發光二極管及其制造方法

專利名稱：發光二極管及其制造方法
技術領域：
本發明是有關于一種發光組件，且特別是有關于一種發光二極管(LED)及其制造 方法。
背景技術：
目前，為了增加發光二極管的光取出效率，而發展出一種發光二極管制造技術，其是在半導體層的磊晶成長過程中，透過調整磊晶參數，來使所生成的半導體層具有粗糙表 面，借此增加發光二極管的光取出效率。請參照圖1，其是繪示一種傳統發光二極管的剖面圖。發光二極管200包含 基板202、η型半導體層204、發光層206、ρ型半導體層208、透明導電層(Transparent Conductive Layer) 212、ρ型電極216與η型電極220。其中，η型半導體層204堆疊在基 板202上，發光層206、ρ型半導體層208與透明導電層212則依序堆疊在部分的η型半導 體層204上，ρ型電極216位于部分的透明導電層212上，而η型電極220則位于η型半導 體層204的暴露部分上。在發光二極管200中，為了增加發光二極管200的光取出效率，而 在P型半導體層208的磊晶過程中，調整磊晶參數以使ρ型半導體層208具有粗糙的表面 210。如此一來，覆蓋在ρ型半導體層208的表面210上的透明導電層212也具有粗糙的表 面214。此外，定義發光二極管200的發光區后，而暴露出的η型半導體層204的表面222 亦具有與上方P型半導體層208的表面210相似的地形，因此η型半導體層204的暴露表 面222也呈粗糙狀。而且，粗糙的ρ型半導體層208表面210導致形成于其上的ρ型電極 216具有粗糙的表面224，且粗糙的η型半導體層204表面222也導致形成于其上的η型電 極220具有粗糙的表面226。如圖1所示，由于粗糙的ρ型半導體層208的表面210會導致后續沉積于此粗糙表 面210上的透明導電層的階梯覆蓋性(st印coverage)產生問題，而致使電流于透明導電 層212中傳導產生斷點。此種現象導致透明導電層212的電流散布(current spreading) 能力下降，而造成操作電壓Vf上升與電流密度不均，進而影響組件操作的穩定性及壽命。并 且，由于透明導電層212沉積后的表面214的孔洞的深寬比變大，更不利于后續沉積的ρ型 電極216的覆蓋性，導致兩者界面形成縫隙(void) 218。這些縫隙218中可能殘存的空氣、 化學藥品或光阻都會影響組件操作的可靠度。接下來，后續的基板202研磨與組件切割制 程的殘蠟或化學殘留物容易填入P型電極216的粗糙表面224而無法去除干凈，使得封裝 制程的打線接合(Wire Bonding)產生附著力不佳的問題，而降低打線接合的可靠度與良 率，進而導致發光二極管的可靠度與穩定度下降。

發明內容
因此，本發明的一目的在于提供一種發光二極管及其制造方法，其ρ型電極與η型 電極下方的電極區表面平整，而可使P型電極與η型電極的上表面保持平整，且電極區以外 的區域保持表面粗糙，故不僅可增加發光二極管的光取出能力，更可同時增加打線接合的穩定性。本發明的又一目的在于提供一種發光二極管及其制造方法，其具有表面平坦的n 型與P型電極，因此可降低n型與P型電極色差，有利封裝打線機臺對電極辨識的精準度， 而可提高打線位置的準確性。本發明的再一目的在于提供一種發光二極管及其制造方法，其可移除p型電極下 方的P+型半導體摻雜層，因此可在P型電極下方提供電流阻障(Current Blocking)效果， 而可避免電流由P型電極下方直接注入發光層，避免造成電流擁塞效應，進而可增加發光 二極管的發光效率。本發明的再一目的在于提供一種發光二極管及其制造方法，其亦可使預設區域的 第二半導體層平坦化，因此在平坦化區域上的透明導電層厚度可均勻一致，與粗糙表面相 比，阻值較低，可作為電流均勻散布的路徑，而可增加發光二極管的電流散布能力，進一步 增加發光二極管的發光效率。根據本發明的上述目的，提出一種發光二極管，至少包含一基板；一第一半導體 層位于基板上；一發光層位于n型半導體層上；一第二半導體層位于發光層上，其中第二半 導體層的一表面包含第一粗糙區以及第一平坦區，且第二半導體層與第一半導體層具有不 同的電性；一透明導電層覆蓋在前述第二半導體層的表面上；一第一電極位于第一平坦區 上方的透明導電層上；以及一第二電極與第一半導體層電性連接。依據本發明一實施例，上述的第二半導體層包含一 P型半導體層位于發光層上； 以及一 P+型半導體摻雜層位于P型半導體層上。依據本發明的一示范實施例，前述的P+型 半導體摻雜層位子P型半導體層的第一粗糙區中的P型半導體層上。