專利名稱：用于制造發(fā)光二極管芯片的方法和發(fā)光二極管芯片的制作方法
用于制it^C光二極管芯片的方法和發(fā)光二極管芯片
本發(fā)明涉及一種用于制造至少一個(gè)發(fā)光二歐管芯片的方法，該發(fā)光二 極管芯片設(shè)置有發(fā)光轉(zhuǎn)換材料，該發(fā)光轉(zhuǎn)換材料具有至少一種熒光材料。
本發(fā)明的另 一主^A這種發(fā)光二極管芯片本身。
本專利申請要求德國專利申請102007014374.7和102007018837.6的 優(yōu)先權(quán)，它們的公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
熒光材料能夠通過發(fā)光二極管芯片所發(fā)射的初級電磁輻射來激發(fā)而發(fā) 射次級輻射，其中初級輻射和次級輻射具有不同的波長范圍。該器件的所希設(shè)置。
在US 2005/0244993 Al中公開了 一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中發(fā)光轉(zhuǎn)換元件直接施加到半導(dǎo)體本體上。這樣的優(yōu)點(diǎn)是，熒光材料可 以被均勻地并且以大致限定的量施加到半導(dǎo)體本體上。通過這種方式，可 以實(shí)現(xiàn)發(fā)光的半導(dǎo)體芯片的均勻的色彩印象。
在該方法中，半導(dǎo)體本體安裝在支承體上，設(shè)置有電接觸部并且涂敷 以發(fā)光轉(zhuǎn)換元件。該涂敷借助合適的懸浮液來進(jìn)行，該懸浮液具有溶劑， 該溶劑在涂^Ml后被去除?？商孢x地，半導(dǎo)體本體涂敷以增附劑，隨后在 該增附劑上施加熒光材料。
本發(fā)明的任務(wù)是，提供一種用于制itiL光二極管芯片的方法，該發(fā)光 二極管芯片設(shè)置有發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。該方法特別M當(dāng)能夠以技術(shù)上低的開 銷并且成本低廉地實(shí)施，并且提供在發(fā)光轉(zhuǎn)換材料的構(gòu)造方面改進(jìn)的可能 性。此外，應(yīng)當(dāng)提出一種相應(yīng)的發(fā)光二極管芯片。
該任務(wù)通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的方法或者發(fā)光二極管芯片來解決。該 方法的其他的實(shí)施形式或改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題.
提出了一種方法，其中提供了基本體，該基本體具有用于要制造的發(fā) 光二極管芯片的層序列，該層序列適于發(fā)射電磁輻射。在基本體的至少一 個(gè)主面上施加有蓋層。至少一個(gè)凹處被引入該蓋層中。至少一種熒光材料 被施加到蓋層上，這特別是可以在構(gòu)建凹處之前或者之后進(jìn)行。
在該方法的一個(gè)擴(kuò)展方案中i殳計(jì)了 ，構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料的至少一部分和蓋層之間的附著。根據(jù)一種合乎目的的實(shí)施形式，存在熒光材料顆粒形式的熒光材料。通過引入至少一個(gè)凹處將蓋層結(jié)構(gòu)化。通過這種方式，特別可能的是， 將蓋層的一部分選擇性地去除。優(yōu)選在引入至少一個(gè)凹處之后將熒光材料 施加到蓋層上。然而可替選地，原則上也可能的是，將帶有所施加的熒光 材料的蓋層結(jié)構(gòu)化，也就是說在施加熒光材料之后構(gòu)建至少一個(gè)凹處。通 過引入凹處例如可能暴露可能存在于芯片的主面上的電接觸面，或者將主 面其他區(qū)域有目的地去除蓋層。