專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術：
光刻裝置是一種將所需圖案應用于基底靶部上的裝置。光刻裝置可 以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構圖部件，如掩模 可用于產生對應于IC一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷 輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括 一部分， 一個或者多個管芯)。 一般地，單一的晶片將包含相繼曝光的相 鄰靶部的網格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，通過將整個圖案一 次曝光到靶部上而輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂掃描器， 通過在投射光束下沿給定的方向("掃描"方向)掃描所述圖案，并同時 沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一耙部。
已經提議將基底浸入具有相對較高折射率的液體中，.如水，從而填 充投影系統的最后一個元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在液體中 具有更短的波長，從而使得能夠對更小的特征進行成像。(液體的作用也 可以認為是增加了系統的有效NA和增加了焦深。)
但是，將基底或基底和基底臺浸沒在液體浴槽(例如參見US4,509, 853，將該文獻整體在此引入作為參考)中表示在掃描曝光過程中必須加 速大量的液體。這需要附加的或功率更大的電動機，且液體中的紊流可 能導致不期望的和不可預料的結果。
提出的一種用于供液系統的技術方案是僅在基底的局部區域上以及 投影系統的最后一個元件和使用液體限制系統(通常基底具有比投影系統的最后一個元件更大的表面區域)的基底之間提供液體。在W099/ 49504中公開了已經提出的一種布置成用于該方案的方式，在此將該文獻 整體引入作為參考。如圖6和7所示，通過至少一個入口IN將液體提供 到基底上，優選地沿基底相對于最后一個元件的移動方向，以及在通過 投影系統下方之后通過至少一個出口OUT去除液體。也就是說，沿-X 方向掃描在該元件下方的基底，并在元件的+X方向提供液體，在-X方向 回收。圖6示出了示意性的布置，其中通過入口IN提供液體，和通過與 低壓源相連接的出口OUT在元件的另一側回收。在圖6的說明中，沿基 底相對于最后一個元件的移動方向提供液體，盡管可以不必這樣。定位 成圍繞最后一個元件的入口和出口的各種定向和數量都是可能的， 一個 實例如圖7所示，其中在圍繞最后一個元件的規則圖案中提供了四組入 口以及在另一側的出口。
已經提出的另一種技術方案是使用密封元件提供供液系統，該密封 元件沿投影系統的最后一個元件和基底臺之間的空間的邊界的至少一部 分延伸。該密封元件在XY平面中基本上相對于投影系統靜止，但是在Z 方向(光軸方向)可以有一些相對移動。在密封元件和基底表面之間形 成密封。優選地該密封是非接觸密封，如氣密封，例如在歐洲專利申請 No. 03252955.4中公開的系統，在此將該文獻整體引入作為參考。
顯然，在濕浸式光刻投影裝置中存在液體會增加在常規光刻裝置中 存在的難題。例如，諸如用于測量支撐基底的基底臺的位置的干涉儀IF 的傳感器可能由于浸液受到存在的濕氣影響。此外，不是用于供液系統 的所有上述方案在包含所有的浸液的情況都很完美，還可能發生滲漏或 泄漏。
發明內容
本發明的一個目的是減少在光刻投影裝置中存在浸液相關的問題。 根據本發明的一個方面，提供一種光刻投影裝置，包括 照射系統，用于提供輻射投射光束；
支撐結構，用于支撐構圖部件，該構圖部件用于給投影光束在其截 面賦予圖案；基底臺，用于保持基底；
投影系統，用于將帶圖案的光束投影到基底的靶部上；
供液系統，用于把浸液至少部分填充在投影系統和定位在基底臺上 的物體之間的空間；
