半導體制造設備用的氣體供給裝置的制作方法

專利名稱：半導體制造設備用的氣體供給裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造設備用的氣體供給裝置，主要作為有機金屬氣相生長裝置 的氣體供給裝置而利用。
背景技術：
關于通過所謂的有機金屬氣相生長法(以下，稱為MOCVD法)而制造的薄膜層疊 構造的半導體，提高通過外延生長來層疊的各薄膜的界面的陡峭性在提高半導體質量的方 面成為必須的必要條件。即，為了提高各薄膜的界面的陡峭性，即使通過氣相生長反應用原 料氣體的切換操作來改變原料氣體的種類，向反應爐供給的氣體的總流量也不發生變化， 而且，有必要瞬間地進行原料氣體的切換。因此，首先，為了使反應爐內或配管內的氣體壓力在原料氣體切換時不發生變動， 有必要以高精度、高響應性控制氣體流量，為了與這些必要性相對應，一直以來，在基于 MOCVD法的半導體制造裝置中，大多使用如圖10所示的構成的氣體供給裝置。S卩，圖10顯示了現有技術的MOCVD法的氣體供給系的基本構成的一個示例，在圖 10中，L1是主氣體供給線，L2是排出氣體線，PC是反應爐(處理室)，VP是真空泵，MFC1, MFC2、MFC是質量流量控制器，P1 P4是壓力檢測器，Pis是壓力檢測信號，DP是差壓檢測器， Δ P是差壓檢測信號，VR1JR2是壓力調整器，Vtl V1 V2V3 V4 V是控制閥，ApA2是氣體供給機 構，B” B2是切換閥機構，OM是有機金屬液，GB是氣體瓶，C0 C5是運載氣體，CA、CB是原 料氣體。現在，將主氣體供給線L1的質量流量控制器MFC1和排出氣體供給線L2的質量流 量控制器MFC2的流量設定值分別設定為Qp Q2,并且，設定反應爐PC的壓力值等，使運載氣 體C, C02流向各條線Lp L2。另外，分別設定兩個原料氣體供給機構Ap A2工作，將原料氣 體CA和運載氣體C3的流量調整為相同值，并且，將原料氣體CB和運載氣體C5的流量調整 為相同值。而且，使閥切換機構B”B2工作，打開Vla和V2b，關閉Vlb和V2a，打開V3a和V4b，關 閉 V3b 和 V4a。結果，原料氣體CA+原料氣體CB+運載氣體Ctll (流量為MFC1的設定值Q1)的氣體 流動于主氣體供給線L1中，向反應爐PC供給。另外，運載氣體C5+運載氣體C3+運載氣體 C02 (總流量為MFC2的設定流量Q2)的運載氣體流向排出氣體供給線L2，通過真空泵VP而排氣。從該狀態開始，停止原料氣體CA的供給，在將原料氣體CD (省略圖示)從另一個 原料氣體供給機構A3(省略圖示)經由切換閥機構B3(省略圖示)而向主氣體供給線L1供 給，以代替原料氣體CA的供給的情況下(將原料氣體CA切換成原料氣體CD (省略圖示))， 首先，關閉閥Vla，打開閥Vlb，并且，關閉閥V2b，打開閥V2a。如果在該閥Vla、Vlb、V2b、V2a的切換操作時，在流過主氣體線L1的氣體和流過排出 氣體供給線L2的氣體之間產生壓力差，則隨后在新向主氣體線L1供給的原料氣體CD的流 量中發生過渡響應，由此，已形成的薄膜和新的由原料氣體CD形成的薄膜的界面的陡峭性引起下降。因此，為了使兩條線Lp L2之間的差壓Δ P為零，首先，由質量流量控制器MFCJf 流過排出氣體供給線L2的氣體流量設定為恒定值，接著，由差壓檢測器DP檢測兩條線L” L2之間的差壓Δ P，向壓力調整器VR2反饋該檢測值Δ P，通過調整排出氣體供給線L2的阻 力而使上述差壓ΔP為零。另外，作為另外的第2方法，如圖10的單點劃線所示，預先使壓力調整裝置VR2的 設定值恒定，向質量流量控制器MFC2反饋由差壓檢測器DP檢測的差壓Δ P，控制流過排出 氣體供給線L2的氣體流量，由此，也能夠使上述差壓ΔΡ為零。