根據本發明的上述目的，另提出一種發光二極管，至少包含一基板；一第一半導 體層位于基板上；一發光層位于第一半導體層上；一第二半導體層位于發光層上，其中第 二半導體層的一表面包含第一平坦區以及第一粗糙區，且第一平坦區低于第一粗糙區，且 第二半導體層與第一半導體層具有不同的電性；一透明導電層覆蓋在前述第二半導體層的 表面上；一第一電極位于第一平坦區上方的透明導電層上；以及一第二電極與第一半導體 層電性連接。依據本發明一實施例，上述的發光二極管還至少包含一反射層位于第一平坦區 上，且介于透明導電層與第二半導體層之間。根據本發明的上述目的，又提出一種發光二極管的制造方法，至少包含提供一基 板，其中基板的一表面依序堆疊有一 n型半導體層、一發光層以及一 p型半導體層，p型半 導體層包含粗糙的一表面；形成一第一掩膜層覆蓋在前述P型半導體層的表面的第一區域 上，并暴露出前述表面的第二區域與第三區域；形成一第二掩膜層覆蓋在第一掩膜層、第二 區域與第三區域上，第二掩膜層與P型半導體層具有相近或實質相同的蝕刻速率，且第一 掩膜層的蝕刻速率小于第二掩膜層與P型半導體層的蝕刻速率；進行一蝕刻步驟，以使前 述P型半導體層的表面的第二區域與第三區域分別形成第一平坦區與第二平坦區；移除部 分的P型半導體層與部分的發光層，而暴露出n型半導體層的部分，并在n型半導體層的前 述部分形成一第三平坦區；形成一透明導電層覆蓋在前述P型半導體層的表面與第一平坦 區上；以及形成一 n型電極于該三平坦區上、以及一 p型電極于第一平坦區上方的透明導電 層上。
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依據本發明一實施例，上述的p型半導體層包含一第一p型半導體層位于發光層 上；以及一 P+型半導體摻雜層位于第一 P型半導體層上。在一示范實施例中，上述的第一 掩膜層更暴露出前述P型半導體層的表面的第四區域，并利用蝕刻步驟使第四區域形成一 第四平坦區。由上述本發明的實施方式可知，本發明的一優點就是因為在本發明的發光二極管 及其制造方法中，P型電極與n型電極下方的電極區表面平整，而可使p型電極與n型電極 的上表面保持平整，且電極區以外的區域保持表面粗糙，因此不僅可增加發光二極管的光 取出能力，更可同時增加打線接合的穩定性。由上述本發明的實施方式可知，本發明的另一優點就是因為本發明的發光二極管 的電極區表面平坦，可提高電極與下方半導體層的附著力，進而可提高發光二極管的電性 穩定度。由上述本發明的實施方式可知，本發明的又一優點就是因為本發明的發光二極管 具有表面平坦的n型與p型電極，因此可降低n型與p型電極色差，有利封裝打線機臺對電 極辨識的精準度，而可提高打線位置的準確性。由上述本發明的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為在本發明的發光二極 管及其制造方法中，可移除P型電極下方的P+型半導體摻雜層，因此可在P型電極下方提 供電流阻障效果，而可避免電流由P型電極下方直接注入發光層，避免造成電流擁塞效應， 進而可增加發光二極管的發光效率。由上述本發明的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為在本發明的發光二 極管及其制造方法中，亦可使部分預設發光區域平坦化，因此在平坦化區域上的透明導電 層厚度可均勻一致，與粗糙表面相比，其透明導電層的阻值較低，可作為電流均勻擴散的路 徑，而可增加發光二極管的電流散布能力，進一步增加發光二極管的發光效率。


為讓本發明的上述和其它目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說 明如下圖1是繪示一種傳統發光二極管的剖面圖；圖2A至圖2D是繪示依照本發明一實施方式的一種發光二極管的制程剖面圖；圖3是繪示依照本發明的另一實施方式的一種發光二極管的剖面圖；圖4A是繪示依照本發明又一實施方式的一種發光二極管的上視圖；圖4B是繪示沿著圖4A的發光二極管的A_A’剖面線所獲得的局部剖面圖。主要組件符號說明100基板102第一半導體層
104發光層106=P型半導體層
108:P+型半導體摻雜層110第二半導體層
112表面114表面
116區域118區域
120區域122掩膜層
124掩膜層126平坦區
128 平坦區132:透明導電層136 :n 型電極140 部分144a 發光二極管144c 發光二極管
