專利名稱:半導體芯片制造方法
技術領域:
本發明涉及通過相對于每個集成電路劃分測試圖案已經形成于劃線上 的半導體晶片來制造半導體芯片的半導體芯片制造方法。
背景技術:
半導體芯片按照這種方式制造,在多個集成電路在半導體晶片的情形下 按批模式已經形成之后,該半導體晶片沿劃線被切割從而相對于每個集成電 路被劃分。盡管多種晶片切割方法在傳統上已被采用,例如這樣的晶片切割
方法是已知的,該晶片使用旋轉刀片被機械地切割(例如見專利文獻1);以 及不采用該機械切割方法,另一種晶片切割方法是已知的,例如基于等離子 體分割工藝的方法,其中與劃線相對應的晶片的部分通過等離子體蝕刻工藝 被除去來劃分晶片(例如見專利文獻2),等等。
另一方面,在制造半導體芯片的階段,當電路圖案形成時,在特性測試 中使用的測試圖案形成于與劃線相對應的區域上;以及在這些測試圖案的功 能達成之后,這些測試圖案通過分割工藝截斷或者除去。在專利文獻l所示 的例子中,在用于切割晶片本身的分割工藝之前,測試圖案已經采用旋轉刀 片事先被除去,該刀片具有更寬的寬度。結果,由于測試圖案的整個部分被 除去,因此可以避免切割面的"模糊",當測試圖案被部分切割時會發生這 種情況。
隨后,專利文獻3所述的另一種方法被提出,其中釆用等離子體分割工 藝來除去測試圖案。也就是說,在該例子中,保護座附著到半導體晶片的電 路形成面,使得該保護座接觸到測試圖案;接著,等離子體蝕刻用掩模形成 于該電路形成面的背面上,且該晶片通過等離子體蝕刻工藝被切割;以及隨 后,在等離子體蝕刻工藝中未被除去而是留下的該測試圖案連同該保護座被 剝離(release),并因此被除去。結果,在等離子體蝕刻工藝之后,電路形成 面的側面不再通過等離子體灰化來除去掩模,且因此由于等離子體灰化工藝 導致的電路形成面的損傷可以;肖除。
3[專利文獻1] JP-A-2001-250800 [專利文獻2] JP-A-2005-191039 [專利文獻3] JP-A-2006-179768
此外,在上述專利文獻中所描述的傳統技術思想包括下述難點。也就是 說,在專利文獻l所披露的傳統例子中,由于在分割步驟中需要采用兩種旋 轉刀片的切割工作,因此工藝步驟的總數目增加,使得生產率的提高受到阻 礙。此外,在專利文獻3所披露的例子中,從晶片背面側執^f亍等離子體蝕刻 工藝的步驟變得復雜,在下述情況下,即,測試圖案的尺寸大且測試圖案形
執行采用氟系列工藝氣體的等離子體蝕刻工藝無法除去測試圖案。結果存在 這樣的通用特性難點,即,可除去的對象是有限的。如前所述,在傳統半導 體芯片制造方法中,存在下述問題。即,在通用特性得到保證時,在分割步 驟中測試圖案無法高效率地通過簡單步驟除去。
發明內容
因此,本發明的目的是提供一種半導體芯片制造方法,其能夠通過簡單 的步驟以更高的效率除去測試圖案,同時可以保證通用特性。
根據本發明 一個方面的半導體芯片制造方法特征在于,該半導體芯片制 造方法為,其中半導體晶片包含在由多條劃線分隔的多個區域內形成的多個 集成電路并包含在所述劃線內形成的多個測試圖案,該半導體晶片通過等離 子體蝕刻工藝相對于每個該集成電路被劃分從而制造單獨的半導體芯片,且 其中該半導體芯片制造方法包括座附著步驟,用于將在所述等離子體蝕刻 工藝中構成掩模的保護座附著在所述半導體晶片的正面,所述半導體晶片的 正面上已經形成有所述集成電路,且進一步,該步驟用于將保持座附著在所
芯片;測試圖案除去步驟,其中,由于激光相對于已經附著有所述保護座的 所述半導體晶片從保護座側沿著該劃線射出,所述劃線上的僅預定寬度的所 述保護座被除去以形成所述掩模,且此外,所述測試圖案連同所述半導體晶 片的正面層被除去;等離子體分割步驟,其中,由于與被除去的具有預定寬 度的保護座相對應的所述半導體晶片內的 一部分在所述測試圖案除去步驟 之后被等離子體蝕刻,通過照射該激光而產生的損傷層被除去,且此外,所述半導體晶片相對于每個所述單獨的集成電路被劃分;以及保護座除去步 驟,用于在所述等離子體分割步驟之后從所述半導體晶片的正面除去所述保 護座。
