半導體模塊及逆變器裝置的制作方法

專利名稱：半導體模塊及逆變器裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及具備底板；載置在該底板的一面上、并分別具備了開關元 件、二極管元件及連接端子區域的多個基板；及被設置成與上述底板的另 一面接觸的冷卻劑流路的半導體模塊及逆變器裝置。
背景技術：
例如，在用于驅動如混合動力車輛、電動車輛等中所采用的大功率輸 出的電動機的逆變器電路中，具備用于構成該逆變器電路的開關元件的半 導員塊，其發熱量多，還被要求小型化。因此，作為半導體模塊的冷卻 構造，多采用水冷方式。作為這樣的水冷方式的半導體模塊的構成，例如 下述的專利文獻l中公開的圖15所示的構成。在此圖中，(a)為俯視圖、 (b)為側視圖、(c)為主視圖。此圖所示的半導體模塊101，具備了內面 形成了條紋狀的散熱片103的底板102和載置在此底板102的上面的6個
104。另外，在底板102的下面，未圖示的水槽罩被設置成與散熱片 103的底面(圖15 (b)中的散熱片103的下側面)接觸，由此，在多個 散熱片103間分別形成了冷卻劑流路105。因此，在此半導體模塊101上， 冷卻劑的流動方向D變為底板102的長度方向(圖15的左右方向)。而且， 載置在底板102上的6個基& 104，在冷卻劑的流動方向D上被串聯配置。
另夕卜，在各J^！ 104上，逐一地配置了 2個作為開關元件106的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)元件和二極管元件107。另外，與各
104鄰接地配置了進行引線焊接的連接端子區域108，該引線焊接用 于各^ 104上的元件106、 107和未圖示的控制J4l電連接。而且，在此 基tl 104上，2個開關元件106和2個二極管元件107，在與冷卻劑的流動 方向D垂直的垂直方向上一個一個地被交替排列配置。另外，連接端子區 域108，在冷卻劑的流動方向D上被配置在一對^J仗104A、 104B所對置 一側的相反側。
專利文獻1:日本特開2004 - 349324號公報(第6-7頁、第5圖) 在上述圖15所示的半導體模塊的構成中，6個基板104全部被串聯配置在冷卻劑的流動方向D上。因此，在多個的散熱片103間所形成的各冷 卻劑流路105中所流動的相同的冷卻劑流，變成了順次冷卻多個(至少3 個)開關元件106的構成。因此，存在流過各冷卻劑流路105的冷卻劑的 溫度逐漸上升，下游側的開關元件106的冷卻性能降低的問題。
另外，在上述專利文獻l中，只公開了將各基&104的開關元件106 和二極管元件107交替地排列配置在與冷卻劑的流動方向D垂直的方向上 的構成。對在冷卻劑的流動方向上串聯配置^^i41104的開關元件106和 二極管元件107的構成沒有7>開。另外，迄今為止，對于在冷卻劑的流動 方向上串聯配置半導體模塊的各S^ 104的開關元件106和二極管元件 107的構成，用于適當地冷卻這些各元件106、 107的冷卻構造還是未知的。

發明內容
本發明正是鑒于上述的課題而做出的，其目的在于，提供一種半導體 模塊及逆變器裝置，其具備對于多個基&的各個開關元件和二極管元件在 冷卻劑的流動方向上被串聯配置的構成，能夠適當地冷卻全部1^的開關 元件的構成。
為了達到上述目的的本發明的半導體模塊，具備底板；載置在該底 板的一面上、并分別具備了開關元件、二極管元件及連接端子區域的多個 H及被設置成與上述底板的另一面接觸的冷卻劑流路，該半導員塊 的特征構成在于，具備在上述冷卻劑流路內形成在規定方向平行的冷卻劑 流的平行流形成單元，上述各^^L的上述開關元件和上述二極管元件，在 上述冷卻劑的流動方向上串聯配置，并且上述開關元件和上述連接端子區 域，在與上述冷卻劑的流動方向垂直的方向上被配置在不同位置，構成上 述多個基板的一對基板，在上述冷卻劑的流動方向上串聯配置，且在一個 ^上在上述垂直方向的 一側配置上述開關元件，在另 一個^41上在上述 垂直方向的一側配置上述連接端子區域。
才艮據此構成，在底板的一面上載置的多個^L的各個開關元件和二極 管元件，被串聯配置在被設置在底板的另 一面上的冷卻劑i5W內的冷卻劑 的流動方向上的構成中，被串聯配置在同樣的冷卻劑的流動方向上的一對 基板的各個開關元件，相互被配置在與冷卻劑的流動方向垂直的方向上幾 乎不同的位置。因此，當沿著冷卻劑流路內的平行的冷卻劑流進行觀察時， 成為相同的冷卻劑流基本上只冷卻 一對基板中之任一 方的開關元件的構成。因此，能夠分別適當地冷卻一對基板雙方的開關元件。換而言之，能 夠抑制在冷卻劑的流動方向的上游側進行一個基板的開關元件的冷卻、溫 度上升后的相同的冷卻劑流，在下游側再進4亍另 一個基板的開關元件的冷 卻這種構成中所產生的、下游側的開關元件的冷卻性能的下降。因此，能
夠適當地冷卻被載置在底板的一面上的4^P基板的開關元件。還有， 一對
基板至少在冷卻構造上由成對的2個^J^構成。
這里，優選上述一對141相互具有同一構成，被配置成點對稱。
通過此構成，如上述那樣，在冷卻劑的流動方向上被串聯配置的一對 基&的各自的開關元件，相互被配置在與冷卻劑的流動方向垂直的方向幾 乎不同的位置上，而且能夠4吏這些一對lj^共通化。因此，在冷卻劑的流 動方向上被串聯配置的一對基板的各自的開關元件，由于相互被配置在與 冷卻劑的流動方向垂直的方向幾乎不同的位置上，所以不需要采用元件等 的配置不同的多種基板，能夠抑制半導體模塊制造成本的上升。
另外，優選上述一對J41的一方或雙方的上述二極管元件，配置成比 各基板的上述開關元件靠近另一個基板側。
