)。 例如，可另夕hHf共另一部件，如電源腿的限幅電路和專用于代碼處理的硬件。
實(shí)施例2
根據(jù)本發(fā)明形成的薄li^電路210育,應(yīng)用至眵^H頁(yè)域中。例如，它可安 裝到識(shí)、硬幣、有你正券、不記名j驗(yàn)、證件(如駕駛證和居住卡，圖13A)、 包裝容器(如^^凝口塑料瓶，圖13B)、記錄介質(zhì)(如DVD軟件和錄像帶，圖 13C)、 工具(如自行車，圖13D)、個(gè)人物品(如駒和眼鏡，圖13E)、食 品、衣物、日用品、電^S等上。電T^S是措液晶顯^a、 EL顯^g、 TV^S (也簡(jiǎn)稱為TV、 TV接收器、電視接收器)、移動(dòng)電i薛。
財(cái)卜，可ffl1將薄M^電路210附著到產(chǎn)品表面上和安驟U產(chǎn)品內(nèi)部來(lái)將 該薄麟成電路210固定到,品上。例如，如果產(chǎn)品是書的話，可將薄麟成 頓各210魏到書頁(yè)內(nèi)部，以及如果產(chǎn)品是由有tW月識(shí)城的繊的話，則可將 薄月M^頓各210安裝到該艘的有IW脂內(nèi)部。ffiil將薄^^電路210安裝
到票據(jù)、硬幣、有你正券、不記名f驗(yàn)、證j特上能防止其偽造?？蒑:將薄膜
電路210安穀ll&^容器、"i豫介質(zhì)、個(gè)人物品、食品、衣物、日用品、電 ^ 等_ 改善檢測(cè)系統(tǒng)、租賃f^ (rental agency)系統(tǒng)等的效率。可M:將
薄ii^嶙安裝到^x具嫂防止其偽造和偷竊。
財(cái)卜，ffl3i將薄^^頓各應(yīng)用至U產(chǎn)品管理和分配系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)較高功能的系
統(tǒng)。例如，可將讀寫器295麟到包括顯示部分294的便攜式終端的H則上，同 時(shí),品297的H則上衝共薄IM^頓各296 (圖14A)。在這種情況下，當(dāng)將薄 麟成電路296置于^￡^寫器295時(shí)，顯示部分294顯示產(chǎn)品297的成分、來(lái)源地和分SS1程的^^等的信息。作為另一實(shí)例，可在4，帶旁:i^f共讀寫器295 (圖14B)。在這種情況下，育g容易;tiyt測(cè)產(chǎn)品2970因此肖^131將薄IM^電路 應(yīng)用到系統(tǒng)中來(lái)實(shí)現(xiàn)多功能系統(tǒng)。 實(shí)施例3
^i^的實(shí)施例模式中，M公知方法如M或等離子體CVD形成包括硅 的層作為分離層；然而，本發(fā)明不限于包括硅的層。例如，可M公知的方法如 、W^^離子體CVD皿離層形成為選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(TD、鉭(Ta)、 鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈾(Pd)、 鋨(Os)、銥(Ir)、硅(Si)的元素和主要包含J^元素的合金材料g化^t才 料的單層^Mo
當(dāng)分離層具有單層娜時(shí)，^ 成包括鴇的層、包括鉬的層、包括鉤和鉬 的、混合物的層、包括鴿的氧化物的層、包括鉤的氧氮化物的層、包括鉬的氧化物 的層、包括鉬的氧氮化物的層、包括鉤和鉬的混，的氧化物的層或包括鴿和鉬 的混，的氧氮化物的層。注意，鉤和鉬的混^tl是例如鴇和鉬的合金。
當(dāng)分離層具有觀結(jié)構(gòu)時(shí)，tt^成包括鴨的層、包括鉬的層藏包括鉤和
鉬的混合物的層作為第一層，以及it^形成包括鉤的層、包括鉬的層、包括鉤和 鉬的混合物的氧化物的層、包括鉤和鉬的混^tJ的氮化物的層、包括鉤和鉬的混 糊的氧氮化物的層麟包括鉤和鉬的混，的織化物的層作為第二層。
注意，當(dāng)包括鉤的層和包括鉤的氧化物的層的兩層!廳SJ乍為分離層時(shí)，可 細(xì)一種形成方法，艦i鄉(xiāng)駄法形成包括鉤的層、在其上形成包職化硅的
層、并且然后在鉤層和氧化鶴之間的界面郷成包鵬的氧化物的層。這可應(yīng)
用于形成另一種疊置結(jié)構(gòu)的情況。例如，當(dāng)包括鉤的層和包括鉤的氮化物、氧氮
化物或氮氧化物的層被形成為兩層SS結(jié)構(gòu)時(shí)，形成包括鴿的層，并且然后在其 上形成氮化,、包 化^^#包 的氧化 。該實(shí)施例能自由地 與實(shí)施例模胡其他實(shí)施例組合。
實(shí)施例4
am的實(shí)施例沖K;中，描述了UUM:將薄IM^頓各109附著到基/i^才
