帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置的制作方法

專利名稱：帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置。更為詳細而言，本發明涉及因試樣的帶電效應導致的帶電粒子束的位置偏移量的計算及校正。

背景技術：
由于兩次圖案曝光技術的導入，因而人們要求光掩模的位置準確度的提高。與之相伴，一般要求光掩模內的圖案配置準確度的提高，但是眾所周知，當使用電子束描繪裝置來描繪光掩模的圖案時，因抗蝕劑帶電效應而使射束照射位置產生偏移。
作為校正該射束照射位置偏移的方法之一，在抗蝕劑層上形成帶電防止膜(CDLCharge Dissipation Layer)來防止抗蝕劑表面帶電的方法，已為眾所周知。但是，該帶電防止膜因為基本上具有酸的特性，所以和化學放大型抗蝕劑之間的相合性不佳。另外，為了形成帶電防止膜需要設置新的設備，光掩模的制造成本進一步增大。因此，人們希望在不使用帶電防止膜的狀況下，進行帶電效應校正(CECcharging effect correction)。
例如，在下述專利文獻1中，提出了一種根據電場強度來計算射束照射位置的校正量，并根據該校正量來照射射束的描繪裝置。根據該描繪裝置，假定為在照射量分布和帶電量分布之間線性比例關系成立，從照射量分布通過線性響應函數來計算位置偏移量分布。
然而，根據本發明人的進一步研究，得知若假定為在照射量分布和位置偏移量分布之間線性比例關系成立，則無法以高準確度計算位置偏移量分布。因此，產生了建立新模型的必要性，該新模型不使用此線性比例關系，以高準確度求取位置偏移量分布。
專利文獻1日本特開2007-324175號公報

發明內容
本發明的目的在于，鑒于上述課題，提供一種能夠以高準確度計算因帶電效應導致的射束位置偏移量分布的帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置。
為了解決上述課題，本發明的第1方式是一種帶電粒子束描繪方法，使帶電粒子束偏轉，對載物臺上的試樣描繪圖案，其特征在于，包括利用照射在試樣上的帶電粒子束的照射量分布、以及霧電子量分布，來計算帶電粒子束的照射區域的帶電量分布和非照射區域的帶電量分布的工序；根據照射區域及非照射區域的帶電量分布，計算試樣上的上述帶電粒子束的位置偏移量的分布的工序；以及根據位置偏移量的分布使帶電粒子束偏轉，對試樣描繪圖案的工序。
在該第1方式中，也可以還包括根據照射量分布和試樣的從被照射帶電粒子束的照射區域向非照射區域擴散的霧電子的擴散分布，計算霧電子量分布的工序。
在該第1方式中，也可以還包括根據試樣的每個規定區域的圖案密度分布，計算劑量分布的工序；以及根據圖案密度分布和劑量分布，計算照射量分布的工序。
在該第1方式中，可以使用由下式(a)表達的函數CF(F)計算上述非照射區域的帶電量分布。
CF(F)＝—c1×Fα …(a) (在上式(a)中，F是霧電子量分布，c1是常數，并且0<α<1。) 另外，可以使用由下式(b)表達的函數CE(E，F)計算上述照射區域的帶電量分布。
CE(E，F)＝CE(E)+CFe(F)＝c0—c1×Fα …(b) (在上式(b)中，E是照射量分布，F是霧電子量分布，c0、c1是常數，并且0<α<1。) 另外，在該第1方式中優選的是，使用照射量分布及霧電子量分布的多項式函數來計算照射區域的帶電量分布，使用霧電子量分布的多項式函數來計算非照射區域的帶電量分布。
更為具體而言，優選的是，使用由下式(c)表達的多項式函數來計算照射區域的帶電量分布。
C(E，F)＝(d0+d1×ρ+d2×D+d3×E)+(e1×F+e2×F2+e3×F3) …(c) (在上式(c)中，ρ是圖案密度分布，D是劑量分布，E是照射量分布，F是霧電子量分布，d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3是常數。) 另外，優選的是，使用由下式(d)表達的多項式函數來計算非照射部區域的帶電量分布。
CF(F)＝f1×F+f2×F2+f3×F3 …(d) (在上式(d)中，F是霧電子量分布，f1、f2、f3是常數。) 為了解決上述課題，本發明的第2方式是一種帶電粒子束描繪裝置，由偏轉器使帶電粒子束偏轉，對載物臺上的試樣描繪圖案，其特征在于，具備位置偏移量分布計算構件，根據試樣的被照射帶電粒子束的照射區域的帶電量分布、以及不被照射帶電粒子束的非照射區域的帶電量分布，計算試樣上的帶電粒子束的位置偏移量的分布；以及偏轉器控制構件，根據位置偏移量的分布，控制上述偏轉器。
在該第2方式中，也可以還具備帶電量分布計算構件，利用照射于試樣上的帶電粒子束的照射量分布和霧電子量分布，來計算照射區域及非照射區域的帶電量分布。
在該第2方式中，也可以還具備霧電子量分布計算構件，根據照射量分布和從照射區域向上述非照射區域擴散的霧電子擴散分布，來計算霧電子量分布。
另外，在該第2方式中，也可以還具備劑量分布計算構件，根據試樣的每個規定區域的圖案密度分布，來計算劑量分布；以及照射量分布計算構件，根據圖案密度分布及劑量分布，來計算照射量分布。
根據第1方式，因為不是根據照射量分布通過線性響應函數直接導出位置偏移量分布，而是利用照射量分布和霧電子量分布，計算照射區域及非照射區域的帶電量分布，并根據該帶電量分布來計算位置偏移量分布，所以能夠計算在考慮線性比例關系時沒有計算的試樣上射束的位置偏移。從而，可以以高準確度校正因帶電效應導致的射束位置偏移。
根據該第2方式，因為根據照射區域及非照射區域的帶電量分布，來計算試樣上帶電粒子束的位置偏移量的分布，并根據該位置偏移的分布來控制偏轉器，所以能夠以高準確度校正因帶電效應導致的射束位置偏移。



圖1是本發明實施方式中電子束描繪裝置100的概略結構圖。
圖2是表示圖案描繪時試樣2移動方向的附圖。
圖3A是說明根據本發明實施方式的描繪方法所用的流程圖。
圖3B是說明根據本發明實施方式的描繪方法所用的流程圖。