其特征在于還包括一個主動干燥站，用于主動地去除來自物體、基 底臺或者這兩者的液體。
通過這種方式，主動去除浸液(優選地基本上可以不用加熱基底實 現這個)確保浸液與基底(如果基底是所述物體)上的光致抗蝕劑接觸 的時間盡可能地短。這是重要的，因為浸液能夠與光致抗蝕劑反應，使 得基底上的圖像質量會隨著光致抗蝕劑與浸液接觸的時間變化。此外， 如果主動干燥站從傳感器去除了液體，則可加強這些傳感器的性能。從 物體和基底臺上去除液體可減小在具有浸液蒸汽的裝置中的氣體環境污 染。這可能增強裝置中的任何光學傳感器的性能。在物體和/或基底臺 從投影系統下方移動和/或從供液系統移動之后進行該主動去除，即在 將浸液供給到物體和/或基底臺之后被停止。
優選地，基底臺將物體輸送到主動干燥站，并在使用主動干燥站將 浸液從物體主動去除的過程中支撐物體。這確保了在從投影系統(或從 供液系統)下方去除之后，盡可能快地進行浸液的主動去除，由此減小 浸液暴露于裝置的氣體環境和基底上的光致抗蝕劑中的時間；基底不需 要在其被干燥之前從基底臺移開。
主動干燥站可以定位在投影系統和基底后曝光處理模塊之間，使得 可以在曝光位置和后曝光處理模塊之間，或在安裝了傳感器的基底臺的 情況下在使用傳感器測量之前，進行浸液的去除。也就是說主動干燥站 位于投影裝置中和/或是投影裝置的一部分，而不是后曝光處理模塊的 一部分。
優選地干燥站包括氣體流動部件，用于在所述物體或所述基底臺上 形成氣體流動。優選地該氣體流動部件能夠形成至少每分鐘50公升的氣 體流動。這就確保光刻裝置內部的濕度保持較低，并且在溫度波動時能 夠有助于保持裝置穩定。該主動干燥站可以包括至少一個氣體入口，用 于將氣體提供到所述基底的表面上，和/或至少一個氣體出口，用于將
5氣體和/或液體從物體表面去除。在氣體入口的情況下，至少一個氣體 入口可以包括一個具有至少十個入口的氣刀或氣體噴頭。已經發現這些 方案在將液體從物體或基底臺去除浸液時都特別有效。
主動干燥站可以包括一個使物體旋轉的旋轉器。該旋轉器利用離心 力將浸液從物體上去除。當物體是基底時該方案是特別合適的，在這種 情況下基底在繞其中心的主平面被旋轉。
另一種可以自身或附加地應用在上述的任何一種其它方法的可替換 方案包括用于提供溶解浸液的液體給物體表面的浸液溶解供液部件。通 過這種方式，浸液能夠溶解在浸液溶解液體中。浸液溶解液體本身可選 擇成容易從基底去除。例如通過選擇一種液體就可以實現，該液體具有 促進干燥的物體表面的潤濕特性。或者浸液溶解液體可以選擇成比浸液 更加易揮發，使得它可以從物體表面蒸發掉。優選地浸液溶解液體是酮 或乙醇。
根據本發明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括以下步
驟
提供由基底臺支撐的基底； 使用照射系統提供輻射投射光束； 使用構圖部件給投影光束在其截面賦予圖案； 將在投影系統和物體之間的浸液提供到基底臺上； 使用投影系統將帶圖案的輻射光束投影到物體的靶部； 其特征在于主動地去除來自物體、基底臺或者這兩者的液體。 盡管在本申請中，本發明的光刻裝置具體用于制造IC，但是應該理 解這里描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光 學系統、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜 磁頭等等。本領域的技術人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這 里任何術語"晶片"或者"管芯"的使用應認為分別可以與更普通的術語"基 底"或"靶部"同義。在曝光之前或之后，可以在例如軌道(通常將抗蝕劑 層作用于基底并將己曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)或者計量工具或檢 驗工具對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里的公開可應 用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術語基底也可以指的是已經包含多個 已處理的層的基底。