依據本發明,在等離子體蝕刻工藝中構成掩模的保護座附著在半導體晶 片的正面,該半導體晶片的正面上已經形成有集成電^S由于激光沿著其上 已經附著保護座的半導體晶片的劃線從保護座側照射,劃線上的僅預定寬度
的保護座被除去以形成該掩模;且此外,測試圖案連同半導體晶片的正面層
通過上述激光被除去。結果,測試圖案可以通過簡單的步驟以更高的效率除 去,同時通用特性得以保證。
圖1為本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中采用的半導體晶片的
詳細i兌明圖。
圖2為用于描述本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的流程圖。 圖3a為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖3b為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖3c為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖3d為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖4為用于表示本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中使用的激光 力口工i殳備(laser working apparatus )的透一見圖。
圖5為用于示出本發明實施例才莫式的半導體芯片制造方法中的半導體晶 片的部分斷面圖。
圖6為用于示出本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中使用的等離 子體處理設備的斷面圖。
圖7a為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖7b為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說明圖。
圖7C為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖8a為用于示出本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中的半導體 晶片的部分斷面圖。
圖8b為用于示出本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中的半導體 晶片的部分斷面圖。
圖9a為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖9b為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
圖9c為用于解釋本發明實施例模式的半導體芯片制造方法的步驟的說 明圖。
具體實施例方式
下面參考附圖描述本發明實施例模式。
首先,參考圖1來描述本發明實施例模式的半導體芯片制造方法中采用 的半導體晶片l。在圖l中,通過釆用布置成格子形狀的劃線2a,半導體晶 片1已經分隔成矩形形狀的多個芯片區域2(區域),從而將相應半導體芯片 彼此切斷。在與半導體晶片1的電路形成面相對的正面la,每個集成電路3 已經形成于每個芯片區域2內,且測試圖案4已經形成于劃線2a內。測試 圖案4在半導體芯片制造步驟中用于特性測試等,且在測試圖案4的功能已 經達成之后被除去。在本實施例模式所示的半導體芯片制造方法中,相對于 每個集成電路3進行等離子體分割工藝來劃分半導體晶片1,從而制造單獨 的半導體芯片,其中該等離子體分割工藝采用等離子體蝕刻工藝。