通過此構成， 一對J41各自具有的2個開關元件在冷卻劑的流動方向 上、至少隔著一個基tl的二極管元件被配置。由此，能夠在一對基仗間相 互離開的位置上配置最發熱的開關元件，抑制由一對基板的開關元件各自 傳送的熱量引起的在底板上產生的熱干涉。因此，能夠適當地冷卻全部基 板的開關元件。
另外，優選上述平行流形成單元，是沿著底板的另一面相互平行地配 置的多個散熱片。
通過此構成，能夠在冷卻劑流路內適當地形成沿著多個散熱片方向平 行的冷卻劑流。另外，通過設置多個散熱片，能夠加寬冷卻劑流路的表面 積，因此能夠有效地^J41向底板傳送的熱量散熱。
另外，優選對上述冷卻劑的流動方向的下游側所配置的上^J46L的上 述開關元件設置溫度檢測單元，采用該溫度檢測單元進行溫度檢測，用于 上述一對基仗雙方的開關元件的溫度管理。
通過此構成，能夠省略針對冷卻劑的流動方向的上游側配置的基仗的 開關元件的溫度檢測單元。因此，能夠簡化溫度檢測單元的構成，降低半導體模塊的制造成本。另外，通常相比冷卻劑的流動方向的上游側，下游 側冷卻劑的溫度高，被配置在下游側的基fcl的開關元件，比配置在上游側 的基仗的開關元件變成高溫的可能性高。因此，即4吏只利用被配置在下游 側的基板的開關元件的溫度檢測結果進行溫度管理，被配置在上游側的基 板的開關元件的溫度也不會超過規定的動作保障溫度范圍，不會產生問 題。
另外，優選上述一對^1分別具備一對下臂用開關元件及上臂用開關 元件之任意一方。
通過此構成，能夠將具有一對基板的半導體模塊單獨或組合多個，適 當地用于斬波電路、逆變器電路等。
另外，優選對接地的上述下臂用開關元件設置溫度檢測單元，采用該 溫度檢測單元進行溫度檢測，用于上述一對基仗雙方的開關元件的溫度管 理。
通過此構成，能夠以地電位為基準構成溫度檢測單元。因此，與以電 源電位為基準的溫度檢測單元相比，能夠簡化構成，降低半導體模塊的制 作成本。
另外，優選在上述底板的一面上載置6個基板，該6個^S^L作為上述 多個基敗，分別具備用于構成三相交流用逆變器電路的各相下臂用開關元 件及上臂用開關元件中的任一方。
通過此構成，由于在底板上一體的具備用于構成三相交流用逆變器電 路的全部的開關元件，所以利用此半導體模塊，能夠很容易地構成小型、 輕量的三相交流用逆變器電路。
另外，優選通過構成上述的三相交流用逆變器電路的半導體模塊，構 成逆變器裝置。


圖l是表示本發明的第一實施方式的半導體模塊的主要部分的構成的 俯視圖。
圖2是圖1的II-II截面圖。
圖3是圖1的III-III截面圖。圖4是圖2的IV-IV截面圖。
圖5是本發明的第一實施方式的半導體模塊的截面立體圖。
圖6是本發明的第一實施方式的逆變器電路的布線圖。
圖7是表示本發明的第一實施方式的半導體模塊的全部構成的俯視圖。
圖8是圖7的VIII-VIII截面圖。
圖9是表示本發明的第二實施方式的半導體模塊的主要部分的構成的 俯視圖。
圖10是表示本發明的第三實施方式的半導體模塊的主要部分的構成 的俯視圖。
圖11是表示本發明的第四實施方式的半導體模塊的主要部分的構成 的俯視圖。
圖12是表示本發明的第五實施方式的半導體模塊的主要部分的構成 的俯視圖。
圖13是表示本發明其他實施方式的、在冷卻劑的流動方向上串聯配置 了發熱量不同的2個半導體模塊的例子的圖。
圖14是表示本發明的其他實施方式的2個半導M塊的配置例子的圖。
圖15是表示有關背景技術的半導W^塊構成的圖。
具體實施例方式
l.第一實施方式
根據附圖對于本發明的第一實施方式進行說明。在本實施方式中，對 將本發明適用在作為構成三相交流用逆變器電路的逆變器裝置的半導體 模塊1中的例子進行說明。圖1~圖8是用于說明本實施方式的半導體模 塊l的構成的圖。還有，在圖1 圖5中，省略表示了在底板2以上的基 板3以外的構成。
如這些圖所示，此半導體模塊1具備包含冷卻劑流路7的冷卻構造， 該冷卻構造用于對載置在底板2的上面2A上的^ 3的、特別晃良熱量最多的開關元件4進行冷卻。另外，如圖6所示，此半導體模塊l，構成 三相交流電動機31的驅動用的逆變器電路ll。因此，如圖1所示，構成 為將分別具備開關元件4及二極管元件5的6個1413載置在底板2的上 面2A上。還有，如圖7及圖8所示，在此半導體模塊l中，在底板2上 以包圍6個基&3的方式載置外殼41，通過此外殼41支持控制基板9，該 控制基板9用于進行各M3上的開關元件4的動作控制等。以下、對此 半導體模塊l的各部分的構成進行詳細的說明。
l-l. Jjfel的冷卻構造
首先，根據圖1 ~圖5，對半導體模塊1中的基&3的冷卻構造進^i兌 明。如圖1所示，此半導體模塊1具備底板2、在此底板2的上面2A上栽 置的6個基tl 3及被設置成與底板2的下面2B接觸的冷卻劑流路7。這里， 在冷卻劑流路7內設置了作為平行流形成單元的多個散熱片8，用于形成 在規定方向平行的冷卻劑流。如圖2~圖5所示，多個散熱片8沿著底板2 的下面2B被相互平行地配置。這里，各散熱片8形成為相對于底板2的 下面2B垂直設立的規定厚度的板狀，通過對底板2的下面2B進行切削加 工等與底板2—體地形成。另外，多個散熱片8的間隔幾乎一定，多個散 熱片8的高度也一定。通過設置這樣的散熱片8，被導入到冷卻劑流路7 內的冷卻劑流，變為平行流形成單元所規定的方向，即成為沿著散熱片8 的方向平行流動的平行流。在圖示的例子中，多個散熱片8間形成了相互 平行的冷卻劑流。而且，如圖1所示，平行于多個散熱片8的方向(圖1 中從下向上的方向)變為冷卻劑的流動方向D。另外，與此冷卻劑的流動 方向D垂直的方向，變為相對冷卻劑的流動方向垂直的垂直方向C (圖 1中的左右方向、以下僅稱為"垂直方向C")。還有，在本實施方式中， 底板2的上面2A相當于本發明的一面，下面2B相當于本發明的另一面。