130 平坦區 134 :p型電極 138 部分 142 粗糙區 144b 發光二極管 146 反射層 150 表面 154 平坦區 200 發光二極管 204 :n型半導體層 208 :p型半導體層 212:透明導電層 216 :p型電極 220 :n型電極 224 表面148 表面152:鈍化層 156 平坦區202 基板206 發光層210 表面214 表面218 縫隙222 表面226 表面
具體實施例方式請參照圖2A至圖2D，其是繪示依照本發明一實施方式的一種發光二極管的制程 剖面圖。在本實施方式中，制作發光二極管時，首先提供基板100，再利用例如磊晶成長方 式在基板100的表面148上依序堆疊形成第一半導體層102、發光層104與第二半導體層 110，其中第一半導體層10與第二半導體層110具有不同的電性。在一實施例中，第一半導 體層102為n型，第二半導體層為p型，且第二半導體層110可例如包含p型半導體層106 與P+型半導體摻雜層108的雙層結構，其中p型半導體層106疊設在發光層104上，而p+ 型半導體摻雜層108則是疊設在p型半導體層106上。在一示范實施例中，第一半導體層 102、發光層104與第二半導體層110的材料可例如選自氮化鎵系列(GaN-based)材料。在本實施方式中，為了提高發光二極管的光取出效率，在磊晶成長第二半導體層 110的p型半導體層106時，可例如透過調整磊晶參數的方式，使所生成的p型半導體層106 具有粗糙的表面112。當后續成長的p+型半導體摻雜層108覆蓋在p型半導體層106的粗 糙表面112上后，所形成的第二半導體層110同樣具有粗糙的表面114。接著，利用例如化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)或旋涂(Spin-On Coating)等一般沉積方式，形成掩膜層122覆蓋在第二半導體層110的表面114上。再利 用例如光刻與蝕刻等圖案定義技術定義掩膜層122，而移除部分的掩膜層122，以使掩膜層 122覆蓋在第二半導體層110的表面114的區域116上，并暴露出第二半導體層110的表面 114的區域118與120，如圖2A所示。在一示范實施例中，掩膜層122的材料可例如為二氧 化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、磷硼玻璃(BPSG)、旋涂玻璃(S0G)、聚亞酰 胺(polyimide)等。接下來，如圖2B所示，利用例如旋轉涂布(Spin Coating)的方式形成另一掩膜層 124覆蓋在掩膜層122、以及第二半導體層110的表面114遭暴露出的區域118與120上，以使第二半導體層110的表面114的區域118與120上的掩膜層124部分具有平坦表面。 掩膜層124的材料可選用在后續的蝕刻步驟中與第二半導體層110具有相近或實質相同的 蝕刻速率的材料；而第一個掩膜層122的材料則可選用在后續的蝕刻步驟中蝕刻速率小于 第二個掩膜層124和第二半導體層110的蝕刻速率的材料。在一示范實施例中，掩膜層124 的材料可例如為光阻或旋轉涂布玻璃(Spin-on Glass ；S0G)材料等高粘滯性材料。接著，進行蝕刻步驟，以移除部分的掩膜層124、以及位于區域118與120中的部分 第二半導體層110。在此蝕刻步驟中，由于掩膜層124的材料可選用與第二半導體層110具 有相近或實質相同的蝕刻速率的材料，而第一個掩膜層122的材料則可選用蝕刻速率小于 第二個掩膜層124和第二半導體層110的蝕刻速率的材料，再加上第二半導體層110的區 域118與120上的掩膜層124部分具有平坦表面，故此蝕刻步驟對掩膜層124與第二半導 體層110的蝕刻速率相近或實質相同，而可將區域118與120上的掩膜層124的平坦地形 轉移至第二半導體層110中，進而使第二半導體層110的表面114的區域118與120分別 形成平坦區126與128，如圖2C所示。平坦區126為后續供p型電極134 (請先參照圖2D) 設置的區域，故又可稱為電極區。在本實施方式中，此蝕刻步驟可采用干蝕刻方式。在一示 范實施例中，此干蝕刻方式例如為感應耦合等離子(Inductively Coupled Plasma ； I CP)蝕 刻法或一反應式離子蝕刻(Reactive IonEtch ；RIE)法。在一示范實施例中，請同時參照圖2B與圖2C，上述的蝕刻步驟完全移除第二半導 體層110的區域118與120中的p+型半導體摻雜層108，以作為后續的電流阻障的設計，其 中此時的P+型半導體摻雜層108僅位于第二半導體層110的區域116中。