當然，在這種情況下，為了 將主氣體供給線L1內的氣體壓力保持恒定，如圖10的單點劃線所示，由壓力檢測器P1檢測 主氣體供給線L1內的壓力，向壓力調整器VR1反饋該檢測值Pls，調整主氣體供給線L1的阻 力，由此，使主氣體供給線L1的氣體壓力恒定。在上述的圖10所示的氣體供給裝置中，在原料氣體的切換時，兩條線LpL2之間的 差壓ΔΡ大致保持為零，結果，良好地保持了先形成的薄膜和由切換后的原料氣體新形成 的薄膜之間的所謂的界面的陡峭性，起到了得到高質量的半導體的優良效用。可是，在圖10的氣體供給裝置中還殘留著很多應該改善的問題點，其中尤其成為 問題的點是這樣的兩點(a)除了質量流量控制器MFC1和質量流量控制器MFC2以外，差壓 檢測器DP和用于安裝差壓檢測器DP的分支管、壓力調整器VRp VR2、反饋控制線FBL等成 為必要，因此，機器裝置復雜化，并且，需要大的空間以用于差壓檢測器DP的安裝，從而難 以謀求氣體供給裝置的小型化；以及(b)由于有必要根據差壓檢測值ΔΡ經由壓力調整器 VR2而調整排出氣體供給線L2的內壓，使差壓ΔP為零(或者，根據差壓檢測值ΔΡ經由壓 力調整器VR1而調整主氣體供給線L1的內壓，使差壓ΔΡ為零)，因而壓力控制的響應性低。專利文獻1 日本特開2005-223211號公報專利文獻2 日本特開平8-288226號公報

發明內容
本發明解決現有技術的具備主氣體供給線L1和排出氣體供給線L2的MOCVD用的 原料氣體供給系統的如上所述的問題，即這樣的問題(a)質量流量控制器MFCp MFC2和差 壓檢測器DP、壓力調整器VRp VR2、反饋控制線FBL等成為必要，難以謀求裝置構造的簡單化 和小型化；以及(b)壓力調整的響應性低，結果，原料切換時的薄膜界面的陡峭性下降，半 導體制品的質量下降等，發明的主要目的在于，提供一種氣體供給設備，該氣體供給設備通 過使用流量和壓力控制的響應性優良的壓力式流量控制裝置和壓力控制裝置以代替質量 流量控制器MFCpMFC2，從而得到薄膜的異質界面的陡峭性優良的層疊構造的高質量的半導 體。本案申請人以前開發了壓力式流量控制裝置(FCS)而作為代替熱量式質量流 量控制裝置(質量流量控制器MFC)的裝置，以該壓力式流量控制裝置作為日本特開平 8-338546號等而公開。該壓力式流量控制裝置基于這樣的情況在如后所述地流通于孔的 氣體流為所謂的臨界狀態下的流動的情況下，孔流通氣體流量Q由Q = KP1 (但是，K是常 數，P1是孔上游側壓力)表示，不受孔下游側壓力P2影響而與孔上游側壓力P1成比例，該壓 力式流量控制裝置具有這樣的特征能夠全部以電氣信號(電壓信號)來設定并表示流量的設定和流量輸出、孔上游側壓力P1以及孔下游側壓力P2等，而且，具備高的流量和壓力的控制響應性。本申請的發明者等構思，通過在基于MOCVD法的半導體制造裝置的氣體供給裝置中利用該壓力式流量控制裝置(FCS)所具有的優良的流量和壓力的控制響應特性，能夠得 到原料氣體切換時的薄膜界面的所謂的陡峭性，并且，以該構思為基礎而構成在MOCVD法 中使用的氣體供給裝置，對使用該氣體供給裝置切換供給原料氣體時的流量、壓力的控制 特性進行了許多試驗。本申請發明是以上述構思以及由適用上述構思的氣體供給設備進行的流量和壓 力控制試驗的結果為基礎而創作的，權利要求1的發明的基本構成在于，半導體制造設備 用的氣體供給裝置基于有機金屬氣相生長法，具備向反應爐供給原料氣體的主氣體供給線 和進行所述原料氣體的排氣的排出氣體供給線，在兩條氣體線的中間部配設多個氣體供給 機構而構成，在該氣體供給裝置中，在所述主氣體線的入口側設置壓力式流量控制裝置，一 邊由該壓力式流量控制裝置進行流量控制，一邊向主氣體線供給規定流量的運載氣體，并 且，在所述排出氣體供給線的入口側設置壓力控制裝置，一邊由該壓力控制裝置進行壓力 調整，一邊向排出氣體供給線供給規定壓力的運載氣體，對比在所述壓力式流量控制裝置 的孔下游側檢測的主氣體供給線的氣體壓力Pltl和排出氣體供給線的氣體壓力P2，由壓力 控制裝置調整排出氣體供給線的氣體壓力P2，從而使兩者的差為零。