如圖2、圖3及圖5所示，底板2被7jC路形成部件12支持。另外，以 覆蓋*形成部件12的底面的方式，設置了平板狀的底板部件13。這里， 7Ki^形成部件12平面形狀為與底板2幾乎相同的形狀，具有長方體狀的外 形。這里，7jC路形成部件12,其平面形狀形成了與底板2幾乎相同的形狀， 具有長方體的外形。而且，7jC路形成部件12，具有包圍其外周的周壁12a 和形成在此周壁12a的內側的M板部12b及分隔壁部12c。而且，周壁 12a的上面抵接于底板2的下面2B，周壁12a的下面抵接于底板部件13。 抵接板部12b是被設置成與散熱片8的底面(圖2及圖3的下面)接觸的板狀部。因此，通過多個散熱片8和被M板部12b包圍的多個細長空間 的各個空間，形成冷卻劑流路7。因此，由流過被多個散熱片8分隔的多 個冷卻劑流路7的每一個中的冷卻劑，形成了多個平行的冷卻劑流。另夕卜， 分隔壁部12c被沿著垂直方向C設置，是將抵接板部12b的下方的空間分 隔成2塊的壁狀部件。這里，圖3及圖5中的分隔壁部12c的右側的空間 成為流入側冷卻劑積存處14A，左側的空間成為流出側冷卻劑積存處14B。
而且，流入側冷卻劑積存處14A，通過流入側節流部15A與冷卻劑流 路7連通，流出側冷卻劑積存處14B,通過流出側節流部15B與冷卻劑流 路7連通。流入側節流部15A及流出側節流部15B,由:d^形成部件12 的周壁12a和抵接板部12b間的間隙構成。如圖4所示，流入側節流部15A 及流出側節流部15B全都形成為在垂直方向C長的狹縫狀的開口部。另外， 流入側冷卻劑積存處14A、流出側冷卻劑積存處14B、流入側節流部15A 及流出側節流部15B全都具有與冷卻劑流路7的整體寬度W相同的在垂直 方向C的長度。
而且，冷卻劑象下述那樣流動。也就是說如圖4所示，冷卻劑通過未 圖示的泵的噴出壓力等，從流入路16Ait^，被ilt ^LV側冷卻劑積存處 14A中。而且，充滿了此流入側冷卻劑積存處14A的冷卻劑如圖3~圖5 所示，通過流入側節流部15A,流入到多個散熱片8間的冷卻劑流路7中。 而且，通過冷卻劑流路7內時，冷卻劑在底板2及散熱片8間進行熱交換， 進行底板2上的基板3的冷卻。而且，通過了冷卻劑流路7的冷卻劑，經 由流出側節流部15B，被送入流出側冷卻劑積存處14B中。之后，充滿流 出側冷卻劑積存處14B的冷卻劑，通過流出路16B排出。按照以上的說明， 冷卻劑流路7內的冷卻劑的流動方向D變為平行于多個散熱片8的方向。 為了底板2及散熱片8與冷卻劑間有效地進行熱交換，底板2及散熱片8, 優選由熱傳導性高的金屬(例如銅等)構成。還有，在本實施方式中，作 為冷卻劑，采用被用于車輛等的向水中添加了乙二醇等的冷卻液。
1-2.基tl的配置構成
下面，根據圖1對作為本發明的主要部分的半導體模塊1上的基仗3 的配置構成進行說明。在本實施方式中，在底板2的上面2A上，6個^L 3配置成在冷卻劑的流動方向D上排列2排，同時在垂直方向C上排列3 排。而且，通過這些6個基板3，如后所述，構成逆變器電路ll。
基仗3具有下臂用基仗3A和上臂用基板3B,該下臂用基t!3A構成逆變器電路ll (參照圖6)的下臂33，并具備下臂用開關元件4A;該上 臂用基t!3B構成上臂34，并具備上臂用開關元件4B。這里，6個基敗3 中，以冷卻劑的流動方向D的下游側(圖1中的上側)配置的3個基41作 為下臂用基仗3A,以冷卻劑的流動方向D的上游側(圖1中的下側)配 置的3個141作為上臂用1413B。而且，6個基仗3，形成以冷卻劑的流 動方向D上被串聯(按圖1中的上下方向排列)配置的成對(一對)的下 臂用M 3A和上臂用基tl 3B作為一組，3組J^L 3在垂直方向C上被排 列配置。這樣， 一對J413A、 3B被分別配置在上游側和下游側上，在冷 卻構造上也成為對。還有，對于下臂及上臂的概念，后面根據圖6進行說 明。另外，在以下的說明中，僅稱"基&3"時，認為統稱下臂用基&3A 及上臂用U13B,僅稱"開關元件4"時，認為統稱下臂用開關元件4A 及上臂用開關元件4B。
各a 3，具備一個開關元件4、 一個4管元件5及一個連接端子區 域6。具體的說，基敗3在用絕緣^1構成的^41本體21的上下兩面上設 置銅箔IO，將下側的銅箔10用未圖示的焊錫固定在底板2上，同時在上 側的銅箔10上，通過未圖示的焊錫固定開關元件4及二極管元件5。這里 開關元件4具體的為IGBT元件(Insulated Gate Bipolar Transistor), 二 極管元件5具體的為FWD元件(Free Wheel Diode )。因此，在^13中， 開關元件4的發熱量最多。另外，在還未i殳置上側的銅箔10的區域上，連 接端子區域6被設置成直接載置在141本體21上。還有，在圖1中省略， 用于電連接開關元件4和控制基仗9的導線引腳22 (參照圖7及圖8)通 過焊錫被固定在連接端子區域6上。另外，在連接端子區域6上也進行用 于電連接開關元件4和導線引腳22的引線焊接。
另外，在各基板3上的開關元件4、 二極管元件5及連接端子區域6 的配置如以下那樣進行。也就是說，如圖1所示，開關元件4和二極管元 件5，在冷卻劑的流動方向D上被串聯(圖1的上下方向上排列)配置。 在圖示的例子中，開關元件4具有比二極管元件5稍稍大的外形。而且， 二極管元件5的垂直方向C的中心位置被配置在相對于開關元件4的垂直 方向C的中心位置向垂直方向C的一側(離開連接端子區域6的一側)錯 開的位置上，開關元件4和二極管元件5的上述垂直方向C的一側的邊緣 成為同一直線狀。這里，在圖1所示的例子中，"垂直方向C的一側"是 指在下臂用基&3A中垂直方向C的右側，在上臂用^L3B中是垂直方向C的左側。另外，開關元件4和連接端子區域6，在垂直方向C上被配 置在不同位置。具體的說，連接端子區域6相對于開關元件4、在冷卻劑 的流動方向D上幾乎相同的位置，被配置在鄰接垂直方向C的另一側。這 里在圖l所示的例子中，"垂直方向C的另一側"，在下臂用基板3A上是 指垂直方向C的左側，在上臂用基仗3B上是指垂直方向C的右側。配合 這樣的各元件等的配置，在圖示的例子中，各基&3的J41本體21，形成 了具有在冷卻劑的流動方向D上長的長方形平面形狀的板狀。