這里使用的術語"輻射"和"光束"包含所有類型的電磁輻射，包括紫外
(UV)輻射(例如具有365， 248， 193， 157或者126nrn的波長)和遠 紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內的波長)，以及粒子束，如 離子束或電子束。
這里使用的術語"構圖部件"應廣義地解釋為能夠給投射光束賦予帶 圖案的截面的裝置，從而在基底的靶部中形成圖案。應該注意，賦予給 投射光束的圖案可以不與基底靶部中的所需圖案精確一致。 一般地，賦 予給投射光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相 對應。
構圖部件可以是透射的或者反射的。構圖部件的示例包括掩模，可 編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括 如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩 模類型。可編程反射鏡陣列的一個示例采用微小反射鏡的矩陣排列，每 個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而以與入射的輻射束不同的方向反射；按 照這種方式，對反射的光束進行構圖。在構圖部件的每個示例中，支撐 結構可以是框架或者工作臺，例如所述結構根據需要可以是固定的或者 是可移動的，并且可以確保構圖部件例如相對于投影系統位于所需的位 置，這里任何術語"中間掩模版"或者"掩模"的使用可以認為與更普通的術 語"構圖部件"同義。
這里所用的術語"投影系統"應廣義地解釋為包含各種類型的投影系 統，包括折射光學系統，反射光學系統，和反折射光學系統，如適合于 所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用浸液或使用真空。這里 任何術語"透鏡"的使用可以認為與更普通的術語"投影系統"同義。
照射系統還可以包括各種類型的光學部件，包括用于引導、整形或 者控制輻射投射光束的折射，反射和反折射光學部件，這種部件在下文 還可共同地或者單獨地稱作"透鏡"。
光刻裝置可以具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者 多個掩模臺)。在這種"多臺式，，裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝 光。
現在僅僅通過實例的方式，參考隨附的示意圖描述本發明的各個具 體實施方案，附圖中相應的參考標記表示相應的部件，其中 圖1示出了根據本發明一個實施方案的光刻裝置； 圖2示出了其中使用了氣刀的主動干燥站的一個實施方案； 圖3示出了其中使用了氣體噴頭的主動干燥站的一個實施方案； 圖4示意性地示出了在主動干燥站的實施方案中使用的旋轉器的原
理；
圖5以截面的形式示出了氣刀的一個示例性實施方案； 圖6以截面的形式示出了根據本發明的供液部件； 圖7以平面的形式示出了圖6的供液系統； 圖8示出了根據本發明的一個實施例的供液系統。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了本發明一個具體實施方案的光刻裝置。該裝置 包括
照射系統(照射器)IL，用于提供輻射投射光束PB (例如UV輻
射)；
第一支撐結構(例如掩模臺)MT，用于支撐構圖部件(例如掩模) MA，并與用于將該構圖部件相對于部件PL精確定位的第一定位裝置連 接；
基底臺(例如晶片臺)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶 片)W，并與用于將基底相對于部件PL精確定位的第二定位裝置連接； 以及
