專利名稱：一種CuxO基電阻型存儲器的制備方法
技術領域：
本發明屬于集成電路制造技術領域，具體涉及金屬氧化物不揮發存儲器制備方 法，尤其涉及包括CuxO基存儲介質的電阻型存儲器及其制備方法。
背景技術：
存儲器在半導體市場中占有重要的地位，由于便攜式電子設備的不斷普及，不揮 發存儲器在整個存儲器市場中的份額也越來越大，其中90%以上的份額被FLASH占據。但 是由于存儲電荷的要求，FLASH的浮柵不能隨技術代發展無限制減薄，有報道預測FLASH技 術的極限在32nm左右，這就迫使人們尋找性能更為優越的下一代不揮發存儲器。最近電阻 轉換存儲器件(resistive switching memory)因為其高密度、低成本、可突破技術代發展 限制的特點引起高度關注，所使用的材料有相變材料、摻雜的SrfrO3、鐵電材料Pb&Ti03、 鐵磁材料PrhCaxMnO3、二元金屬氧化物材料、有機材料等。電阻型存儲器通過電信號的作用，使存儲介質在高電阻狀態(High Resistance State, HRS)和低電阻(Low Resistance State, LRS)狀態之間可逆轉換，從而實現存儲功 能。電阻型存儲器使用的存儲介質材料可以是各種金屬氧化物材料，其中Cux0(l <x^2) 材料作為兩元金屬氧化物中的一種，其優勢更為明顯，因為Cu在互連工藝中廣泛應用， CuxO材料的可以在Cu栓塞或Cu連線上方經過常規手段生成，如等離子體氧化、熱氧化等， 只需要額外增加1-2塊光刻板即可，成本低廉，而且可以隨多層互連線一起，實現三維堆疊 結構。同時，習知CuxO存儲介質摻入一定的元素材料(Ti、La、Mn等元素)，同樣具有存 儲特性，銅材料在摻雜后的存儲介質層中仍然以CuxO形式存在，我們定義這種存儲介質為 CuxO基存儲介質。其中CuxO中摻硅后，同樣具有存儲特性，是屬于CuxO基存儲介質的一 種。中國專利“一種CuxO基電阻型存儲器及其制備方法”(專利申請號為 CN200810202720. 0)公開了一種CuxO基電阻型存儲器，通過三個步驟制備形成(1)對銅下 電極構圖硅化處理生成CuSi化合物緩沖層；(2)對所述CuSi化合物緩沖層氧化，生成CuxO 基存儲介質；(3)在所述CuxO基存儲介質上構圖形成上電極。采用該方法制備的CuxO基 電阻型存儲器不會在存儲介質之下產生空洞，具有高可靠性的特點，并且CuxO基存儲介質 相對于傳統的純CuxO存儲介質，其Ron提高。但是也存在以下缺點(1)由于是在CuSi化 合物緩沖層上氧化實現在CuxO基存儲介質中摻Si，CuxO基存儲介質中的Si的含量太少； (2) Si主要集中分布于CuxO基存儲介質層的下方，不均勻的Si分布使單元與單元間的一致 性和存儲器的Ron和Data Retention (數據保持特性)有待于進一步提高。
發明內容
本發明的目的是，為克服以上所述技術問題的不足，提出一種能使Si元素更多、 更均勻分布于CuxO基存儲介質層中的CuxO基電阻型存儲器的制備方法。
為解決上述技術問題，本發明提供了一種CuxO基電阻型存儲器的制備方法，包括 以下步驟(1)對銅下電極構圖硅化處理生成CuSi化合物緩沖層；(2)對所述CuSi化合物緩沖層氧化，生成CuxO基存儲介質；(3)在所述CuxO基存儲介質上硅化處理；(4)構圖形成上電極。根據本發明提供的CuxO基電阻型存儲器的制備方法，其中，在所述第(1)步驟之 前還包括步驟(al)開孔暴露銅下電極。在所述第(3)步驟之前還包括步驟(2a)對CuxO 基存儲介質進行高溫退火處理。根據本發明提供的CuxO基電阻型存儲器的制備方法，其中，所述硅化處理是在含 硅氣體中硅化完成的、或者是通過硅等離子體處理完成的、亦或者是通過硅的離子注入方 法完成的。所述氧化是等離子氧化、熱氧化或者氧離子注入氧化。