權利要求2的發明為，在權利要求1的發明中，設在主氣體供給線上的壓力式流量 控制裝置由設有閥驅動部的控制閥、設在控制閥的下游側的孔、設在孔的上游側和控制閥 之間的壓力檢測器P1、設在孔的下游側的壓力檢測器Pltl以及控制電路部構成，其中，該控 制電路部根據來自壓力檢測器P1的壓力信號計算流通于孔的氣體流量Q，并且，計算從外 部輸入的設定流量Qs和所述計算流量Q的差Y，向控制閥的驅動部輸入該差Y，向著所述差 Y成為零的方向對控制閥進行開閉控制，并且，設在所述排出氣體供給線上的壓力控制裝置 由設有閥驅動部的控制閥、設在控制閥的下游側的壓力檢測器P2以及控制電路部構成，其 中，該控制電路部被輸入所述壓力檢測器P2的檢測壓力信號和設在所述壓力式流量控制裝 置的孔下游側的壓力檢測器Pltl的檢測壓力信號，計算兩個檢測壓力信號的差，并且，向閥 驅動部輸入與該差相對應的信號X，向著所述差X成為零的方向對控制閥進行開閉控制，調 整排出氣體供給線的氣體壓力，從而使兩條線U、L2之間的壓力差為零。權利要求3的發明為，在權利要求1的發明中，設在主氣體供給線上的壓力式流量 控制裝置作為氣體流在臨界狀態下流通于孔的構成。權利要求4的發明為，在權利要求1的發明中，構成為，在任一氣體供給機構切換 操作供給氣體種類之前，向排出氣體供給線的壓力控制裝置的控制電路部輸入設在主氣體 供給線的壓力式流量控制裝置的孔下游側的壓力檢測器Pltl的檢測壓力信號，以兩條線Li、 L2之間的壓力差為零的方式進行調整。權利要求5的發明為，在權利要求1的發明中，在壓力控制裝置或壓力式流量控制 裝置的任一個，設置兩條線Lp L2之間的壓力差的顯示機構。在本發明申請中，由于構成為，利用壓力式流量控制裝置以及具有與其類似的構 成的壓力控制裝置來進行主氣體供給線L1的流量控制和排出氣體供給線L2的壓力控制，因 而能夠有效地活用壓力式流量控制裝置和壓力控制裝置所固有的高響應性并將兩條氣體供給線Lp L2之間的壓力差瞬時地調整并保持為零。結果，在所供給的原料氣體的切換時，在兩條線之間完全不產生壓力差，不發生新 供給的原料氣體的過渡流通現象，能夠防止所謂的薄膜界面的陡峭性的下降而得到高質量 的半導體制品。另外，能夠原封不動地使用壓力式流量控制裝置和壓力控制裝置本身所具備的壓 力檢測器和計算控制部，并且，完全沒有必要像現有技術那樣在兩條線Lp L2上設置壓力調 整器或反饋控制線FBL等，因而能夠謀求設備的小型 化和低成本化。


圖1是本發明的半導體制造用原料氣體供給裝置的整體系統圖。圖2是圖1的氣體供給裝置的差壓調整部的構成的詳細說明圖。圖3是工作確認用試驗裝置的整體系統圖。圖4是顯示本發明的原料氣體供給裝置的差壓調整試驗的結果的一個示例的圖表。圖5是顯示在圖4的試驗中排出氣體供給線L2的排氣量為4SLM的情況的、與圖4 相同的內容的圖表。圖6是顯示在圖4的試驗中排出氣體供給線L2的排氣量為5SLM的情況的、與圖4 相同的內容的圖表。圖7是顯示本發明的原料氣體供給裝置的差壓調整試驗的結果的另一個示例的 圖表。圖8是顯示主氣體供給線L1側的真空排氣泵VP1的排氣壓為IOOTorr的情況的、 與圖7的情況相同的內容的圖表。圖9是顯示主氣體供給線L1側的真空排氣泵VP1的排氣壓為75Τοπ·的情況的、與 圖7的情況相同的內容的圖表。圖10是顯示現有技術的使用質量流量控制器的基于MOCVD法的半導體制造用氣 體供給裝置的一個示例的整體系統圖。