有利的是，蓋層適于構(gòu)建與熒光材料的至少一部分的附著，使得保持 蓋層的熒光材料。如果基于蓋層的性質(zhì)借助施加熒光材料已經(jīng)構(gòu)建了熒光 材料的至少一部分與蓋層之間的附著，則隨后增強(qiáng)該附著。為了構(gòu)建或者 增強(qiáng)蓋層和熒光材料之間的附著，根據(jù)該方法的一個(gè)實(shí)施形式將能量輸送 給蓋層。 一種擴(kuò)展方案設(shè)計(jì)了熱能的輸送。根據(jù)該方法的一個(gè)實(shí)施形式，蓋層可以光致結(jié)構(gòu)化，也就^1說，蓋層 以光敏材料的形式來施加，該材料由于選擇性的曝光而能夠被有目的地結(jié) 構(gòu)化。蓋層可以被正性地或者負(fù)性地光致結(jié)構(gòu)化，也就是說對蓋層的一部 分適當(dāng)?shù)淖墓饪梢跃哂械男Ч?，所爆光的部分適于被選擇性地去除，或 者在去除未被膝光的部分時(shí)被瀑光的部分基本上保持存在。在可光致結(jié)構(gòu)化的蓋層的情況下，合乎目的地借助光致結(jié)構(gòu)化來將所 述至少一個(gè)凹處引入蓋層。通過這種方式，蓋層可以有利地被直接結(jié)構(gòu)化， 使得能夠以小的技術(shù)開銷來引入凹處。通過蓋層的直接的可結(jié)構(gòu)化性，當(dāng) 熒光材料通過蓋層來保持時(shí)，此外也以技術(shù)上簡單的方式將發(fā)光轉(zhuǎn)換材料 間接地結(jié)構(gòu)化。熒光材料(對其并未構(gòu)建或者并未構(gòu)*^夠強(qiáng)的與蓋層的 附著)1^被有利地去除。根據(jù)另一實(shí)施形式，蓋層以液體的、可硬化的材料形式來施加并且在 施加熒光材料之后硬化。在該情況中，構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料和蓋層之間 的附著優(yōu)選包括硬化。根據(jù)另一有利的實(shí)施形式，蓋層的硬化在引入凹處之后進(jìn)行。然而可 替選地，原則上也可能的是在引入凹處之前已經(jīng)將蓋層硬化。根據(jù)另一合乎目的的實(shí)施形式，熒光材料被朝向蓋層擠壓。這可以用 于構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料和蓋層之間的附著。該擠壓可以在施加熒光材料 之后進(jìn)行。可替選地，例如也可能的是，施加熒光材料包括將該熒光材料朝向蓋層擠壓。在該方法的另 一實(shí)施形式中，針對多個(gè)發(fā)光二統(tǒng)管芯片而設(shè)置了要提 供的基本體。優(yōu)選的是，基本體是晶片或者支承體，在其上施加有發(fā)光二 極管芯片的層序列或者多個(gè)這種層序列。措辭"晶片"不但包括完整的片， 而且也包括部分片，例如晶片的折斷片。該方法由此可以有利地與半導(dǎo)體 工藝如晶片工藝兼容地進(jìn)行。特別地，其可以集成到全晶工藝(Full誦Wafer-Prozess)中。該方法的另一實(shí)施形式設(shè)計(jì)了借助旋涂來施加蓋層。旋涂在該技術(shù)領(lǐng) 域中也被稱為"離心涂布"或者"旋轉(zhuǎn)涂布"。通過這種方式，能夠以技 術(shù)上簡單的方式來構(gòu)建薄的、均勻的并且大面積的蓋層。根據(jù)另一實(shí)施形式，蓋層具有至少一個(gè)選自旋涂玻璃、苯并環(huán)丁烯 (Benzocyclobuten)和聚酰亞胺(Polyimid)的要素。旋涂玻璃部分地也 稱為旋涂氧化物。通過具有至少一個(gè)這種要素的材料，可以將蓋層構(gòu)建為 基本上耐抗紫外輻射并且可以良好地處理和結(jié)構(gòu)化。通過使用這種材料也 可能省去硅樹脂。