本發明通過提供的另一種CuxO基電阻型存儲器的制備方法，該制備方法能與銅 互連后端工藝兼容，其具體包括以下步驟(1)提供常規的大馬士革銅互連工藝中形成于溝槽中的銅引線作為所述CuxO基 電阻型存儲器的下電極；(2)在所述銅引線上方形成第一介質層；(3)在所述第一介質層中欲形成CuxO基電阻型存儲器的位置，制作孔洞；(4)以第一介質層為掩膜將位于所述孔洞底部的銅引線進行硅化處理，形成CuSi 化合物緩沖層；(5)在所述CuSi化合物緩沖層上進行氧化處理，形成CuxO基存儲介質；(6)在所述CuxO基存儲介質上硅化處理；(7)沉積金屬材料形成上電極。根據本發明提供的又一制備方法，其中，所述上電極形成于CuxO基存儲介質和通 孔之間。在步驟(7)之后還包括步驟(7a)采用光刻和刻蝕的方法將所述上電極圖形化。根據本發明提供的又一制備方法，其中，所述硅化處理是在含硅氣體中硅化完成 的、或者是通過硅等離子體處理完成的、亦或者是通過硅的離子注入方法完成的。所述氧化 是等離子氧化、熱氧化或者氧離子注入氧化。本發明的技術效果是，通過在CuSi化合物緩沖層上氧化形成CuxO基存儲介質后， 再對CuxO基存儲介質進行硅化處理，能夠在CuxO基存儲介質中的摻入的更多Si元素，實 現Si元素在CuxO基存儲介質中整體分布相對更均勻，一方面在CuxO基存儲介質上表層也 形成了 Si元素摻雜，進一步提高該電阻型存儲器的Ron和數據保持特性；另一方面，更為均 勻的Si元素分布提高了單元與單元間的一致性。采用該方法制備的CuxO電阻型存儲器具 有低功耗、長數據保持特性的優點。
圖1是本發明提供的CuxO基電阻型存儲器的制備方法示意圖。圖2至圖9是CuxO基電阻型存儲器的制備方法過程示意圖。圖10是本發明提供的又一 CuxO基電阻型存儲器的制備方法示意圖。
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圖11至圖23是與銅互連后端工藝兼容的CuxO基電阻型存儲器的制備方法過程 示意圖。
具體實施例方式在下文中結合圖示在參考實施例中更完全地描述本發明，本發明提供優選實施 例，但不應該被認為僅限于在此闡述的實施例。在圖中，為了清楚放大了層和區域的厚度， 但作為示意圖不應該被認為嚴格反映了幾何尺寸的比例關系。在此參考圖是本發明的理想化實施例的示意圖，本發明所示的實施例不應該被認 為僅限于圖中所示的區域的特定形狀，而是包括所得到的形狀，比如制造引起的偏差。例如 干法刻蝕得到的曲線通常具有彎曲或圓潤的特點，但在本發明實施例圖示中，均以矩形表 示，圖中的表示是示意性的，但這不應該被認為限制本發明的范圍。實施例1圖1所示為本發明提供的CuxO基電阻型存儲器的制備方法示意圖。同時，通過圖 2至圖9示意了 CuxO基電阻型存儲器的制備方法過程，以下結合圖1至圖9詳細說明CuxO 基電阻型存儲器的制造方法。步驟Sl 1，開孔暴露銅下電極。在該步驟中，如圖2所示，在銅下電極40上的介質層21上構圖開孔洞27，用于局 部暴露銅下電極，并定義存儲介質層的單元面積大小。介質層21可以是氧化硅、氮化硅等 材料，可以通過光刻以及刻蝕的辦法形成孔洞27。通過該步驟，完成制備CuxO基電阻型存 儲器的前期工藝。步驟S12，對銅下電極構圖硅化處理生成CuSi化合物緩沖層。在該步驟中，如圖3所示，通過對暴露的銅下電極部分硅化處理，形成一定厚度的 CuSi硅化物緩沖層22a，22a定義為氧化之前的CuSi化合物緩沖層。其硅化的方法主要 有(1)高溫的含硅氣體中硅化(2)硅等離子體進行表面處理(3)硅的離子注入的方法硅 化。以第(1)種硅化方法為例，通過在一定高溫(200°C -500°C )下，銅下電極局部暴露于 含硅的氣體中，Cu金屬與氣體發生化學反應，硅化生成CuSi化合物緩沖層。在該實施例 中，含硅的氣體可以是SiH4、SiH2Cl2, Si (CH3)4等氣體，化學反應的恒定氣壓小于20Torr。 可以在加熱的條件下，在硅烷(SiH4)氣氛下進行，溫度可以為100-500度，硅烷濃度可以為 0.01%-30%。在第(3)種方法中，硅的離子注入時，介質層21同時起掩模層的作用。形成 的CuSi化合物緩沖層22厚度范圍為0. 