接著,參考相應附圖描述依據圖2的流程圖的半導體芯片制造方法的詳 細步驟。在圖2,首先,以半導體晶片l作為對象,其中集成電路3和測試 圖案4均已經形成于半導體晶片1的正面la上(見圖3a),執行保持座附著 操作(步驟ST1)和保護座附著操作(步驟ST2)。應理解,備選地可以首 先執行上述的保持座附著操作(步驟ST1)和保護座附著操作(步驟ST2) 中的任意一個。換言之,如圖3b所示,保持座8附著在半導體晶片l的背面lb上,背
面lb位于正面la的相對側。采用保持座8,從而在半導體晶片1已經劃分 成單獨半導體芯片的狀態下保持半導體晶片1的半導體芯片。通過將管芯附 著膜6堆疊在樹脂座7上來構造保持座8,管芯附著膜6作為粘合層,該粘 合層用于在后續步驟的管芯結合步驟中附著半導體芯片。當該保持座8被附 著時,管芯附著膜6接觸背面lb。這種情況下,UV (紫外)帶設計成用作 樹脂座7,而UV帶已經設置有粘合層,該粘合層通過照射紫外線而降低其 粘合力。在后續步驟的管芯結合步驟中,紫外線從UV帶的下表面側照射, 使得單獨的半導體芯片可以容易地分離(derived )。
此外,用于保護電路形成面的保護膜5附著到正面la。這種情況下使用 例如UV帶的保護座5,而該UV帶為具有粘合層的樹脂座,該粘合層通過 接收光而降低其粘合力。將在下文中討論,在本實施例模式中,對于附著在 半導體晶片l上的保護座5,與劃線2a等效的范圍被除去,且剩余的保護座 被致使在等離子體蝕刻工藝中用作掩模,用于將半導體晶片1劃分成單獨的 半導體芯片。
也就是說,在步驟ST1和ST2中,對于半導體晶片1,在等離子體蝕刻 工藝中用作掩模的保護座5附著到半導體晶片1的正面la,其中集成電路3 已經形成在正面la上,再者,在這些半導體芯片已經分別被劃分的狀態下 用于保持半導體芯片的保持座8附著到背面lb (座附著步驟)。隨后,在這 種情況下,設置有管芯附著膜6的樹脂座7用作保持座8。在座附著步驟中, 當管芯附著膜6接觸半導體晶片l的背面lb時,保持座8附著到背面lb。
接著,測試圖案4被除去(步驟ST3 )。這種情況下,當采用圖4所示 的激光加工設備10時,通過從激光加工設備IO發射的激光,保護座5沿著 劃線2a被除去,且在掩模形成處理操作執行的同時,測試圖案4被除去, 上述等離子體蝕刻工藝中的掩模由此形成。
現在參考圖4,描述激光加工設備10的構造。在圖4,半導體晶片1保 持在晶片保持單元ll上,其中保護座5附著在半導體晶片1的正面la上。 傳送板18通過傳送機構17按照自由傳送的方式布置在晶片保持單元11上 方,激光照射單元9和相機19已經安裝在該傳送板18上。激光照射單元9 將激光發生單元14產生的激光9a照射到位于激光照射單元9下方的半導體 晶片1 。相機19為紅外相機,并通過采用紅外線對置于相機19下方的半導體晶
片l成像。此時,相機19可以透過保護座5對半導體晶片l的集成電路3、 識別標記等成像。隨后,成像結果由識別單元16進行識別處理,使得集成 電路3和劃線2a在半導體晶片1內的陣列位置可被探測。
激光發生單元14、識別單元16和傳送機構17是由控制單元15控制。 當控制單元15響應于從操作/輸入單元12輸入的操作指令來控制各個結構單 元時,控制單元15訪問存儲于工作數據存儲單元13內的數據。與劃線2a 的陣列位置相關的數據以及與劃線2a寬度相對應的分割寬度相關的數據已 經存儲于工作數據存儲單元13內。如圖3b所示,分割寬度與保護座5上半 導體晶片l內劃線2a相對應的區域紋合,也就是說,與邊界線區域的寬度 紋合。對工作數據存儲單元13的數據寫操作可以由操作/輸入單元12來進行。
當半導體晶片1作為加工對象,上述激光加工設備10進行激光加工操 作時,控制單元15基于由識別單元16探測的半導體晶片1的實際位置以及 存儲于工作數據存儲單元13內表示劃線2a位置的數據來控制傳送機構17。 結果,傳送機構17沿著半導體晶片1上表面上方的劃線2a傳送激光照射單 元9。隨后,由于控制單元15基于與分割寬度相關的數據來控制激光發生單 元14,激光9a從激光照射單元9照射,而激光9a的輸出功率被恰當地選擇 從而除去保護座5的邊界線區域5a,該邊界線區域5a的除去寬度對應于分 割寬度。隨后,由于上述的激光加工操作被執行,僅邊界線區域5a從形成 于半導體晶片1的正面la上的保護座5被除去,使得等離子體分割用掩模 圖案形成,其中該掩模圖案內形成具有槽的開口部5b。除去的邊界線區域 5a對應于用于將半導體芯片彼此切斷的劃線2a。