另外，按照上述說明，在冷卻劑的流動方向D上被串聯(按圖1中的 上下方向排列)配置的一對下臂用^L3A和上臂用^L3B的關系，即構 成各組的一對基板3的關系中，在一個基仗3上在垂直方向C的一側配置 開關元件4，在另一個的基敗3上在垂直方向C的一側配置連接端子區域 6。具體的，在下臂用^3A上在垂直方向C的右側(圖1中的右側)配 置開關元件4，在垂直方向C的左側(圖1中的左側)配置連接端子區域 6。另一方面，在上臂用^L3B上，與下臂用基仗3A相反，在垂直方向 C的右側配置連接端子區域6,在垂直方向C的左側配置開關元件4。在 本實施方式中，為了實現滿足這樣關系的一對下臂用基tl 3A和上臂用基 板3B的配置， 一對基t!3A、 3B相互具有同一構成，且將這一對的a 3A、 3B配置成點對稱。此時，以關于一對基仗3A、 3B間的冷卻劑的流 動方向D及垂直方向C雙方的中央位置作為基準，使一對基敗3A、 3B配 置成點對稱。
對于在冷卻劑的流動方向D上被串聯配置的一對1413A、 3B,通過 上述那樣的配置構成， 一對基仗3A、 3B的下臂用開關元件4A和上臂用 開關元件4B，在垂直方向C上^L錯開配置在幾乎不同的位置上。因此， 對于流過散熱片8間所形成的多個冷卻劑流路7中的多個平行冷卻劑流分 別進行觀察時，流過一個冷卻劑流路7的相同冷卻劑流，形成為基本上只 進行上臂用開關元件4B和下臂用開關元件4A之任一方的冷卻的構成。因 此，可分別適當地冷卻一對141 3A、 3B雙方的開關元件4A、 4B。換而 言之，能夠抑制在冷卻劑的流動方向D的上游側進行上臂用開關元件4B 的冷卻、溫度已上升的相同冷卻劑流，在下游側再進行下臂用開關元件4A 的冷卻的構成中所產生的、下游側的下臂用開關元件4A的冷卻性能的降 低。
另外，在本實施方式中， 一對基板3A、 3B雙方的二極管元件5，配置成比各1413的開關元件4靠近另一個1413側。具體的說，在下臂用 3A中，二極管元件5被配置成比下臂用開關元件4A靠近上臂用141 3B側。另外，在上臂用絲3B中，二極管元件5被配置成比上臂用開關 元件4B靠近下臂用基板3A側。由此，下臂用開關元件4A和上臂用開關 元件4B，在冷卻劑的流動方向D上夾著一對J41 3A、 3B雙方的二極管 元件5而被配置，因此能夠在一對基板3A、 3B間相互離開的位置上配置 最發熱的開關元件4A、 4B。因此，能夠抑制由一對141 3A、 3B的開關 元件4A、 4B各自傳送的熱量所引起的在底板2上的熱干涉。
還有，在本實施方式中，二極管元件5在垂直方向C上被配置在與開 關元件4幾乎相同的位置上，所以一對基仗3A、 3B的各自的二極管元件 5,與一對基板3A、 3B各自的開關元件4相同，在一個基敗3上被配置在 垂直方向C的一側，在另一個基板3上被配置在垂直方向C的另一側上。 具體的說、二極管元件5在下臂用基板3A上，被配置在垂直方向C的右 側(圖1中的右側)，在上臂用^3B上，被配置在垂直方向C的左側(圖 l中的左側)。由此，沿著冷卻劑流路7內的平行冷卻劑流進行觀察時，相 同冷卻劑流在141上只能夠冷卻一對1413A、 3B中任一方的二極管元件 5，因此能夠幾乎均等地冷卻一對J413A、 3B雙方的二極管元件5。
1-3.逆變器電路的構成
下面，對由本實施方式的半導體模塊l構成的逆變器電路ll的電氣構 成進行說明。如圖6所示，此逆變器電路ll為三相交流電動機31的驅動 用電路。也就是說，此逆變器電路11具備分別對應于三相交流電動機31 的U相線圏31u、 V相線圏31v、及W相線圏31w而設置的(對應于U 相、V相、及W相的各相)U相臂32 u 、 V相臂32 v 、及W相臂32w。 而且，這些各相用的臂32u、 32 v、 32 w，其構成分別具有可相輔動作的 一對下臂33及上臂34。這里，下臂33，其構成為具有IGBT元件組成的 下臂用開關元件4A和在此下臂用開關元件4A的發射極 一 集電極間并聯連 接的二極管元件5。同樣，上臂34，其構成為具有IGBT元件組成的上臂 用開關元件4B和在此上臂用開關元件4B的發射極—集電極間并聯連接的 二極管元件5。這里，二極管元件5陽極連接于開關元件4A、 4B的發射 極，陰極連接于開關元件4A、 4B的集電極。
另外，各相用的一對下臂33和上臂34，按照下臂33變為接地的負極 N側，上臂34變為電源電壓的正極P側的方式串聯連接。具體的說，下臂用開關元件4A的發射極連接于負極N ，上臂用開關元件4B的集電極連接 于正極P。也就是說，下臂用開關元件4A成為低側開關，上臂用開關元 件4B成為高側開關。而且，下臂用開關元件4A的集電極和上臂用開關元 件4B的發射極，分別連接于各臂32 u、 32 v、 32w所對應的電動機31 的U相線圏31u、 V相線圏31v、及W相線圏31w。
