專利名稱：圖樣形成方法、半導(dǎo)體裝置制造方法以及顯示器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖樣形成方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及顯 示器的制造方法。
背景技術(shù)：
與現(xiàn)有技術(shù)的非晶硅薄膜晶體管(TFT)相比，有機(jī)薄膜晶體 管可在低溫下形成，因此，有望應(yīng)用于包括塑料基板的柔性顯示器。 此外，基i反可通過Y更宜的處理(例如涂布、印刷等)、通過^f吏用在 溶劑中可溶的涂布材料來制造，而無需使用真空處理或光刻。因此， 有望成本的降低。
附帶地，關(guān)于應(yīng)用噴墨法來圖樣化形成有機(jī)材料層，已經(jīng)提出 了很多種方法，其中預(yù)先由防水材料圖樣化形成障壁(堤)，從而 通過障壁防止了 ;容有有4幾材料的小液滴的潤(rùn)濕和擴(kuò)散，由此獲得了 期望形狀的有機(jī)材料層(例如，參考日本未審查專利申請(qǐng)公開第
62000-353594號(hào)、曰本未審查專利申請(qǐng)公開第2006-86128號(hào)、曰本 未審查專利申讀v〉開第2007-95379號(hào)和曰本未審查專利申請(qǐng)7〉開 第2007-200905號(hào))。
特別地，關(guān)于有機(jī)半導(dǎo)體層的圖樣化形成，已經(jīng)提出了將有機(jī) 半導(dǎo)體小液滴涂布至壓纟丈的(embossed)細(xì)孩i溝槽的方法(參考日 本未審查專利申請(qǐng)公開(PCT申請(qǐng)的翻i奪)第2004-517737號(hào))。 除此之外，還提出了一種方法，其中，將用作形成有機(jī)半導(dǎo)體層的 基板的源極和漏極的表面能和絕緣膜的表面能之間設(shè)置為有差異， 從而，通過將半導(dǎo)體溶液涂布至源極和漏極之間的絕緣膜而形成圖 樣(參考日本未審查專利申請(qǐng)公開第2006-60079號(hào))。
發(fā)明內(nèi)容
然而，在預(yù)先圖樣^f匕形成防水障壁的方法中， -使用了光刻處理 或真空處理(例如氟等離子體處理)。因此，該方法并不符合可通 過<更宜的處理(例如不依賴于真空的處理或者不依賴于光刻的處 理)來制造基板的有機(jī)薄膜晶體管(TFT)的方向。此外，在通過 印刷來形成防水障壁的情況下，因?yàn)檎媳谑欠浪?，所以難以確係: 印刷圖樣的形狀的精度。因此，難以在通過這樣的障壁來防止?jié)櫇?和擴(kuò)散的同時(shí)確保通過圖樣化形成的半導(dǎo)體層的圖樣形狀的精度。
此外，關(guān)于進(jìn)行壓紋的方法，擔(dān)心用作基板的電極和絕緣膜在 壓紋期間容易一皮損壞，并且該方法不適用于形成具有大面積的基 板。即使在利用源極和漏極的表面能和絕緣膜的表面能之間的差異 的方法中，有4幾半導(dǎo)體層的膜形成狀態(tài)也具有大的變化，因此該方 法不適用于形成高清晰度顯示底玲反等的細(xì)小圖才羊。因此，期望^是供一種圖樣形成方法，其中可以-f義通過涂布印刷
法來形成具有良好的形狀精度的目的圖樣；以及半導(dǎo)體裝置的制造 方法和顯示器的制造方法，其中應(yīng)用了上述圖樣形成方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，圖樣形成方法包括以下步驟在基板 上通過印刷形成樹脂圖樣；形成防水圖樣，即通過從樹脂圖樣的頂 部供給氟系材料(fluorine based material)而用氟系材料來覆蓋樹脂 圖樣的開口底部；通過去除樹脂圖樣而在防水圖樣中形成開口窗；
并且通過將圖樣形成材料供給至防水圖樣的開口窗而形成由圖樣 形成材料構(gòu)成的目的圖樣。