當對半導體晶片1進行激光加工操作時,激光9a從設置于激光加工設 備10內的激光照射單元9照射,且如圖3c所示,激光照射單元9沿著半導 體晶片l上的劃線2a被傳送。結果,如圖3d所示,邊界線區域5a通過從 激光照射單元9照射的激光9a而被除去以形成穿透保護膜5的開口部5b, 且此外,形成于半導體晶片1的正面la上的測試圖案4通過激光9a被除去。
換言之,在上述測試圖案除去步驟(ST3)中,由于激光9a沿著其上已 經附著保護座5的半導體晶片1的劃線2a從保護座5側照射,劃線2a上形 成的僅預定寬度的保護座5被除去以形成等離子體分割用掩模,且此外,測 試圖案4連同半導體晶片1的正面層被除去(測試圖案除去步驟ST3),而
8測試圖案4已經形成在與半導體晶片1上的劃線2a相對應的位置。上述預 定寬度對應于上述分割寬度。
圖5示意性詳細地示出在該測試圖案除去步驟ST3之后的開口部5b。 在激光加工操作中,與保護座5內劃線2a相對應的邊界線區域5a的樹脂部 通過激光9a被除去,使得上述開口部5b形成。隨后,開口部5b的底部一 直到達保護座5的下表面,且隨后,激光9a的作用可以傳遞到半導體晶片1 的正面la。結果,位于正面la上的劃線2a位置的測試圖案4連同半導體晶 片1的正面層被除去,且激光9a的作用可以進一步傳遞到半導體晶片1的 內部。此時,包含非常小裂紋的損傷層ld形成于使用激光9a除去半導體晶 片1的正面層而形成的凹部lc的表面上。
如果損傷層ld留下,則半導體晶片1的強度降低。因此必需除去損傷 層ld。在本實施例模式中,在通過執行等離子體蝕刻工藝來劃分半導體晶片 1的等離子體分割步驟中,試圖在執行等離子體蝕刻工藝的同時除去損傷層 ld。此時,對于損傷層ld的形成范圍在開口部5b底部的開口范圍上延伸的 情形,損傷層ld被設置成這種狀態,即,該損傷層ld被保護座5的下表面 部分地覆蓋(見圖5所示的箭頭"a")。這種狀態下,等離子體蝕刻工藝的 作用無法傳遞到該損傷層ld的被保護座5下表面覆蓋的部分,但是即使在 半導體晶片1通過等離子體分割工藝已經劃分成單獨的半導體芯片之后,存 在一些可能性,即,損傷層ld會部分地留下。
結果,能夠徹底除去等離子體蝕刻工藝中的上述有害損傷層ld的處理 操作被執行(步驟ST4)。亦即,所謂的"灰化,,工藝被執行以通過等離子 體蝕刻工藝擴大保護座5的開口部5b的開口寬度,從而將損傷層ld的全部 暴露到開口部5b的底部。在執行等離子體分割步驟ST5之前,通過執行預 備等離子體蝕刻工藝來擴大通過激光9a除去的保護座5的開口部5b的開口 寬度,由此執行該灰化工藝。
隨后,執行等離子體分割工藝。也就是說,在測試圖案除去步驟ST3之 后,保護座5已被除去的半導體晶片1部分通過等離子體蝕刻工藝被蝕刻, 而上述部分對應于分割寬度(即,預定寬度),使得通過照射激光9a產生的 損傷層ld被除去,且半導體晶片1也相對于每個這些集成電路3被劃分(等 離子體分割步驟ST5)。
接著,參考圖6描述在上述的預備等離子體蝕刻工藝和等離子體分割工藝中使用的等離子體處理設備20。在圖6,真空腔21的內部空間構成緊密
地密封的處理空間,從而對半導體晶片l執行等離子體處理操作。在真空腔
21的內部空間內,高頻側電極22和氣體供給電極23按照相對布置方式來排 布。作為待處理對象的半導體晶片1安裝在高頻側電極22上,半導體晶片1 的外圍部分被絕緣環22a包圍,且所安裝的半導體晶片l通過真空吸著方式 或者靜電吸著方式而保持在高頻側電極22上。
