主動(dòng)元件陣列基板的制造方法

專利名稱：主動(dòng)元件陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種主動(dòng)元件陣列基板的制 造方法元件。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板主要由主動(dòng)元件陣列基板、彩色濾光基板和液晶層所 構(gòu)成，其中主動(dòng)元件陣列基板例如是由多個(gè)陣列排列的像素結(jié)構(gòu)所組成。
為了控制個(gè)別的Y象素結(jié)構(gòu)，通常會經(jīng)由掃描配線(scan line)與數(shù)據(jù)配線 (data line)以選取特定的像素結(jié)構(gòu)，并提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對 應(yīng)此像素結(jié)構(gòu)的顯示數(shù)據(jù)。
特別是為了保持像素結(jié)構(gòu)的操作電壓，以增進(jìn)顯示質(zhì)量，通常在各 像素結(jié)構(gòu)中會將像素電極的部分區(qū)域覆蓋在掃描線或是電容電極上，以形 成儲存電容。
圖U為現(xiàn)有的主動(dòng)元件陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的上視圖。圖1B為沿 圖1A的I-1，線的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖1A與圖IB,在此主動(dòng)元件 陣列基板的像素結(jié)構(gòu)10中，儲存電容70主要是通過電容電極30與其上 方的像素電極40耦合而成。在電容電極30與像素電極40之間配置有閘 絕緣層32及保護(hù)層60，而形成金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(Mil)架構(gòu)的 儲存電容70。
儲存電容70主要用以穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)10的數(shù)據(jù)電壓，以提升液晶顯 示器的顯示質(zhì)量。當(dāng)儲存電容值越大，其穩(wěn)定像素結(jié)構(gòu)10的數(shù)據(jù)電壓的 效果越好。有研究者提出一種增加像素結(jié)構(gòu)10的儲存電容值的方法，亦即增加電容電極30與像素電極40的重迭面積。然而，此種方法容易導(dǎo)致 像素結(jié)構(gòu)10的開口率(aperture ratio)減少，使得液晶顯示器所顯示的 影像容易產(chǎn)生亮度不足的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，旨在解決 現(xiàn)有技術(shù)在不影響像素的開口率的前提下不能提高儲存電容值的問題。
本發(fā)明提出一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法。首先，在基板上形 成閘極及電容電極。接著，在基板上形成第一絕緣層覆蓋閘極及電容電極。 然后，在閘極上方的第一絕緣層上形成通道層。隨之，在通道層上形成源 極與汲極，且源極與汲極分別位于閘極的兩側(cè)。再者，在基板上全面地形 成第二絕緣層。繼之，在基板上形成圖案化光阻層。之后，在一制程時(shí)間 內(nèi)，以圖案化光阻層為罩幕移除位于汲極上方及電容電極上方的第二絕緣 層以形成接觸窗及開口，其中接觸窗暴露出汲極，而開口暴露出位于電容 電極上方的第一絕緣層。接著，在基板上形成像素電極，且像素電極透過 接觸窗電性連接汲極并填入開口中。像素電極、電容電極及位于像素電極 與電容電極之間的第 一絕緣層構(gòu)成儲存電容。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述的移除部份第二絕緣層以形成接觸窗 及開口的方法包括進(jìn)行一干蝕刻制程。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，通過控制上述的制程時(shí)間使位于電容電極 上方且被圖案化光阻層暴露出來的第二絕緣層恰好完全移除。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成圖案化光阻層的方法包括先 在第二絕緣層上形成一光阻材料層。接著，以光罩為罩幕圖案化光阻材料
層以形成圖案化光阻層，其中，光罩具有多個(gè)光罩圖案，且光罩圖案其中 的 一設(shè)置在汲極上方，而光罩圖案其中的另 一設(shè)置在電容電極上方。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法還包
10.汲極與通道層之間形成歐姆接觸層。 本發(fā)明另提出一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法。首先，在基板上 形成閘極、電容電極及第一導(dǎo)電接墊。接著，在基板上形成第一絕緣層， 且第一絕緣層覆蓋閘極、電容電極及第一導(dǎo)電接墊。然后，在閘極上方的 第一絕緣層上形成通道層。接著，在通道層上形成源極與汲極，并同時(shí)在 第一絕緣層上形成第二導(dǎo)電接墊，其中，源極與汲極分別位于閘極的兩側(cè)， 而第二導(dǎo)電接墊鄰近第一導(dǎo)電接墊。之后，在基板上全面地形成第二絕緣 層。繼之，在第二絕緣層上形成圖案化光阻層。然后，以圖案化光阻層為 罩幕進(jìn)行第一蝕刻制程，移除位在第二導(dǎo)電接墊上方以及第一導(dǎo)電接墊上 方的第二絕緣層，以暴露出第二導(dǎo)電接墊及位于第 一導(dǎo)電接墊上方的第一 絕緣層。隨之，以圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行第二蝕刻制程，移除第一導(dǎo)電 接墊上方的第一絕緣層以暴露出第一導(dǎo)電接墊，同時(shí)移除汲極上方及電容 電極上方的第二絕緣層以形成接觸窗以及開口 ，其中接觸窗暴露出汲極， 而開口暴露出位于電容電極上方的第一絕緣層。之后，在第二絕緣層上形 成圖案化電極層，且圖案化電極層包括像素電極及連接電極。像素電極透 過接觸窗電性連接汲極并填入開口中，而連接電極將第一導(dǎo)電接墊及第二 導(dǎo)電接墊電性連接。像素電極、電容電極及位在像素電極與電容電極之間 的第 一 絕緣層構(gòu)成儲存電容。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，以第二導(dǎo)電接墊作為第 一蝕刻制程的蝕刻 終止層。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，以第 一 導(dǎo)電接墊作為第二蝕刻制程的蝕刻 終止層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成圖案化光阻層的方法包括在