此逆變器電路ll，在與半導體模塊1的各基板3的關系中，由下臂用 K 3A的下臂用開關元件4A及二極管元件5構成了下臂32，由上臂用 1413B的上臂用開關元件4B及二極管元件5構成了上臂33。也就是說， 配置在底板2上的6個基板3中，在冷卻劑的流動方向D的下游側(圖 l中的上側)配置的3個下臂用基fc!3A分別構成U相臂32u、 V相臂32 v 、及W相臂32w的下臂32，在冷卻劑的流動方向D的上游側(圖1中 的下側)配置的3個上臂用J4!3B分別構成U相臂32u、 V相臂32v、 及W相臂32w的上臂33。另外，在底板2上，在冷卻劑的流動方向D上 被串聯(按圖1中的上下方向排列)配置的一對(一組)下臂用基板3A 和上臂用J413B，分別構成U相臂32u、 V相臂32v、及W相臂32w中 的任意一方。因此，例如垂直方向C左側(圖1中的左側)的一對g3A、 3B構成U相臂32u，垂直方向C的中央的一對1413A、 3B構成V相臂 32 v ，垂直方向C右側(圖1中的右側)的一對基敗3A、 3B構成W相臂 32w。
1-4.半導體模塊的上部構成
下面對比底板2靠近上側設置的半導體模塊1的上部構成進行說明。 如圖7及圖8所示，此半導體模塊l,作為這樣的上部構成，具有被載置 在底板2上、以包圍上述6個基板3的方式設置的樹脂制外殼41和通過此 外殼41被支持在6個基fcl 3的上方的控制基tl 9。
這里，外殼41其平面形狀具有比底板2稍稍大些的矩形狀、長方體狀 的外形。此外殼41形成收納空間42，其用于收納被配置在底板2上的6 個基仗3 ，并構成為具有包圍在此收納空間42的周圍的周壁部41a。還有， 在收納空間42內，填充環氧樹脂等的填充材料進行固化。因此，最終底板 2上被配置的6個^413和外殼41被一體化。另夕卜，如圖7所示，在外殼 41的四角，被設置了用于使外殼41固定在底板2上的可插入螺栓等連接 機構的連接孔43。
另外，周壁部41a的上面，用高度不同的第一上面41c和第二上面41d的2個面構成。這里，第一上面41c是在冷卻劑的流動方向D的上游側和 下游側(圖7的上側和下側)上分別"&置的在垂直方向C上長的矩形面。 另外，第二上面41d是比第一面41c低一級的面。在外殼41的第一上面 41c上、設置了作為配置在外殼41內的用于電連接各1413的未圖示的引 線架的外部導出端子的正極端子44a、負極端子44b及輸出端子44c。這里， 每一個正極端子44a及負極端子44b都被設置在圖7的下側的第一上面41c 上，同時3個輸出端子44c^B殳置在圖7的上側的第一上面41c上。正極 端子44a電連接于正極P，負極端子44b電連接于負極N (參照圖6)。另 夕卜，3個輸出端子44c，分別電連接于三相交流電動機31的U相線圏31 u 、 V相線圏31v及W相線圏31w (參照圖6)。
在外殼41的第二上面41d的上方，配置了控制基板9。因此，在第二 上面41d的垂直方向C的兩側邊緣附近的多個位置，形成與控制基&9的 固定用的螺栓45旋合的未圖示的螺母部，通過該多個螺栓45，控制基板9 被連接固定在外殼41上。另外，控制基板9，通過與第二上面41d的上面 間配置的墊片46，被配置成相對這些面具有一定間隔地平行。
另外，被各基仗3的連接端子區域6固定的多個導線引腳22,貫通控 制^9,被焊接固定在控制1419的上面所設置的未圖示的布線圖上。 在本實施方式中，對于以一對基板3A、 3B為一組時的相互鄰接的2個組， 一組的下臂用^4SL3A的導線引腳22和另一組的上臂用1^3B的導線引 腳22，在冷卻劑的流動方向D上被配置成排成一列。控制基板9是形成了 用于驅動逆變器電路ll的控制電路的141，由在印刷M上實裝規定的電 路部件構成。而且，此控制基板9和被配置在底板2上的多個基板3間， 通過導線引腳22電連接。
另夕卜，在此控制基板9上安裝了溫度檢測電路9a，該溫度檢測電路9a 發揮溫度檢測單元的功能，用于檢測各基板3的開關元件4的溫度。這里， 溫度檢測電路9a，為通過檢測被設置在開關元件4上的未圖示的溫度檢測 用二極管的陽極-陰極間的電壓并進行規定的運算，來檢測各開關元件4 的溫度的運算電路。在本實施方式中，在一對基板3A、 3B的各個開關元 件4A、 4B中，只對在冷卻劑的流動方向D的下游側配置的下臂用J413A 的下臂用開關元件4A設置溫度檢測電路9a。換而言之，對于冷卻劑的流 動方向D的上游側配置的上臂用M 3B的上臂用開關元件4B省略溫度 檢測電路9a。因此，此半導體模塊l，變成了由對冷卻劑的流動方向D的下游側配置的下臂用開關元件4A所設置的溫度檢測電路9a進行溫度檢 測，用于一對基仗3A、 3B雙方的開關元件4A、 4B的溫度管理。還有， 控制基仗9，作為開關元件4A、 4B的溫度管理，例如監視開關元件4A、 4B的溫度是否在規定的動作保障溫度范圍內，當超過該溫度范圍時，進行 停止開關元件4A、 4B的動作的控制等。
這樣，通過只對冷卻劑的流動方向D的下游側配置的下臂用開關元件 4A設置溫度檢測電路9a的構成，與對上臂用開關元件4B同時設置溫度 檢測電路9a的情況相比較，溫度檢測電路9a的數目減為一半。另外，通 常，相比冷卻劑的流動方向D的上游側，下游側冷卻劑的溫度高，被配置 在下游側的下臂用開關元件4A比被配置在上游側的上臂用開關元件4B變 為高溫的可能性大。因此，即使只利用下臂用開關元件4A的溫度檢測結 果進行溫度管理，上臂用開關元件4B的溫度也不會超過規定的動作保障 溫度范圍，不會產生問題。還有，在本實施方式中，由于以冷卻劑的流動 方向D的下游側配置的元件作為下臂用開關元件4A,所以能夠簡化溫度 檢測電路9a的構成。也就是說，通過使全部的溫度檢測電路9a作為下臂 用開關元件4A的溫度檢測用，各溫度檢測電路9a能夠成為以負極N (地) 的電位為基準的運算電路。因此，與以正極P的電位為基準的溫度檢測電 路9a相比，能夠簡化溫度檢測電路9a的構成。因此，可謀求半導體模塊 1的低成本化。