等離子體發生用氣體供給單元27a和另 一等離子體發生用氣體供給單元 27b通過開閉閥25a、 25b和流速控制閥26a、 26b分別連接到氣體供給電極 23內形成的氣體供給孔23a。等離子體發生用氣體供給單元27a供給氧氣氣 體或者氧氣混合氣體,該氣體被用于等離子體處理操作來執行目的是能夠除 去保護座5和管芯附著膜6的灰化工藝。等離子體發生用氣體供給單元27b 供給氟系列等離子體發生用氣體,該氣體被用于目的是除去半導體晶片l的 ,硅(即,主要成份)以形成分割槽的等離子體分割工藝。開閉閥25a、 25b 和流速控制閥26a、 26b受控制,因此可以選擇供給到氣體供給孔23a的等 離子體發生氣體的種類并且可以調節氣體供給流速。
所供給的等離子體發生用氣體通過安裝在氣體供給電極23下表面上的 多孔板24而均勻地噴射到安裝在高頻側電極22上的半導體晶片1。在上述 狀態下,高頻電源單元28被驅動從而施加高頻電壓。結果,或者氧氣氣體 的等離子體或者氟系列的等離子體產生于氣體供給電極23和高頻側電極22 之間,使得用于每種情形的目的的等離子體處理操作通過采用所產生的等離 子體氣體來執行。在該等離子體處理步驟中,冷卻單元29被驅動從而在高 頻側電極22內循環冷卻劑,且因此可以避免半導體晶片1的溫度由于接收 所產生的等離子體而上升。
換言之,當在測試圖案除去步驟ST3之后得到的半導體晶片l作為對象 時,使用或者氧氣氣體或者氧氣混合氣體作為等離子體發生用氣體的等離子 體處理搡作被執行。結果,如圖7a所示,氧氣氣體等離子體"P1"的作用 傳遞到半導體晶片1,其中在半導體晶片1上開口部5b已經形成于保護座5 內,使得氧氣氣體等離子體"P1"的各向同性蝕刻作用傳遞到保護座5和開 口部5b的內部,且灰化工藝也被執行,與有機物質相對應的保護座5通過 氧氣氣體等離子體P1轉變為灰從而被除去。
現在參考圖8a和8b描述上述灰化工藝所達成的具體效果。圖8a示出
10通過激光的測試圖案除去操作已經執行之后開口部5b的狀態。如圖8a所示, 在激光加工操作已經執行之后的開口部5b內,內側面5c不是平滑面,而是 成為這種狀態,即形成具有非常細條的凹凸部。隨后,模糊部形成于開口部 5b上緣的上緣部5d,其中在該^^糊部,熔化的保護座5向上抬高并固化。 此外,位于上緣部5d附近的開口部5b的一部分變為這種狀態,即殘渣5e 被附著。在殘渣5e,已經熔化的保護座5的樹脂成份固化成非常小的粒子形 狀。此外,殘留物5f位于開口部5b的底部上,而未除去部分部分地留在這 些殘留物5f內。隨后,在上述狀態下,開口部5b在底部的開口寬度變為"Bl", 小于保護座5在上表面上的開口寬度。
圖8b示出對圖8a所示的狀態通過氧氣氣體等離子體"P1"執行灰化工 藝之后得到的開口部5b的狀態。如該圖所示,由于氧氣氣體等離子體"P1" 的各向同性蝕刻作用,位于保護座5表面上以及內側面5c的內部上的凹凸 部被平滑,使得內側面5c和上緣部5d可以變為平滑表面,且因此殘渣5e 和殘留物5f消失。隨后,蝕刻作用傳遞到內側面5c和開口部5b,使得開口 部5b的開口寬度擴大為"B2",大于圖8a所示的上述開口寬度"Bl"。結果, 可以實現有關損傷層ld的下述改進。也就是說,如圖5所示,損傷層ld在 其兩個邊緣部纟皮保護座5部分覆蓋的狀態(見箭頭"a")可以改變為損傷層 Id的全部在開口部5b內暴露的狀態(如圖7a所示)。在這種狀態下#1行下 述的分割工藝。
接著,執行上述的等離子體分割工藝(步驟ST5)。也就是說,在下述 狀態下產生等離子體,即,由于開閉閥25a和25b在等離子體處理設備20 內被操作,氟系列的等離子體發生用氣體從等離子體發生用氣體供給單元 27b供給到氣體供給孔23a。隨后,所產生的氟氣體等離子體P2的作用傳遞 到在開口部5b內暴露的半導體晶片l,使得除去寬度的主要成份為硅的半導 體晶片l可以被除去,如圖7b所示。該除去寬度對應于開口部5b。