硅樹脂通常難以處理和結(jié)構(gòu)化。此外，溶劑會被除氣并 且在半導(dǎo)體制造中形成交叉污染的危險(xiǎn)。然而可替選地也可能的是，附加地使用珪樹脂。原則上，根據(jù)另一實(shí) 施形式附加地或者可替選地設(shè)計(jì)了 蓋層具有至少一個(gè)選自珪樹脂和硅氧 烷的要素。根據(jù)另一實(shí)施形式，將另外的蓋層施加到熒光材料上。在一個(gè)擴(kuò)展方 案中，該另外的蓋層可光致結(jié)構(gòu)化地構(gòu)建。有利的是，至少一種熒光材料 同樣施加到另一蓋層上。附加地或者可替選地，將至少一種另外的熒光材 料施加到所述另外的蓋層上。根據(jù)一個(gè)有利的實(shí)施形式，蓋層的施加和熒光材料的施加多次地以交 替的順序來進(jìn)行。通過這種方式，可以將熒光材料受控地以所希望的量和 /或組分以及以所希望的均勻性來施加。才艮據(jù)另一實(shí)施形式，蓋層以大于lnm并且小于或等于40fim的最大 厚度來構(gòu)建。這樣薄的蓋層結(jié)合熒光材料具有的優(yōu)點(diǎn)是，與較厚的層相比 它們具有對于要發(fā)射的輻射較小的負(fù)面作用。負(fù)面作用例如可以;L^射輻 射、特別是全反射或者吸收輻射。特別地，通過薄的蓋層可以降低如下危 險(xiǎn)蓋層用作要發(fā)射的輻射的波導(dǎo)并且由此阻止了輻射在耦合輸出中的重 要部分。根據(jù)另一實(shí)施形式，熒光材料以具有小于或等于20nm的中位直徑 d50的熒光材料顆粒的形式而存在。附加地或者可替選地，熒光材料顆粒 具有大于或等于2jrni的中位直徑d5。。中位直徑分別借助累積數(shù)量分布 Qo或者借助累積體積、分布(Volumenverteilungssumme)或累積、質(zhì)量分布 (Masseverteilungssumme) Q3來確定。借助Q。來確定;4優(yōu)選的。
提出了一種發(fā)光二極管芯片，其通過根據(jù)所述實(shí)施形式之一的方法來 制造。
所述方法和發(fā)光二極管芯片的其他優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選的實(shí)施形式和改進(jìn)方案 從下面結(jié)合附圖所闡述的實(shí)施例中得到。其中
圖1至6示出了在根據(jù)第一實(shí)施例的方法的不同方法階段期間"體 的示意性截面圖，
圖7和8示出了在根據(jù)第二實(shí)施例的方法的不同方法階段期間基本體 的示意性截面圖，以及
圖9和10示出了在根據(jù)第三實(shí)施例的方法的不同方法階段期間基本 體的示意性截面圖。
在實(shí)施例和附圖中，相同或者作用相同的組成部分分別設(shè)置有相同的 附圖標(biāo)記。所示的組成部分以及組成部分彼此之間的大小關(guān)系并不能視為 合乎比例的。確切地說，附圖的一些細(xì)節(jié)為了更好的理解而被夸大地示出。
在圖1中示出了基本體4。其適于在施加電流時(shí)發(fā)射電磁輻射。該基 本體例如具有支承體和施加在支承體上的薄膜層(未示出)。
薄膜層例如基于氮化物—化合物半導(dǎo)體材料，并且具有至少一個(gè)有源 區(qū)，該有源區(qū)適于發(fā)射電磁輻射。電磁輻射例如具有藍(lán)色和/或紫外光鐠 范圍中的波長。
氮化物-化合物半導(dǎo)體材料是如下的化合物半導(dǎo)體材料其包含氮， 如源自InxAlyGaLx-yN體系的材料，其中0《x《1, 0<y< 1并且x+y< 1。 薄膜層例如具有氮化物—化合物半導(dǎo)體材料構(gòu)成的至少一個(gè)半導(dǎo)體層。