符號說明L1是主氣體供給線，L2是排出氣體供給線，PC是反應爐(處理室)，VP是真空泵， MFC1是主氣體供給線的質量流量控制器，MFC2是排出氣體供給線的質量流量控制器，Q1和 Q2是質量流量控制器MFC1和MFC2的流量設定值，MFC是質量流量控制器，P1 P4是壓力檢 測器以及各自的檢測信號，DP是差壓檢測器，Δ P是差壓檢測器DP的檢測信號，VR1 VR4 是壓力調整器，V0 V4是切換閥，A1和A2是氣體供給機構，B1和B2是切換閥機構，OM是有 機金屬液(原料氣體)，GB是原料氣體瓶，C01和Ctl2是向各條線L1和L2供給的運載氣體， C1 C5是運載氣體，CA和CB是原料氣體，L1是主氣體供給線，L2是排出氣體供給線，FBL 是反饋控制線，FCS-N是壓力式流量控制裝置，FCS-RV是壓力控制裝置，Ps是來自外部的設 定壓力，Qs是來自外部的設定輸入，P。是向外部輸出的壓力輸出信號，Qtl是向外部輸出的流 量輸出信號，D1和D2是閥驅動裝置，VC1和VC2是控制閥，OL是孔，P1是主氣體供給線L1的 孔上游側的氣體壓力，Pltl是主氣體供給線L1的孔下游側的氣體壓力，P2是排出氣體供給線 L2的氣體壓力，10、11是控制電路部，12是運載氣體供給源，RG是壓力調整器，PT是壓力計，NV1和NV2是壓力調整閥。
具體實施例方式以下，基于附圖，說明本發明的實施方式。圖1顯示本發明的半導體制造設備用的氣體供給裝置的實施方式，在圖1中， FCS-N是壓力式流量控制裝置，FCS-RV是壓力控制裝置，A1是有機金屬的原料氣體供給機 構，A2是另一個原料氣體供給機構，L1是主氣體供給線 ，L2是排出氣體供給線，其他各構成 部件與上述圖10所示的現有技術的氣體供給裝置的情況相同，因而在此省略其說明。S卩，在本發明中，不同點僅在于，去除現有技術的氣體供給設備的質量流量控制器 MFC1, MFC2和差壓檢測器Δ P、壓力調整器VRp VR2、差壓信號Δ P的反饋控制線FBL以及壓 力檢測信號Pls的反饋控制線FBL等，分別利用壓力式流量控制裝置FCS-N和壓力控制裝置 FCS-RV，以代替上述部件。圖2顯示圖1的壓力式流量控制裝置FCS-N、壓力控制裝置FCS-RV的具體的構成， 壓力式流量控制裝置FCS-N由控制閥VC1、閥驅動部D1、孔0L、孔上游側的壓力檢測器P1、孔 下游側的壓力檢測器Piq以及控制電路部10等構成。另外，壓力控制裝置FCS-RV由控制閥 CV2、閥驅動部D2、控制閥下游側的壓力檢測器P2以及控制電路部11等形成。在壓力式流量控制裝置FCS-N中，在控制電路部10計算出流通于孔OL的流量Q 以作為Q = KP1 (但是，K是由孔OL等決定的常數，P1是壓力檢測器P1的檢測壓力)，并且， 由控制電路部10對比從外部輸入的設定流量Qs和上述計算值Q，向閥驅動部D1供給控制 信號Y，對控制閥VC1進行開度控制，從而使差Y = Qs-Q為零。另外，在壓力控制裝置(FCS-RV)中也相同，在控制電路部11比較主氣體供給線L1 的壓力檢測器Pltl的檢測值P1O和排出氣體供給線L2的檢測器P2的檢測值Ρ2，向控制閥VC2 的驅動部D2發送控制信號X，進行控制閥VC2的開度控制，從而使兩者的差X = P10-P2為零。此外，還能夠向壓力控制裝置FCS-RV輸入外部設定壓力Ps，在這種情況下，對控制 閥VC2進行開度控制，從而使Ps-P2為零。另外，在將設定壓力Ps設定為與Pltl不同的值的情 況下，截斷來自上述壓力檢測器Pltl的輸入Ρ1(ι。依照本發明的原料氣體供給裝置，通過將主氣體供給線L1的流量Q1設定為規定的 流量值，從而通過線L1而以必要的恒定壓力Pltl向反應器PC供給流量Q1的原料氣體。另一方面，在排出氣體供給線L2的方面，排出氣體經由排出氣體供給線L2而以規 定的壓力P2流通，通過向控制電路部11輸入主氣體供給線L1的壓力檢測值Pltl，從而通過 控制閥VC2的開閉控制而以自動地成為Pltl-P2 = 0的方式瞬時地調整排出氣體供給線L2的 壓力Ρ2。