結果,沿著上下方向穿透半導體晶片1的分割槽部le形成,使得半導 體晶片1被劃分成單獨的半導體芯片"1*"。此時,在凹部lc的表面內形成 的損傷層ld也通過該激光加工操作由于等離子體作用而被除去。如前所述, 由于損傷層ld在開口部5b內已經完全暴露,該損傷層ld被徹底除去。因 此根本不會出現下述問題。即,在該問題中,半導體芯片的強度降低,因為 未被除去的損傷層ld部分地留下。換言之,在等離子體分割步驟ST5,在測試圖案除去步驟ST3已經執行 之后,具有預定寬度的被除去的保護座5在半導體晶片1內被等離子體蝕刻, 即,保護座5被等離子體蝕刻,其對應于邊界線區域5a。結果,在激光加工 操作中通過照射激光9a產生的損傷層ld被除去,且進一步,半導體晶片1 相對于每個集成電路3被劃分成單獨的半導體芯片"1*,,(等離子體分割步 驟ST5 )。
接著,執行DAF (管芯附著膜)等離子體蝕刻工藝(步驟ST6)。在該 步驟ST6,等離子體在下述狀態下產生,即,由于開閉閥25a和25b在激光 加工設備10內被搡作,等離子體發生用氣體的供給源再次切換到等離子體 發生用氣體供給單元27a,且因此,或者氧氣氣體或者氧氣混合氣體從等離 子體發生用氣體供給單元27a供給到氣體供給孔23a。換言之,如圖7c所示, 通過供給氧氣氣體或者氧氣系列氣體的等離子體發生用氣體而產生的氧氣 氣體等離子體"Pl"所導致的作用,通過上述等離子體分割步驟ST5中形成 的分割槽部le傳遞到管芯附著膜6。
結果,在分割槽部le內暴露且為有機物質的管芯附著膜6在灰化工藝 中被氧氣氣體等離子體"P1"處理而被除去。換言之,管芯附著膜6通過采 用由氧氣氣體或者包含氧氣的氣體產生的等離子體被蝕刻從而被除去。隨 后,結果,通過分割槽部le劃分的多個上述半導體芯片"1*"設置成這種 狀態,即,單獨的半導體芯片"1*"通過管芯附著膜6由樹脂座7來保持。
接著,照射紫外線從而容易地剝離保護座5 (步驟ST7)。在步驟ST7, 紫外線從半導體晶片1的正面la側照射到保護膜5,從而降低使保護座5 附著到正面la的粘合力。應注意,當在上述的等離子體分割步驟ST5中從 氟系列的等離子體產生紫外線時,如果產生的紫外線的數量足夠大而可以降 低保護座5的粘合力,則上述的紫外線照射步驟ST7備選地可以省略。隨后, 粘合座被附著從而剝離和除去保護座5 (步驟ST8)。換言之,如圖9a所示, 對應于粘合座的管芯結合座30從保護座5的上表面側按批方式附著到多個 半導體芯片"1*"。應理解,當采用紫外線可以穿過的該管芯結合座30時, 可以首先執行紫外線照射步驟(ST7)和粘合座附著步驟(ST8)的任意一 個。
接著,保護座除去操作被執行從而從正面la除去保護座5 (步驟ST9: 保護座除去步驟)。也就是說,如圖9b所示,管芯結合座30沿著向上方向被扯掉,使得保護膜5從正面la與每個這些半導體芯片"1*"剝離。結果, 可以完成半導體芯片"1*"的組裝體101。組裝體101具有這種的結構,即, 通過將圖l所示的半導體晶片l相對于每個集成電路3劃分成單獨的半導體 芯片"1*,,而制造的半導體芯片"1*"通過管芯附著膜6保持在樹脂座7上。
半導體芯片"1*"的組裝體101傳送到管芯結合步驟,該組裝體101通 過諸如晶片環的夾具被保持,且隨后如圖9c所示,單獨的半導體芯片"1*" 在管芯結合步驟中依次逐一地從樹脂座7分離。當半導體芯片"1*,,被分離 時,由于紫外線事先從對應于UV帶的樹脂座7的下表面側照射,用于附著 管芯附著膜6的樹脂座7的粘合力降低,使得這些半導體芯片"1*"可以容 易地從管芯附著膜6分離。隨后,分離的半導體芯片"1*"通過對應于粘合 層的管芯附著膜6而結合在板(未示出)上。
如前所述,在本實施例模式所述的半導體芯片制造方法中,在等離子體 蝕刻工藝中構成分割工藝用掩模的保護座5附著在半導體晶片1的正面la 上,集成電路3已經形成于半導體晶片l上;激光從保護座5側沿著半導體 晶片1的劃線2a照射,其中保護座5已經附著在該半導體晶片1上,且劃 線2a上僅預定寬度的保護座5被除去以形成該掩模;以及此外,測試圖案4 連同半導體晶片l的正面層通過上述激光被除去。
結果,可以通過簡單的方法以及在等離子體分割工藝用掩模形成的同 時,以更高的生產率來除去測試圖案4。換言之,與傳統上采用的各種方法 相比,例如在分割步驟中采用兩種旋轉刀片而機械地除去測試圖案的方法、 以及從半導體晶片的電路形成面的背側執行等離子體蝕刻工藝從而除去測 試圖案的方法,可以實現測試圖案4的除去步驟的簡化。