完成蝕刻步驟 后，即可去除剩余的掩膜層124與122，而暴露出第二半導體層110的區域116中的粗糙表 面 114。接下來，進行可形成透明導電層132與進行發光區域的定義，其中此二步驟的先 后順序可依制程需求而調整。在一示范實施例中，先進行發光區域的定義，而利用例如光刻 與蝕刻等圖案定義技術，移除部分的第二半導體層110與發光層106，直至暴露出下方的第 一半導體層102的部分138，此時發光層104與第二半導體層110位于第一半導體層102的 另一部分140上，如圖2D所示。進行發光區域的定義后，原位于第二半導體層110的表面 114的地形會轉移至第一半導體層102所暴露出的部分138，因此第一半導體層102的暴露 部分包含平坦區130與粗糙區142，其中平坦區130是轉移自圖2C所示的第二半導體層110 的平坦區128，而粗糙區142是轉移自上方對應的第二半導體層110的粗糙表面114。平坦 區130為后續供n型電極136，因此平坦區130又可稱為電極區。此時，剩下的第二半導體 層110的表面114包含粗糙的區域116與平坦區126。在一示范實施例中，如圖2D所示，在 第一半導體層102所暴露出的部分138中，由平坦區130所構成的電極區的高度低于粗糙 區142的高度；同樣地，在第二半導體層110的表面114中，由平坦區126所構成的電極區 的高度低于粗糙的區域116的高度。接下來，利用例如蒸鍍沉積方式形成透明導電層132覆蓋在第二半導體層110的 表面114的粗糙區域116與平坦區126上，其中覆蓋在平坦區126上方的透明導電層132 的部分亦具有平坦的表面150，如圖2D所示。透明導電層132的材料可例如為氧化銦錫 (IT0)。接著，可利用例如蒸鍍沉積方式形成p型電極134于部分的平坦區126上方的透明 導電層132上，以及形成n型電極136于第一半導體層102的平坦區130的一部分上。隨后，可根據產品設計需求，而選擇性地形成鈍化層152覆蓋在第一半導體層102的暴露部分 138與透明導電層132上，來保護下方的半導體層，而大致完成發光二極管144a的制作，如 圖2D所示。請再次參照圖2D，在發光二極管144a中，由于p型電極134下方的p+型半導體 摻雜層108已遭移除，因此p型電極134下方的平坦區126中的第二半導體層110與透明 導電層132呈蕭特基接觸(Schottky Contact)，而可在p型電極134下方產生電流阻障效 果，如可一來可避免電流由p型電極134下方直接注入發光層104，進而可增加發光二極管 144a的發光效率。請參照圖3，其是繪示依照本發明的另一實施方式的一種發光二極管的剖面圖。在 本實施方式中，發光二極管144b的架構與發光二極管144a的架構大致相同，二者的差異主 要在于發光二極管144b還包含反射層146。在制作此發光二極管144b時，完成發光區域的 定義而形成第一半導體層102的平坦區130與粗糙區142后，且在形成透明導電層132之 前，先形成反射層146于第二半導體層110的平坦區126上，而后再形成透明導電層132覆 蓋在第二半導體層110的表面114與反射層146上。因此，在發光二極管144b中，反射層 146是位于第二半導體層110的平坦區126上，且此反射層146介于第二半導體層110與透 明導電層132之間，如圖3所示。反射層146可為單一層結構或多層堆疊結構。在一些實施例中，反射層146可例 如為絕緣材料層、金屬層、或絕緣材料層/金屬層的堆疊結構，其中金屬層的材料可例如為 鋁、銀或鉬等高反射率金屬，絕緣材料層的材料可例如為二氧化硅、二氧化鈦(Ti02)、氧化 鉭(Ta205)、氮化硅或氧化鋁(A1203)。在一示范實施例中，反射層146可為多層絕緣層堆疊 而成的分布式布拉格反射(DBR)結構。請參照圖4A與圖4B，其中圖4A是繪示依照本發明又一實施方式的一種發光二極 管的上視圖，而圖4B則是繪示沿著圖4A的發光二極管的A-A’剖面線所獲得的局部剖面圖。 在本實施方式中，發光二極管144c的架構與發光二極管144a的架構大致相同，二者的差異 主要在于發光二極管144c的第二半導體層110的表面114包含額外設置的平坦區154與 156，如圖4B所示。這些平坦區154與156可自p型電極134而延伸向外，如圖4A所示。