圖4是表示按照圖案密度使劑量產生變化的情形和與圖案密度無關而固定劑量的情形的附圖。
圖5是說明柵格匹配的流程所用的概略圖。
圖6是說明根據相對于本發明實施方式的比較例的位置偏移量分布的計算方法所用的附圖。
圖7是表示描述擴散分布的函數g′(x，y)的附圖。
圖8是表示為了計算響應函數所假定的模型的附圖。
圖9A是表示比較例的驗證時所提供的1次階梯函數的附圖。
圖9B是表示根據比較例求出的位置偏移量分布p(x)的附圖。
圖10是表示比較例的驗證時求出的線性響應函數R1(x)和理想的響應函數R2(x)的附圖。
圖11是表示用來測量抗蝕劑帶電效應的測試布局的附圖。
圖12是放大表示第1及第2方框陣列的附圖。
圖13A是表示圖案密度為100％的照射墊(irradiation pad)的附圖。
圖13B是表示圖案密度為75％的照射墊的附圖。
圖13C是表示圖案密度為50％的照射墊的附圖。
圖13D是表示圖案密度為25％的照射墊的附圖。
圖14A是表示對于化學放大型抗蝕劑A的位置偏移的測量結果的概略圖。
圖14B是表示對于化學放大型抗蝕劑B的位置偏移的測量結果的概略圖。
圖14C是表示對于化學放大型抗蝕劑C的位置偏移的測量結果的概略圖。
圖15A是圖示抗蝕劑A、圖案密度25％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖15B是圖示抗蝕劑A、圖案密度50％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖15C是圖示抗蝕劑A、圖案密度75％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖15D是圖示抗蝕劑A、圖案密度100％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖16A是圖示抗蝕劑B、圖案密度25％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖16B是圖示抗蝕劑B、圖案密度50％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖16C是圖示抗蝕劑B、圖案密度75％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖16D是圖示抗蝕劑B、圖案密度100％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖17A是圖示抗蝕劑C、圖案密度25％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖17B是圖示抗蝕劑C、圖案密度50％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖17C是圖示抗蝕劑C、圖案密度75％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖17D是圖示抗蝕劑C、圖案密度100％時的X方向的位置偏移量的附圖。
圖18是表示對于抗蝕劑A，圖案密度ρ為25％并且劑量D為21μC/cm2時的位置偏移量和圖案密度ρ為100％并且劑量D為5.25μC/cm2時的位置偏移量的附圖。
圖19A是表示照射區域的帶電量分布的函數的附圖。
圖19B是表示非照射區域的帶電量分布的函數的附圖。
圖20是說明求取參數c0、c1、σi的最佳組合的方法所用的附圖。
圖21A是表示抗蝕劑A、圖案密度25％時的擬合結果的附圖。
圖21B是表示抗蝕劑A、圖案密度50％時的擬合結果的附圖。
圖21C是表示抗蝕劑A、圖案密度75％時的擬合結果的附圖。
圖21D是表示抗蝕劑A、圖案密度100％時的擬合結果的附圖。
圖22A是表示抗蝕劑B、圖案密度25％時的擬合結果的附圖。
圖22B是表示抗蝕劑B、圖案密度50％時的擬合結果的附圖。
圖22C是表示抗蝕劑B、圖案密度75％時的擬合結果的附圖。
圖22D是表示抗蝕劑B、圖案密度100％時的擬合結果的附圖。
圖23A是表示抗蝕劑C、圖案密度25％時的擬合結果的附圖。
圖23B是表示抗蝕劑C、圖案密度50％時的擬合結果的附圖。
圖23C是表示抗蝕劑C、圖案密度75％時的擬合結果的附圖。
圖23D是表示抗蝕劑C、圖案密度100％時的擬合結果的附圖。
圖24A是表示對于抗蝕劑A的參數c0、c1、σ的最佳組合的附圖。
圖24B是表示對于抗蝕劑B的參數c0、c1、σ的最佳組合的附圖。
圖24C是表示對于抗蝕劑C的參數c0、c1、σ的最佳組合的附圖。
圖25A是表示對于抗蝕劑B由校正后的模型求出的參數c0、c1、σ的組合的附圖。
圖25B是表示對于抗蝕劑C由校正后的模型求出的參數c0、c1、σ的組合的附圖。
圖26是表示帶電量分布C(x，0)的附圖。
圖27A是表示霧半徑σ過小時的擬合結果的附圖。
圖27B是表示霧半徑σ最適合時的擬合結果的附圖。
圖27C是表示霧半徑σ過大時的擬合結果的附圖。
圖28是表示照射區域的帶電量分布C(x，0)和帶電量分布C(E，F)的擬合結果的附圖。
圖29是表示參數d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3、f1、f2、f3、σ的最佳組合的附圖。
圖30A是表示對于抗蝕劑A由根據本實施方式的廣義模型求出的位置偏移量分布和實驗數據的擬合結果的附圖。
圖30B是表示對于抗蝕劑B由根據本實施方式的廣義模型求出的位置偏移量分布和實驗數據的擬合結果的附圖。
圖30C是表示對于抗蝕劑C由根據本實施方式的廣義模型求出的位置偏移量分布和實驗數據的擬合結果的附圖。
圖31是表示柵格匹配后殘留的射束照射位置偏移量的附圖。
符號說明 1 描繪部 2 試樣 3 載物臺 6 電子束 13 物鏡偏轉器 20 控制部 21 存儲裝置 31 圖案密度分布計算構件 32 劑量分布計算構件 33 照射量分布計算構件 34 霧電子量分布計算構件 35 帶電量分布計算構件 36 位置偏移量分布計算構件 42 柵格匹配控制構件 44 物鏡偏轉器控制構件 100 電子束描繪裝置