投影系統(例如折射投影透鏡)PL，用于將通過構圖部件MA賦予 給投射光束PB的圖案成像在基底W的靶部C (例如包括一個或多個管 芯)上。如這里指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)。另外，該裝 置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列)。
照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以
是獨立的機構，例如當輻射源是受激準分子激光器時。在這種情況下， 不認為輻射源是構成光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統
BD從源SO傳輸到照射器IL，所述輸送系統包括例如合適的定向反射鏡 和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是裝置的組成部分，例如當 源是汞燈時。源SO和照射器IL，如果需要的話連同光束輸送系統BD 可以被稱作輻射系統。
照射器IL可以包括調節裝置AM，用于調節光束的角強度分布。一 般地，至少可以調節在照射器光瞳平面上強度分布的外和/或內徑向范 圍(通常分別稱為(7-外和ci-內)。此外，照射器IL 一般包括各種其它部 件，如積分器IN和聚光器CO。照射器提供經調節的輻射光束，稱為投 射光束PB，該光束在其橫截面上具有所需的均勻度和強度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模臺MT上的掩模MA上。橫穿過掩模 MA后，投射光束PB通過透鏡PL，該透鏡將光束聚焦在基底W的靶部 C上。在第二定位裝置和位置傳感器IF (例如干涉測量器件)的輔助 下，基底臺WT可以精確地移動，用于例如在光束PB的光路中定位不同 的耙部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期 間，可以使用第一定位裝置和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出) 將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。.一般地，借助于長行程模 塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現物體臺MT和WT 的移動，其中長行程模塊和短行程模塊構成定位裝置的一部分。然而， 在步進器(與掃描裝置相對)的情況中，掩模臺MT只與短行程致動裝 置連接，或者固定。可以使用掩模對準標記Ml、 M2和基底對準標記 Pl、 P2對準掩模MA與基底W。
所示的裝置可以按照下面優選的模式使用
在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，賦予投射 光束的整個圖案被一次投射到靶部C上(即單次靜態曝光)。然后基底臺 WT沿X和/或Y方向移動，從而可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態曝光中成像的靶部C的尺寸。
在掃描模式中，當賦予投射光束的圖案被投射到靶部C時(即單次
動態曝光)，同步掃描掩模臺MT和基底臺WT。基底臺WT相對于掩模 臺MT的速度和方向通過投影系統PL的放大(縮小)和圖像反轉特性來 確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態曝光中靶部 的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定了靶部的高度(沿掃描 方向)。
在其他模式中，當賦予投射光束的圖案投射到靶部C上時，掩模臺 MT基本保持不動，支撐可編程構圖部件，且基底臺WT被移動或掃描。 在該模式中， 一般采用脈沖輻射源，并且在基底臺WT每次移動之后， 或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據需要更新可編程構圖部 件。這種操作模式可以容易地應用于采用可編程構圖部件的無掩模光刻 中，所述可編程構圖部件是如上面提到的可編程反射鏡陣列型。