2.第二實施方式
根據附圖對本發明的第二實施方式進行"i兌明。圖9是表示本實施方式 的半導,塊l的主要部分的構成的俯視圖。如此圖所示，本實施方式的
半導體模塊l，其構成為在一個底板2上，僅載置一組由一對下臂用^SL 3A和上臂用J^L3B構成的組。也就是說，本實施方式的半導體模塊l， 被載置在一個底板2上的^13的數目與上述第一實施方式不同。還有， 對本實施方式中未特別說明的點，可與上述第一實施方式的構成相同。
因此，在本實施方式的半導體模塊l中，與上述第一實施方式的半導 體模塊l相比較，在底板2的垂直方向C的寬度變窄，另外冷卻劑流路7 的蒼沐寬度W也變窄。另外，圖示雖省略，但對于半導體模塊l的上部構 成，外殼41變為與底板2的形狀一致的形狀，控制基板9變為適于控制一 對1413A、 3B的構成。此半導體模塊1通過3個組合使用，能夠構成與 上述第一實施方式相同的逆變器電路ll。另外，單獨使用此半導體模塊l時，例如也可通過與線圏、電容等的組合，構成斬波電路。還有，圖示雖
省略，但在一個底板2上將一對下臂用a 3A和上臂用基fel 3B構成的組 載置2組、或載置4組以上構成半導體模塊1，也是本發明的優選實施方 式之一。例如、構成單相交流用的逆變器電路時等，優選在一個底板2上， 載置2組由一對下臂用基tl 3A和上臂用^j^ 3B構成的組。
3. 第三實施方式
根據附圖對本發明的第三實施方式進^i兌明。圖IO是表示本實施方式 的半導#^漠塊1的主要部分的構成的俯視圖。本實施方式的半導體模塊1， 3的配置構成與上述第一及第二實施方式不同。這里為了附圖等的筒 化，與上述第二實施方式相同，釆用了在一個底板2上僅載置一組由一對 M3A、 3B構成的組的構成例子進行i兌明，當然與上述第一實施方式相 同，同樣也適用于以一對基板3A、 3B為一組，在底板2上載置多組^L 3的構成。還有，對于本實施方式中未特別說明的點，可采用與上述第一 實施方式或第二實施方式相同的構成。
本實施方式的半導體模塊l,下臂用^L3A中的開關元件4、 二極管 元件5及連接端子區域6的配置與上述第一及第二實施方式相同，而上臂 用 3B中的開關元件4、 二極管元件5及連接端子區域6的配置與上述 第一及第二實施方式不同。也就是說，在本實施方式中，在上臂用基板3B 中，開關元件4被配置成比二極管元件5靠近下臂用M3A側。因此， 在此半導體模塊i中，僅作為一對M 3A、 3B的一方的下臂用基仗3A 的二極管元件5，被配置成比該U13A的開關元件4A靠近上臂用基fel 3B 側。還有，對于上臂用基板3B的連接端子區域6，與開關元件4鄰接地配 置，所以與開關元件4同樣，被配置成比二極管元件5靠近下臂用基板3A 側。另外，對于各基板3A、 3B上的開關元件4和連接端子區域6的在垂 直方向C的位置關系，變得與上述第一及第二的實施方式相同。
因此，在此半導g塊l中，下臂用^L3A和上臂用1413b不為同 一構成，上臂用基板3B以下臂用基板3A為鏡像翻轉，并調換了垂直方向 C的位置關系的構成。而且，本實施方式的半導,塊1的基板3的配置 構成，是以開關元件4均位于冷卻劑的流動方向d的下游側的方式串聯配 置這樣的下臂用 3A和上臂用M 3B而實現的。
4. 第四實施方式
根據附圖對發明的第四實施方式進fr說明。圖11是本實施方式的半導體模塊l的主要部分的構成的俯視圖。本實施方式的半導體模塊l，基板3 的配置構成與上述第一~第三實施方式不同。這里為了附圖等的筒化，與 上述第二實施方式相同，采用在一個底板2上僅載置了一組由一對M 3A、 3B構成的組的構成例子進行i兌明。當然與上述第一實施方式相同， 在以一對基仗3A、 3B為一組、在底板2上載置了多組基板3的構成中也 同樣適用。還有，對在本實施方式中未特別說明的點，可采用與上述第一 實施方式或第二實施方式相同的構成。
本實施方式的半導體模塊l，上臂用基板3B中的開關元件4、 二極管 元件5及連接端子區域6的配置，與上述第一及第二實施方式相同，下臂 用基fel 3A中的開關元件4、二極管元件5及連接端子區域6的配置與上述 第一及第二實施方式不同。也就是說，在本實施方式中，在下臂用1413A 中，開關元件4被配置成比二極管元件5靠近上臂用^L3B側。因此， 在此半導體模塊1中，作為一對M 3A、 3B —方的上臂用141 3B的二 極管元件5，被配置成比該基tl 3B的開關元件4B靠近下臂用M 3A側。 還有，對于下臂用基仗3A的連接端子區域6，由于與開關元件4鄰接地配 置，所以與該開關元件4同樣地配置成比二極管元件5靠近上臂用基&3B 側。另外，對于各基t!3A、 3B中的開關元件4和連接端子區域6在垂直 方向C的位置關系，變為與上述第一及第二實施方式相同。
因此，在此半導體模塊l中，下臂用M3A和上臂用基板3B不為同 一構成，下臂用g3A以上臂用M3B為鏡像翻轉并調換了垂直方向C 的位置關系的構成。而且，本實施方式的半導體模塊1的基&3的配置構 成，是以開關元件4均位于冷卻劑的流動方向D的上游側的方式，串聯配 置這樣的下臂用1413A和上臂用^SL 3B而實現的。
5.第五實施方式