具體實施例方式 圖1是本實施方式中電子束描繪裝置100的概略結構圖。
圖1所示可變成形射束方式的電子束描繪裝置100具備描繪部1。在描繪部1內，收存XY載物臺3，該XY載物臺保持作為試樣2的掩模。作為試樣2的掩模在玻璃基板上依次疊層了氧化鉻膜和抗蝕劑層。XY載物臺3構成為通過下述的載物臺驅動構件46能夠按X方向及Y方向進行移動。XY載物臺3的移動位置根據激光干涉計4的輸出，由下述的載物臺位置檢測構件45進行檢測。
在XY載物臺3的上方，配置作為電子束6的發生源的電子槍5。在電子槍5和XY載物臺3之間，配置照明透鏡7、S1孔(aperture)(第1孔)8、投影透鏡9、成形偏轉器10、S2孔(第2孔)11、物鏡12和物鏡偏轉器13。
另外，電子束描繪裝置100具備控制部20和與該控制部20連接的存儲裝置21。存儲裝置21用來存儲下述的布局數據、位置偏移量分布(也稱為“位置偏移量圖”)及光學系統誤差分布(也稱為“光學系統誤差圖”)等，例如是磁盤裝置、磁帶裝置、FD(軟盤，floppy disk)或半導體存儲器等。
控制部20具備預處理計算部30。預處理計算部30具備圖案密度計算構件31、劑量分布計算構件32、照射量分布計算構件33、霧(fogging，かぶり)電子量分布計算構件34、帶電量分布計算構件35及位置偏移量分布計算構件36。
圖案密度分布計算構件31用來根據從存儲裝置21所讀出的布局數據中包含的圖形數據，對按規定尺寸假想分割為網格狀的各幀，計算每一網格區域的圖案密度分布。劑量分布計算構件32用來使用下述后方散射電子的接近效果校正式，計算劑量的分布。照射量分布計算構件33用來根據圖案密度的分布及劑量的分布，計算照射于試樣上的電子束的照射量分布。霧電子量分布計算構件34用來根據照射量分布和描述霧電子擴散(spreadof fogged electrons，かぶり電子の広がり)的函數，計算霧電子量(foggingelectron amount，かぶり電子量)的分布。帶電量分布計算構件35用來采用下述的方法，計算被照射電子束的照射區域的帶電量分布和不照射電子束的非照射區域的帶電量分布。位置偏移量分布計算構件36用來根據由帶電量分布計算構件35計算出的帶電量分布，計算試樣上電子束的位置偏移量的分布。
控制部20除了上述預處理計算部30之外，還具備發射數據生成構件41、柵格匹配控制構件42、成形偏轉器控制構件43、物鏡偏轉器控制構件44、上述的載物臺位置檢測構件45及載物臺驅動構件46。
發射數據生成構件41用來根據從存儲裝置21所讀出的布局數據，制作描繪數據，并根據該描繪數據制作發射數據。柵格匹配控制構件42用來根據由位置偏移量分布計算構件36計算出的位置偏移量分布，控制物鏡偏轉器控制構件44。成形偏轉器控制構件43用來控制成形偏轉器10的位置，以獲得希望的尺寸及形狀(矩形或者三角形)的S2孔像。物鏡偏轉器控制構件44用來控制物鏡偏轉器13的位置，以使電子束6照射于試樣2上的希望位置上。
下面，對于上述電子束描繪裝置100的一般描繪動作，進行說明。
從電子槍5發出的電子束6通過照明透鏡7，對具有矩形開口部的S1孔8整體進行照明。透過了S1孔8的S1孔像的電子束6通過投影透鏡9，投影于具有楔型開口部的S2孔11上。S2孔11上的第1孔像的位置被成形偏轉器10偏轉。于是，成形為希望的射束形狀和尺寸。透過了S2孔11的S2孔像的電子束6由物鏡12調整焦點，并且被物鏡偏轉器13偏轉，照射于XY載物臺3上試樣2的希望位置上。
因為在圖案描繪時使XY載物臺3連續移動，所以如圖2所示，試樣2進行移動。圖2是表示圖案描繪時的試樣2移動方向的附圖。試樣2的描繪區域R被假想分割為多個長方形狀的帶狀區域SR。在1個帶狀區域SR上按X方向照射電子束6。也就是說，一邊使XY載物臺3按X方向連續移動，一邊還使電子束6的發射位置(照射區域)追隨載物臺移動。若1個帶狀區域的描繪結束，則將XY載物臺3按Y方向進行步進進給。然后，在下一帶狀區域上按X方向照射電子束6。此時，使XY載物臺3在反向的X方向上連續移動。
然而，眾所周知，如上所述若對試樣2的抗蝕劑層照射電子束，則因抗蝕劑帶電效應而使射束照射位置偏移。
因此，在本實施方式中，要按照圖3A所示的那種流程，在電子束描繪裝置100上執行考慮了位置偏移量的圖案描繪。圖3A是說明根據本實施方式的描繪方法所用的流程圖。
根據圖3A所示的流程，首先，由圖案密度計算構件31讀出存儲裝置21中所存儲的布局數據，根據該布局數據中包含的圖形數據，對按規定尺寸(柵格尺寸)假想分割為網格狀的各幀(frame)(下面稱為網格區域)，計算圖案密度(步驟S100)。在該步驟S100中，計算每一網格區域的圖案密度的分布ρ(x，y)。
接著，利用在上述步驟S100中計算出的圖案密度分布ρ(x，y)，計算每一網格區域的劑量分布D(x，y)(步驟S102)。在該步驟S102中，按照下面后方散射電子的接近效果校正式(1)來計算劑量分布D(x，y)。
D＝D0×{(1+2×η)/(1+2×η×ρ)} …(1) (在上式(1)中，D0是基準劑量，η是后方散射率。) 這些基準劑量D0及后方散射率η由該帶電粒子束描繪裝置100的用戶來設定。后方散射率η可以考慮電子束6的加速電壓、試樣2的抗蝕劑膜厚或基底基板的種類、工藝條件(例如，PEB條件或顯像條件)等，進行設定。
接著，通過將在上述步驟S100中計算出的圖案密度分布ρ(x，y)和在上述步驟S102中計算出的劑量分布D(x，y)相乘，來計算每一網格區域的照射量分布E(x，y)(也稱為“照射強度分布”)(步驟S104)。
接下來，按照下述的方法，計算霧電子量分布F(x，y，σ)(步驟S106)。然后，由帶電量分布計算構件35，按照下述的方法計算帶電量分布C(x，y)(步驟S108)。