在基本體4的有源區(qū)中例如可以包含傳統(tǒng)的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單 量子阱結(jié)構(gòu)(SQW結(jié)構(gòu))或者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))。這些結(jié)構(gòu)對 于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，因此在此不詳細(xì)闡述。這種MQW結(jié)構(gòu)的 例子在出版物US 5,831,277和US 5,684,309中進(jìn)行了描述，其公開內(nèi)M 過引用結(jié)合于此。蓋層21被施加到基本體4的主面41上，參見圖2。蓋層21例如由 可光致結(jié)構(gòu)化的材料構(gòu)成或者具有這種材料，使得其能夠被光致結(jié)構(gòu)化。 該材料以液體狀態(tài)來提供，例如作為溶液或者乳狀液，并且可硬化。蓋層 例如借助旋涂方法在平坦的層中來施加。蓋層21的最大厚度例如為 30fim。
隨后構(gòu)建蓋層中的凹處31、 32(參見圖3)，這例如借助將蓋層光致 結(jié)構(gòu)化來進(jìn)行。原則上，也可能的是僅僅構(gòu)建唯一的凹處。為了構(gòu)建凹處， 將可光致結(jié)構(gòu)化的材料的要去除的部分進(jìn)行膝光。當(dāng)然也可能的是，可替 選地4吏用一種可光致結(jié)構(gòu)化的材料，其中在光致結(jié)構(gòu)化中對不要去除的部 分進(jìn)行啄光。原則上也可以將不同的可光致結(jié)構(gòu)化的材料彼此組合。蓋層 21例如在其中設(shè)置了凹處31、 32的區(qū)域中借助掩模和合適波長的電磁輻 射來膝光。
在另一方法步驟中，被膝光的蓋層21借助適于可光致結(jié)構(gòu)化的材料 的媒質(zhì)來顯影。蓋層21的被啄光的部分被去除，使得構(gòu)建凹處31、 32， 參見圖3。
基本體4例如是用于多個(gè)發(fā)光二統(tǒng)管芯片的晶片。該晶片例如可以具 有外延襯底或者也可以沒有外延襯底。例如，基本體的薄膜層可以不設(shè)置 在外延襯底上而是設(shè)置在分離的支M底上。薄膜層不必一件式地構(gòu)建， 而是可以以用于多個(gè)發(fā)光二極管芯片的多個(gè)分離的部分的形式來施加在 支承體上。
薄膜層例如在主面41上針對每個(gè)發(fā)光二極管芯片都具有電接觸面 (未示出)。第一凹處31例如針對M制造的發(fā)光二極管芯片被構(gòu)建成這 種電接觸面的區(qū)域，以便該接觸面收暴露。第二凹處32例如被構(gòu)建在分 離區(qū)域中，在結(jié)束所述方法之后基本體沿著這些分離區(qū)域被分割為多個(gè)發(fā) 光二極管芯片。第二凹處32例如沿著鋸割線路來構(gòu)建，使得至少部分地 暴露鋸割線路。
用于蓋層21的可光致結(jié)構(gòu)化的材料例如以液體狀態(tài)來施加并且也在 液體狀態(tài)中結(jié)構(gòu)化，使得在構(gòu)建凹處31、 32之后蓋層21還是液體。在該 上下文中，特別是粘稠狀態(tài)也屬于措辭"液體"的范圍。
蓋層4例如由可光致結(jié)構(gòu)化的旋涂玻璃來構(gòu)成。該旋涂玻璃例如基于 硅倍半氧烷(Silsesquioxan)并且具有聚硅氧烷鏈作為基本單元。其例如 可以借助紫外輻射或者可見光來交聯(lián)。這種可光致結(jié)構(gòu)化的旋涂玻璃是市面上獲得的。它們以液體狀態(tài)施加并且可以借助能量輸送、例如借助熱輸 送來硬化。
可替選地，針對蓋層例如可以使用可光致結(jié)構(gòu)化的苯并環(huán)丁烯
(BCB)，例如基于苯并環(huán)丁烯雙聯(lián)體(Bisbenzocyclobuten)。這種材料 也是市面上可獲得的。它們同樣能夠以液體狀態(tài)來施加并且光致結(jié)構(gòu)化， 并且可以借助能量輸送、例如熱輸送來硬化。這種材料例如由Dow Chemical公司銷售。