第二絕緣層上形成光阻材料層。接著，以灰階光罩為罩幕圖案化光阻材料 層以形成圖案化光阻層。此圖案化光阻層可具有多個(gè)薄化圖案以及多個(gè)穿 透口，且薄化圖案分別位于汲極上方及電容電極上方，穿透口分別暴露出第 一導(dǎo)電接墊及第二導(dǎo)電接墊上方的第二絕緣層。
舉例而言，上述的形成薄化圖案及穿透口的方法包括圖案化此光 阻材料層以形成多個(gè)第 一預(yù)薄化圖案及多個(gè)第二預(yù)薄化圖案，其中第 一預(yù) 薄化圖案的膜厚大于第二預(yù)薄化圖案的膜厚。接著，進(jìn)行灰化制程完全移 除第二預(yù)薄化圖案以形成穿透口并同時(shí)使第 一預(yù)薄化圖案的膜厚減薄以 形成薄化圖案。
此外，上述的第一蝕刻制程包括以圖案化光阻層為罩幕移除穿透 口所暴露出來的第二絕緣層，以暴露出第二導(dǎo)電接墊及位于第一導(dǎo)電接墊 上方的第一絕緣層。
更進(jìn)一步而言，在進(jìn)行第 一蝕刻制程之后且進(jìn)行第二蝕刻制程之前， 還包括進(jìn)行一灰化制程以移除薄化圖案以暴露出汲極上方與電容電極上 方的第二絕緣層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成所述圖案化光阻層的方法包括 在第二絕緣層上形成一光阻材料層。接著，以一灰階光罩為罩幕圖案化此 光阻材料層，此圖案化光阻層具有多個(gè)第一薄化圖案、多個(gè)第二薄化圖案 及多個(gè)穿透口，其中第一薄化圖案分別位于汲極上方及電容電極上方，而 第二薄化圖案的位置位于閘極與電容電極之間、及第一導(dǎo)電接墊與第二導(dǎo) 電接墊之間，且第一薄化圖案的膜厚小于第二薄化圖案的膜厚。穿透口分 別暴露出第一導(dǎo)電接墊上方及第二導(dǎo)電接墊上方的第二絕緣層。
在此，形成第一薄化圖案、第二薄化圖案及穿透口的方法包括圖 案化此光阻材料層以形成多個(gè)第一預(yù)薄化圖案、多個(gè)第二預(yù)薄化圖案及多 個(gè)第三預(yù)薄化圖案，其中，第一預(yù)薄化圖案的膜厚大于第三預(yù)薄化圖案的 膜厚，而第二預(yù)薄化圖案的膜厚大于第一預(yù)薄化圖案的膜厚。接著，進(jìn)行
一灰化制程完全移除第三預(yù)薄化圖案以形成穿透口 ，并同時(shí)使第一預(yù)薄化 圖案及第二預(yù)薄化圖案的膜厚減薄以分別形成第一薄化圖案及第二薄化圖案。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一蝕刻制禾呈包括以圖案化光阻 層為罩幕移除穿透口所暴露出來的第二絕緣層，以暴露出第二導(dǎo)電接墊及
位于第一導(dǎo)電接墊上方的第一絕緣層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在進(jìn)行第一蝕刻制程之后，且進(jìn)行第二蝕 刻制程之前還包括進(jìn)行一灰化制程，將第一薄化圖案完全移除以暴露出
汲極上方與電容電極上方的第二絕緣層，并同時(shí)使第二薄化圖案的膜厚減
諒 溥。
此外，在進(jìn)行第二蝕刻制程之后且形成圖案化電極層之前，可還包 括進(jìn)行一灰化制程，將第二薄化圖案完全移除以暴露出位于閘極與電容電 極之間及第 一導(dǎo)電接墊與第二導(dǎo)電接墊之間的第二絕緣層。在一 實(shí)施例 中，形成圖案化電極層的方法包括在圖案化光阻層及笫二絕緣層上全面 地形成一電極材料層。并且，在移除圖案化光阻層同時(shí)， 一并移除覆蓋在 圖案化光阻層上的電極材料層，以在第二絕緣層上形成像素電極及連接電 極。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述的第 一 蝕刻制程或第二蝕刻制程包括 一干式蝕刻制程。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的形成圖案化電極層之前還包括完 全移除圖案化光阻層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法還包 括在源極與通道層之間及汲極與通道層之間形成一歐姆接觸層。
基于上述，在本發(fā)明所提出的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，利用 形成接觸窗時(shí)一并移除電容電極上方的第二絕緣層。如此一來，僅有第一 絕緣層夾在電容電極與像素電極之間而構(gòu)成電容值較大的一儲存電容。此 外，本發(fā)明在蝕刻第二絕緣層以形成接觸窗時(shí)更適當(dāng)?shù)乜刂浦瞥虝r(shí)間、或 是以第一/第二導(dǎo)電接墊作為蝕刻終止層以良好地控制第二絕緣層被移除 的深度。因此，本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法具有良好的制程良率，可以避免過度蝕刻或是蝕刻不足的現(xiàn)象發(fā)生。


圖1A為現(xiàn)有的主動(dòng)元件陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的上視圖； 圖1B為沿圖1A的I-I'線的剖面示意圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的局部剖面示意