還有，也可以預先將計算出的圖案密度分布ρ(x，y)、劑量分布D(x，y)、照射量分布E(x，y)、霧電子量分布F(x，y，σ)及帶電量分布C(x，y)存儲于存儲裝置21中，在各步驟中從存儲裝置21讀出并取得。
接下來，由位置偏移量分布計算構件36，根據在上述步驟S108中計算出的帶電量分布C(x，y)，來計算位置偏移量分布p(x，y)(步驟S110)。在該步驟S110中，通過對帶電量分布C(x，y)和將帶電量變換為位置偏移誤差的響應函數r(x，y)進行卷積積分，來計算位置偏移量分布p(x，y)。
然后，根據在上述步驟S110中計算出的位置偏移量分布p(x，y)，實施柵格匹配(步驟S112)。在該步驟S112中如下所述執行物鏡偏轉器13的控制之后，電子束6照射于試樣2上，來描繪圖案(步驟S114)。
還有，也可以取代圖3A所示的流程，按照圖3B所示的流程進行描繪。圖3A和圖3B其步驟S102、S103不同，其他的步驟相同。在圖3A的步驟S102中，根據圖案密度分布ρ(x，y)計算出劑量分布D(x，y)，但是在圖3B的步驟S103中，與圖案密度分布ρ(x，y)無關，都取得固定的劑量分布D(x，y)。在圖3B的步驟S104中，通過將在步驟S103中所取得固定的劑量分布D(x，y)和在步驟S100中計算出的圖案密度分布ρ(x，y)相乘，來求取照射量分布E(x，y)。
這樣，也可以不依賴于圖案密度分布ρ(x，y)，而使用固定的劑量分布D(x，y)來計算照射量分布E(x，y)。在圖4中，◆表示按照圖案密度ρ進行變化的劑量，□表示與圖案密度無關而固定的劑量(21μC/cm2)。
下面，參照圖5，說明在上述步驟S112中實施的柵格匹配的流程。
如圖5所示，由位置偏移量分布計算構件36計算出的位置偏移量分布存儲于在存儲裝置21中。隨后，由柵格匹配控制構件42讀出該存儲裝置21中所存儲的位置偏移量分布和預先制作出并存儲于存儲裝置21中的光學系統誤差分布。柵格匹配控制構件42將位置偏移量分布的每一網格的各項數據和光學系統誤差分布的每一網格的各項數據合成，把合成后的數據輸出給物鏡偏轉器控制構件44。物鏡偏轉器控制構件44根據所輸入的數據，控制電子束6的偏轉位置。也就是說，不斷向考慮了位置偏移量分布和光學系統誤差分布的校正位置控制物鏡偏轉器13的位置。
為了使試樣上的圖案的配置準確度得到提高，需要以高準確度進行柵格匹配，為此需要以高準確度計算位置偏移量分布p(x，y)(也稱為“位置偏移量分布”)。
下面，對于位置偏移量分布p(x，y)的計算方法，進行說明。
首先，參照圖6，對于根據相對于本實施方式的比較例的位置偏移量分布的計算方法，進行說明。
在本比較例中，假定為對于某一照射量分布E(x，y)，存在描述電子(帶電量)的擴散分布的函數g′(x，y)。作為該函數g′(x，y)，例如圖7所示，可以使用在電子束照射區域帶正電、在非照射區域帶負電的高斯分布模型。而且，通過對照射量分布E(x，y)和擴散分布函數g′(x，y)進行卷積積分(convolution)，來求取帶電量分布C(x，y)。
接下來，假定將該帶電量分布C(x，y)變換為位置偏移量分布p(x，y)的響應函數r(x，y)。這里，射束的位置偏移因為可以作為從射束照射位置(x，y)到帶電位置(x′，y′)的距離的函數來表達，所以能夠如“r(x-x′，y-y′)”那樣描述響應函數。
圖8是表示為了計算該響應函數r(x，y)所假定的模型的附圖。如圖8所示，全都被接地變為0V的2個平行平板51、52相互離開距離L，來配置。上部平板51相當于描繪部1壁面、具體而言是物鏡12的框，下部平板52相當于光掩模的鉻層。2個平板51、52作為完全的導電體來考慮。點電荷源55位于膜厚h的抗蝕劑53的表面。導電性鉻層52由于在靜電勢計算中可以當作鏡面，因而鏡像電荷54以等距離“—h”位于鉻層52之下。實際的帶電55和鏡面帶電54作為偶極子56成對起作用。由于導電性的上部平板51也可以當作鏡面，因而無限個偶極子56的1對按“2L”的間距來配置。在實際的計算中，偶極子56的數目按某個實際的界限舍去。以50keV加速后的電子57的軌道通過解運動方程式來計算，取得到達抗蝕劑53表面時電子位置最后的偏移作為對所提供的輸入位置的射束位置誤差。
根據該假定，位置偏移量分布p(x，y)通過對響應函數r(x，y)和帶電量分布C(x，y)進行卷積積分來求取。也就是說，位置偏移量分布p(x，y)通過對響應函數r(x，y)、帶電分布函數g′(x，y)和照射量分布E(x，y)進行卷積積分來求取。
這里，若假定為在照射量分布E(x，y)和位置偏移量分布p(x，y)之間線性比例關系成立，則如圖6所示，可以通過對線性響應函數R(x，y)和照射量分布E(x，y)進行卷積積分，來求取位置偏移量分布p(x，y)。也就是說，根據本比較例，因為根據照射量分布E(x，y)通過線性響應函數R(x，y)直接導出位置偏移量分布p(x，y)，所以可以跳過帶電量分布C(x，y)的計算。
但是，根據本發明人的研究，得知由上述比較例求出的位置偏移量分布p(x，y)和實驗結果不同。
參照圖9A、圖9B及圖10，來驗證根據上述比較例的位置偏移量分布的計算方法。
當驗證根據上述比較例的位置偏移量分布的計算方法時，首先如圖9A所示，作為照射量分布e(x)提供了1次階梯函數。根據該函數，照射區域內的照射量是1，非照射區域內的照射量是0。
在上述比較例中，如圖9B所示，通過該照射量分布e(x)和線性響應函數R(x)之間的卷積積分，求出位置偏移量分布p(x)。從而，可以通過對該位置偏移量分布p(x)進行微分，求取線性響應函數R(x)。通過位置偏移量分布p(x)的微分求出的線性響應函數R1(x)如圖10所示，得知和理想的響應函數R2(x)不同，并且未按照射區域與非照射區域的邊界呈旋轉對稱。從而，得知上述比較例中線性比例關系的假定不成立。
因此，本發明人發現了一種用來在不使用線性響應函數R(x)的狀況下計算位置偏移量分布的新模型。
本發明人首先測量出抗蝕劑帶電效應。圖11是表示為測量抗蝕劑帶電效應所使用的測試布局的附圖。還有，在圖11中，為了更加易于看清各部分的內容，改變比例尺進行了表示。
