專利名稱：晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種硅光電池的加工工藝，尤其是一種晶體硅太陽電池表面 刻槽制備工藝。
背景技術：
通常晶體硅太陽電池表面刻槽的主要用途是用于晶體硅太陽電池表面電 極柵線的嵌放，目前國內的刻槽方法主要有l)機械加工采用金剛石刀具， 用三種刀依次刻化成型出槽寬大于10lim的槽；2)激光刻槽用一束激光刻 化出線槽后再用化學方法對槽底進行擴寬。但是這兩種方法設備成本較低， 生產效率也不高，并且不適用于晶體硅太陽電池工業化生產。
發明內容
為了克服以上缺陷，本發明要解決的技術問題是提出一種生產 成本低，生產效率高，并適用太陽電池工業化生產的晶體硅太陽電池 刻槽印刷電極制備工藝。
本發明所采用的技術方案為 一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極 制備工藝，包括以下步驟
1) 將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜
層；
2) 采用絲網印刷腐蝕性槳料選擇性的去除電極柵線區域的化學腐 蝕掩膜層；
3) 將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區域形成一 定深度的凹槽；4)擴散制作PN結后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。
本發明進一步包括所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為
80-120nm的熱氧化二氧化硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。
本發明所述的步驟2)中去除電極柵線區域的掩膜層的步驟為
a) 將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上；
b) 待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。
本發明所述的步驟2)中腐蝕性漿料為含15_20%氟化氫氨的刻蝕膏。
本發明所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25%，溫度為 70°C，腐蝕時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。
本發明的有益效果是采用本發明的制備工藝所制備的刻槽印刷 電極，具有較低的電極電阻及接觸電阻，與傳統采用的激光刻槽埋柵 電極相比，本發明的設備成本低，生產效率高，且適用于晶體硅太陽 電池工業化生產。
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。 圖1是本發明工藝路線圖。
具體實施例方式
現在結合附圖和優選實施例對本發明作進一步詳細的說明。這些 附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發明的基本結構，因此 其僅顯示與本發明有關的構成。
如圖1所示， 一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，包括以下步驟
1) 將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜
層；
2) 采用絲網印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區域的化學腐 蝕掩膜層；
3) 將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區域形成一 定深度的凹槽；
4) 擴散制作PN結后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。 本發明所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為80-120nm的熱
氧化二氧化硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。
本發明所述的步驟2)中去除電極柵線區域的掩膜層的步驟為
a) 將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上.；
b) 待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。
其中腐蝕性漿料為含15-20%氟化氫氨的刻蝕膏。 本發明所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25%，溫虔為
70°C,腐蝕時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。
以上述依據本發明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，
相關工作人員完全可以在不偏離本項發明技術思想的范圍內，進行多
樣的變更以及修改。本項發明的技術性范圍并不局限于說明書上的內
容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。
權利要求
1、一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特征在于包括以下步驟1)將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜層；2)采用絲網印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區域的化學腐蝕掩膜層；3)將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區域形成一定深度的凹槽。4)擴散制作PN結后進行氮化硅膜的制備，最后制備電極。
2、 如權利要求l所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特 征在于所述的步驟1)中化學腐蝕掩膜層為厚度為80-120nm的熱氧化二氧化 硅膜或厚度為60-80nm的氮化硅膜。
3、 如權利要求l所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特 征在于所述的步驟2)中去除電極柵線區域的掩膜層的步驟為a) 將腐蝕性漿料按正電極圖形印刷到帶有掩膜層的硅片上；b) 待腐蝕性漿料對掩膜層選擇性腐蝕后清洗去除剩余的腐蝕漿料。
4、 如權利要求l所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特 征在于所述的步驟2)中腐蝕性漿料為含15-20%氟化氫氨的刻蝕膏。
5、 如權利要求l所述的一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，其特 征在于所述的步驟3)中TMAH水溶液的腐蝕溶度為25%,溫度為70°C，腐蝕 時間為10-20min，刻槽深度為5-10um。
全文摘要
本發明涉及一種晶體硅太陽電池刻槽印刷電極制備工藝，包括以下步驟1)將硅片清洗制絨后在硅片表面制備一層致密的化學腐蝕掩膜層；2)采用絲網印刷腐蝕性漿料選擇性的去除電極柵線區域的化學腐蝕掩膜層；3)將硅片置于TMAH水溶液中進行腐蝕并在電極柵線區域形成凹槽。采用本發明的制備工藝所制備的刻槽印刷電極，具有較低的電極電阻及接觸電阻，與傳統采用的激光刻槽埋柵電極相比，本發明的設備成本低，生產效率高，且適用于晶體硅太陽電池工業化生產。
文檔編號H01L31/18GK101533870SQ20091002967
公開日2009年9月16日 申請日期2009年4月1日 優先權日2009年4月1日
發明者焦云峰, 強 黃 申請人:常州天合光能有限公司