此外,本實施例模式中所述的方法也可以應用于下述情形,其中測試圖 案的尺寸大,測試圖案形成為使得在劃線上彼此相鄰的半導體芯片相互耦合 而無任何間隙。此外,依據上述方法,不再需要在傳統測試圖案形成情形中 采用的使用例如氯系列氣體的有毒氣體的蝕刻工藝,在釆用氟系列氣體的處 理氣體的等離子體蝕刻工藝中可以除去測試圖案。結果,由于應用本發明, 可以通過采用簡單步驟結構以更高的生產率來實現具有優良的通用特性的 半導體芯片制造方法。
工業應用'l"生
本發明的半導體芯片制造方法具有這樣的優點,測試圖案可以通過筒單
13步驟更高效率地被除去,同時維持通用特性,且上述半導體芯片制造方法可 以有用地應用到下述技術領域,即,已經形成多個集成電路的半導體晶片相 對每個集成電路被劃分從而制造單獨的半導體芯片。
本申請是基于2008年2月8日提交的日本專利申請No. 2007-028933并 主張其優先權利益,其全部內容引用結合于此。
權利要求
1.一種半導體芯片制造方法,其中半導體晶片包含在由多條劃線分隔的多個區域內形成的多個集成電路并包含在所述劃線內形成的多個測試圖案,所述半導體晶片通過等離子體蝕刻工藝相對于每個所述集成電路被劃分從而制造單獨的半導體芯片,所述半導體芯片制造方法包括座附著步驟,用于將在所述等離子體蝕刻工藝中構成掩模的保護座附著在所述半導體晶片的正面,所述半導體晶片的正面上已經形成有所述集成電路,且進一步,該步驟用于將保持座附著在所述半導體晶片的背面,采用所述保持座保持在劃分的狀態下的單獨的半導體芯片;測試圖案除去步驟,其中,由于激光相對于已經附著有所述保護座的所述半導體晶片從保護座側沿著所述劃線射出,所述劃線上的僅預定寬度的所述保護座被除去以形成所述掩模,且此外,所述測試圖案連同所述半導體晶片的正面層被除去;等離子體分割步驟,其中,由于與被除去的具有預定寬度的保護座相對應的所述半導體晶片內的一部分在所述測試圖案除去步驟之后被等離子體蝕刻,通過照射所述激光而產生的損傷層被除去,且此外,所述半導體晶片相對于每個所述單獨的集成電路被劃分;以及保護座除去步驟,用于在所述等離子體分割步驟之后從所述半導體晶片的正面除去所述保護座。
2. 如權利要求l.所述的半導體芯片制造方法,其中在所述等離子體分 割步驟之前,預備等離子體蝕刻工藝被執行,用于擴大由所述激光除去的保 護座的開口部的開口寬度。
3. 如權利要求2所述的半導體芯片制造方法,其中具有粘合層的樹脂 座被采用作為所述保護座,所述粘合層的粘合力通過光而降低;以及在所述 預備等離子體蝕刻工藝中,氧氣氣體或者包含氧氣的氣體被使用。
4. 如權利要求1所述的半導體芯片制造方法,其中當設有管芯附著膜 的樹脂座用作所述保持座時,在所述座附著步驟,所述管芯附著膜接觸到所 述半導體晶片的背面從而附著所述保持座;以及,在所述等離子體分割步驟之后,位于彼此相鄰的半導體芯片之間的所述管芯附著膜通過由氧氣產生的 等離子體或者由含氧氣體產生的等離子體被除去。
全文摘要
在本發明的方法中,半導體晶片(1)包含在多個芯片區域內形成的集成電路(3)以及在劃線(2a)內形成的測試圖案(4),半導體晶片(1)通過等離子體蝕刻工藝被劃分從而制造單獨的半導體芯片,在半導體晶片(1)中,在等離子體蝕刻工藝中構成掩模的保護座(5)附著在半導體晶片(1)的正面(1a),正面(1a)上已經形成有集成電路(3);由于激光(9a)沿著劃線(2a)照射,僅預定寬度的保護座(5)被除去以形成具有等離子體分割用開口部(5b)的掩模;且此外,測試圖案(4)連同半導體晶片(1)的正面層通過激光(9a)被除去。結果,測試圖案(4)可以通過簡單步驟以更高效率除去,同時通用特性得以保證。
文檔編號H01L21/78GK101542714SQ200880000058
公開日2009年9月23日 申請日期2008年2月7日 優先權日2007年2月8日
發明者有田潔, 針貝篤史 申請人:松下電器產業株式會社