圖11所示的測試布局TL是通過在間距L1為1mm、1邊的長度L2為80mm的柵格(81×81柵格)60上以照射量12μC/cm2描繪第1方框陣列62之后，通過在該布局TL的中央以照射量21μC/cm2描繪1邊的長度L3為40mm的圖案密度100％的照射墊63，并且在和第1方框陣列62相同的柵格60上以照射量12μC/cm2描繪第2方框陣列64而獲得的。
如圖12放大所示，第1方框陣列62例如是1邊的長度L4為4μm的正方形圖案。第2方框陣列64例如是1邊的長度L5為14μm并且按比第1方框陣列62更大的尺寸挖除中央的框狀圖案。
這里，使照射墊63的圖案密度如同100％、75％、50％、25％那樣進行變化，分別形成上述測試布局TL。圖13A至圖13D分別表示出圖案密度為100％、75％、50％、25％的照射墊63A、63B、63C、63D。
圖13A所示的照射墊63A由相互分開距離L6的矩形狀的多個圖案630構成。該距離L6例如是20μm。圖13B所示的照射墊63B由相互分開上述距離L6的多個圖案631構成。各圖案631使短邊的長度L7例如為4μm的多個線條圖案631a交叉來形成。圖13C所示的照射墊63C由相互分開上述距離L6的多個圖案632構成。各圖案632具有多個正方形的圖案632a。該圖案632a的一邊的長度L8例如是4μm。圖13D所示的照射墊63D由相互分開上述距離L6的多個圖案633構成。各圖案633是構成上述圖案632的圖案632a的數目變為一半的圖案。
通過使用抗蝕劑圖像測量方法，分別測量上述描繪出的第1及第2方框陣列62、64的位置，并從第2方框陣列64的位置減去第1方框陣列62的位置，就可以測量因照射墊63的帶電效應導致的位置偏移。還有，在本實施方式中，為了縮短測量時間，已測量出圖11所示的81×81柵格之中2mm間距的41×41柵格上所描繪的2個方框陣列62、64的位置偏移。
這里，在本實施方式中如圖4所示，對于與圖案密度ρ無關都使劑量D成為固定(21μC/cm2)的情形和按照圖案密度ρ使劑量D進行變化的情形的各情形，對于4種化學放大型抗蝕劑A至D，如上所述將圖案密度改變為100％、75％、50％、25％來分別形成測試布局TL，按每個測試布局進行了位置偏移測量。
圖14A至圖14C表示因帶電效應導致的位置偏移的測量結果。圖14A至圖14C在劑量D為固定時，對于3種抗蝕劑A、B、C概略表示出照射區域和非照射區域邊界附近的位置偏移及非照射區域外周的位置位移。
如圖14A至圖14C所示，對于3種抗蝕劑A、B、C的某一個，在非照射區域的外周，以向外側突出的方式產生同樣的位置偏移71A、71B、71C。
對此，在照射區域和非照射區域的邊界附近如圖14A及圖14B所示，抗蝕劑A、B的情況下，全都朝向照射區域的內側發生了位置偏移70A、70B。這些位置偏移70A、70B的不同之處為，抗蝕劑A時的位置偏移70A按上下和左右大致對稱，與之相對，抗蝕劑B時的位置偏移70B為上下非對稱。另外，和這些抗蝕劑A、B的情形不同，抗蝕劑C時的位置偏移70C如圖14C所示，幾乎看不出向照射區域內側的位置偏移。
圖15A至圖15D、圖16A至圖16D及圖17A至圖17D是表示對于3種抗蝕劑A、B、C，不依賴于圖案密度而劑量為一定(21μC/cm2)時11列平均的X方向位置偏移的附圖。這些圖15A至圖17D分別圖示出81×81柵格的從第31列至第51列隔開一個間距的11列平均的X方向位置偏移量。圖15A、圖16A及圖17A表示照射墊63的圖案密度為25％時的位置偏移量，圖15B、圖16B及圖17B表示照射墊63的圖案密度為50％時的位置偏移量。另外，圖15C、圖16C及圖17C表示照射墊63的圖案密度為75％時的位置偏移量，圖15D、圖16D及圖17D表示照射墊63的圖案密度為100％時的位置偏移量。
根據圖15A至圖17D所示的結果，得知圖案密度越高，位置偏移量越是增多，另外，即便是相同的圖案密度，若抗蝕劑的種類不同則位置偏移量也不同。
另外，圖18對于抗蝕劑A，將圖案密度ρ為25％并且劑量D為固定的21μC/cm2時的上述X方向的位置偏移量以及圖案密度ρ為100％并且劑量D為5.25μC/cm2時的上述X方向的位置偏移量合并表現。這里，因為如上所述通過將圖案密度ρ和劑量D相乘，來求取照射量E，所以它們2個情況的照射量E相同。因此，雖然認為它們2個情況的位置偏移量相等，但是如圖18所示雙方的位置偏移量不同。這可以認為是因下述兩個情形之間的差異導致的，其中，一個是不依賴于圖案密度ρ而劑量D固定為21μC/cm2的情形，另一個是按照圖案密度ρ進行變化的劑量(5.25μC/cm2)的情形。從而，為了以高準確度計算位置偏移量分布，需要提高照射量分布的計算準確度，為此，優選如同在圖3A的步驟S102中實施的那樣按照圖案密度ρ來計算劑量分布D(x，y)。
下面，對于為了計算能說明上述測量結果的位置偏移量分布而在圖3A及圖3B所示的步驟S106中實施的霧電子量分布F(x，y，σ)計算方法進行說明。
在上述步驟S106中，首先假定為對于照射量分布E(x，y)，存在描述霧電子擴散分布的函數g(x，y)。該函數g(x，y)和上述比較例相同，是如圖7所示的高斯分布模型，可以如下式(2)那樣來表達。
g(x，y)＝(1/πσ2)×exp{—(x2+y2)/σ2} …(2) 然后，如下式(3)那樣，通過對擴散分布函數g(x，y)和照射量分布E(x，y)進行卷積積分，來求取霧電子量分布(也稱為“霧電子量強度”。)F(x，y，σ)。
F(x，y，σ)＝∫∫g(x—x＂，y—y＂)E(x＂，y＂)dx＂dy＂ …(3) 下面，對于在圖3A及圖3B所示的步驟S108中實施的帶電量分布C(x，y)的計算進行說明。
在上述步驟S108中，首先假定了用于根據照射量分布E(x，y)及霧電子量分布F(x，y，σ)求取帶電量分布C(x，y)的函數C(E，F)。將該假定的C(E，F)，如下式(4)那樣分離為由照射電子提供的變量CE(E)和由霧電子提供的變量CF(F)。