即，以瞬時地為零的方式調整兩條線Lp L2之間的壓力差。此外，當然，通過截斷主氣體供給線的檢測壓力Pltl的輸入，能夠將排出氣體供給 線L2的壓力P2自動控制成外部設定壓力Ps，但通常，通過向排出氣體供給線L2的控制電路 部11輸入主氣體供給線L1的壓力檢測值Pltl，從而在將兩條線Lp L2之間的壓力差保持為 零的狀態下進行原料氣體供給裝置的運轉。另外，在本發明中所使用的壓力式流量控制裝置FCS-N和壓力控制裝置FCS-RV的 響應特性極其優良，如從后述的實驗結果明顯看出的，在原料氣體的切換時，即使在使切換 閥機構B工作的情況下，幾乎也不產生兩條線LpL2之間的壓力差，S卩，以更高的響應性將兩條線Lp L2之間的壓力差調整為零。圖3是在本發明的原料氣體供給裝置的原料氣體切換時的兩條線Lp L2的壓力差的發生狀況的確認中使用的差壓調整機構的試驗裝置的整體系統圖。在圖3中，12是運載氣體源(N2)，RG是壓力調整器，PT是壓力計(250KPas)，控制 閥CV1和控制閥CV2的閥座直徑是6 mm(p，主氣體供給線L1和排出氣體供給線L2的下游側 容積是約38CC，NV1, NV2是壓力調整閥，VP1, VP2是真空排氣泵。此外，真空排氣泵VP1在流量Q = 4SLM(換算成H2)時，能夠將排氣壓調整為 75Torr、IOOTorr以及125Torr，另外，真空排氣泵VP2,使用在壓力為IOOTorr時能夠將排氣 流量調整為3SLM、4SLM以及5SLM的真空排氣泵。而且，壓力式流量控制裝置FCS-N的流量設定輸入為0SLM、3SLM、4SLM、5SLM以及 IOSLM (換算成 H2)。(實驗結果1)首先，使主氣體供給線L1的壓力調整閥NV1 —定，將壓力式流量控制裝置FCS-N設 定為4SLH，使真空排氣泵VP1的排氣壓為lOOTorr。另外，調整排出氣體供給線L2的壓力調 整閥NV2，將壓力控制裝置FCS-RV設定為lOOTorr，使真空排氣泵VP2的排氣流量為3SLM(H2 換算)。從該狀態開始，測量按照0 — 3 — 4 — 5 — 10SLM的順序切換主氣體供給線L1的 流量設定值Qs時的壓力式流量控制裝置FCS-N的設定流量Qs和流量輸出Q的變化(曲線 F)、流量測量器MFM的流量輸出Qtl (曲線G)、壓力控制裝置FCS-RV的壓力輸出P2 (曲線H) 以及兩條線L1和L2之間的壓力差ΔΡ = P10-P2(曲線I)。圖4圖示了上述結果，判定差壓 Δ P幾乎為零。此外，圖4的1個刻度是500ms。另外，曲線F和曲線H顯示兩種數據大致 重疊。圖5顯示使排出氣體供給線L2的真空排氣泵VP2的排氣量為3SLM(H2換算)的情 況的與圖4相同的條件下的試驗結果，另外，圖6顯示使真空排氣泵VP2的排氣量為5SLM的 情況的與圖4相同的條件下的試驗結果。(實驗結果2)接著，調整壓力調整閥NV1,將壓力式流量控制裝置FCS-N設定為4SLM(換算成 H2)，使真空排氣泵VP1的排氣壓為75ΤΟΠ·。另外，使排出氣體供給線L2的壓力調整閥NV2 — 定，將壓力控制器FCS-RV設定為lOOTorr，使真空排氣泵VP2的排氣量為4SLM(H2換算)。圖7顯示了從該狀態開始，與實驗1的情況相同，按照0SLM、3SLM、4SLM、5SLM以及 10SLM的順序切換變化主氣體供給線L1的流量設定值Qs的情況的與上述實驗1的情況相 同的各部分的變化狀況。另外，圖8和圖9圖示了在圖7中使主氣體供給線L1側的真空排氣泵VP1的排氣 壓變化成IOOTorr和125Torr的情況的與圖7相同的各值。如從圖7至圖9明顯看出的，判定即使在主氣體供給線L1側的真空排氣側的壓力 值改變的情況下，氣體流量的切換時的兩條線L1和L2之間的差壓ΔΡ也大致保持為零。產業上的實用性本發明不僅適用于基于MOCVD法或MOVPE法等的半導體制造設備，還能夠廣泛地 適用于將配置成并列狀的多個氣體配管路之間的氣體壓力差調整并保持為零的裝置。