在制作此發光二極管144c時，請同時參照圖2B、圖2C與圖4B，除了區域118與 120外，可依產品實際需求，使掩膜層122額外暴露出第二半導體層110的表面114的另一 些預設區域(未繪示)，而進行蝕刻步驟，以移除部分的掩膜層124以及部分的第二半導體 層110時，使得第二半導體層110的區域118與120以及額外暴露出的預設區域的表面平 坦化，而如圖4B所示般在第二半導體層110的表面114上額外形成平坦區154與156。因此，平坦區154與156上方的透明導電層132的厚度可以均勻一致，與粗糙表面 相比，這些平坦區154與156上的透明導電層132的阻值較低，可作為電流均勻擴散的路 徑，故可大幅增加發光二極管144c的電流散布能力，更有效地提升發光二極管144c的發光 效率。在本發明的另一實施例中，對應額外形成平坦區154與156的透明導電層132上方， 也可以選擇性的形成延伸電極(未繪示)，以更進一步增加電流分布的均勻性。并且，在此 狀況下，亦可以選擇性地在對應額外形成的平坦區154、156與透明導電層132之間，形成類 似圖3所示的反射層146。由上述本發明的實施方式可知，本發明的一優點就是因為在本發明的發光二極管
9及其制造方法中，P型電極與n型電極下方的電極區表面平整，而可使p型電極與n型電極 的上表面保持平整，且電極區以外的區域保持表面粗糙，因此不僅可增加發光二極管的光 取出能力，更可同時增加打線接合的穩定性。由上述本發明的實施方式可知，本發明的另一優點就是因為本發明的發光二極管 的電極區表面平坦，可提高電極與下方半導體層的附著力，進而可提高發光二極管的電性 穩定度。由上述本發明的實施方式可知，本發明的又一優點就是因為本發明的發光二極管 具有表面平坦的n型與p型電極，因此可降低n型與p型電極色差，有利封裝打線機臺對電 極辨識的精準度，而可提高打線位置的準確性。由上述本發明的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為在本發明的發光二極 管及其制造方法中，可移除P型電極下方的P+型半導體摻雜層，因此可在P型電極下方提 供電流阻障效果，而可避免電流由P型電極下方直接注入發光層，避免造成電流擁塞效應， 進而可增加發光二極管的發光效率。由上述本發明的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為在本發明的發光二 極管及其制造方法中，亦可使部分預設發光區域平坦化，因此在平坦化區域上的透明導電 層厚度可均勻一致，與粗糙表面相比，其透明導電層的阻值較低，可作為電流均勻擴散的路 徑，而可增加發光二極管的電流散布能力，進一步增加發光二極管的發光效率。本發明實施例雖以水平電極式發光二極管作為說明，然已知技術者當知，本發明 技術亦可以應用于垂直電極式發光二極管。例如，只要運用本發明實施例的蝕刻技術對第 二半導體層110上的預設區域118進行蝕刻，形成一平坦區域，而不特別對垂直電極式發光 二極管的第一半導體層102進行預設區域的平坦化，即可應用本發明技術完成一垂直電極 式發光二極管。雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何在此技 術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因 此本發明的保護范圍當以權利要求書所界定的范圍為準。
權利要求
一種發光二極管，其特征在于，至少包含一基板；一第一半導體層，位于該基板上；一發光層，位于該第一半導體層上；一第二半導體層，位于該發光層上，其中該第二半導體層的一表面包含一第一粗糙區以及一第一平坦區，且該第二半導體層與該第一半導體層具有不同的電性；一透明導電層，覆蓋在該第二半導體層的該表面上；一第一電極，位于該第一平坦區上方的該透明導電層上；以及一第二電極，與該第一半導體層電性連接。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該第一半導體層包含一第一部分 與一第二部分，且該第二部分包含一第二粗糙區與一第二平坦區，其中該發光層位于該第 一半導體層的該第一部分上，且該第二電極位于該第二平坦區上。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該第二半導體層包含 一 P型半導體層，位于該發光層上；以及一 P+型半導體摻雜層，位于該P型半導體層上。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，該p+型半導體摻雜層位于該第二 半導體層的該第一粗糙區中的該P型半導體層上。