在上述圖樣形成方法中，防水圖樣是通過在樹脂圖樣用作障壁 的同時(shí)供鄉(xiāng)會(huì)氟系材津牛而形成的。因此，通過印刷或涂布處理來形成 具有良好的形狀精度的防水圖樣，同時(shí)防止氟樹脂材料的擴(kuò)散。因 此，在形成目的圖案時(shí)，通過在防水圖樣用作障壁的同時(shí)供》合圖樣 形成材料，即通過印刷或涂布處理，形成具有良好的形狀精度的目 的圖樣。
此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，還提供了一種半導(dǎo)體裝置的制 造方法和一種顯示器的制造方法，其中通過應(yīng)用上述圖樣形成方法 來圖樣化形成半導(dǎo)體層。
如上所述，才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，通過應(yīng)用涂布印刷法，以 良好的形狀精度形成了用作形成目的圖樣的障壁的防水圖樣，因 此，可以僅通過應(yīng)用涂布印刷法來形成具有良好的形狀精度的目的 圖樣。因此，形成有作為半導(dǎo)體層的目的圖樣的半導(dǎo)體裝置可被制 作為更微小，此外，包括該半導(dǎo)體裝置的顯示器可表現(xiàn)出更高的清 晰度。
圖l是作為實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置而被制造的顯示器的底板
的平面構(gòu)造圖2A~圖2E是用于說明在顯示器底板的制造中，底柵結(jié)構(gòu)(交 錯(cuò)型，staggered type)薄膜晶體管的形成過程的示圖，其中根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施方式的圖樣形成方法一皮應(yīng)用于有才幾半導(dǎo)體層的圖樣化 形成；并且圖2A~圖2E是與圖1中所示的II-II部分相應(yīng)的截面步 驟示圖3是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示器底板的制造的 截面圖4是用于說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示器的制造的 截面圖；以及
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的被形成為目的圖樣的半導(dǎo)體 層的平面圖，而圖5B是不使用防水圖樣而通過印刷形成的半導(dǎo)體 層的平面圖。
具體實(shí)施例方式
在以下描述中，首先，將說明將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖樣 形成方法應(yīng)用于顯示器底板的制造過程中半導(dǎo)體層的形成，作為半 導(dǎo)體裝置的制造方法。接著，將說明包括所得底板的液晶顯示器的 制造方法，作為顯示器的制造方法。
9半導(dǎo)體裝置的制造方法
圖1示出了在此4皮作為半導(dǎo)體裝置而制造的顯示器的底板的平
面構(gòu)造。以下將參照?qǐng)D1并基于圖2A~圖2E所示的截面步驟示圖 (與圖1中所示的II-II部分相應(yīng))來描述底柵結(jié)構(gòu)(交錯(cuò)型)有機(jī) 薄膜晶體管的形成過程，其中才艮據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖樣形成方 法一皮應(yīng)用于有才幾半導(dǎo)體層的圖樣化形成。
如圖2A所示，在基板l的每個(gè)像素區(qū)域上圖樣化形成柵極3， 并且柵絕緣膜5形成為覆蓋柵極3。此后，在柵絕緣膜5上圖樣化 形成源4及7s禾口漏一及7d。
如下來圖才羊化形成4冊(cè)才及3。例如，通過才莫壓涂層法(die coating) 將包括銀細(xì)微顆粒的導(dǎo)電墨水涂布至由聚醚砜(PES)形成的塑料 基才反l。 -接著，在150°C下進(jìn)4亍熱處理，乂人而形成具有50 nm膜厚 的導(dǎo)電銀膜。在導(dǎo)電膜上通過抗蝕墨水的絲網(wǎng)印刷形成期望形狀的 抗蝕圖樣。以抗蝕圖樣為掩才莫，4吏用4艮蝕刻溶液對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行濕蝕 刻從而將導(dǎo)電膜圖案化，從而形成柵極3。在形成棚-極3之后，去 除抗蝕墨水。