圖3A至圖3D為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖4A至圖4F為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖5A至圖5H為本發(fā)明第三實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí) 施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅 用以解釋本發(fā)明，并不用于限定發(fā)明。
在本發(fā)明實(shí)施例中，利用形成接觸窗時(shí)一并移除電容電極上方的第 二絕緣層。如此一來，僅有第一絕緣層夾于電容電極與像素電極之間而構(gòu) 成電容值較大的 一儲存電容。此外，本發(fā)明在蝕刻第二絕緣層以形成接觸 窗時(shí)更適當(dāng)?shù)乜刂浦瞥虝r(shí)間、或是以第一/第二導(dǎo)電接墊作為蝕刻終止層 以良好地控制第二絕緣層被移除的深度。因此，本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基 板的制造方法具有良好的制程良率，可以避免過度蝕刻或是蝕刻不足的現(xiàn) 象發(fā)生。
圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種主動(dòng)元件陣列基板的局部剖面示意圖。請參照圖2,此主動(dòng)元件陣列基板20包括基板200、閘極210、電容 電極"0、第一絕緣層230、通道層240、源極250、汲極260、第二絕緣 層270以及Y象素電才及280。
請繼續(xù)參照圖2，閘極nO與電容電極220配置在基板200上。第一 絕緣層230覆蓋閘極210與電容電極220。信道層240配置在第一絕緣層 230上，且通道層240位于閘才及210上方。源才及250與汲才及260皆配置在 信道層240上，并且源極250與汲極260的位置分別位于閘極210的兩側(cè)。 具體而言，源極250與汲極260互不相連，且閘4及210、通道層240、源 極250與汲極260共同構(gòu)成一晶體管TFT。
此外，第二絕緣層270覆蓋在基板200上，且第二絕緣層270具有 一接觸窗272以及一開口 274。像素電極280配置在第二絕緣層270上并 透過接觸窗272電性連接汲極260。同時(shí)，像素電極280填入開口 274中。 值得一提的是，開口 274暴露出位于電容電極220上方的第一絕緣層230, 以使像素電極280、電容電極220及位于l象素電極280與電容電極220之 間的第一絕緣層230構(gòu)成儲存電容290。
在本實(shí)施例的儲存電容290的結(jié)構(gòu)中僅有一層絕緣層，也就是僅有 第一絕緣層230配置在電容電極220與像素電極280兩導(dǎo)電層之間。根據(jù) 以下公式(1 ),
電容(C) oc導(dǎo)電層面積(A) /絕緣層厚度(T)…(1). 可知，在不改變導(dǎo)電層面積的情形下，將絕緣層厚度減薄即可提升儲 存電容。更詳細(xì)而言，在導(dǎo)電層(電容電極220、像素電極280 )以相同 面積布局的條件下，本實(shí)施例的儲存電容290僅具有第一絕緣層230 (絕 緣層厚度較薄)，因此相較現(xiàn)有的儲存電容Csl (如圖1B所示)而言，本 實(shí)施例的儲存電容290具有較大的儲存電容值。在不影響主動(dòng)元件陣列基 板20的開口率的前提之下，可有效提高儲存電容290的儲存電容值。
實(shí)際上，為了制作具有高儲存電容值的儲存電容290,本發(fā)明于下列
15實(shí)施例中提出數(shù)種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法。下述制造方法僅為舉例 說明之用，并非用以限定本發(fā)明。
圖3A至圖3D為本發(fā)明第一實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖。請先參照圖3A，首先，在基板200上形成閘極210及電容電極 220。此閘極210與電容電極220例如是自同一導(dǎo)體層圖案化而成的。接 著，在基板200上形成一第一絕緣層230，其覆蓋閘極210及電容電極220。 然后，在閘極210上方的第一絕緣層230上形成一通道層240。信道層240 例如是一圖案化的半導(dǎo)體層。隨之，在通道層240上形成一源極250與一 汲極260，且源才及250與汲才及260分別位于閘才及210的兩側(cè)。
閘極210、通道層240、源極250與汲才及260共同構(gòu)成一晶體管TFT。 此外，在本實(shí)施例中，形成通道層240后，例如還在基斧反200上形成一歐 姆接觸層242,以提高晶體管TFT的性能。
本實(shí)施例在圖3A中所繪示的晶體管TFT結(jié)構(gòu)僅是舉例說明之用，在 其它實(shí)施例中可以調(diào)整晶體管TFT的制作方式而使晶體管TFT呈現(xiàn)其它的 結(jié)構(gòu)。舉例而言，通道層240、源極250與汲極260可以在同一個(gè)制程步 驟中被圖案化，以使源極250與第一絕緣層230之間以及汲極260與第一 絕緣層230之間都配置有半導(dǎo)體層。換言之，本發(fā)明并不限定晶體管TFT 的結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)施例不限定晶體管TFT的制作方式，凡所屬技術(shù)領(lǐng)域 應(yīng)用于制作晶體管TFT的方法都可以應(yīng)用在本實(shí)施例中。
然后，請參照圖3B,在基板200上全面地形成一第二絕緣層270。 再來，在基板200上形成一圖案化光阻層300。在此，圖案化光阻層300 例如是暴露出汲極260上方的部分第二絕緣層270以及電容電極220上方 的部分第二絕緣層270。