5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，該第一平坦區中的該第二半導體 層與該透明導電層之間為蕭特基接觸。
6.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，該第二半導體層還包含一第三平 坦區。
7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，還至少包含一反射層位于該第三 平坦區上，且介于該透明導電層與該第二半導體層之間。
8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，還至少包含一反射層位于該第一 平坦區上，且介于該透明導電層與該第二半導體層之間。
9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該第一平坦區低于該第一粗糙區。
10.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，至少包含提供一基板，其中該基板的一表面依序堆疊有一 n型半導體層、一發光層以及一 p型半 導體層，該P型半導體層包含粗糙的一表面；形成一第一掩膜層覆蓋在該P型半導體層的該表面的一第一區域上，并暴露出該表面 的一第二區域與一第三區域；形成一第二掩膜層覆蓋在該第一掩膜層、該第二區域與該第三區域上，該第二掩膜層 與該P型半導體層具有相近或實質相同的蝕刻速率，且該第一掩膜層的蝕刻速率小于該第 二掩膜層與該P型半導體層的蝕刻速率；進行一蝕刻步驟，以使該表面的該第二區域與該第三區域分別形成一第一平坦區與一 第二平坦區；移除部分的該P型半導體層與部分的該發光層，而暴露出該n型半導體層的一部分，并 在該n型半導體層的該部分形成一第三平坦區；形成一透明導電層覆蓋在該P型半導體層的該表面與該第一平坦區上；以及形成一 n型電極于該第三平坦區上、以及一 p型電極于該第一平坦區上方的該透明導 電層上。
11.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該第一掩膜層的材 料為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硼玻璃、旋涂玻璃、或聚亞酰胺。
12.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該第二掩膜層的材 料為光阻或旋轉涂布玻璃材料。
13.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該蝕刻步驟是利用 一干蝕刻法。
14.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該p型半導體層包含一第一 P型半導體層，位于該發光層上；以及 一 P+型半導體摻雜層，位于該第一 P型半導體層上。
15.根據權利要求14所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該蝕刻步驟還包含 移除該第二區域與該第三區域中的該P+型半導體摻雜層。
16.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該第一掩膜層還暴 露出該第二半導體層的該表面的一第四區域，并利用該蝕刻步驟使該第四區域形成一第四 平坦區。
17.根據權利要求10所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在移除部分的該p型 半導體層與部分的該發光層的步驟與形成該透明導電層的步驟之間，還至少包含形成一反 射層位于該第一平坦區上。
全文摘要
本發明涉及一種發光二極管(LED)及其制造方法。此發光二極管至少包含一基板；一第一半導體層位于基板上；一發光層位于第一半導體層上；一第二半導體層位于發光層上，其中第二半導體層的一表面包含第一粗糙區以及第一平坦區，且第二半導體層與第一半導體層具有不同的電性；一透明導電層覆蓋在第二半導體層的表面上；一第一電極位于第一平坦區上方的透明導電層上；以及一第二電極與第一半導體層電性連接。
文檔編號H01L33/00GK101859847SQ20091013378
公開日2010年10月13日 申請日期2009年4月13日 優先權日2009年4月13日
發明者余國輝, 呂奇孟, 張玉如, 朱長信, 陳錫銘 申請人:奇力光電科技股份有限公司