基板l并不限于塑料基板，而可以是玻璃基板。塑料基板并不 限于由聚醚^風(fēng)(PES)形成的基板，而可以由聚萘二曱酸乙二醇酯 (PEN)、聚酰亞胺(PI)、聚-友酸酯(PC)、聚丙烯酸酯(PAR)、 聚醚醚酮(PEEK)、聚苯石克醚(PPS)、聚對(duì)苯二曱酸乙二醇酯(PET) 等構(gòu)成。此外，對(duì)于基板1,可以使用由不銹鋼等構(gòu)成的金屬薄膜 基板(金屬箔)。金屬箔具有低的水蒸氣和氧氣透過性，并且可用 作柔性基板。
104冊(cè)才及3并不限于由4艮構(gòu)成的電才及。還可以使用例如金、鉑、4巴、銅、鎳以及鋁等的金屬以及包括聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯石黃酸酯)(PEDOT/PSS )、聚苯胺(PANI)等的導(dǎo)電有才幾材坤牛。
此外，在形成柵極3時(shí)導(dǎo)電膜的濕蝕刻中用作掩模的抗蝕圖樣可以通過4吏用噴墨法、光刻法或激光光癥會(huì)法來形成。棚-4及3可通過噴墨法、絲網(wǎng)印刷法、微接觸印刷法或膠印法等直接圖樣化而形成。然而，為了確保設(shè)置為覆蓋柵極3的柵絕緣膜5的良好絕緣特性，優(yōu)選柵極3的表面是平的，并且膜厚為最小值，例如100nm以下。
如圖1所示，在與上述^f極3的形成相同的步驟中，例如，圖樣化形成以水平方向配置的連接至各個(gè)像素區(qū)域的柵極3的掃描線3a、平行于掃描線3a而i殳置的電源線3b、以及/人電源線3b延伸而設(shè)置的電容器元件的下部電極3c。
柵絕緣膜5的膜形成是通過例如模壓涂層法而進(jìn)行的。此處，作為實(shí)例，柵絕緣膜5是通過將在丙二醇單曱醚乙酸酯(PGMEA)中溶解有10重量％的交聯(lián)聚合物材料聚乙烯基苯酚(PVP )的溶液涂布至設(shè)置有柵極3的基板1、并在180。C下進(jìn)行1小時(shí)的熱處理而形成的。期望該柵絕緣膜5的膜被形成為具有1 pm以下的膜厚以及平坦的表面，以使得晶體管可在低電壓下進(jìn)行工作。
關(guān)于柵絕緣膜5的膜形成，除了模壓涂層法之外，還可以使用其4也》、余布方；去，Y列^口才曹壽昆〉、余布';去(gravure coating method )、專昆〉'余';去、吻合涂布(kiss coating)法、刮涂法、狹縫涂布法、刮刀涂布法、旋涂法以及噴墨法。關(guān)于用于構(gòu)成柵絕緣膜5的材料，除了 PVP之外，還可以^吏用聚酰亞胺、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、環(huán)氧樹脂、酚醛清漆樹脂等。源才及7s和漏才及7d祐 沒置在柵極3上，同時(shí)隔著柵絕纟彖膜而彼此相對(duì)。這種源極7s和漏極7d通過與例如4冊(cè)極3的形成類似的方式而形成。即，通過才莫壓涂層法均勻地涂布4艮墨水，隨后在150°C下進(jìn)行熱處理，從而由銀形成具有50nm膜厚的導(dǎo)電膜。接著，通過絲網(wǎng)印刷法在導(dǎo)電膜上形成抗蝕墨水的圖樣。在抗蝕圖樣用作掩模的同時(shí)通過使用銀蝕刻溶液來濕蝕刻導(dǎo)電膜，從而通過導(dǎo)電膜的圖樣化來形成源才及7s和漏才及7d，去除抗蝕墨水。
在這點(diǎn)上，關(guān)于源才及7s和漏才及7d,除了4艮之外，還可以4吏用與p型半導(dǎo)體具有良好的歐姆接觸的金屬(例如金、柏、釔、銅和4臬)以及包括聚(3,4-亞乙二氧基p塞。分)/聚(4-苯乙烯石黃酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)的導(dǎo)電有機(jī)材料。