作為另外的可替選方案，對于蓋層可以使用可光致結(jié)構(gòu)化的聚酰亞胺 作為材料，這種材料也是市面上可獲得的，能夠以液體狀態(tài)來施加并且結(jié)
構(gòu)化，并且可以借助能量輸送^M1化。
原則上也可能的是，針對蓋層^吏用可光致結(jié)構(gòu)化的硅樹脂。這種材料 也是市面上可獲得的、能夠以液體狀態(tài)iMfe加并且可結(jié)構(gòu)化以及可借助熱
輸送來硬化。合適的材料例如由Silecs公司或者Dow Corning公司銷售。 為了構(gòu)建所述至少一個(gè)凹處31、 32，借助合適波長范圍的電磁輻射
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來顯影。因?yàn)閗適的材料在市面上可獲得，所以對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而 言也知道分別適于顯影的媒質(zhì)，于是在此不再詳細(xì)討論。
隨后，將至少一個(gè)熒光材料22以熒光材料顆粒的形式施加到蓋層21 上。熒光材料22例如祐^鋪開，使得其以層的方式至少部分地覆蓋蓋層21， 參見圖4。熒光材料顆?？梢砸云┤缫粚踊蛘哂绕涫且远鄠€(gè)彼此疊置的層 的方式層狀地施加，例如借助一次或者多次的'減射(Aufstaeubens )來施 加。
隨后，熒光材料22例如被朝向蓋層21擠壓。這例如借助圖5中示出 的滾筒5來進(jìn)行。通過這種方式，熒光材料22的熒光材料顆粒至少部分 地被擠壓到蓋層21中。然而根據(jù)一個(gè)實(shí)施形式，被向內(nèi)擠壓的熒光材料 顆粒的至少一部分具有背離蓋層21的部分面，即熒光材料顆粒的至少一 部分并未被蓋層21包圍。也可能的是，基本上沒有熒光材料顆粒被蓋層 21包圍。附加地或者可替選地，該擠壓例如也可以通過按壓基本上平坦 的^P壓面來進(jìn)行。
隨后將蓋層21硬化，由此可以增強(qiáng)或者構(gòu)建熒光材料22的焚光材料 顆粒和蓋層21之間的附著，該硬化例如借助加熱來進(jìn)行。根據(jù)針對蓋層 所使用的材料，在例如150"C到400X:之間的范圍中的溫座jl合適的。如4吏用旋涂玻璃，其在2001C的情況下加熱并且由此^L硬化。才艮據(jù)加熱的
持續(xù)時(shí)間，蓋層由此可以被完全硬化，使得其不再是液態(tài)的。然而可替選
地也可能的是，^fsi僅將蓋層部分地硬化。
熒光材料22的熒光材料顆粒例如具有大約15jim的中位直徑d5。，其中ds。例如借助累積數(shù)量分布Q。來確定?？商孢x地，熒光材料顆粒具有大約lOjtm的中位直徑d5(),其中ds。借助累積體積分布或累積質(zhì)量分布Q3來確定。
原則上，所有對于LED的情況中的應(yīng)用已知的熒光材料都適合于應(yīng)用在所述方法中。對于這種適于作為轉(zhuǎn)換器的熒光材料和熒光材料混合物的例子是
-氯硅酸鹽，例如在DE 10036940以及那里所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的那樣，
-正珪酸鹽、硫化物、硫代金屬(Thiometalle)以及釩酸鹽，例如在WO2000/33390以及那里所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的那樣，
-鋁酸鹽、氧化物、卣化磷酸鹽，例如在US 6,616,862以及那里所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的那樣，
