專利名稱：鉬基二極管的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件，尤其是一種二極管。
背景技術：
LED在照明領域的應用備受關注，特別在全球能源短缺的情況下，LED在照 明市場的前景更備受全球矚目，二十一世紀將進入以LED為代表的新型照明光 源時代，而目前的LED陽極材料熔點不夠高，時間長了易燒壞，這就減短了LED 使用壽命。
發明內容
本發明針對現有技術的缺陷，提供一種經濟實用型的二極管。 為了實現上述目的，本發明采取以下措施來實現
一種鉬基二極管，包括陽極，陰極，半導體，其特征在于采用金屬鉬作為 二極管的陽極，以N型半導體為負極，由此所組成的半導體器件。
本發明相對于己有技術具有如下特點采用鉬作為陽極材料，硬而堅韌，
熔點為2610"C，沸點為556(TC，耐高溫，不易燒壞，從而延長了 LED的使用 壽命。
具體實施例方式
鉬是銀白色金屬，作為正極，以N型半導體為負極，N型半導體中存在著大 量的電子，金屬鉬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的N型半導 體中向濃度低的金屬鉬中擴散，形成單向流通的電流。實際中，本發明可應用在LED中，有效的提高了LED的使用壽命。
權利要求
1、一種鉬基二極管，包括陽極，陰極，半導體，其特征在于采用金屬鉬作為二極管的陽極，以N型半導體為負極，由此所組成的半導體器件。
全文摘要
本發明提供一種鉬基二極管，包括陽極，陰極，半導體，采用金屬鉬作為二極管的陽極，以N型半導體為負極，由此所組成的半導體器件，采用鉬作為陽極材料，硬而堅韌，熔點為2610℃，沸點為5560℃，耐高溫，不易燒壞，從而延長了LED的使用壽命。
文檔編號H01L33/00GK101442100SQ20081024614
公開日2009年5月27日 申請日期2008年12月24日 優先權日2008年12月24日
發明者吳曉陽 申請人:張家港市曉陽節能電器有限公司