此外，在形成源極7s和漏極7d時(shí)導(dǎo)電膜的濕蝕刻中用作掩模的抗蝕圖樣可以通過噴墨法、光刻法或激光光纟會(huì)法而形成。此外，源極7s和漏極7d可通過噴墨法、絲網(wǎng)印刷法、微接觸印刷法或膠印法等直接圖樣化而形成。
如圖1所示，在與上述源極7s和漏極7d相同的步驟中，例如，圖樣化形成以垂直方向配置的連接至各個(gè)像素區(qū)域的源極7s的信號(hào)線7a、以及從漏才及7d延伸而設(shè)置的電容器元件的上部電極7c。以此方式，獲得了柵絕緣膜夾在下部電極3c和上部電極7c之間的電容器元件C。
到此為止的步驟可以按與現(xiàn)有技術(shù)類似的方式來進(jìn)行。以下所描述的步驟具有本實(shí)施方式獨(dú)有的結(jié)構(gòu)。
如圖2B所示，通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨法、分配器法或例如蠟印的印刷法，在設(shè)置有源極7s和漏極7d的基板1上預(yù)先通過印刷形成具有期望形狀的樹脂圖樣9 。此處，將才冊(cè)才及3上源才及7s和漏才及7d之間的部分(即在以下步驟中用于形成作為目的圖樣的半導(dǎo)體層的部分A)用樹脂圖樣9覆蓋。樹脂圖樣SH殳置有環(huán)形開口 9a,其圍繞用于形成半導(dǎo)體層的上述部分A。優(yōu)選開口 9a的開口寬度W小到這樣的程度，該寬度足以至少吸收在以下步艱《中在源才及7s和漏4及7d之間通過印刷形成的半導(dǎo)體層的位置精度的余量(margin )。例如，在此處，形成設(shè)置有環(huán)形開口 9a的初于脂圖才羊9，該環(huán)形開口具有開口寬度W = 50 nm左右，并且圍繞用于形成半導(dǎo)體層的部分A。
上述樹脂圖樣9的圖樣化形成是通過例如使用抗蝕墨水的印刷而進(jìn)行的，而樹脂圖樣9是在形狀精度最優(yōu)先的情況下通過印刷而形成的。此外，優(yōu)選通過印刷形成的樹脂圖樣的高度h足以在隨后進(jìn)4亍的防水圖才羊的形成中4吏防水圖才羊一皮階梯式切割(cut stepwise )成為在樹脂圖樣9上的上部和下部。因此，其中通過印刷容易形成具有 一定程度膜厚的圖樣的絲網(wǎng)印刷法更適用于通過印刷形成樹脂圖沖羊9。高度h約為0.5 (im 10 jam,在jt匕具體;也為約2 pm。
接著，如圖2C所示，從樹脂圖樣9的頂部供給氟系材料，從而形成了用氟系材料覆蓋樹脂圖樣9的開口 9a的底部的防水圖樣11。氟系材料可以是任何材料，只要其滿足防水和對(duì)于基板具有粘附性的條件。例如，可以4吏用氟4對(duì)脂，例如CYTOPCTX-807A (商標(biāo)名，由旭硝子乂>司(ASAHI GLASS CO., LTD.)生產(chǎn))、Teflon AF(商標(biāo)名，由杜邦(DuPont)生產(chǎn))以及OPTOOL (商標(biāo)名，由Daikin Industries, Ltd.生產(chǎn))。例如，用氟系溶劑CT陽(yáng)SOLV180 (商標(biāo)名，由旭硝子/>司生產(chǎn))將CYTOP CTX-807A稀釋至0.1重量百分比，并將其用狹縫涂布機(jī)涂布到基板1上。所得基板在100°C下焙燒l小時(shí)。以此方式，形成了用氟系材料覆蓋樹脂圖樣9的開口 9a的底部的環(huán)形防水圖才羊11 (參照?qǐng)D1 )。氟系材津牛并不必須是樹脂，而還可以通過涂布其中溶解有石圭烷偶聯(lián)劑(例如氟代烷基硅烷)的溶液而形成。
通過從樹脂圖樣9的頂部供給氟系材料而形成的防水圖樣11由于樹脂圖樣9的開口 9a的側(cè)壁的大高度差而被階梯式切割，圖樣化形成為覆蓋樹脂圖樣9的開口 9a的底部的形狀。此時(shí)，被供給和涂布的氟系材津?？赡軞埩粼赹f脂圖沖羊9的頂部，或者可能沒有殘留氟系材料。無i侖是哪種情況，都沒有大問題。