一氮化物、Sione和Sialone,例如在DE10147040以及那里所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的那樣，以及
-稀土的石榴石如YAG:Ce以;SL喊土金屬元素，例如在US 2004-062699以及那里所描述的現(xiàn)有技術(shù)中所公開的那樣。
在硬化之后，并未與蓋層21形成附著或者并未與之形成足夠強(qiáng)的附著的熒光材料22的熒光材料顆粒被去除。熒光材料顆粒的去除例如借助氣體束或者液體束來進(jìn)行，例如借助空氣束或者7jC束來進(jìn)行。通過這種方式，凹處31、 32基本上沒有熒光材料，參見圖6。蓋層21和熒光材料22形成了發(fā)光轉(zhuǎn)換材料2。
隨后，基本體4例如可以沿著第二凹處32分割為多個(gè)發(fā)光二極管芯片1。這例如借助鋸割來進(jìn)行。在圖6中借助虛線表明了在垂直方向上的鋸割線路的可能路線或者其他的分離路線。在該方法中，原則上也可以省去分離線路的凹槽32。
當(dāng)在將蓋層21硬化之前施加熒光材料22的熒光材料顆粒時(shí)，這些熒光材料顆粒不僅僅保留在蓋層21的背離基本體4的側(cè)上，而且原則上也
10附著在蓋層21的側(cè)面上，參見圖6。蓋層21的側(cè)面例如J^上垂直于蓋層21的主延/f申面來延伸。
圖7中示出的第二實(shí)施例的方法階影寸應(yīng)于圖5或者6中示出的第一實(shí)施例的方法階段。熒光材料22的顆粒在構(gòu)建所述至少一個(gè)凹處31、 32之前施加到蓋層21上。
隨后，借助蓋層的光致結(jié)構(gòu)化來構(gòu)建凹處31、 32，參見圖8。光致結(jié)構(gòu)化例如可以在蓋層21硬化之后進(jìn)行?？商孢x地也可能的是，在硬化之前將蓋層21連同施加于其上的熒光材料一同結(jié)構(gòu)化。因?yàn)樗鲋辽僖粋€(gè)凹處31、 32在施加熒光材料22之后才被構(gòu)建，所以熒光材料22的顆?；旧蟽H僅設(shè)置在基本體4的背離蓋層的側(cè)上。蓋層21和熒光材料22形成發(fā)光轉(zhuǎn)換材料2。
在所有實(shí)施例中也可能的是，熒光材料22的顆粒至少部分地接觸基本體。例如當(dāng)熒光材料顆粒的中位直徑ds。大于蓋層21的最大厚度時(shí)，情
1^， M體可以被分割為多個(gè)發(fā)光二極管芯片1，類似于第一實(shí)施例。
在圖9和10中示出了第三實(shí)施例。其中將另外的蓋層21施加到熒光材料顆粒22上。附加地，可以將另一熒光材料層22施加到所述另外的蓋層21上。所述另外的熒光材料層22例如可以具有與第一熒光材料層相同的熒光材料。然而也可能的是，所述另外的熒光材料層22附加地或者可替選地具有其他熒光材料，例如具有其他發(fā)射光鐠或者其他^JL光譜的熒光材料。
替代圖9和10中示出的實(shí)施例，也可以多于兩次地以交替的順序來進(jìn)行蓋層21的施加以及在蓋層21上的熒光材料22的施加。例如，這些方法步驟可以交替地進(jìn)行三次或者更多次。通過這種方式，可以受控地并且均勻地拖加熒光材料22。所施加的熒光材料22的量于是可以被有利地精確調(diào)節(jié)。蓋層21和熒光材料22的設(shè)置形成了發(fā)光轉(zhuǎn)換材料2或者多個(gè)發(fā)光轉(zhuǎn)換材料。
可替選地，通過這種方式可以以技術(shù)上簡單的方式來實(shí)現(xiàn)不同發(fā)光材料的限定的組合。
本發(fā)明并未通過借助實(shí)施例對本發(fā)明的描述而局限于此。本發(fā)明而是包括任意新的特征以及特征的任意組合，特別是包含權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者組合本身并未明確地在權(quán)利要求或者實(shí)施例中說明.