還可以采用上述所用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的 模式。
該裝置具有至少一個主動干燥站ADS。優選地該主動干燥站ADS定 位成盡可能地靠近投影系統PL和定位在投影系統PL下方的供液系統 LSS。利用主動干燥，這表示采取了積極的手段將液體從物體去除，而不 是僅僅在物體上進行通常的操作，在通常操作過程中液體可能自然蒸發 或流掉，并且不以干燥物體的特定物體為目的采取任何手段。供液系統 LSS可以是包括一個局部區域供液系統的任何類型，該局部區域供液系 統可將液體提供到基底的局部區域和其中浸沒了整個基底的浴槽等等。
當基底W第一次從投影系統PL下方被移動遠離供液系統LSS對 (例如當其以浴槽的形式移出供液系統或當從浴槽排出水時)，使基底處 于主動干燥站ADS中。在主動干燥站ADS中，利用下面描述的一種或 多種手段的組合主動去除保留在基底W上的浸液。使用主動干燥站ADS 不會影響或去除抗蝕劑(在基底上的輻射敏感涂層)。
雖然將描述涉及從基底W去除液體的主動干燥站ADS，但是主動干 燥站也可以用于從傳感器(可能位于基底臺WT上，并且通過去除液體 可以提高其性能)去除浸液，以及從基底臺本身去除浸液。它也可以用來從其它物體去除液體。在傳感器的情況下，可以在測量之前即在基底 W曝光之前有利地去除液體。
在己經將浸液供給基底之后，不可能在處理之前將所有殘余的浸液 從基底表面去除。遺憾的是浸液能夠溶解到基底上的光致抗蝕劑中，同 時光致抗蝕劑可溶解到浸液中。因此期望的是，均勻顯影基底以便盡可
能地去除殘余的浸液。這都是在主動干燥站ADS中完成的。優選地主動 干燥站ADS如此定位使得在曝光基底之后能夠在預定時間內干燥基底。 該預定時間優選地小于5秒，更加優選地小于2秒，最優選地是小于1 秒。此外，裝置中的濕度很高是不利的，從而有利的是盡可能地去除殘 余在基底臺以及傳感器等上的浸液。利用主動干燥站ADS能夠實現所有 這些功能，優選地其位于光刻投影裝置中和/或構成光刻投影裝置的一 部分。從傳感器去除殘余的液體意味著液體不會干擾隨后的基底的正確 水準測量，這在以前是一個問題。
盡管在圖1中沒有示出，主動干燥站ADS可以具有一個擋板或其它 合適的部件，從而當干燥物體時完全封閉物體。例如，使用在主動干燥 站ADS中的隔板或擋板封閉整個基底臺WT的頂面，從而基本上防止浸 液繞裝置擴散。可以使用一個托盤來捕捉任何水滴。
盡管在圖1中已經示出了主動干燥站ADS作為光刻裝置的一部分， 但是也可以不是這種情況，主動干燥站ADS可以位于基底暴露在投射光 束PB的位置和在基底后曝光處理模塊之前的位置(在該位置可以進行各 個處理步驟例如光致抗蝕劑的烘烤、顯影、蝕刻和淀積)之間的任何位 置。因此主動干燥站^T以在光刻投影裝置的外部。
主動干燥站ADS可以使用任何部件從基底W去除液體。優選地基 本上不加熱基底來實現干燥，因為由于熱梯度的產生這可能使裝置不平 衡。下面描述幾個主動干燥站ADS從基底W去除液體的方式的實例。 可以單一或組合使用這些方法，如果合適同時或者一個接一個地使用這 些方法。
優選地主動干燥ADS位于光刻投影裝置中，基底臺將待干燥的基底 (或其它物體)輸送到主動干燥站ADS，并在使用主動干燥站ADS從物 體主動去除浸液的過程中支撐基底/物體。可以有多個主動干燥站，例
ii如一個用于基底W， 一個用于基底臺WT上的一個(多個)傳感器。
按照其最簡單的形式，主動干燥站ADS包括主動干燥站ADS包括 一個氣體流動部件IO，用于在基底W的表面上產生氣體流動。氣體流動 越快，從基底W去除浸液的效果和速度越快。優選地氣體流動速率為至 少每分鐘50公升是可實現的，更優選地是至少每分鐘100公升。優選地 氣體在被吹入到基底上之前被過濾和/或干燥，以便避免基底W的表面 污染，如果氣體與抗蝕劑相容(對于一些248nm的輻射的抗蝕劑不是這 種情況)。