優(yōu)選上述氟系材料的供給通過涂布法來進(jìn)行，因?yàn)轭A(yù)計(jì)可提高生產(chǎn)能力。然而，也可以應(yīng)用將氟系材料供給至樹脂圖樣9的開口9a的噴墨法。A匕外，可以應(yīng)用其j也的印刷方法。
接著，如圖2D所示，去除樹脂圖樣9。樹脂圖樣9的去除通過4吏用N-曱基-2-p比p各烷酮(NMP)溶液的清洗處理來進(jìn)4亍。此時(shí)，即使防水圖樣11不處于正在進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)的狀態(tài)，在除氟系溶劑之外的溶劑中的溶解度也非常小，因此，在該清洗和去除期間并不會(huì)除去防水圖才羊11。
如上所述選擇性地去除樹脂圖樣9，從而在防水圖樣11的中心部形成開口窗l(fā)la,樹脂圖樣9已AU亥開口窗去除。源才及7s和漏相^7d之間的沖冊(cè)絕緣膜5,以及此夕卜源才及7s和漏才及7d的端部暴露于開口窗l(fā)la的底告，。
此后，如圖2E所示，將用作圖樣形成材料的半導(dǎo)體材料供給至防水圖樣11的開口窗l(fā)la, 乂人而圖樣化形成了作為此處的目的圖樣的半導(dǎo)體層13 (參照?qǐng)D1)。在此使用了適于涂布成型的半導(dǎo)體材料。例如，通過噴墨法向防水圖樣11的開口窗l(fā)la的內(nèi)部涂布10重量％的6,13-雙(三異丙基曱硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)的二甲苯溶液。隨后，在90°C下進(jìn)行1小時(shí)的焙燒，從而通過印刷形成作為目的圖樣的半導(dǎo)體層13。
14此時(shí)，即使在用于供給半導(dǎo)體材料的噴墨釋放位置相對(duì)于形成
為具有預(yù)定寬度W (=50 (im)的防水圖樣11具有l(wèi)t十孩t米的誤差的情況下，半導(dǎo)體材料也會(huì)被防水圖樣11所排斥。因此，半導(dǎo)體材剩-一皮^f呆持在防水圖才羊11的開口窗l(fā)la中，并且圖才羊化形成對(duì)應(yīng)于開口窗l(fā)la的島狀的半導(dǎo)體層13。該半導(dǎo)體層13以這樣的方式3皮i殳置，即與源才及7s和漏才及7d之間的4冊(cè)絕纟彖力莫5以及源4及7s和漏^f及7d的端部才目4妻角蟲。
成的。除了上述TIPS并五苯之外，還可以使用高分子材料(例如，聚。塞吩、藥-噻吩共聚物以及聚丙烯胺)和低分子材料(例如，適于通過涂布成型的并五苯衍生物、紅熒烯衍生物、p塞吩低聚物、并四苯衍生物以及卟啉化合物)。半導(dǎo)體層13并不限于有機(jī)材料，而可以使用涂布型的硅系材料、氧化物材料以及化合物半導(dǎo)體材料，只要它們適于纟余布成型。
在圖樣化形成半導(dǎo)體層13的時(shí)間點(diǎn)、在除了要設(shè)置半導(dǎo)體層13的部分之外的部分全部被防水圖樣11所覆蓋的情況下，可以通過對(duì)基板1上的整個(gè)表面的涂布來供給用作圖案形成材料的半導(dǎo)體材料。
以該方式，獲得了底柵型薄膜晶體管Tr,其中柵極3被柵絕緣膜5所覆蓋，設(shè)置在柵絕緣膜5上的源極7s和漏極7d的端部被設(shè)置在柵極3上，同時(shí)彼此相對(duì)，并且半導(dǎo)體層13 一皮設(shè)置在源極7s和漏4及7d之間。
如圖3所示，通過在設(shè)置有薄膜晶體管Tr的基板1上印刷來形成層間絕》彖膜15 (參照?qǐng)D1)。此處，通過例如絲網(wǎng)印刷法來形成設(shè)置有連接孔15a的層間絕緣膜15。關(guān)于印刷中所使用的樹脂漿料，可以使用聚酰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂等。然而，關(guān)于在此制造的具有底4冊(cè)結(jié)構(gòu)的薄
膜晶體管Tr,由于在半導(dǎo)體層13上直接形成了層間絕緣膜15，所以選擇并使用在樹脂漿料中所含的溶劑和樹脂漿料的熱處理的影響下晶體管特性不會(huì)劣化的材料。