5nm 500nm ；CuSi并不代表其化合物的固定化學 式，其銅與硅的化學計量比也不僅限于1 1，其化學計量比與形成的工藝參數有關，例如 氣體流量，溫度、時間等等，并且CuSi化合物緩沖層中的銅硅比不一定是完全均勻的；由于 CuSi化合物緩沖層是通過Cu下電極硅化形成，Cu與CuSi化合物緩沖層之間一般不會形成 空洞，進一步，CuSi化合物緩沖層22是具有阻擋銅擴散的功能的，因此有利于阻止下電極 的Cu向上電極或者其它地方擴散。該發明中所述的緩沖的概念主要是指在氧化形成CuxO 基存儲介質時減緩氧化的速率。步驟S13，對CuSi化合物緩沖層氧化，生成CuxO基存儲介質。在該步驟中，通過控制氧化的工藝條件(如溫度、壓強、時間等)，對氧化之前的 CuSi化合物緩沖層22a氧化生成CuxO基存儲介質23，氧化的方法主要有等離子氧化、熱氧化和氧離子注入氧化，其具體氧化的方法不受本發明限制。該氧化方法具有自對準的特點 (CuxO基存儲介質的圖像與CuSi化合物緩沖層22對準)。通過將CuSi化合物緩沖層暴露 于氧氣氣氛中、或者暴露于氧等離子體中，CuSi化合物緩沖層中的Cu會不斷與0反應生成 CuxO存儲材料，原先的Si元素以硅或氧化硅的形式存在于CuxO材料中形成CuxO基存儲 介質。CuxO基存儲介質根據Si存在形式，可以是CuxO材料中摻Si的存儲介質，也可以是 CuxO材料與氧化硅的納米復合層，也可以是CuxO材料與氧化硅的納米復合層。在圖4所 示實施例中，在步驟S13之后，氧化之前的CuSi化合物緩沖層22a被完全氧化轉變成CuxO 基存儲介質，也可能CuSi化合物緩沖層22a之下的部分銅下電極被氧化成CuxO基存儲介 質。圖5所示實施例中，在步驟S13之后，氧化之前的CuSi化合物緩沖層22a未被完全氧 化轉變成CuxO基存儲介質，還剩余有一薄層CuSi化合物緩沖層22于CuxO基存儲介質23 之下。作為較佳實施例，還可以在步驟S13之后，對CuxO基存儲介質進行高溫退火處理， 其退火溫度范圍是200°C -500°C。步驟S15，在CuxO基存儲介質上硅化處理。在該步驟中，如圖6或圖7所示，對CuxO基存儲介質23進行硅化處理，從而進一 步實現向CuxO基存儲介質23中摻入Si元素，CuxO基存儲介質23轉換成CuxO基存儲介 質23b，CuxO基存儲介質23b相對于CuxO基存儲介質23來說，同樣是摻有硅的CuxO存儲 材料，但是Si元素整體分布相對更均勻，特別是其上表層Si元素分布相比23更多，從而有 利于提高該電阻型存儲器的Ron和數據保持特性(因為我們發現電阻型存儲器的存儲介質 層與上電極界面在存儲特性上起著關鍵作用)。在該步驟中，硅化處理的方法主要有(1) 高溫的含硅氣體中硅化(2)硅等離子體進行表面處理(3)硅的離子注入的方法硅化。以第 (1)種硅化方法為例，通過在一定高溫(200°C-500°C)下，銅下電極局部暴露于含硅的氣體 中，Cu金屬與氣體發生化學反應，硅化生成CuSi化合物緩沖層。在該實施例中，含硅的氣 體可以是5讓4、5鞏(12、51(013)4等氣體，化學反應的恒定氣壓小于201101·!·。可以在加熱的 條件下，在硅烷(SiH4)氣氛下進行，溫度可以為100-500度，硅烷濃度可以為0. 01 % -30 %。 在第(3)種方法中，硅的離子注入時，介質層21同時起掩模層的作用。步驟S16，在CuxO基存儲介質上形成上電極。在該步驟中，通過在圖6或圖7所示的結構上，PVD沉積金屬導電材料(Ta、Ti、TaN 等)作為上電極30，覆蓋CuxO基存儲介質23b，形成圖8或圖9所示CuxO基電阻型存儲器。 上電極30的金屬材料種類、沉積方法不受本發明限制。至此，圖1所示CuxO基電阻型存儲器制備方法過程完成。實施例2CuxO基電阻型存儲器集成于銅互連后端工藝的制備方法過程。圖10所示為本發明提供的又一 CuxO基電阻型存儲器的制備方法示意圖。圖23為 通過圖10所示方法制備的CuxO基電阻型存儲器結構實施例示意圖。圖11至圖23示意了 與銅互連后端工藝兼容的CuxO基電阻型存儲器的制備方法過程示意圖，以下結合圖11至 圖23詳細說明CuxO基電阻型存儲器的制備方法。步驟S21，提供常規的大馬士革銅互連工藝中形成于溝槽中的銅引線作為所述 CuxO基電阻型存儲器的下電極。