料114J^A襯底101分離誠(chéng)電路109的工藝。在該實(shí)施例中，錄圖15A和 15B描述其后的工藝。
在將薄^K電路109的~1則附著到基/^才料114 ±^后，將薄麟成電路109的另~^則附著到 ^才料140上。之后，J151切害U， 141切割基/^才料114
和基/^才料140相互附著的部分。由此，^;一個(gè)密封的薄IM^頓吝109。切
害U^S 141是切片 、劃片，、激光照謝M (具體為C02激光照謝，)、 刀等。然后，輸運(yùn)該密封的薄IM^電路109。
基/^才料114和基/it才料140是由辯隹材料制成的膜赫紙。膜由諸如聚丙 烯、聚酯、乙烯基、聚氟乙烯、氯乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene-vinyl acetate) 等的材料制成。注意，基/^才料114和基/^才料140的表耐由zm化硅(硅石) 粉末來(lái)涂敷。由于該涂敷，即使在高溫和高，環(huán)境下也離隹mfeK性。樹奐地， 基底材料114和基/^才料140的表面可由導(dǎo)電材料如氧化銦錫來(lái)涂敷。由于該涂 敷，靜電被充電，并且因此制尉戶薄!M^i鵬109。財(cái)卜，可3131作為傲戶膜 的包含碳作為其主要成分的薄膜激剛石鵬)來(lái)涂敷基獻(xiàn)才料114和基翩 料140中的一個(gè)或兩個(gè)。
基/^才料114和基/^才料140中的一個(gè)赫兩個(gè)在其Hi上可以具貧粘附表
面。MM加粘附劑如熱固性樹脂、紫外線固化樹脂、環(huán)糊H激形成該粘附 表面。財(cái)卜，基/it才料114和基/^指斗140中的一個(gè)或兩個(gè)可以是透光的。該實(shí) 施例可以與實(shí)施例模式和其他實(shí)施例自由組合。 實(shí)施例5 一
^M實(shí)施例模式中，描述了以谫ilP^在襯底;tJi體分離層和絕緣膜的方
法。例如，ffi3i第一第隨方法，形成與襯底101和分離層102至104撤蟲的絕緣 膜105 (圖2A)。 ffi31第二帝隨方法，形鵬襯底101和分離層121和122 的ife^膜105 (圖5A)。 ail第三帝隨方法，形鵬襯底101和分離層125宇數(shù)蟲 的^fe^膜105 (圖8A)。 il5i第四帝隨方法，形鵬襯底101和分離層131撤蟲 的^6^膜105 (圖10A)。然而，本發(fā)明不P艮于這些方法。可以以谫l,在襯底之 ± ^櫞膜、分離膜、第二纖膜。
換句謝兌，在襯底的一條面^Jt形職4櫞膜，并且鄉(xiāng)4櫞膜a 形成分離層。然后，選擇粗也去除分離層，以跡成麟了分離層的第—區(qū)禾環(huán) 提供分離層的第二區(qū)。隨后， ^面:^±形麟1^^膜。具體地，形鵬 第一區(qū)中的分離驟觸并且與第二區(qū)中的第一^^膜撤蟲的第:36^膜。因此， 以劍頃序在第一區(qū)中的襯/^± ^"^色緣膜、分離層、第:^色緣膜，并且以 谫i,織二區(qū)中Mm—絕緣膜和第1色緣膜。然后，將包括多個(gè)元件和用作，的導(dǎo) 的薄^ 電路形成于第一區(qū)中 的第二絕緣膜之上。隨后，形成開口部分，并_§3 1將嫩躋吲^岍口部分中 去除分離層。因此，錢一區(qū)中的第^^^膜和第^^色緣膜之間產(chǎn)生間隔，而以 劍,M襯底、第4色緣膜和第^^^膜以在第二區(qū)中相互接觸。
因此，即使在去除分離層之后，也育^131^在襯底上第一絕緣膜和第二絕 緣膜相互織蟲的區(qū)域，來(lái)防止樹共于第^^^膜a的薄麟成電路脫落。財(cái)卜， 可借助襯底支麟膜集成電路，并且因此可以M^在襯/i^Ji第一纖膜和 第z^^膜相互,的區(qū)域，容易她每薄IM^電路轉(zhuǎn)移到基/^才料上。
MJIf共第"^色緣膜能防ih^自寸底的雜質(zhì)滲透。當(dāng)選擇性地形成分離層 時(shí)，將其圖案化，并且在這禾tt青況下，不僅M盼離層，而且嫩附底；然而， 可M形，一絕緣膜防止襯底被1^U。作為第"^，膜，可ffi31公知方法如等 離子體CVD^W"形成由氧化硅、氮化硅、被添加了氮的氧化硅、被添加了氧的 氮化硅等形成的薄膜。
下文中，描述一種律隨方法，il31^種方法以御鵬形麟一絕緣膜、分離 層和第二絕緣膜。