在層間絕緣膜15中形成的連接孔15a被定位在例如到達(dá)漏極7d的位置。在防水圖樣11保留在基片反1上的情況下，優(yōu)選連4妾孔15a被設(shè)置在避開防水圖樣11的位置處。防水圖樣11可在半導(dǎo)體層13形成之后、層間絕緣力莫15形成之前乂人基板1上去除。
然后，在層間絕緣膜15上的各個(gè)^f象素區(qū)域中圖樣化形成通過連4姿孑L 15a連4妄至漏才及7d的^象素電才及17。此時(shí)， <象素電才及17通過使用例如導(dǎo)電銀漿的絲網(wǎng)印刷法來形成。關(guān)于導(dǎo)電銀漿，使用XA-9024 (商標(biāo)名，由藤倉(cāng)4匕成7>司(Fujikum Kasei Co.， Ltd.)生產(chǎn))，并且在印刷之后，在150°C下進(jìn)行熱處理以獲得像素電極17。關(guān)于用于形成像素電極17的導(dǎo)電漿料，除了銀漿之外，還可以使用金漿、鉑漿、銅漿、鎳漿、鈀漿、它們的合金材料、以及包括聚(3，4-亞乙二氧基p塞吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺(PANI)的導(dǎo)電有機(jī)材料。此外，除了絲網(wǎng)印刷，像素電極17還可以通過利用噴墨法、微接觸印刷法或膠印法的直接圖樣化而形成。
4妻著，形成了覆蓋l象素電才及17的形狀的耳又向月莫19 ( orientationfilm),從而獲得了液晶顯示器的底板(半導(dǎo)體裝置)21。該底板21用作有源矩陣型液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)基板。
顯示器的制造方法
以下將參照?qǐng)D4中所示的截面圖來描述包括所得底板21的液晶顯示器的制造方法。對(duì)向基板31設(shè)置在底板21的設(shè)置有取向膜19的表面?zhèn)壬?。該?duì)向基板31由光透射材料形成。在面向取向膜19的表面上設(shè)置所有像素共有的由透明導(dǎo)電材料形成的光透射公共電極33 。取向膜35被設(shè)置為覆蓋7>共電極33。在兩個(gè)基板1和31的取向膜19和35之間填充液晶層LC以及間隔物(附圖中未示出)，并進(jìn)行封裝。填充的液晶層LC可以是聚合物分散型液晶層。
盡管在附圖中未示出，但是在基板1的外側(cè)和對(duì)向基板31的外側(cè)設(shè)置了偏轉(zhuǎn)板，從而完成了液晶顯示器40。
才艮據(jù)上述制造方法，如參照?qǐng)D2C所描述的，在樹脂圖樣9用作障壁時(shí)通過供給氟系材料來形成防水圖樣11。因此，即使通過印刷或〗余布處理也可以形成具有良好的形狀4青度的防水圖才羊11,同時(shí)防止氟系材料的擴(kuò)散。即，通常，氟系材料具有小的表面能，因此容易在基才反1上潤(rùn)濕并且擴(kuò)散。因此，難以直4妾通過絲網(wǎng)印刷法或噴墨法形成由氟系材料構(gòu)成的防水圖樣11同時(shí)確保形狀精度。然而，在樹脂圖樣9用作障壁時(shí)由氟系材料形成防水圖樣11的情況下，如在上述實(shí)施方式中，可由氟系材料形成具有良好的形狀精度的防7jc圖才羊11。
因此，關(guān)于參照?qǐng)D2E所描述的步驟，可以通過供給半導(dǎo)體材料(圖樣形成材料)，即通過在防水圖樣11用作障壁時(shí)進(jìn)行印刷或涂布，來以高生產(chǎn)能力形成具有高形狀精度的半導(dǎo)體層(目的圖樣)。結(jié)果，可以促進(jìn)半導(dǎo)體裝置的小型化、生產(chǎn)率的提高、以及包括上迷半導(dǎo)體裝置的顯示器的清晰度等級(jí)的提升。