詳言之，形成圖案化光阻層300的方法例如是先在第二絕緣層270 上形成一光阻材料層(未繪示)。接著，以一光罩為罩幕圖案化光阻材料層 (未繪示)以形成圖案化光阻層300。具體而言，在此步驟中所使用的光罩(未繪示)例如具有多個(gè)光罩圖案(未繪示)。當(dāng)圖案化此光阻材料層(未
繪示)時(shí)，光罩圖案其中之一設(shè)置在汲極260上方，而光罩圖案其中之另 一設(shè)置在電容電才及220上方。
如此一來，光阻材料層(未繪示)顯影后而形成的圖案化光阻層300 便可暴露出汲極260上方的部分第二絕緣層270以及電容電極220上方的 部分第二絕緣層270。值得一提的是，光罩圖案的設(shè)計(jì)可以隨光阻材料層 的材料選用而有所不同。亦即，選用正型光阻材料或是負(fù)型光阻材料作為 光阻材料層時(shí)，需分別搭配不同的光罩圖案以形成圖案化光阻層280。
之后，請繼續(xù)參照圖3B并同時(shí)參照圖3C，在一制程時(shí)間內(nèi)，以圖案 化光阻層300為罩幕移除位于汲極260上方及電容電極220上方的第二絕 緣層270以形成一4矣觸窗272及一開口 274。接觸窗272暴露出汲極260, 而開口 274則暴露出位于電容電極220上方的第一絕緣層230。在此，移 除部份的第二絕緣層270的方法例如為干蝕刻制程。
一般而言，電容電極220必需由至少一層絕緣層所覆蓋以提供適當(dāng) 的電容效應(yīng)。因此，部分的第二絕緣層270被移除的過程必須控制在適當(dāng) 的制程時(shí)間內(nèi)，以免發(fā)生過度蝕刻的情形而使第一絕緣層230也被移除。 換言之，本實(shí)施例移除部份的第二絕緣層270時(shí)，可以通過控制制程時(shí)間， 以使位于電容電極220上方且被圖案化光阻層300暴露出來的第二絕緣層 270恰好完全移除。特別是，搭配干蝕刻制程可使移除電容電極220上方 的第二絕緣層270的精確度更高。在此步驟中，可減薄儲存電容"0的絕 緣層的整體厚度(僅有第一絕緣層230 )。
接著，請參照圖3D,在基板200上形成一像素電極280，且像素電 極280透過接觸窗272電性連接汲極260并填入開口 274中。此時(shí)，主動(dòng) 元件陣列基板20已大致完成，其中，像素電極280、電容電極220及位于 像素電極280與電容電極220之間的第一絕緣層230構(gòu)成一儲存電容290。
在本實(shí)施例中，由于在制作接觸窗272的同時(shí)也移除了電容電極220上方的第二絕緣層270，使得像素電極280與電容電極220之間僅配置有 一層第一絕緣層230。因此，除了可有效地增加儲存電容290的電容值還 可提升整體的顯示開口率。
特別是，本實(shí)施例的制造方法在同一道光罩制程中制作接觸窗272 與移除第二絕緣層的270,不會增加光罩?jǐn)?shù)量，可降低制作成本。承上述， 應(yīng)用主動(dòng)元件陣列基板20的液晶顯示器可以具有良好的顯示質(zhì)量，且在 顯示開口率上不會受到負(fù)面的影響。
圖4A至圖4F為本發(fā)明第二實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖。請先參照圖4A,首先提供基板400,其中基4反400上配置有如 圖3A所繪示的晶體管TFT以及電容電極220。詳細(xì)的結(jié)構(gòu)不再予以重述。
值得注意的是，在基板400上還形成有位置相鄰的一第一導(dǎo)電接墊 410以及一第二導(dǎo)電接墊420。第一導(dǎo)電接墊410例如是與晶體管TFT的 閘極310 —并形成，而第二導(dǎo)電接墊420例如是與晶體管TFT的源極250 與汲極260 —并形成。實(shí)際上，第一導(dǎo)電接墊410配置在基板400與第一 絕緣層230之間而第二導(dǎo)電接墊420配置在第一絕緣層230與第二絕緣層 27 0之間。
另外，第二絕緣層270全面地覆蓋在基板400上。第二絕緣層270 上形成有一圖案化光阻層430。形成圖案化光阻層430的方法包括在第二 絕緣層270上形成一光阻材料層(未繪示)以及以一灰階光罩(未繪示)為罩 幕圖案化光阻材料層(未繪示)以形成圖案化光阻層430。
本實(shí)施例例如是先如圖4A所示，以灰階光罩為罩幕將光阻材料層(未 繪示)圖案化以形成多個(gè)第一預(yù)薄化圖案432及多個(gè)第二預(yù)薄化圖案4"。 在此，第一預(yù)薄化圖案432的膜厚例如是大于第二預(yù)薄化圖案4"的膜厚。 另外，第一預(yù)薄化圖案432分別位于汲極260上方及電容電極"0上方， 而第二預(yù)薄化圖案434分別位于第一導(dǎo)電接墊410及第二導(dǎo)電接墊"0上 方隨之，進(jìn)行一灰化制程完全移除第二預(yù)薄化圖案434以形成如圖4B 所示的多個(gè)穿透口 43"并同時(shí)使第一預(yù)薄化圖案432的膜厚減薄以形成 多個(gè)薄化圖案432A。
換言之，圖案化光阻層270具有多個(gè)薄化圖案432A以及多個(gè)穿透口 43"。薄化圖案分別位于汲極260上方及電容電極220上方，而穿 透口 434A分別暴露出第一導(dǎo)電接墊410上方及第二導(dǎo)電接墊420上方的 第二絕緣層270。
本實(shí)施例所提出的形成薄化圖案432A以及穿透口 434A的方法僅為 舉例說明，本發(fā)明不限于此。換言之，在其它實(shí)施例中尚可使用不同的制 程方式使得圖案化光阻層430具有薄化圖案432A以及穿透口 434A。
接著，請參照圖4C，以圖案化光阻層430為罩幕進(jìn)行一第一蝕刻制 程，移除位于第二導(dǎo)電接墊420上方以及第一導(dǎo)電接墊410上方的第二絕 緣層270。如此一來，第二導(dǎo)電接墊420及第一導(dǎo)電接墊410上方的第一 絕緣層230會被暴露出來。換言之，第一蝕刻制程會將穿透口 434A所暴 露出來的第二絕緣層270移除。
特別是，在此以第二導(dǎo)電接墊4 2 0作為第 一 蝕刻制程的蝕刻終止層。 更詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電接墊420上方僅由第二絕緣層270 覆蓋著，而未被圖案化光阻層430所覆蓋。因此，第一蝕刻制程若以第二 導(dǎo)電接墊420作為蝕刻終止層，則第一蝕刻制程所蝕刻的深度恰好是第二 絕緣層270的膜厚。換言之，第一導(dǎo)電接墊410上的第二絕緣層270在第 一蝕刻制程中可以恰好被完全移除，而暴露出第一導(dǎo)電接墊410上方的第 一絕緣層230。