在圖2示出的實施方案中，氣體流動部件包括一個入口 50和一個出 口 60。通過入口 50提供帶壓力的氣體和通過在出口 60中的以負壓將其 去除。圖2中示出的布置是一種所謂的氣刀，其中入口 50是一個使氣體 朝基底W加速的噴嘴，從而氣體以高的流率和高的速度沖擊到基底上。 優選地氣體射流沿著朝出口 60的方向和基底W成一角度沖擊到基底 上。在從基底W的表面去除液體時這種布置特別有效。氣體流動部件IO 可以僅包括一個單一的入口 50或一個單一的出口 60，也可以包括多個入 口和出口 50、 60。基底W可以在如箭頭15表示的靜止的入口和出口 50、 60的下方移動。這些入口和出口50、 60還可以是連續的凹槽及分立 的入口和出口。這些入口和出口50、 60也可以是可移動的。
對于氣體流動部件還可能的是僅包括與負壓部件連接的出口 60，在 這種情況下，氣體和在基底W頂部的浸液將通過出口 60吸取。
圖3中示出了另一個實施方案，其中氣體流動部件10包括多個入口 50，而基底上沒有出口，但是可以在其它地方提供所需出口以便排出過 多的氣體。這就是所謂的噴頭。優選地噴頭包括至少十個入口 50。噴頭 可以具有足夠大的截面積，從而覆蓋整個基底W的表面或者基底W在 其干燥時可以在噴頭10下方移動。
優選地主動干燥站尺寸為與基底臺一樣長，使得能夠一次干燥在基 底臺WT上的所有物體(包括基底和一個(或多個)傳感器)。
此外優選地在噴頭60中使用濾過的氣體。
圖5示出了一種用于將液體從基底W或一個(或多個)傳感器去除 液體的特別有效的氣刀形式。浸液5被吸取到與負壓部件連接的中心通道110。優選地該通道110是狹槽(從頁面延伸進和延伸出)的形式。從
中心通道的任何一側的外部通道120提供氣體。這些外部通道120也可 以是狹槽。因此，在基底W的表面上有氣體流動，這有助于使氣體和浸 液5向上吸引到中心通道110中。該外部通道可以定向成其出口和基底 表面成一定角度地而不垂直，并指向中心通道110的入口。其中形成了 通道110、 120的入口和出口的氣刀底面可以如此形成，使得從外部通道 120到中心通道110的氣流是平穩的，例如通過使入口的邊緣圓滑(即使 邊緣具有一定半徑)過渡到中心通道110和可選擇地過渡到外部通道120 的出口。
優選地主動干燥站ADS如此定位且基底臺WT的路徑如此選擇，使 得在曝光之前或之后的基底臺的正常移動過程中(即不需要使路徑偏 移)，基底臺WT在主動干燥站下方移動。這樣，使生產量損失最小化。
另一種可以在主動干燥站ADS中使用的系統是旋轉器，其用于使基 底在基底W的平面中繞其中心點旋轉。當基底W在旋轉(如圖4所 示)時，離心力作用在基底W表面上的液體上，就使其向外甩向收集有 浸液的地方。
優選地主動干燥站ADS包括一個液體補償部件，用于恢復從被干燥 的物體去除的浸液。如果浸液不是水這就特別有利。
通過在前述實施例之前或之后設置，另一種可以結合任何一個前述 實施例使用的實施例是使用干燥液體，其中浸液可溶解在基底W的表面 上。如果其中溶解有浸液的干燥液體是比浸液更加容易從基底表面去除 的類型，這就加快了干燥過程。此外，通過溶解浸液，可能的是減小了 光致抗蝕劑的溶解作用或通過小心地選擇所使用的干燥液體減小了向光 致抗蝕劑中的擴散。因此，提供了一種能夠將其中溶解有浸液的干燥液 體提供給基底W表面的浸液溶解供液部件。優選地為此而選擇的干燥液 體比浸液更加易揮發，使得能夠比浸液更加容易地被去除(即被蒸發)。 可替換地或者附加地可以如此選擇液體使得其具有與基底W的大接觸角 度，從而比基底W上的浸液更容易形成液珠，并因此被去除。合適的液 體是酮或乙醇，特別是IPA (異丙醇)。
應該理解，己經就使用主動干燥站ADS干燥同時處于基底臺WT上合適位置的基底描述了本發明。也可以不必這樣，可以使用主動干燥站
干燥其它物體，例如基底臺WT本身或在基底臺WT上的傳感器。干燥 浸沒在浸液(例如偶然或為了照射)中的基底上的傳感器是特別有利 的。通過在測量和/或去除干燥掩模的過程中去除液體可改進傳感器的 性能。此外，可能必要的是在使用主動干燥站ADS干燥之前從基底臺 WT移去基底W，如上所述該主動干燥站可位于光刻裝置的外部。實際 上，即使主動干燥站位于光刻裝置中，為了工程學問題也有必要從基底 臺移去基底/物體，用以使用主動干燥站ADS進行干燥。