圖5示出了根據(jù)上述實(shí)施方式的工藝而圖樣化形成的半導(dǎo)體層13的顯孩i照片。在此處所示的實(shí)例中，半導(dǎo)體層13形成在沖危狀的源才及/漏才及7s/7d上。如此處所示，確定在源4及/漏才及7s/7d上圖樣化形成了具有良好的形狀精度的半導(dǎo)體層13。另一方面，圖5B示出了通過印刷、不形成防水圖才羊而形成半導(dǎo)體層的情況下的顯孩t照片。如此處所示，通過印刷、不形成防水圖樣而形成的半導(dǎo)體層擴(kuò)散成為在供給部上的圓形，從而難以確保形狀4青度。由這些比4交，可以確定本實(shí)施方式的構(gòu)造具有改善通過印刷形成的半導(dǎo)體層的形狀精度的效果。
至此，已經(jīng)描述了將本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示器的制造過程的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明并不限于對(duì)于:^晶顯示器的制造的應(yīng)用，而可以廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體裝置和包括圖樣化形成半導(dǎo)體層的步驟的顯示器的制造，以發(fā)揮相同的效果。因此，本發(fā)明可應(yīng)用于例如電泳型顯示器的制造和包括有機(jī)電致發(fā)光元件的有機(jī)EL顯示器的制造，以發(fā)揮相同的效果。關(guān)于對(duì)于電泳型顯示器的制造的應(yīng)用，可在電極17和33之間保持將充電石墨細(xì)微顆粒以及氧化鈦細(xì)微顆粒分散在硅酮離子中的微膠嚢，而不在兩個(gè)基板1和31上形成取向膜。此外，對(duì)于有才幾EL顯示器的制造的應(yīng)用，可在^f象素電才及17上通過層壓形成包括有4幾電致發(fā)光層的有才幾層，并可在其上形成7>共電極。包括薄膜晶體管Tr和電容器元件C的像素電路的電路構(gòu)造可改變?yōu)檫m于驅(qū)動(dòng)顯示器。
作為目的圖樣形成的圖樣并不限于半導(dǎo)體層。例如，可以應(yīng)用于作為目的圖樣的濾色片的形成，且可通過印刷或涂布法來形成具有良好的形狀4青度的濾色片。此外，還可以應(yīng)用于通過涂布形成有才幾EL顯示器的發(fā)光部的有4幾層。
本4頁(yè)i或的4支術(shù)人員應(yīng)該理解，才艮才居i殳計(jì)要求和其4也因素，可以有多種修改、組合、子組合和變形，均應(yīng)包含在隨附權(quán)利要求或等價(jià)物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種圖樣形成方法，包括以下步驟在基板上通過印刷形成樹脂圖樣；形成防水圖樣，即通過從所述樹脂圖樣的頂部供給氟系材料而用所述氟系材料來覆蓋所述樹脂圖樣的開口底部；通過去除所述樹脂圖樣而在所述防水圖樣中形成開口窗；并且通過將圖樣形成材料供給至所述防水圖樣的所述開口窗而形成由所述圖樣形成材料構(gòu)成的目的圖樣。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖樣形成方法，其中在形成所述樹脂圖樣時(shí)形成的所述樹脂圖樣的開口為環(huán) 形，其圍繞在形成所述目的圖樣時(shí)形成所述目的圖樣的部分，在形成所述開口窗時(shí)形成i殳置有所述開口窗的環(huán)形防水 圖樣，并且在形成所述目的圖樣時(shí)形成島狀目的圖樣。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的圖樣形成方法，其中，在形成所述防水圖樣時(shí)的所述氟系材料的供給是 通過涂布或印刷而進(jìn)行的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 3中任一項(xiàng)所述的圖樣形成方法，其中，在形成所述目的圖樣時(shí)的所述圖樣形成材料的供 給是通過涂布或印刷而進(jìn)行的。