接著，請同時(shí)參照圖4C與圖4D，進(jìn)行一灰化制程，以移除圖案化光 阻層430中的薄化圖案432A。薄化圖案432A:l皮移除后，位于汲極260上 方以及位于電容電極220上方的第二絕緣層270會被暴露出來。
然后，請同時(shí)參照圖4D與圖4E，繼續(xù)以圖案化光阻層430為罩幕進(jìn)行一第二蝕刻制程，移除第一導(dǎo)電接墊410上方的第一絕緣層230以暴露 出第一導(dǎo)電接墊410。同時(shí)，在第二蝕刻制程中移除汲極260上方及電容 電極220上方的第二絕緣層270以形成一接觸窗272以及一開口 274。接 觸窗272例如會暴露出汲極260，而開口 274暴露出位于電容電極220上 方的第一絕緣層230。本實(shí)施例的第一蝕刻制程或第二蝕刻制程例如采用 干式蝕刻制程。
值得一提的是，第二蝕刻制程是以第一導(dǎo)電接墊410作為蝕刻終止 層，也就是說第二蝕刻制程的蝕刻深度恰好可以移除第一絕緣層230的膜 厚。此時(shí)，被圖案化光阻層430暴露出來的第二絕緣層270也會被移除相 同的膜厚而形成接觸窗272與開口 274。第二蝕刻制程有第一導(dǎo)電接墊410 作為蝕刻終止層，所以第二蝕刻制程在形成開口 274時(shí)不會將電容電極 220上方的第一絕緣層230也移除。因此，蝕刻終止層設(shè)計(jì)有助于提高本 實(shí)施例的制程良率。
然后，請參照圖4F，在第二絕緣層270上形成一圖案化電極層440 以形成主動(dòng)元件陣列基板40。圖案化電極層440包括一像素電極442及一 連接電極444。像素電極442透過接觸窗272電性連接汲極26G并填入開 口 274中，而連接電極444將第一導(dǎo)電接墊410及第二導(dǎo)電接墊"0電性 連接。在此，像素電極442、電容電極220及位于Y象素電極442與電容電 極220之間的第一絕緣層230構(gòu)成一儲存電容530。值得注意的是，第一 導(dǎo)電接墊410例如是位于顯示區(qū)(未繪示)中的掃描線或數(shù)據(jù)線的連接端 子，而第二導(dǎo)電接墊420例如是位于周邊區(qū)(未繪示)中的用以連接到源 極驅(qū)動(dòng)器或門極驅(qū)動(dòng)器的外部端子，利用如圖4F的設(shè)計(jì)可以進(jìn)行跳層式 的電性連4妄，可增加電路i殳計(jì)的自由度。
實(shí)際上，在形成圖案化電極層440之前還包括完全移除圖4E所示的 圖案化光阻層430。圖案化電極層440的形成方式則例如是先形成一電極 材料層(未繪示)在基板4Q0上，再圖案化此電極材料層(未繪示)。圖案化
20此電極材料層(未繪示)的方式可以是進(jìn)行一微影蝕刻制程。
由于儲存電容530的結(jié)構(gòu)中僅有第一絕緣層2 30配置在像素電極442 與電容電極220兩導(dǎo)電層中間，儲存電容530可具有較大的儲存電容值。 因此，應(yīng)用主動(dòng)元件陣列基板40的液晶顯示器可以具有良好的顯示質(zhì)量。 此外，通過第二蝕刻制程將電容電極220上方的第二絕緣層270移可以有 效提高儲存電容530的電容值而不需增加儲存電容530的面積。所以，應(yīng) 用主動(dòng)元件陣列基板40的液晶顯示器還可以保有高開口率的特性。
值得一提的是，電容電極220若被暴露出來會造成產(chǎn)品良率降低。 本實(shí)施例的第二蝕刻制程以第 一導(dǎo)電接墊410作為蝕刻終止層可以避免電 容電極220上方的絕緣層被過度蝕刻。因此，本實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基 板40的制造方法除上述優(yōu)點(diǎn)外至少還具有高制程良率的優(yōu)點(diǎn)。
圖5A至圖5H為本發(fā)明第三實(shí)施例的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法 的示意圖。請先參照圖5A，提供一個(gè)如圖4A所繪示的基板400。在本實(shí) 施例中，除了圖案化光阻層500與圖4A所繪示的圖案化光阻層"0不同 外，基板400上所配置的其它構(gòu)件皆與圖4A所繪示之構(gòu)件相同，在此不 再贅述。當(dāng)然，本實(shí)施例中與圖4A相同的構(gòu)件可以采用相同的方式加以 制作，但本發(fā)明不限于此。
具體而言，本實(shí)施例形成圖案化光阻層500的方法包括在第二絕緣 層270上形成一光阻材料層(未繪示)以及以一灰階光罩(未繪示)為罩幕圖 案化光阻材料層(未繪示)。如此一來，基板400上例如形成有多個(gè)第一預(yù) 薄化圖案502、多個(gè)第二預(yù)薄化圖案504及多個(gè)第三預(yù)薄化圖案506。
具體而言，第一預(yù)薄化圖案502分別地位于汲極260以及電容電極 220上方；第二預(yù)薄化圖案504分別地位于閘極210與電容電極"0之間 及第一導(dǎo)電接墊410與第二導(dǎo)電接墊420之間；且第三預(yù)薄化圖案506則 分別位于第一導(dǎo)電接墊410上方及第二導(dǎo)電接墊420上方。此外，第一預(yù) 薄化圖案502的膜厚大于第三預(yù)薄化圖案506的膜厚，而第二預(yù)薄化圖案504的膜厚大于第一預(yù)薄化圖案502的膜厚。
在本實(shí)施例中，利用灰階光罩在不同區(qū)域可提供不同透光率的特性 使得圖案化光阻層500具有階梯狀分布的圖案。如此一來，在后續(xù)的蝕刻 制程步驟中可以達(dá)到差異蝕刻的效果以節(jié)省光罩使用數(shù)目進(jìn)而減少制作 成本。相似地，在第三實(shí)施例中也可使用灰階光罩以達(dá)到差異蝕刻的效果。