C(E，F)＝CE(E)+CF(F) …(4) 再者，照射區域的函數假定為變量CF(F)＝0，也就是C(E，F)＝CE(E)。另一方面，非照射區域的函數假定為變量CE(E)＝0，也就是C(E，F)＝CF(F)。另外，如圖19A所示，照射區域內已假定為均勻帶電，也就是說CE(E)＝c0。該c0是常數，例如是1。另外，在非照射區域內如圖19B所示，霧電子量強度F變得越大，帶電CF(F)越是飽和。因此，將非照射區域的變量CF(F)如下式(5)那樣來表達。
CF(F)＝—c1×Fα …(5) 上式(5)中的α滿足0<α<1的條件。根據本發明人的實驗，得知在0.3≦α≦0.4時，最接近實驗結果，是優選的。該優選的α范圍可以按照使用的電子束描繪裝置進行變更。
這里，對于如上式(5)那樣規定了函數CF(F)的原因進行說明。
位置偏移測量結果如圖15A至圖17D所示，取得了對于4種圖案密度(100％、75％、50％、25％)的結果。霧電子量強度F假設圖案密度100％時的霧電子量強度F為F100，則各圖案密度下的強度與圖案密度成比例，分別為F100、0.75×F100、0.5×F100、0.25×F100。但是，CF(F)是未知的函數。因此，CF(F100)、CF(0.75×F100)、CF(0.5×F100)、CF(0.25×F100)不與強度成比例，而且有在各圖案密度下分布形狀相互不同的可能性。若這樣各圖案密度下的分布形狀不同，則不得不按每一圖案密度規定CF(F)，而在解析方面不方便。
因此，設為對于任意的F，即便圖案密度進行變化也獲得相似形的分布形狀的函數CF(F)。也就是說，規定使函數CF(F)滿足下式(6)的關系。下式(6)中的a是圖案密度，A是常數。
CF(aF)/CF(F)＝A …(6) 只要是相似形的函數，則即便CF(F)全部的強度不成比例，分布形狀也不變化。對于強度而言，可以利用上述參數c0、c1的組合進行調整。因而，不需要按每一圖案密度規定CF(F)，只對1個σ規定1個CF(F)就可以，因此能夠使解析變得簡單。
下面，參照圖20來確定上述參數c0、c1、σi的最佳組合。在此，參數c0、c1的單位為[μC/cm2]，參數σ的單位為[mm]。如圖20所示，對于照射區域，通過假定c0大小的階梯形狀的帶電量分布CE(E)，對該帶電量分布CE(E)和預先計算出的響應函數r(x)進行卷積積分，來計算位置偏移量po(x)(步驟S200)。
另外，對于非照射區域，假定某α和霧電子擴散半徑(下面稱為霧半徑(かぶり半

，fog radius))σ，計算CF(F)(步驟S202)。對多個霧半徑σ求取該CF(F)。例如，霧半徑σ假定為從1mm到24mm以1mm為間隔。而且，使用相對于霧半徑σ1～σi的帶電量分布CF(F)和響應函數r，求取位置偏移量p1(x)～pi(x)。
若合成了這些照射區域及非照射區域的位置偏移量p(x)，則如下式(7)那樣來表達(步驟S204)。
p(x)＝c0×p0(x)+c1×pi(x) …(7) 然后，求取上式(7)最適合(擬合)實驗結果的參數c0、c1、σ的組合。圖21A至圖21D、圖22A至圖22D以及圖23A至圖23D是表示對于抗蝕劑A、B、C的擬合結果的附圖。圖21A、圖22A、圖23A表示照射墊63的圖案密度為25％時的擬合結果，圖21B、圖22B、圖23B表示照射墊63的圖案密度為50％時的擬合結果。另外，圖21C、圖22C、圖23C表示照射墊63的圖案密度為75％時的擬合結果，圖21D、圖22D、圖23D表示照射墊63的圖案密度為100％時的擬合結果。
通過使用圖21A至圖23D所示的結果，與上述比較例相比，能夠以高準確度求取到位置偏移量分布。
圖24A至圖24C是表示對于抗蝕劑A、B、C通過擬合求出的參數c0、c1、σ最佳組合的附圖。
另外，如圖24A至圖24C所示，得知即便在使用相同種類的抗蝕劑時，若圖案密度不同，則最適合的霧半徑σ不同。在物理上，最好霧半徑σ不依賴于圖案密度進行變化。另外，雖然對于抗蝕劑A獲得了良好的擬合結果，但是對于抗蝕劑B、C卻得不到如抗蝕劑A那么良好的擬合結果。根據本發明人的研究，可以考慮到這些結果是因將照射部的帶電簡單假定成CE(E)＝c0而引起的。
因此，本發明人校正了上述模型，以便對于照射區域的帶電量分布也描述霧電子的影響。利用該模型，如下式(8)那樣表現出照射區域內的帶電量分布。但是，非照射部的帶電量分布和上述模型相同。
C(E，F)＝CE(E)+CFe(F)＝c0—c1×Fα …(8) 圖25A及圖25B表示對于校正了的模型求出的參數c0、c1、σ的組合。圖25A及圖25B表示出，對于抗蝕劑B、C的參數c0、c1、σ的組合。如圖25A及圖25B所示，校正了的模型其霧半徑σ仍然具有圖案密度依賴性。再者，通過擬合求出的c1雖然必須在上式(4)的曲線之上，但是可知并沒有在該曲線之上。
因此，本發明人構建了解決該問題的新的廣義模型。
首先，用下式(9)的那種多項式函數來表現非照射區域的帶電量分布CF(F)和霧電子量強度F之間的關系。在下式(9)中，f1、f2、f3是常數。
CF(F)＝f1×F+f2×F2+f3×F3 …(9) 接著，使用圖24A至圖25B所示的參數群，對于各圖案密度計算y＝0的帶電量分布C(x，0)。圖26表示計算出的帶電量分布C(x，y)。使用圖24A至圖25B所示的參數群的原因為，雖然最佳的霧半徑σ依賴于圖案密度進行變化，但是各圖案密度下的分布形狀是正確的。
還有，由于不限定為y＝0，在2維上計算帶電量分布C(x，0)，因而可以使下面進行的擬合準確度得到提高。
然后，求取圖26所示的非照射區域的帶電量分布C(x，0)和上式(9)的CF(F)最適合的最佳霧半徑σ。在如圖27A所示霧半徑σ過小時，或如圖27C所示霧半徑σ過大時，得不到良好的擬合結果。也就是說，因為若霧半徑σ過小或者過大，則各圖案密度的數據相互偏離，所以無法求取上述參數f1、f2、f3。對此，只要如圖27B所示求出了最佳的霧半徑σ，就可以獲得良好的擬合結果，求取上述參數f1、f2、f3。