5. 4艮據(jù)權(quán)利要求1 ~4中任一項(xiàng)所述的圖樣形成方法，其中，在形成所述樹脂圖樣時(shí)通過印刷形成的所述樹脂 圖樣具有這樣的高度，使得在形成所述防水圖樣時(shí)所供給的所 述氟系材料可被階梯式切割為在所述樹脂圖樣上的上部和下部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 5中任一項(xiàng)所述的圖樣形成方法，其中，在形成所述樹脂圖才羊時(shí)通過絲網(wǎng)印刷形成所述沖對(duì)脂圖樣。
7. —種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步-驟在設(shè)置有源極和漏極的基板上通過印刷形成樹脂圖樣， 所述樹脂圖樣^隻蓋所述源才及和所述漏才及之間并且具有圍繞其 周邊的形狀的開口；形成防水圖樣，即通過/人所述樹脂圖樣的頂部供給氟系 材料而用所述氟系材料來覆蓋所述樹脂圖樣的開口底部；通過去除所述杉于脂圖樣而在所述防水圖樣中形成開口 窗；并且通過將半導(dǎo)體材料供給至所述防水圖樣的開口窗而在所 述源極和所述漏極之間圖樣化形成由所述半導(dǎo)體材料構(gòu)成的 半導(dǎo)體層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在形成所述樹脂圖樣時(shí)形成的所述樹脂圖樣中的 開口為環(huán)形，其圍繞在圖樣化形成所述半導(dǎo)體層時(shí)形成所述半 導(dǎo)體層的部分，在形成所述開口窗時(shí)形成i殳置有所述開口窗的環(huán)形防水 圖樣，并且在所述圖樣化形成半導(dǎo)體層時(shí)圖樣化形成島狀半導(dǎo)體層。
9. 一種顯示器的制造方法，包4舌以下步艱朵在基板上方形成源極和漏極；在所述基板上通過印刷形成樹脂圖樣，所述樹脂圖樣覆 蓋所述源4及和所述漏才及之間，并且具有圍繞其周邊的形狀的開O ;形成防水圖樣，即通過乂人所述樹脂圖才羊的頂部供舌會(huì)氟系材料而用所述氟系材料來覆蓋所述樹脂圖樣的開口底部；通過去除所述樹脂圖樣而在所述防水圖樣中形成開口窗；通過將半導(dǎo)體材料供給至所述防水圖樣的開口窗而在所 述源極和所述漏極之間圖樣化形成由所述半導(dǎo)體材料構(gòu)成的 半導(dǎo)體層；在設(shè)置有所述半導(dǎo)體層的所述基板上方形成具有連接孔 的絕緣膜；以及在所述絕緣膜上形成通過所述連接孔連4妻至所述源4及和 所述漏才及的其中 一個(gè)的l象素電極。
10. 4艮據(jù)4又利要求9所述的顯示器的制造方法。其中，在形成所述樹脂圖樣時(shí)形成的所述樹脂圖樣中的 開口為環(huán)形，其圍繞在圖樣化形成所述半導(dǎo)體層時(shí)形成所述半導(dǎo)體層的部分，在形成所述開口窗時(shí)形成"i殳置有所述開口窗的環(huán)形防 K圖樣，在圖樣化形成所述半導(dǎo)體層時(shí)圖樣化形成島狀半導(dǎo)體 層，并且在形成所述絕纟彖膜時(shí)以使所述連4妄孔^皮i殳置在所述防水 圖案之外的位置的方式形成所述絕緣膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種圖樣形成方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及顯示器的制造方法。所述圖樣形成方法包括以下步驟在基板上通過印刷形成樹脂圖樣；通過這樣的方式形成防水圖樣，即通過從樹脂圖樣的頂部供給氟系材料而用氟系材料來覆蓋樹脂圖樣的開口底部；通過去除樹脂圖樣而在防水圖樣中形成開口窗；并且通過將圖樣形成材料供給至防水圖樣的開口窗而形成由圖樣形成材料構(gòu)成的目的圖樣。
文檔編號(hào)H01L51/40GK101582391SQ20091014293
公開日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月14日
發(fā)明者川島紀(jì)之 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社