接著，請參照圖5B，進(jìn)行一灰化制程，完全移除第三預(yù)薄化圖案506 以形成穿透口 506A,并同時(shí)使第一預(yù)薄化圖案502及第二預(yù)薄化圖案504 的膜厚減薄以分別形成第一薄化圖案502A及第二薄化圖案504A。第一薄 化圖案502A分別位于汲才及260上方及電容電才及220上方，而第二薄化圖 案504A的位置位于閘極210與電容電極220之間及第一導(dǎo)電接墊410與 第二導(dǎo)電接墊420之間。另外，第一薄化圖案502A的膜厚小于第二薄化 圖案504A的膜厚，而穿透口 506A則分別地暴露出第一導(dǎo)電接墊410與第 二導(dǎo)電接墊420上方的第二絕緣層270。
然后，請參照圖5C,以圖案化光阻層500為罩幕進(jìn)行第一蝕刻制程 以移除穿透口 506A所暴露出來的第二絕緣層270。如此，第二導(dǎo)電接墊 420及位于第一導(dǎo)電接墊410上方的第一絕緣層230例如被暴露出來。此 一制程步驟例如是以第二導(dǎo)電接墊42 0作為蝕刻終止層，所以第 一導(dǎo)電接 墊410上的第一絕緣層230不會因?yàn)榈谝晃g刻制程的過度蝕刻而被移除。 也就是說，第 一蝕刻制程的蝕刻深度可以較正確地被控制。
接下來，請同時(shí)參照圖5C與圖5D，再次進(jìn)行一灰化制程將第一薄化 圖案502A完全移除以暴露出汲極260上方與電容電極220上方的第二絕 緣層270，并同時(shí)使第二薄化圖案504A的膜厚減薄。
隨后，請參照圖5E,以圖案化光阻層500為罩幕進(jìn)行一第二蝕刻制 程移除第一導(dǎo)電接墊410上方的第一絕緣層230以暴露出第一導(dǎo)電接墊 410。同時(shí)，在第二蝕刻制程中移除汲極260上方及電容電極"0上方的 第二絕緣層270以形成一接觸窗272以及一開口 274。為了使電容電極220上方的絕緣層減薄以提高其所提供的電容效應(yīng)， 本實(shí)施例在第二蝕刻制程中移除了位于電容電極220上方的第二絕緣層 270。另外，第二蝕刻制程在本實(shí)施例中是以第一導(dǎo)電接墊410作為蝕刻 終止層。所以，第二蝕刻制程的蝕刻深度恰可移除一層絕緣層。也因此， 電容電極220上的第一絕緣層230不會因第二蝕刻制程的過度蝕刻而被移 除。換言之，第二蝕刻制程的蝕刻深度受到良好的控制而有助于提升本實(shí) 施例的制程良率。
接著，請參照圖5F，再次進(jìn)行一灰化制程，將圖5E中所示的第二薄 化圖案504A完全移除以暴露出位于閘極210與電容電極220之間及第一 導(dǎo)電接墊410與第二導(dǎo)電接墊420之間的第二絕緣層270。此時(shí)，基板400 上仍有部分第二絕緣層270被圖案化光阻層500所覆蓋。
然后，請參照圖5G，在圖案化光阻層500及第二絕緣層270上全面 地形成一電極材料層510。
隨之，請同時(shí)參照圖5G與圖5H，移除圖案化光阻層500以形成主動(dòng) 元件陣列基板50。在移除圖案化光阻層500同時(shí)，覆蓋在圖案化光阻層 500上的電極材料層510也會一并移除以形成圖案化電極層520。如此一 來，第二絕緣層270上即形成有像素電極522及連接電極524。換言之， 本實(shí)施例是以剝除制程(lift-off process)來形成圖案化電極層520。
值得一提的是，本實(shí)施例在移除圖案化光阻層500的同時(shí)就可以將 電極材料層(未繪示)圖案化，所以有助于簡化制程步驟。另外， 一般的制 程中，圖案化電極材料層(未繪示)的方式都必須采用微影蝕刻制程，也就 是須再使用一道光罩而使制程成本增加。本實(shí)施例不須再使用光罩就可以 形成圖案化電極層520，因而更有助于節(jié)省制程成本。
此外，在本實(shí)施例中，電容電極220、 4象素電4及442與位于此兩導(dǎo)電 層間的第一絕緣層230構(gòu)成一儲存電容530。兩導(dǎo)電層之間僅有一層絕緣 層的設(shè)計(jì)會使儲存電容530的儲存電容值比現(xiàn)有設(shè)計(jì)的儲存電容值高。因此，本實(shí)施例可以不必增加電容電4及220與^象素電4及442的重迭面積就可 以有效提高儲存電容值而提升主動(dòng)元件陣列基板50的元件特性。
綜上所述，在本發(fā)明實(shí)施例中，利用適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)(蝕刻終止層)與 制程條件的控制來決定蝕刻制程的蝕刻深度，而使儲存電容中的絕緣層減 薄。因此，本發(fā)明的主動(dòng)元件陣列基板中的儲存電容具有較大的電容值而 有助于提升主動(dòng)元件陣列基板的元件特性。另外，主動(dòng)元件陣列基板的制 造方法可具有良好的制程良率與較低的制作成本。再者，本發(fā)明的主動(dòng)元
件陣列基板也具有較大的顯示開口率。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā) 明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括下述步驟在一基板上形成一閘極及一電容電極；在所述基板上形成一第一絕緣層覆蓋所述閘極及所述電容電極；在所述閘極上方的所述第一絕緣層上形成一通道層；在所述通道層上形成一源極與一汲極，且所述源極與所述汲極分別位于所述閘極的兩側(cè)；在所述基板上全面地形成一第二絕緣層；在所述基板上形成一圖案化光阻層；在一制程時(shí)間內(nèi)，以所述圖案化光阻層為罩幕移除位于所述汲極上方及所述電容電極上方的所述第二絕緣層以形成一接觸窗及一開口，其中所述接觸窗暴露出所述汲極，所述開口暴露出位于所述電容電極上方的所述第一絕緣層；以及在所述基板上形成一像素電極，所述像素電極透過所述接觸窗電性連接所述汲極并填入所述開口中，其中，所述像素電極、所述電容電極及位于所述像素電極與所述電容電極之間的所述第一絕緣層構(gòu)成一儲存電容。