權(quán)利要求
1.一種用于制造至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片的方法，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置有具有至少一種熒光材料的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料，該方法包括以下步驟-提供基本體，該基本體具有發(fā)光二極管芯片的層序列，該層序列適于發(fā)射電磁輻射；-將能夠光致結(jié)構(gòu)化的蓋層施加到基本體的至少一個(gè)主面上；-借助光致結(jié)構(gòu)化將至少一個(gè)凹處引入蓋層中，-將至少一種熒光材料施加到蓋層上；以及-構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料的至少一部分和蓋層之間的附著。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料和蓋層 之間的附著包括將能量輸a蓋層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的方法，其中蓋層以液態(tài)的、能夠硬化 的材料的形式來施加，并且構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料和蓋層之間的附著包括 將蓋層硬化。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法，其中將熒光材料朝向蓋層擠壓。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的方法，其中基本體針對多 個(gè)發(fā)光二極管芯片而設(shè)計(jì)'
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中基本體是晶片或者支承體，層 序列或者多個(gè)這種層序列被施加在該基本體上。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中蓋層借助旋涂來施加o
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中蓋層具有至少一 個(gè)選自旋涂玻璃、苯并環(huán)丁烯和聚酰亞胺的要素。
9. ^^據(jù)上a利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中蓋層具有至少一 個(gè)選自硅樹脂和硅氧烷的要素。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中將能夠光致結(jié)構(gòu) 化的至少一個(gè)另外的蓋層施加到熒光材料上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中同樣將熒光材料和/或至少一個(gè)另外的熒光材料施加到所述另外的蓋層上。
12. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中多次交替地進(jìn)行 能夠光致結(jié)構(gòu)化的蓋層和熒光材料的施加。
13. 根據(jù)上a利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中蓋層以大于ljim 并且小于或等于40jim的最大厚度來構(gòu)建。
14. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中熒光材料以具有 小于或等于20ftm的中位直徑d5。的熒光材料顆粒的形式而存在。
15. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中熒光材料以具有 大于或等于2jtm的中位直徑d幼的熒光材料顆粒的形式而存在。
16. —種發(fā)光二極管芯片，其通過根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所 述的方法來制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于制造至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片(1)的方法，該發(fā)光二極管芯片設(shè)置有具有至少一種熒光材料(22)的發(fā)光轉(zhuǎn)換材料(2)。提供了基本體(4)，該基本體具有發(fā)光二極管芯片(1)的層序列，該層序列適于發(fā)射電磁輻射。在基本體(41)的至少一個(gè)主面上施加有蓋層(21)。根據(jù)一個(gè)所提出的實(shí)施形式，蓋層(21)可光致結(jié)構(gòu)化。至少一個(gè)凹處(31，32)被引入該蓋層(21)中。至少一種熒光材料(22)被施加到蓋層(21)上，并且構(gòu)建或者增強(qiáng)熒光材料(22)的至少一部分和蓋層(21)之間的附著。此外，提出了一種借助該方法制造的發(fā)光二極管芯片(1)。
文檔編號H01L33/00GK101669220SQ200880010119
公開日2010年3月10日 申請日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月26日
發(fā)明者伊雷妮·魏寧格爾, 托尼·阿爾布雷希特, 赫爾穆特·菲舍爾 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司