根據附圖對本發明的第五實施方式進行說明。圖12是表示本實施方式 的半導,塊l的主要部分的構成的俯視圖。本實施方式的半導體模塊l， 其1413的配置構成與上述第一~第四的實施方式不同。這里，為了附圖 等的筒化，與上述第二實施方式相同，采用在一個底板2上僅載置了一組 由一對基仗3A、 3B構成的組的構成例子進^i兌明，當然與上述第一實施 方式相同，在以一對基板3A、 3B為一組，在底板2上載置了多組基板3 的構成中也同樣適用。還有，對在本實施方式中未特別說明的點，可采用 與上述第一實施方式或第二實施方式相同的構成。本實施方式的半導體模塊1,下臂用M 3A及上臂用a 3B的構成， 與上述第一及第二實施方式相同， 一對1413A、 3B雙方的開關元件4被 配置成比各基板3的二極管元件5靠近另一個基板3側這一點不同。也就 是說，在本實施方式中、在下臂用基板3A中，開關元件4被配置在比二 極管元件5靠近上臂用絲3B側，在上臂用狄3B中，開關元件4被配 置在比二極管元件5靠近下臂用基板3A側。本實施方式的半導體模塊1 的基敗3的配置構成，是以開關元件4均凈皮配置在另一個基板3側的方式， 點對稱地配置具有同一構成的一對基&3A、 3B而實現的。
6.其他實施方式 (1 )在將多個上述各實施方式中已說明的半導體模塊1組合使用的情 況下，當各半導體模塊l的發熱量不同時，優選按照發熱量越大的半導體 模塊1越靠近冷卻劑的流動方向D的上游側的方式順次配置。圖13表示 將發熱量不同的2個半導體模塊1A、 1B串聯配置在了冷卻劑的流動方向 D上的例子。在此例中，各半導體模塊l的構成與上述第一實施方式的構 成相同。而且、在冷卻劑的流動方向D的上游側配置的第一半導體模塊1A， 比冷卻劑的流動方向D的下游側配置的第二半導體模塊1B發熱量大。在 本例中，冷卻劑沿著流動方向D通過第一半導體模塊1A的冷卻劑流路7 后，通過第二半導體模塊1B的冷卻劑流路7。通過這樣的構成，能夠謀求 隨著向流動方向D的下游側的流動、溫度逐漸上升的冷卻劑引起的冷卻性 能的下降和各半導體模塊l的發熱量的均衡。還有，作為這樣多個半導體 模塊1的發熱量不同的情況，例如成為各半導體模塊1構成的逆變器電路 11驅動各種不同輸出的電動機的構成，存在流過各半導員塊1的開關元 件4的電流量不同等的情況。
(2 )在將多個上述各實施方式中已說明的半導體模塊1組合使用的情 況下，優選按照2個半導員塊1的正極端子44a及負極端子44b位于相 互鄰接的其他半導體模塊i的附近側的方式，配置2個半導體模塊1。圖
14表示了這樣的2個半導體模塊1A、 1B的配置的例子。在此例子中，各 半導體模塊l的構成與上述第一實施方式的構成相同。而且，圖14的下側
配置的第一半導體模塊1A，被配置在鄰接的第二半導體模塊1B側，并在 正極端子44a及負極端子44b所位于的方向上。另外，被配置在圖14的 上側的第二半導^塊1B，被配置在鄰接的第一半導體模塊1A側，并在 正極端子44a及負極端子44b所位于的方向上。通過這樣配置2個半導體模塊1A、 IB,如圖14所示，能夠分別使2個半導體模塊1A、 1B的正極 匯流線48A及負極匯流線48B共用，還能夠并聯配置正極匯流線48A和 負極匯流線48B。而且，通過這樣并聯配置正極匯流線48A和負極匯流線 48B，由于分別向相反方向流過正極匯流線48A及負極匯流線48B的平行 電流的影響，能夠抵消正極匯流線48A及負極匯流線48B的周圍產生的磁 場，降低正極匯流線48A及負極匯流線48B的電感。
(3) 在上述各實施方式中，作為冷卻劑，采用水中添加乙二醇等的冷 卻液的情況為例進行了說明，但本發明中的冷卻劑并不限定于此。也就是 說，本發明的半導體模塊1，可適宜地采用公知的液體或氣體等的各種冷 卻劑。
(4) 在上述的各實施方式中，作為"在冷卻劑的流動方向D上串聯 配置"的構成的具體例，以連接多個元件或基H的中心位置的方向，被配 置成與冷卻劑的流動方向D大略平行那樣的構成為例進行了說明。但是， 相當于"在冷卻劑的流動方向D上串聯配置"的構成的范圍并不限定于此。 也就是說，即使連接多個元件或基板的中心位置的方向，被配置成與冷卻 劑的流動方向D交差的方向上時，在元件或基&的至少一部分處于與垂直 方向C相互重復的位置關系的情況下，^M目當于"在冷卻劑的流動方向D 上串聯配置"的構成，可成為本發明的優選實施方式之一。
(5) 同樣在上述的各實施方式中，作為"在相對于冷卻劑的流動方向 D的垂直方向C上排列配置，，的構成的具體例，以連接多個元件或基敗的 中心位置的方向，被配置成與垂直方向C大致平行那樣的構成為例進行了 說明。但是，相當于"在垂直方向C上排列配置"的構成的范圍并不限定 于此。也就是說，即使連接多個元件或基板的中心位置的方向被配置在與 垂直方向C交差的方向上時，只要元件或基板的至少一部分處于冷卻劑的 流動方向D上相互重復的位置關系時，也相當于"在垂直方向C上排列配 置"的構成，也可成為本發明的優選實施方式之一。
(6) 在上述各實施方式中，作為平行流形成單元，對底板2的下面 2B上設置多個平*熱片8的例子進行了說明。但平行流形成單元的具體 的構成并不限定于此。因此，例如在與底板2的不同體的水路形成部件12 側上形成多個平行的散熱片8，各散熱片8的上面抵接于底板2的構成， 也是本發明的優選實施方式之一。另外，對于散熱片8的數目、間隔等也 可任意地決定。另外，也可通過散熱片8以外的部件構成平行流形成單元。例如、也可通過底板2上所設置的細長的多個貫通孔、槽等，同樣也可以 形成規定方向平行的冷卻劑流，此時這些貫通孔、槽等為平行流形成單元。
(7) 另外，優選散熱片8的前端，對于對置的板狀部件來說為具有規 定的間隙的構成。也就是說，在上述的各實施方式中，作為平行流形成單 元的散熱片8的底面(圖2及圖3的下面)，以接連7JCJ^形成部件12的抵 接板部12b那樣設置的情況為例進行了說明，優選散熱片8的底面對于抵 接板部來說為具有規定間隙的構成。同樣，在M形成部件12側形成散熱 片8時，優選散熱片8的上面對底板2的下面2B來說為具有規定的間隙 的構成。