接著，使用上述求出的最佳霧半徑σ，來求取照射區域的霧電子量分布F。然后，使用照射量分布E和在上式(9)中求出的霧電子量分布F，由下式(10)那樣的多項式函數來表現照射區域的帶電量分布C(E，F)。在下式(10)中，考慮了由霧電子提供的帶電量分布CFe(F)。
C(E，F)＝CE(E)+CFe(F) ＝(d0+d1×ρ+d2×D+d3×E)+(e1×F+e2×F2+e3×F3) …(10) 然后，求取圖26所示的照射區域帶電量分布C(x，0)和上式(10)的帶電量分布C(E，F)最適合的參數d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3。這里，圖28表示擬合結果。
圖29表示通過這些照射區域及非照射區域的帶電量分布擬合求出的參數d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3、f1、f2、f3、σ的最佳組合。在此，參數d0、d1的單位是[nC/cm2]。參數d2、d3、e1、f1的單位是[(nC/cm2)/(μC/cm2)]或者[1/1000]或者[‰]。參數e2、f2的單位是[(nC/cm2)/(μC/cm2)2]。參數e3、f3的單位是[(nC/cm2)/(μC/cm2)3]。如圖29所示，最佳的霧半徑σ按照抗蝕劑的種類，從8mm～16mm的范圍進行選擇。就該廣義模型而言，和上述使用相似形的函數的模型不同，即便圖案密度進行變化，最佳的霧半徑σ也不改變。還有，如圖29所示，有關相同種類的抗蝕劑A，得知不依賴于圖案密度ρ而固定了劑量D時最佳的霧半徑σ(＝13mm)和根據圖案密度ρ按照后方散射電子的接近效果校正式(1)使劑量D產生了變化時最佳的霧半徑σ(＝8mm)不同。
還有，因為若抗蝕劑的膜厚不同，則最佳的霧半徑σ不同，所以也可以將膜厚不同的抗蝕劑作為別的抗蝕劑，按照上述方法分別求取最佳的霧半徑σ。
利用按上述方法求出的帶電量分布C(x，y)，在圖3A及圖3B所示的步驟S110中，計算位置偏移量分布p(x，y)。圖30A至圖30C是表示對于抗蝕劑A、B、C，由根據本實施方式的廣義模型求出的位置偏移量分布和實驗數據之間的擬合結果的附圖。附圖中，用實線表示由廣義模型求出的位置偏移量分布，用虛線表示實驗數據。另外，在圖30A至圖30C中，和圖14A至圖14C相同，概略表示出照射區域和非照射區域的邊界附近的位置偏移和非照射區域外周的位置偏移。對于各抗蝕劑A、B、C，求出的位置偏移量分布和實驗數據大致一致。如圖30A至圖30C所示，通過使用本發明人建立的廣義模型來求取位置偏移量分布，就可以以高準確度計算位置偏移量分布。
然后，通過利用該位置偏移量分布，如圖5所示進行柵格匹配，來校正因帶電效應導致的射束位置偏移。圖31是表示柵格匹配前后的射束照射位置偏移量的附圖。如在圖31中用斜線所示，在柵格匹配后殘留的射束照射位置偏移量被減低到和使用帶電防止膜時相等的水平。
另外，如同抗蝕劑A、D那樣，對于某一種類的抗蝕劑而言，可知通過設為照射部的帶電量分布之中霧電子的貢獻CFe(F)＝0，來獲得良好的擬合結果。這也是根據圖29所示的對于抗蝕劑A、D的參數e1＝e2＝e3＝0而得知的。針對這種類型的抗蝕劑A、D，本發明人構建的廣義模型也能夠適應。
另外，因照射電子束而抗蝕劑僅僅瞬間具有導電性的EBIC(電子束誘發導電性，electron beam induced conductivity)這樣的物理效應，已為眾所周知。上述廣義模型也可以適應該EBIC。也就是說，因為EBIC是只要不照射電子束就不發生的現象，所以直到照射電子束為止作為非照射區域而蓄積電荷。該蓄積的電荷因電子束的照射而進入基底內。因此，由霧電子而產生的CFe(F)被暫時復位，從零開始蓄積。再者，存在照射了一次電子束時導電性稍稍殘存的情況。這種情況下，與照射電子束之前相比，照射電子束之后霧電子的帶電量變得較少。采用上述廣義模型，通過從描述非照射區域的參數f1、f2、f3，轉移為描述照射區域的參數e1、e2、e3，就可以適應該帶電量的減少。
還有，本發明并不限定為上述實施方式，可以在不脫離本發明宗旨的范圍內進行各種變通，加以實施。例如，在上述實施方式中雖然使用了電子束，但是本發明并不限于此，在使用離子束等其他的帶電粒子束時也可以使用。
權利要求
1、一種帶電粒子束描繪方法，使帶電粒子束偏轉，在載物臺上的試樣上描繪圖案，其特征在于，包括
利用照射在試樣上的帶電粒子束的照射量分布、以及霧電子量分布，計算帶電粒子束的照射區域的帶電量分布和非照射區域的帶電量分布的工序；
根據上述照射區域及非照射區域的帶電量分布，計算上述試樣上的上述帶電粒子束的位置偏移量的分布的工序；以及
根據上述位置偏移量的分布使上述帶電粒子束偏轉，在上述試樣上描繪圖案的工序。
2、如權利要求1所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，還包括
根據上述照射量分布、以及上述試樣的從被照射了帶電粒子束的照射區域向非照射區域擴散的霧電子的擴散分布，計算上述霧電子量分布的工序。
3、如權利要求2所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
通過對上述照射量分布和描述霧電子的擴散分布的函數進行卷積積分，來計算上述霧電子量分布。
4、如權利要求1所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，還包括
根據上述試樣的每個規定區域的圖案密度分布，計算劑量分布的工序；以及
根據上述圖案密度分布和上述劑量分布，計算上述照射量分布的工序。
5、如權利要求4所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用后方散射電子的接近效果校正式計算上述劑量分布。
6、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(a)表達的函數CF(F)計算上述非照射區域的帶電量分布
CF(F)＝—c1×Fα …(a)