已經提出的另一種濕浸式光刻要提供一個密封元件給供液系統，該 密封元件沿著在投影系統的最后一個元件和基底臺之間的空間邊界的至 少一部分延伸。密封元件基本上相對于投影系統在XY平面中靜止，但 是它們可以在Z方向(光軸方向)具有一些相對移動。在密封元件和基 底表面之間形成密封。在一種實施過程中，該密封是非接觸密封，如氣 密封。例如在歐洲專利申請No. US10/ 705， 783中公開的系統，將該文 獻整體在此引入作為參考。
圖8示出了另一種具有局部供液系統的濕浸式光刻。利用在投影系 統PL任何一側上的兩個凹槽入口 IN可提供液體，和利用在入口 IN外部 多個徑向布置的分立出口 OUT可去除液體。這些入口 IN和OUT可以布 置在其中心具有一個小孔的平板上，通過該小孔可投影投射光束。利用 在投影系統PL —側上的一個凹槽入口 IN可提供液體，和利用在投影系 統PL另一側上的多個分立出口 OUT可去除液體，從而形成投影系統PL 和基底W之間的液體薄膜流。選擇哪種入口 IN和出口 OUT的組合來使 用取決于基底W的移動方向(其它的入口 IN和出口 OUT的組合都沒有 起作用)。
在歐洲專利申請No. 03257072. 3中公開了一種兩臺或雙臺濕浸式光 刻裝置，在此將該申請整體引入作為參考。這種裝置具有兩個支撐基底 的基底臺。在第一位置在沒有浸液的情況下使用一個基底臺進行水準測 量，在第二位置使用一個基底臺進行曝光，在該位置存在浸液。或者， 裝置僅具有一個可在第一和第二位置之間移動的基底臺。
本發明的實施方案可以應用于任何濕浸式光刻裝置和任何供液系統
14(包括其相關部件)，特別地，但不是唯一的，可應用于那些上面提到的 供液系統和上面描述的液體浴槽。
雖然上面已經描述了本發明的具體實施方案，可以理解可以不同于 上面所描述的實施本發明。說明書不是要限制本發明。
權利要求
1.一種主動干燥站，用于主動地從浸沒式光刻投影設備中的物體去除殘留浸液，所述主動干燥站包括氣體流動部件，所述氣體流動部件用于在所述物體的表面上形成氣流，其中所述氣體流動部件包括氣體入口和氣體出口，所述氣體入口用于將氣體提供到所述物體的所述表面上的兩個位置處，所述氣體出口位于所述氣體入口之間，用于將氣體從所述兩個位置之間的一位置去除。
2. 根據權利要求l所述的主動干燥站，其中，所述氣流形成氣刀。
3. 根據權利要求1所述的主動干燥站，其中，所述氣體入口定向成 與所述基底表面成一角度而不垂直并朝向所述氣體出口。
4. 根據權利要求1所述的主動干燥站，還包括浸液溶解供液部件， 用于將其中溶解有浸液的液體提供到所述物體的所述表面。
5. 根據權利要求1至4中任一項所述的主動干燥站，其中，所述物 體是基底、基底臺或傳感器。
6. —種主動干燥方法，包括步驟接收來自光刻投影設備的、其上具有殘留浸液的物體；以及 通過以氣體流動部件在基底的表面上形成氣流來從所述物體的表面 去除液體，其中所述氣體流動部件包括氣體入口和氣體出口 ，所述氣體入口用 于將氣體提供到所述物體的所述表面上的兩個位置處，所述氣體出口位 于所述氣體入口之間，用于將氣體從所述兩個位置之間的一位置去除。
7 . 根據權利要求6所述的方法，其中，所述氣流形成氣刀。
8. 根據權利要求6所述的方法，其中，由所述氣體流動部件形成的 氣流設置成與所述基底表面成一角度而不垂直。
9. 根據權利要求6所述的方法，還包括步驟將其中溶解有浸液的 溶解液體提供到所述基底的所述表面。
10. 根據權利要求6至9中任一項所述的方法，其中，所述物體是基 底、基底臺或傳感器。
全文摘要
本發明公開了一種光刻裝置和器件制造方法。其中供液系統可在投影系統的最后一個元件和基底之間提供浸液。提供一個主動干燥站，用于在浸沒基底之后從基底W或其它物體主動去除浸液。
文檔編號H01L21/027GK101587303SQ20091014888
公開日2009年11月25日 申請日期2005年5月17日 優先權日2004年5月18日
發明者B·斯特里克, E·R·魯普斯特拉, J·C·H·穆肯斯, S·N·L·多德斯 申請人:Asml荷蘭有限公司