(8) 另外，在上述各實施方式中，對通過平行流形成單元形成的平行 的冷卻劑流分別為直線狀的例子進行了說明。但是，通過平行流形成單元 形成的平行的冷卻劑流，不限定為直線狀，也可以具有波形等彎曲部的曲 線狀，這也是本發明的優選實施方式之一。此種情況例如平行流形成單元 為散熱片8時，各散熱片8在俯視圖中，被形成為彎曲的波形等曲線狀。
(9) 在上述各實施方式中，對具備了下臂用開關元件4A的下臂用基 板3A，被配置在比上臂用基仗3B靠近冷卻劑的流動方向D的下游側時的 例子進行了說明。但是，使下臂用基板3A配置成比上臂用基敗3B靠近冷 卻劑的流動方向D的上游側的構成，也是本發明的優選實施方式之一。此 種情況下，考慮溫度管理的可靠性，省略對于下臂用開關元件4A的溫度 檢測電路9a,而對在冷卻劑的流動方向D的下游側設置被配置的上臂用開 關元件4B設置溫度檢測電路9a。但是，并不排除對冷卻劑的流動方向D 的下游側配置的上臂用開關元件4B省略溫度檢測電路9a，而對在冷卻劑 的流動方向D的上游側配置的下臂用開關元件4A設置了溫度檢測電路9a 的構成。另外，也可形成在下臂用開關元件4A和上臂用開關元件4B的雙 方均設置溫度檢測電路9a的構成。
(10) 在上述的各實施方式中，以底板2的上面2A被配置了多個基 板3、底板2的下面2B被設置了冷卻劑流路7的構成為例進行了說明，但 本發明的實施方式并不限定于此。也就^:i兌，底板2的配置方向是任意的， 以配置了多個基板3的面為下向或側方向也是本發明的優選實施方式之
(11) 在上述的第一、第二及第五實施方式中，對一對J41 3A、 3B相互具有完全相同構成時的例子進行了說明。但是，為實現上述那樣的一
對基仗3A、 3B的配置，未必需要一對U13A、 3B具有完全相同的構成， 至少各基tl 3的開關元件4、 二極管元件5及連接端子區域6的配置相同 即可。因此，下臂用基仗3A和上臂用基仗3B，其開關元件4、 二極管元 件5及連接端子區域6的配置可以相同，也可以是其他不同的構成，將基 板3A、 3B配置成點對稱的構成，也是本發明的優選實施方式之一。
(12 )在上述的各實施方式中，將半導員塊1適用于逆變器電路11、 斬波電路時的例子為主進行了說明。但本發明的適用范圍并不限定于此， 也可適當地利用于需要開關元件4的適當冷卻的各種半導體模塊1中。
本發明能夠適當地利用在具備了底板；載置在該底板的一面上、分別 具備了開關元件、二極管元件及連接端子區域的多個基板；及被設置成與 上述底板的另 一 面接觸的冷卻劑流路的半導員塊中。
權利要求
1、一種半導體模塊，具備底板；載置在該底板的一面上、并分別具備了開關元件、二極管元件及連接端子區域的多個基板；及被設置成與上述底板的另一面接觸的冷卻劑流路，并具備平行流形成單元，該平行流形成單元在上述冷卻劑流路內形成在規定方向平行的冷卻劑流，上述各基板的上述開關元件和上述二極管元件，在上述冷卻劑的流動方向上串聯配置，且上述開關元件和上述連接端子區域在相對于上述冷卻劑的流動方向垂直的方向上配置在不同位置，構成上述多個基板的一對基板，在上述冷卻劑的流動方向上串聯配置，并且在一個基板上在上述垂直方向的一側配置上述開關元件，在另一個基板上在上述垂直方向的一側配置上述連接端子區域，
2、 根據權利要求1所述的半導M塊，其特征在于，上述一對141相互具有相同的構成，被配置成點對稱。
3、 根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其特征在于，上述一對基敗的一方或雙方的上述二極管元件，被配置成比各基板的 上述開關元件靠近另 一個141側。
4、 根據權利要求1 3中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，上述平行流形成單元，是沿著底板的另 一面相互平行地配置的多個散 熱片。
5、 根據權利要求1 4中任一項所述的半導體模塊，其特征在于，對在上述冷卻劑的流動方向的下游側所配置的上述基&的上述開關元 件設置溫度檢測單元，采用該溫度檢測單元進行溫度檢測，該溫度檢測用 于上述一對基仗雙方的開關元件的溫度管理。
6、 根據權利要求1 5中任一項所述的半導員塊，其特征在于，上述一對基板，分別具備一對下臂用開關元件及上臂用開關元件中的 任意一方。
7、 根據權利要求6所述的半導g塊，其特征在于， 對接地的上述下臂用開關元件設置溫度檢測單元，采用該溫度檢測單元進行溫度檢測，該溫度檢測用于上述一對基ll雙方的開關元件的溫度管 理。
8、 根據權利要求1 ~ 7中任一項所述的半導體模塊，其特征在于， 在上述底板的一面上載置6個基tl,該6個^作為上述多個基板， 分別具備用于構成三相交流用逆變器電路的各相下臂用開關元件及上臂 用開關元件中的任一方。
9、 一種逆變器裝置，具備權利要求8所述的半導體模塊。
全文摘要
提供一種具備對于多個基板的各個開關元件和二極管元件在冷卻劑的流動方向上串聯配置的構成，能夠適當地冷卻全部基板的開關元件的構成的半導體模塊。在冷卻劑流路(7)內具備用于形成在規定方向平行的冷卻劑流的平行流形成單元(8)，各基板(3)的開關元件(4)和二極管元件(5)在冷卻劑的流動方向(D)上串聯配置，且開關元件(4)和連接端子區域(6)，在與冷卻劑的流動方向(D)垂直的垂直方向(C)上被配置在不同位置，一對基板(3)在冷卻劑的流動方向(D)上串聯配置，且在一個基板(3)上在垂直方向(C)的一側配置開關元件(4)，在另一個基板(3)上在垂直方向(C)的一側配置連接端子區域(6)。
文檔編號H01L25/07GK101622708SQ20088000604
公開日2010年1月6日 申請日期2008年2月15日 優先權日2007年5月22日
發明者安井誠二, 青木一雄, 鶴岡純司 申請人:愛信艾達株式會社