在上式(a)中，F是霧電子量分布，c1是常數，并且0<α<1；
使用由下式(b)表達的函數CE(E，F)計算上述照射區域的帶電量分布
CE(E，F)＝CE(E)+CFe(F)＝c0—c1×Fα …(b)
在上式(b)中，E是照射量分布，F是霧電子量分布，c0、c1是常數，并且0<α<1。
7、如權利要求6所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
在上式(a)及(b)中，0.3≦α≦0.4。
8、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(a)表達的函數CF(F)計算上述非照射區域的帶電量分布
CF(F)＝—c1×Fα …(a)
在上式(a)中，F是霧電子量分布，c1是常數，并且0<α<1。
9、如權利要求8所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
在上式(a)中，0.3≦α≦0.4。
10、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(b)表達的函數CE(E，F)計算上述照射區域的帶電量分布
CE(E，F)＝CE(E)+CFe(F)＝c0—c1×Fα …(b)
在上式(b)中，E是照射量分布，F是霧電子量分布，c0、c1是常數，并且0<α<1。
11、如權利要求10所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
在上式(b)中，0.3≦α≦0.4。
12、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用圖案密度分布、劑量分布、照射量分布及霧電子量分布的多項式函數，計算上述照射區域的帶電量分布；
使用霧電子量分布的多項式函數，計算上述非照射區域的帶電量分布。
13、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(c)表達的多項式函數計算上述照射區域的帶電量分布
C(E，F)＝(d0+d1×ρ+d2×D+d3×E)+(e1×F+e2×F2+e3×F3) …(c)
在上式(c)中，ρ是圖案密度分布，D是劑量分布，E是照射量分布，F是霧電子量分布，d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3是常數。
14、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(d)表達的多項式函數計算上述非照射部區域的帶電量分布
CF(F)＝f1×F+f2×F2+f3×F3 …(d)
在上式(d)中，F是霧電子量分布，f1、f2、f3是常數。
15、如權利要求1至5任一項所述的帶電粒子束描繪方法，其特征在于，
使用由下式(c)表達的多項式函數計算上述照射區域的帶電量分布
C(E，F)＝(d0+d1×ρ+d2×D+d3×E)+(e1×F+e2×F2+e3×F3) …(c)
在上式(c)中，ρ是圖案密度分布，D是劑量分布，E是照射量分布，F是霧電子量分布，d0、d1、d2、d3、e1、e2、e3是常數；
使用由下式(d)表達的多項式函數計算上述非照射部區域的帶電量分布
CF(F)＝f1×F+f2×F2+f3×F3 …(d)
在上式(d)中，F是霧電子量分布，f1、f2、f3是常數。
16、一種帶電粒子束描繪裝置，由偏轉器使帶電粒子束偏轉，在載物臺上的試樣上描繪圖案，其特征在于，具備
位置偏移量分布計算構件，根據上述試樣的被照射了帶電粒子束的照射區域的帶電量分布、以及不被照射帶電粒子束的非照射區域的帶電量分布，計算上述試樣上的帶電粒子束的位置偏移量的分布；以及
偏轉器控制構件，根據上述位置偏移量的分布，控制上述偏轉器。
17、如權利要求16所述的帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，還具備
帶電量分布計算構件，利用照射在上述試樣上的帶電粒子束的照射量分布、以及霧電子量分布，來計算上述照射區域及非照射區域的帶電量分布。
18、如權利要求17所述的帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，還具備
霧電子量分布計算構件，根據上述照射量分布和從上述照射區域向上述非照射區域擴散的霧電子的擴散分布，計算上述霧電子量分布。
19、如權利要求18所述的帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，還具備
照射量分布計算構件，根據上述試樣的每個規定區域的圖案密度分布及劑量分布，計算上述照射量分布。
20、如權利要求19所述的帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，還具備
劑量分布計算構件，根據上述圖案密度分布，計算上述劑量分布。
全文摘要
本發明提供一種能夠以高準確度計算因帶電效應導致的射束位置偏移量分布的帶電粒子束描繪方法及帶電粒子束描繪裝置。將圖案密度分布ρ(x，y)和利用該圖案密度分布ρ(x，y)計算出的劑量分布D(x，y)相乘，來計算照射量分布E(x，y)(S104)。使用照射量分布E(x，y)和描述霧擴散分布的函數g(x，y)，來計算霧電子量分布F(x，y，σ)(S106)。利用照射量分布E(x，y)和霧電子量分布F(x，y，σ)，來計算照射區域及非照射區域的帶電量分布C(x，y)(S108)。使用帶電量分布C(x，y)和將帶電量變換為位置偏移誤差的響應函數r(x，y)，來計算位置偏移量分布p(x，y)(S110)。
文檔編號H01L21/027GK101546135SQ200910130618
公開日2009年9月30日 申請日期2009年3月25日 優先權日2008年3月25日
發明者中山田憲昭, 和氣清二 申請人:紐富來科技股份有限公司