圖11為進行到第一層銅引線CMP制作結后的剖面圖，以此為該實施例的工藝集成 步驟的起始步驟。100為PMD層，是指第一層銅引線與MOS器件之間的介質層，它可以是摻 磷的氧化硅PSG等介質材料；903為鎢栓塞，它連接第一層銅引線與MOS器件；PMD層100以 下圖示為前端工藝形成的CMOS邏輯器件。501為第一層銅引線的一部分，其上方不生長存 儲介質，502為第一層銅引線的另一部分，其上方將形成存儲介質；101為層間絕緣介質層。步驟S22，在銅引線上方形成第一介質層。在該步驟中，參考附圖12，PECVD沉積一層第一介質層，在該實施例中，第一介質 層為Si3N4蓋帽層202a，蓋帽層202a厚度范圍為20 2000nm。步驟S23，在第一介質層中欲形成CuxO基電阻型存儲器的位置，制作孔洞。在該步驟中，參考圖13，通過光刻、刻蝕將蓋帽層202a打開，形成孔洞300，存儲單 元的尺寸即為孔洞300的尺寸。在實際刻蝕過程中，為避免去除光刻膠時的灰化工藝將銅 引線氧化，通常會采用二次刻蝕工藝，具體方法是先光刻出孔洞圖形，然后干法刻蝕將孔洞 處蓋帽層刻蝕掉一部分，之后用灰化工藝去除光刻膠，此時孔洞處蓋帽層未被全部刻蝕完， 保護了下面的銅引線而未使之氧化，最后經過二次刻蝕，將孔洞完全打開。例如，剛沉積完 時，蓋帽層202a為lOOnm，經過第一次刻蝕，將孔洞打開50nm，然后去除光刻膠進行第二次 刻蝕，將孔洞完全打開，此時蓋帽層202a厚度變為50nm。步驟S24，以第一介質層為掩膜將位于所述孔洞底部的銅引線進行硅化處理，形成 CuSi化合物緩沖層。在該步驟中，參考附圖14，將孔洞300中暴露的Cu進行硅化處理，生成CuSi化合 物緩沖層701。硅化處理的方法主要有(1)高溫的含硅氣體中硅化(2)硅等離子體進行表 面處理(3)硅的離子注入的方法硅化。在該實施例中，可以在加熱的條件下、硅烷氣氛下進 行硅化處理，其溫度可以為100-500度，硅烷濃度可以為0.01% -30%。步驟S25，在所述CuSi化合物緩沖層上進行氧化處理，形成CuxO基存儲介質。在該步驟中，參考附圖15，將孔洞中暴露出的CuSi化合物701進行氧化處理，生成 CuxO基存儲介質層700，此時引線501由于受SiN蓋帽層保護而不會被氧化。氧化的方法 主要有等離子氧化、熱氧化和氧離子注入氧化。在該實施例中，選用在PECVD設備中進行等 離子氧化。步驟S26，在CuxO基存儲介質上硅化處理。在該步驟中，參考圖16，將孔洞300中暴露的CuxO基存儲介質層700進行硅化處 理，從而進一步實現向CuxO基存儲介質23中摻入Si元素，CuxO基存儲介質層700轉變成 CuxO基存儲介質層700b，700b相對700Si元素整體分布相對更均勻，特別是其上表層Si元 素分布更多。其硅化的方法主要有(1)高溫的含硅氣體中硅化(2)硅等離子體進行表面 處理(3)硅的離子注入的方法硅化。其具體硅化的工藝方法可以不同于步驟S24中的硅化 處理方法。步驟S27，沉積金屬材料形成上電極。在該步驟中，參考附圖17，在CuxO基存儲介質層700b上沉積上電極材料800，材 料種類可以為TaN、Ta、Ti N、Ti、Cu、Al、Ni、Co等導電材料，制備方法可以通過反應濺射、 PECVD、熱蒸發等方式實現。進一步參考附圖18，對上電極材料800進行圖形化，形成上電極801。先通過光刻定義出上電極圖形，再通過干法或濕法刻蝕，實現電極的圖形化。進一步參考附圖19，在電極801之上依次沉積蓋帽層202b、層間介質102、刻蝕阻 擋層203、層間介質103、抗反射層204。