專利名稱：用于rf領域的工作頻率可控的hbt結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件及集成電路制造工藝，具體涉及一種用于 射頻(RF)領域的工作頻率可控的異質結雙極晶體三極管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)制備方法。
背景技術：
如圖1所示為現有HBT的結構示意圖在p型襯底1上注入高濃度N 型雜質埋層9作為集電區引出，N型雜質注入形成N型集電區(collecter) 3，淺槽隔離(STI) 4結構將單位HBT進行電隔離。集電區3上生長有P 型SiGe外延層7，p型SiGe外延層7周邊有氧化隔離窗口(oxide spacer) 5， P型SiGe外延層7上為發射極區。
上述現有HBT器件的工作頻率隨發射極-集電極電壓的變化過于緩慢 而不具有可控性(圖3所示)，而隨發射極-基極的變化過快而無法控制(圖 2所示)，所以現有的HBT器件通常只能工作在一個特定的工作頻率下， 而不能通過外加電壓對工作頻率進行調節。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種用于RF領域的工作頻率可控 的HBT結構，它可以通過外加電壓對工作頻率進行調節。
為了解決以上技術問題，本發明提供了一種用于RF領域的工作頻率 可控的HBT結構，包括一個在P型襯底與集電區之間注入的高濃度P型雜質埋層。
本發明通過在叩n型HBT器件集電極的高濃度P型雜質的注入，在 器件中引入一個縱向電場，通過集電極電壓對這一 電場的控制實現了電壓 對工作頻率的控制。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明。 圖1是現有HBT結構示意圖2是現有HBT器件工作頻率與基極-發射極電壓關系圖； 圖3是現有HBT器件工作頻率與集電極-基極電壓關系圖； 圖4是本發明的HBT結構示意圖5是本發明HBT器件工作頻率與集電極-基極電壓關系圖。 圖中的附圖標記為1、 P型襯底；2、高濃度P型雜質埋層；3、 集電區；4、淺槽隔離；5、氧化隔離窗口； 6、高濃度P型雜質埋層到 淺槽隔離的距離；7、P型SiGe外延層；8、耗盡線；9、高濃度N型 雜質埋層；BP2STI、高濃度P型雜質埋層到淺槽隔離的距離。
具體實施例方式
如圖4所示，本發明的用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構是在 現有的HBT的P型襯底1與集電區3之間注入高濃度P型雜質，形成一個 高濃度P型雜質埋層2，耗盡線8在集電區3內。
優選的，該高濃度P型雜質埋層2具有不低于lel9cm—3的雜質濃度。 優選的，該高濃度P型雜質埋層到淺槽隔離的距離6為600nm 1000nm優選的，該高濃度P型雜質埋層2具有150nm 200nm的膜厚。 本發明的用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構可通過半導體領域 的常用工藝制得，制作方法如下
(1) 淺槽隔離制備；
(2) 在P型襯底上注入高濃度硼離子(此為本發明的重要步驟)， 注入雜質濃度為lel9cm—3，高濃度P型雜質埋層到淺槽隔離的距離為 800nm，形成的高濃度P型雜質埋層膜厚為153nm;
(3) 在高濃度P型雜質埋層上進行集電區注入；
(4) 氧化隔離窗口形成；
(5) SiGe生長；
(6) 發射極制備。
本發明通過在npn型HBT器件集電極的高濃度P型雜質的注入，在 器件中引入一個縱向電場，通過集電極電壓對這一 電場的控制實現了電壓 對工作頻率的控制。如圖5所示，高濃度P型雜質埋層到淺槽隔離的距離 (BP2STI)分別為0.4um、 0. 6 y m和0. 8 u m時，工作頻率與集電極-基 極電壓關系的曲線在2V 10V之間具有了可控性。
權利要求
1、一種用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構，其特征在于，包括一個在P型襯底與集電區之間注入的高濃度P型雜質埋層。
2、 如權利要求1所述的用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構， 其特征在于，所述的高濃度P型雜質埋層具有不低于lel9cm—3的雜質濃度。
3、 如權利要求1所述的用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構， 其特征在于，所述的高濃度P型雜質埋層到淺槽隔離的距離為600nm lOOOnm。
4、 如權利要求1所述的用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構， 其特征在于，所述的高濃度P型雜質埋層具有150 200nm的膜厚。
全文摘要
本發明公開了一種用于RF領域的工作頻率可控的HBT結構，包括一個在P型襯底與集電區之間注入的高濃度P型雜質埋層。本發明通過在npn型HBT器件集電極的高濃度P型雜質的注入，在器件中引入一個縱向電場，通過集電極電壓對這一電場的控制實現了電壓對工作頻率的控制。
文檔編號H01L29/73GK101651149SQ20091005371
公開日2010年2月17日 申請日期2009年6月24日 優先權日2009年6月24日
發明者吳小莉, 丹 許 申請人:上海宏力半導體制造有限公司