2.如權(quán)利要求1所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述在一制程時(shí)間內(nèi)，以所述圖案化光阻層為罩幕移除位于所述汲極上方 及所述電容電極上方的所述第二絕緣層以形成一接觸窗及一開口的步驟 具體包括以所述圖案化光阻層為罩幕，通過進(jìn)行一干蝕刻制程移除位于所述 汲極上方及所述電容電極上方的所迷第二絕緣層以形成一接觸窗及一開 o :控制所述制程時(shí)間，使位于所述電容電極上方且被所述圖案化光阻層暴露出來的所述第二絕緣層恰好完全移除；所述在所述基板上形成一圖案化光阻層的步驟具體包括在所述第二絕緣層上形成一光阻材料層；以及以一光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成所述圖案化光阻層， 其中所述光罩具有多個(gè)光罩圖案，所述多個(gè)光罩圖案其中之一設(shè)置在所述 汲極上方，而所述多個(gè)光罩圖案中的另一個(gè)設(shè)置在所述電容電極上方；所述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法還包括歐姆接觸層。
3.—種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括 下述步驟在一基板上形成一閘極、 一電容電極及一第一導(dǎo)電接墊； 在所述基板上形成一第一絕緣層，且所述第一絕緣層覆蓋所述閘極、所述電容電極及所述第一導(dǎo)電接墊；在所述閘極上方的所述第一絕緣層上形成一通道層； 在所述通道層上形成一源極與一汲極，并同時(shí)在所述第一絕緣層上形成一第二導(dǎo)電接墊，其中所述源極與所述汲極分別位于所述閘極的兩側(cè)，而所述第二導(dǎo)電接墊鄰近所述第一導(dǎo)電接墊； 在所述基板上全面地形成一第二絕緣層； 在所迷第二絕緣層上形成一圖案化光阻層；以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第一蝕刻制程，移除位于所述第二 導(dǎo)電接墊上方以及所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第二絕緣層，以暴露出所 述第二導(dǎo)電接墊及位于所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第一絕緣層；以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第二蝕刻制程，移除所述第 一導(dǎo)電 接墊上方的所述第一絕緣層以暴露出所述第一導(dǎo)電接墊，同時(shí)移除所述汲極上方及所述電容電才及上方的所述第二絕纟彖層以形成一^f妻觸窗以及一開 口，其中所述接觸窗暴露出所述汲極，而所述開口暴露出位于所述電容電極上方的所述第一絕緣層；以及在所述第二絕緣層上形成一圖案化電極層，所述圖案化電極層包括一 像素電極及一連接電極，所述像素電極透過所述接觸窗電性連接所述汲極 并填入所述開口中，所述連接電極將所述第一導(dǎo)電接墊及所述第二導(dǎo)電接 墊電性連接；其中所述像素電極、所述電容電極及位于所述像素電極與所述電容電極之間的所述第 一 絕緣層構(gòu)成 一 儲存電容。
4.如權(quán)利要求3所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于 以所述第二導(dǎo)電接墊作為所述第一蝕刻制程的蝕刻終止層；以所述第一導(dǎo)電接墊作為所述第二蝕刻制程的蝕刻終止層；所述第 一蝕刻制程或所述第二蝕刻制程包括一干式蝕刻制程； 在所述在所述第二絕緣層上形成一圖案化電極層的步驟之前還包括下述步驟完全移除所述圖案化光阻層；所述主動(dòng)元件陣列基板的制造方法還包括下述步驟歐姆接觸層。
5.如權(quán)利要求3所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述在所述第二絕緣層上形成一圖案化光阻層的步驟具體包括 在所述第二絕緣層上形成一光阻材料層；以及以一灰階光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成所述圖案化光阻 層，且所述圖案化光阻層具有多個(gè)薄化圖案以及多個(gè)穿透口，所述多個(gè)薄 化圖案分別位于所述汲極上方及所述電容電極上方，而所述多個(gè)穿透口分 別暴露出所述第一導(dǎo)電接墊及所述第二導(dǎo)電接墊上方的所述第二絕緣層。
6. 如權(quán)利要求5所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 以一灰階光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成所述圖案化光阻層，且 所述圖案化光阻層具有多個(gè)薄化圖案以及多個(gè)穿透口的步驟具體包括以一灰階光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成多個(gè)第一預(yù)薄化圖案及多個(gè)第二預(yù)薄化圖案，且所述多個(gè)第一預(yù)薄化圖案的膜厚大于所述 多個(gè)第二預(yù)薄化圖案的膜厚；以及進(jìn)行一灰化制程，完全移除所述多個(gè)第二預(yù)薄化圖案以形成所述多個(gè) 穿透口并同時(shí)使所述多個(gè)第一預(yù)薄化圖案的膜厚減薄以形成所述多個(gè)薄 化圖案；所述以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第一蝕刻制程，移除位于所述 第二導(dǎo)電接墊上方以及所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第二絕緣層，以暴露 出所述第二導(dǎo)電接墊及位于所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第一絕緣層的 步驟具體包括以所述圖案化光阻層為罩幕，移除所述多個(gè)穿透口所暴露出來的所述 第二絕緣層，以暴露出所述第二導(dǎo)電接墊及位于所述第一導(dǎo)電接墊上方的 所述第一絕緣層；在進(jìn)行所述第 一 蝕刻制程之后且進(jìn)行所述第二蝕刻制程之前，還包括 進(jìn)行 一 灰化制程，以移除所述多個(gè)薄化圖案以暴露出所述汲極上方與所述 電容電極上方的所述第二絕緣層。