蓋帽層202b可以為SiN、SiON等材料，層間介質 102、103可以為SiO2或摻F或C的SiO2等低k介質材料，刻蝕阻擋層可以為SiN、SiON等 材料，抗反射層204可以為SiON等材料。進一步參考附圖20，通過光刻刻蝕，形成第二層金屬連線溝槽和通孔601和602。進一步參考附圖21，先通過Ar離子進行預濺射，去除銅引線501表層及存儲單元 上電極801表面的自然氧化層，以增強其與擴散層的粘附能力，然后CVD或PVD沉積TaN/Ta 擴散阻擋層403和404。進一步參考附圖22，先PVD生長一籽晶層Cu，使之后ECP銅生長沿111擇優取向， 從而降低銅連線電阻率，然后ECP生長Cu填滿溝槽和通孔，再200度退火，以增大銅的晶粒。進一步參考附圖23，CMP去除多余的銅引線層，形成銅栓塞及第二層銅引線503和 504。圖23為圖10所示實施例制備方法的CuxO基電阻型存儲器的剖面結構圖。在該實 施例中，CuxO基電阻型存儲器與雙大馬士革工藝集成，CuxO基存儲介質形成于銅栓塞的底 部、銅引線之上，如圖23所示，PMD層100形成MOS器件之上，它可以是摻磷的氧化硅PSG 等介質材料，在PMD層100中形成鎢栓塞903，鎢栓塞903連接第一層銅引線和MOS管源極 或者漏極。PMD層100上形成第一層刻蝕終止層201，可以為Si3N4、SiON、SiCN ；刻蝕終止層 201上形成第一層層間介質層101，它可以為SiO2或摻F或C的SiO2等低k介質材料。501 和502為形成于第一層介質層101溝槽中的銅引線，501為其上表層不需要圖形氧化形成 CuxO基存儲介質的銅引線，502為其上表層需要圖形氧化形成CuxO基存儲介質的銅引線， 需要形成CuxO基存儲介質的銅引線502形成CuxO存儲器的金屬下電極；銅引線和第一層 層間介質層101之間為防止銅擴散的擴散阻擋層401和402，可以是TaN、Ta/TaN復合層或 是Ti/TiN復合層，或是其它起到同樣作用的導電材料，如TiSiN、WNx、WNxCy、Ru、TiZr/Ti&N 等；銅引線之上為蓋帽層202a，可以為Si3N4, SiON, SiCN ；銅引線502上部為CuSi化合物 701 ；其上為CuxO基存儲介質層700，其中1 < χ < 2。第一層銅引線501、502上為蓋帽層 202a，蓋帽層202a中存在孔洞300，孔洞300局部暴露銅引線502，從而可以對銅引線502 硅化生成CuSi化合物緩沖層，通過對CuSi化合物緩沖層氧化以及硅化處理后生成的CuxO 基存儲介質層700b在銅引線502之上。CuxO基存儲介質層700b形成于蓋帽層202a的孔 洞300中，蓋帽層202a可以為Si3N4、SiON等介質材料；蓋帽層202a上方為第二層層間介質 層102a，可以為SiO2或摻F或C的SiO2等低k介質材料；503和504為形成于第二層層間 介質層102a通孔的銅栓塞，503為其上表層不需要氧化形成CuxO基存儲介質的銅栓塞，504 為其上表層需要氧化形成CuxO基存儲介質的銅栓塞。CuxO基存儲介質上方為上電極801， 可以為TaN、Ta、TiN、Ti、Cu、Al、Ni、Co等導電材料；蓋帽層202a上方是蓋帽層202b，起上 電極的擴散阻擋作用，可以為Si3N4、SiON等介質材料；蓋帽層202b上方為第二層層間介質 102與103，可以為SiO2或摻F或C的SiO2等低k介質材料；102與103之間為刻蝕阻擋 層203，可以為Si3N4、SiON、SiCN ；第二層金屬連線503和504形成與第二層層間介質中；在 金屬連線與層間介質之間為防止銅擴散的擴散阻擋層403和404，可以是TaN、Ta/TaN復合 層或是Ti/TiN復合層，或是其它起到同樣作用的導電材料，如TiSiN、WNX、WNxCy、Ru、TiZr/Ti&N 等。至此，圖10所示CuxO基電阻型存儲器制備方法過程完成。在不偏離本發明的精神和范圍的情況下還可以構成許多有很大差別的實施例。應 當理解，除了如所附的權利要求所限定的，本發明不限于在說明書中所述的具體實施例。
權利要求