權利要求
一種半導體制造設備用的氣體供給裝置，基于有機金屬氣相生長法，具備向反應爐供給原料氣體的主氣體供給線和進行所述原料的排氣的排出氣體供給線，并在兩條氣體線的中間部配設多個氣體供給機構而構成，在該氣體供給裝置中，構成為，在所述主氣體線的入口側設置壓力式流量控制裝置，一邊由該壓力式流量控制裝置進行流量控制，一邊向主氣體線供給規定流量的運載氣體，并且，在所述排出氣體供給線的入口側設置壓力控制裝置，一邊由該壓力控制裝置進行壓力調整，一邊向排出氣體供給線供給規定壓力的運載氣體，對比在所述壓力式流量控制裝置的孔下游側檢測的主氣體供給線的氣體壓力(P10)和排出氣體供給線的氣體壓力(P2)，由壓力控制裝置調整排出氣體供給線的氣體壓力(P2)，從而使兩者的差為零。
2.根據權利要求1所述的半導體制造設備用的氣體供給裝置，其特征在于，設在主氣 體供給線上的壓力式流量控制裝置由設有閥驅動部的控制閥、設在控制閥的下游側的孔、 設在孔的上游側和控制閥之間的壓力檢測器汜)、設在孔的下游側的壓力檢測器(Pltl)以 及控制電路部構成，其中，該控制電路部根據來自壓力檢測器(P1)的壓力信號而計算流通 于孔的氣體流量(Q)，并且，計算從外部輸入的設定流量(Qs)和所述計算流量(Q)的差(Y)， 向控制閥的驅動部輸入該差(Y)，向著所述差(Y)成為零的方向對控制閥進行開閉控制，設在所述排出氣體供給線上的壓力控制裝置由設有閥驅動部的控制閥、設在控制閥的 下游側的壓力檢測器(P2)以及控制電路部構成，其中，該控制電路部被輸入所述壓力檢測 器(P2)的檢測壓力信號和設在所述壓力式流量控制裝置的孔下游側的壓力檢測器(Pltl) 的檢測壓力信號，計算兩個檢測壓力信號的差，并且，向閥驅動部輸入與該差相對應的信號 (X)，向著所述差(X)成為零的方向對控制閥進行開閉控制，調整排出氣體供給線的氣體壓力，從而使兩條線(LpL2)之間的壓力差(X)為零。
3.根據權利要求1所述的半導體制造設備用的氣體供給裝置，其特征在于，設在主氣 體供給線上的壓力式流量控制裝置作為氣體流在臨界狀態下流通于孔的構成。
4.根據權利要求1所述的半導體制造設備用的氣體供給裝置，其特征在于，構成為，在 任一氣體供給機構切換操作供給氣體種類之前，向排出氣體供給線的壓力控制裝置的控制 電路部輸入設在主氣體供給線的壓力式流量控制裝置的孔下游側的壓力檢測器(Pltl)的檢 測壓力信號，以兩條線(LpL2)之間的壓力差為零的方式進行調整。
5.一種半導體制造設備用的氣體供給裝置，其特征在于，在壓力控制裝置或壓力式流 量控制裝置的任一個，設置兩條線(LpL2)之間的壓力差的顯示機構。
全文摘要
本發明涉及一種半導體制造設備用的氣體供給裝置，其基于有機金屬氣相生長法，具備向反應爐供給原料氣體的主氣體供給線和進行所述原料的排氣的排出氣體供給線，在兩條氣體線的中間部配設多個氣體供給機構而構成，在該氣體供給裝置中，對比在壓力式流量控制裝置的孔下游側檢測的主氣體供給線的氣體(P10)和排出氣體供給線的壓力(P2)，由所述排出氣體供給線的入口側的壓力控制裝置進行壓力調整，從而在原料氣體的供給切換時使主氣體供給線和排出氣體供給線之間的兩者的壓力差為零。
文檔編號H01L21/285GK101809712SQ20088010947
公開日2010年8月18日 申請日期2008年7月17日 優先權日2007年9月25日
發明者土肥亮介, 平田薰, 杉田勝幸, 永瀨正明, 池田信一, 西野功二 申請人:株式會社富士金