艦第U造方法，在襯底101 a形礎(chǔ)色緣膜119 (對(duì)應(yīng)于第4色緣膜) (圖16A)。然后，在纟^^膜119;tJJ^擇性地形成分離層102至104。隨后，形 ^%絕緣膜119和分離層102至104,的纟^^膜105 (對(duì)應(yīng)于第二絕緣膜)。因 此，鄉(xiāng)^^膜105與第一區(qū)115中的分離層102至104 ，并且與第二區(qū)116中 的鄉(xiāng)^^膜119撤蟲。之后，如Jl^M，，一區(qū)115中的纟fe^膜105 ;tJ:形成多 個(gè)元件106禾口用作，的導(dǎo)^M 110。然后^m—區(qū)115中選擇性形^^露分離層 102至104的開口部分。然后ffiii將嫩,」引A^開口部^i除分離層102至 104。
艦第二鵬方法，在襯底101 a形礎(chǔ)櫞膜119 (對(duì)應(yīng)于第4色緣膜) (圖16B)。然后，在纟^^膜119 2Jl^擇性地形成分離層m和122。隨后，形 ^絕緣膜119和分離層121和122^l蟲的絕緣膜105 (對(duì)應(yīng)于第:^色緣膜)。因
此，^^膜105與第三區(qū)138中的分離層121和122以及^^膜119gM，并且 與第四區(qū)139中的#6^膜119,。之后，如J^M， ^三區(qū)138中的鄉(xiāng) 膜 105 :ti:形成多個(gè)元件106和用作，的導(dǎo),110。然后，g三區(qū)138中選擇 性地形^^露分離層121禾口 122的開口部分。然后，iKl將嫩臍吲AJ岍口部絲去除分離層121和122。
fflil第三帶臘方法，在襯底mi上形成絕緣膜119 (對(duì)應(yīng)于第^ffe^膜)(圖 17A)。然后在鄉(xiāng)MHll9;tJ^,也形成分離層125。隨后，形鵬纖膜119 和分離層125 ^M的^^膜105 (對(duì)應(yīng)于第^lfe^膜)。因此，鄉(xiāng)^^膜105與第三 區(qū)138中的分離層125和絕緣膜119撤蟲，并與第四區(qū)139中的絕緣膜119撤蟲。 之后，如J^腐，在第三區(qū)138中的鄉(xiāng)^^膜105 a形成多個(gè)元件106和用作天 線的導(dǎo),110。然后，在第三區(qū)138中 性;1: ^#露分離層125的開口部分。 然后M:將嫩臍吲ASJ開口部^^去除分離層125。
Mii第四偉隨方法，在襯底101上形j^^^膜119 (對(duì)應(yīng)于第"^^膜)(圖 17B)。然后，在絕緣膜119:^_^ 鵬形成分離層131。隨后，形成與纖膜 119和分離層131撤蟲的絕緣膜105 (對(duì)應(yīng)于第:^色緣膜)。因此，^g^膜105與 第三區(qū)138中的分離層131和絕緣膜119撤蟲，并且與第四區(qū)139中的絕緣膜119 撤蟲。之后，如上戶，，在第三區(qū)138中的絕緣膜105 ^Ji形成多個(gè)元件106和 用作，的導(dǎo)電層110。然后，在第三區(qū)138中選擇性地形^^露分離層121的開
口部分。然后，fflii將嫩臍吲/J岍口部^i除分離層m。
權(quán)利要求
1.一種制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在具有絕緣表面的襯底上的第一區(qū)和第二區(qū)中形成分離層，所述第一區(qū)被所述第二區(qū)包圍；去除所述第二區(qū)中的所述分離層；在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中形成第一絕緣膜；在所述第二區(qū)中的所述分離層被去除后，在所述第一區(qū)中的所述第一絕緣膜上形成多個(gè)元件和導(dǎo)電層；在所述第一區(qū)中的所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層上和在所述第二區(qū)中形成第二絕緣膜；在所述第一區(qū)中形成暴露所述分離層的開口部分，所述開口部分穿過(guò)所述第二絕緣膜和所述第一絕緣膜；通過(guò)將蝕刻劑引入所述開口部分來(lái)去除所述分離層；通過(guò)將第一基底材料結(jié)合在所述第二絕緣膜上來(lái)將所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層從所述襯底分離；在所述第一絕緣膜下結(jié)合第二基底材料；以及沿所述第二區(qū)切割所述第一基底材料和所述第二基底材料。