7. 如權(quán)利要求3所述的主動(dòng)元件數(shù)組基板的制造方法，在所述第二絕 緣層上形成一圖案化光阻層的步驟具體包括在所述第二絕緣層上形成一光阻材料層；以及以一灰階光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成所述圖案化光阻 層，所述圖案化光阻層具有多個(gè)第一薄化圖案、多個(gè)第二薄化圖案及多個(gè) 穿透口，其中，所述多個(gè)第一薄化圖案分別位于所述汲極上方及所述電容電極上方，所述多個(gè)第二薄化圖案的位置位于所述閘極與所述電容電極之間、 及所述第一導(dǎo)電接墊與所述第二導(dǎo)電接墊之間，所述第一薄化圖案的膜厚 小于所述第二薄化圖案的膜厚，所述多個(gè)穿透口分別暴露出所述第一導(dǎo)電接墊上方及所述第二導(dǎo)電 接墊上方的所述第二絕緣層。
8.如權(quán)利要求7所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 以一灰階光罩為罩幕圖案化所述光阻材料層以形成所述圖案化光阻層，所 述圖案化光阻層具有多個(gè)第一薄化圖案、多個(gè)第二薄化圖案及多個(gè)穿透口 的步驟具體包括圖案化所述光阻材料層以形成多個(gè)第 一預(yù)薄化圖案、多個(gè)第二預(yù)薄化 圖案及多個(gè)第三預(yù)薄化圖案，所述第一預(yù)薄化圖案的膜厚大于所述多個(gè)第 三預(yù)薄化圖案的膜厚，而所述多個(gè)第二預(yù)薄化圖案的膜厚大于所述多個(gè)第 一預(yù)薄化圖案的膜厚；進(jìn)行一灰化制程，完全移除所述第三預(yù)薄化圖案以形成所述多個(gè)穿透 口 ，并同時(shí)使所述多個(gè)第一預(yù)薄化圖案及所述多個(gè)第二預(yù)薄化的膜厚減薄 以分別形成所述多個(gè)第一薄化圖案及所述多個(gè)第二薄化圖案；所述第一蝕 刻制程包括以所述圖案化光阻層為罩幕，移除所述多個(gè)穿透口所暴露出來的所述 第二絕緣層，以暴露出所述第二導(dǎo)電接墊及位于所述第一導(dǎo)電接墊上方的 所述第一絕緣層；在所述以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第一蝕刻制程，移除位于所 述第二導(dǎo)電接墊上方以及所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第二絕緣層，以暴 露出所述第二導(dǎo)電接墊及位于所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第一絕緣層 的步驟之后，且在所述以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第二蝕刻制程， 移除所述第一導(dǎo)電接墊上方的所述第一絕緣層以暴露出所述第一導(dǎo)電接一接觸窗以及一開口，其中所述接觸窗暴露出所述汲極，而所述開口暴露 出位于所述電容電極上方的所述第一絕緣層的步驟之前，所述方法還包括下述步驟進(jìn)行一灰化制程，將所述多個(gè)第一薄化圖案完全，移除以暴露出所述 汲極上方與所述電容電極上方的所述第二絕緣層，并同時(shí)使所述多個(gè)第二 薄化圖案的膜厚減薄。
9. 如權(quán)利要求7所述之主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述在以所述圖案化光阻層為罩幕進(jìn)行一第二蝕刻制程，移除所述第"導(dǎo) 電接墊上方的所述第一絕緣層以暴露出所述第一導(dǎo)電接墊，同時(shí)移除所述 汲極上方及所述電容電極上方的所述第二絕緣層以形成一接觸窗以及一 開口，其中所述接觸窗暴露出所述汲極，而所述開口暴露出位于所述電容電極上方的所述第一絕緣層的步驟之后且在所述在所述第二絕緣層上形 成一圖案化電極層，所述圖案化電極層包括一像素電極及一連接電極，所 述像素電極透過所述接觸窗電性連接所述汲極并填入所述開口中，所述連 接電極將所述第一導(dǎo)電接墊及所述第二導(dǎo)電接墊電性連接的步驟之前還 包括下述步驟進(jìn)行一灰化制程，將所述多個(gè)第二薄化圖案完全移除以暴露出位于所 述閘極與所述電容電極之間及所述第一導(dǎo)電接墊與所述第二導(dǎo)電接墊之 間的所述第二絕緣層。
10. 如權(quán)利要求9所述的主動(dòng)元件陣列基板的制造方法，其特征在于， 在所述第二絕緣層上形成一圖案化電極層，所述圖案化電極層包括一像素 電極及一連接電極，所述像素電極透過所述接觸窗電性連接所述汲極并填 入所述開口中，所述連接電極將所述第一導(dǎo)電接墊及所述第二導(dǎo)電接墊電 性連接的步驟具體包括在所述圖案化光阻層及所述第二絕緣層上全面地形成一電極材料層；以及在移除所述圖案化光阻層同時(shí)， 一并移除覆蓋在所述圖案化光阻層上 的所述電極材料層，以在所述第二絕緣層上形成所述像素電極及所述連接 電極。
全文摘要
本發(fā)明適用于顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種主動(dòng)元件陣列基板的制造方法。首先，在基板上形成閘極、電容電極、第一絕緣層、通道層、源極與汲極。然后，在基板上全面地形成第二絕緣層，且在基板上形成圖案化光阻層。之后，以圖案化光阻層為罩幕，移除位于汲極上方及電容電極上方的第二絕緣層以形成接觸窗及開口。接觸窗暴露出汲極，而開口暴露出位于電容電極上方的第一絕緣層。接著，在基板上形成像素電極，且像素電極透過接觸窗電性連接汲極并填入開口中。像素電極、電容電極及位于像素電極與電容電極之間的第一絕緣層構(gòu)成儲存電容。在本發(fā)明中，主動(dòng)元件陣列基板的制造方法具有良好的制程良率，可以避免過度蝕刻或是蝕刻不足的現(xiàn)象發(fā)生。
文檔編號H01L21/70GK101562152SQ20091010760
公開日2009年10月21日 申請日期2009年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月21日
發(fā)明者施媚莎, 黃貴偉 申請人:深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司