一種CuxO基電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1)對銅下電極構圖硅化處理生成CuSi化合物緩沖層；(2)對所述CuSi化合物緩沖層氧化，生成CuxO基存儲介質；(3)在所述CuxO基存儲介質上硅化處理；(4)構圖形成上電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第(1)步驟之前還包括步驟 (al):開孔暴露銅下電極。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述第(3)步驟之前還包括步驟 (2a)對CuxO基存儲介質進行高溫退火處理。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是在含硅氣體中硅化 完成的。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是通過硅等離子體處 理完成的。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是通過硅的離子注入 方法完成的。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氧化是等離子氧化、熱氧化、氧 離子注入氧化之一。
8.—種CuxO基電阻型存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟(1)提供常規的大馬士革銅互連工藝中形成于溝槽中的銅引線作為所述CuxO基電阻 型存儲器的下電極；(2)在所述銅引線上方形成第一介質層；(3)在所述第一介質層中欲形成CuxO基電阻型存儲器的位置，制作孔洞；(4)以第一介質層為掩膜將位于所述孔洞底部的銅引線進行硅化處理，形成CuSi化合 物緩沖層；(5)在所述CuSi化合物緩沖層上進行氧化處理，形成CuxO基存儲介質；(6)在所述CuxO基存儲介質上硅化處理；(7)沉積金屬材料形成上電極。
9.根據權利8所述的制備方法，其特征在于，所述上電極形成于CuxO基存儲介質和通 孔之間。
10.根據權利8所述的制備方法，其特征在于，在步驟(7)之后還包括步驟(7a)采用 光刻和刻蝕的方法將所述上電極圖形化。
11.根據權利8所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質層為氮化硅蓋帽層。
12.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氧化是等離子氧化、熱氧化、氧離子注入氧化之一。
13.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是在含硅氣體中硅化 完成的。
14.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是通過硅等離子體處 理完成的。
15.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述硅化處理是通過硅的離子注入方法完成的。
全文摘要
一種CuxO基電阻型存儲器制備方法，屬于集成電路制造技術領域。通過在CuSi化合物緩沖層上氧化形成CuxO基存儲介質后，再對CuxO基存儲介質進行硅化處理，能夠在CuxO基存儲介質中的摻入的更多Si元素，實現Si元素在CuxO基存儲介質中整體分布相對更均勻，特別是在CuxO基存儲介質上表層也形成了Si元素摻雜，從而提高該電阻型存儲器的Ron和數據保持特性。采用該方法制備的CuxO電阻型存儲器具有低功耗、長數據保持特性的優點。
文檔編號H01L21/8238GK101894907SQ20091005187
公開日2010年11月24日 申請日期2009年5月21日 優先權日2009年5月21日
發明者呂杭炳, 周鵬, 林殷茵, 王明 申請人:復旦大學