2.—種制造薄膜集成電路的方法，包括以下步驟在具有^^面的襯底上的第一區(qū)禾嗨二區(qū)中形成分離層，戶;M第一區(qū)掛;f述第二區(qū)包圍；去除戶;f^二區(qū)中的戶;M分離層；^^M第一區(qū)和戶/M^二區(qū)中形，"^fe^膜；'^0M^二區(qū)中的戶;M分離層被去除后，^^f^第一區(qū)中的戶;f^第一絕緣膜上形成多個(gè)元件和導(dǎo)幅；在所述第一區(qū)中的所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層上和在所述第二區(qū)中形，^0f^—區(qū)中形^^露戶;M分離層的第i口部分，戶;M第i口部， 逝;f^i櫞膜和戶;Mm"^膨 :將 臍|」弓i A^M第i口部^^去除戶;M分離層；M51將第一基底材料結(jié)合在所述第二絕緣膜上來(lái)將所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層M^f述襯底分離，由itk^B^二區(qū)中形^m露戶/f^一基^t才料的、穿過(guò)臓第"^櫞膜和戶;f^:^櫞膜的第二開口部分；在所述第一絕緣膜下結(jié)合在所述第二開口部分中與所述第一基底材禾碟觸的第:iS繊斗；以及沿戶;f^m二區(qū)切割戶;M第一基;^才料和戶;M第^s/^才料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的帝臘薄IM^頓各的方法，其中將激^^謝^ro于切割戶/f^m—基細(xì)斗和臓第獻(xiàn)才料。
4 根據(jù)權(quán)利要求3的制造薄^^;電路的方法，其中戶;f^激光照射錢是二 氧化碳激光照謝驢。
5. 根據(jù)權(quán)利要求i或2的帶臘薄膜集成鵬的方法，其中戶;M第一基獻(xiàn)才料 由二氧化棘涂敷。
6. 根據(jù)權(quán)利要求i或2的律隨薄 ^電路的方法，其中戶;Mmzis^才料 由，七棘涂敷。
7. —種偉隨薄l^^電路的方法，包括以下步驟在具有絕驗(yàn)面的襯底上的第一區(qū)和第二區(qū)中形成分離層，戶;^第一區(qū)嫩;f 述第二區(qū)包圍；去除戶;^m二區(qū)中的戶;f^分離層；^^Mm—區(qū)和戶;M第二區(qū)中形麟^^^騰s^f^二區(qū)中的戶;m分離層被去除后，^^m第一區(qū)中的所，^^^膜 上形成多個(gè)元件和導(dǎo)頓；在所述第一區(qū)中的所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層上和^&0 述第二區(qū)中形，^^述第一區(qū)中形^m露戶;M分離層的開口部分，戶皿開口部，3^M第 二絕緣膜和戶;M^櫞騰ffi31將^臍U弓i A^M開口部^i除戶;M分離層；M將基底材料結(jié)合在所述第二絕緣膜上來(lái)將所述多個(gè)元件和所述導(dǎo)電層 w鵬寸底分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的帝臘薄膜 電路的方法，其中戶;f^^^^才料由二氧化 頓涂敷。
9. 根據(jù);^利要求1、 2、 7中的任一項(xiàng)的律隨薄^^電路的方法，其中戶腿 導(dǎo)幅用作織。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1、 2、 7中的^^項(xiàng)的帶臘薄li^;鵬的方法，其中戶腿 鵬躋鵬含卣織化物的氣體賺體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 7中的任一項(xiàng)的偉隨薄IM^電路的方法，其中所述 多個(gè)元fm掛薄膜晶體管、電容器元件、電阻器元件和二極管中的至少"種。
全文摘要
本發(fā)明的目的是防止薄膜集成電路在轉(zhuǎn)移到基底材料的工藝期間脫落。通過(guò)本發(fā)明的制造方法，在襯底表面上選擇性地形成分離層；由此，形成提供分離層的第一區(qū)和不提供分離層的第二區(qū)。在分離層之上形成薄膜集成電路。然后，形成用于暴露分離層的開口部分，將蝕刻劑引入到開口部分中以去除分離層。因此，在提供有分離層的區(qū)域中產(chǎn)生間隔，而在沒有分離層的區(qū)域中不產(chǎn)生間隔。因此，通過(guò)之后提供不產(chǎn)生間隔的區(qū)域，即使在去除了分離層之后也能防止薄膜集成電路脫落。
文檔編號(hào)H01L21/78GK101599456SQ20091014896
公開日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2005年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月24日
發(fā)明者大力浩二, 鶴目卓也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所