專利名稱：用模板法制備硫化鋅量子線的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用模板法制備硫化鋅量子線的方法，屬納米材料 制備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
量子線是指當(dāng)材料的直徑與它的德布羅意波長(zhǎng)相當(dāng)時(shí)，會(huì)出現(xiàn)各 種量子效應(yīng)、非定域量子相干效應(yīng)、量子漲落和混沌、光生伏特效應(yīng) 及非線性光學(xué)效應(yīng)等的一維納米材料?；诹孔映叽缧?yīng)、量子干涉 效應(yīng)，量子隧穿效應(yīng)以及非線性光學(xué)效應(yīng)等的低維半導(dǎo)體材料是一種 人工構(gòu)造的新型半導(dǎo)體材料，是新一代微電子、光電子器件和電路的 基礎(chǔ)。它的發(fā)展與應(yīng)用，極有可能觸發(fā)新的技術(shù)革命。
硫化鋅量子線的量子尺寸效應(yīng)使硫化鋅的能級(jí)改變、能隙變寬， 吸收和發(fā)射光譜向短波方向移動(dòng)，直觀上表現(xiàn)為顏色的變化。量子線 的表面效應(yīng)使其比表面積，表面能及表面結(jié)合能都迅速增大，導(dǎo)致硫 化鋅量子線表面原子輸運(yùn)和構(gòu)型的變化，同時(shí)也引起表面電子自旋構(gòu) 象和電子能譜的變化，對(duì)其光學(xué)、電學(xué)及非線性光學(xué)等性質(zhì)具有重要 影響，因此，硫化鋅量子線在光、電、磁、催化等方面應(yīng)用潛能巨大， 已吸引了眾多科技工作者在其制備和應(yīng)用方面進(jìn)行大量的研究工作。
金屬硫化物具有優(yōu)良的特性，特別是硫化鋅，是一種n vi族直
接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為3.6eV，被廣泛應(yīng)用于平板器，紅外檢測(cè) 器，光致發(fā)光器件，紅外窗口，太陽(yáng)能電池，傳感器，激光器和生物 醫(yī)學(xué)等方面?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)是合成硫化鋅一維納米材料的有 效方法，通常這些CVD合成要求很高的真空度和較為復(fù)雜的設(shè)備。另 外，目前關(guān)于硫化鋅納米材料的物相和粒徑的控制合成的研究仍非常 有限。目前人們對(duì)硫化鋅納米線的研究比較多，其直徑都在幾十個(gè)納 米以上，而對(duì)直徑僅有10納米左右的硫化鋅量子線的研究卻相當(dāng)少。 用一般方法(比如溶膠-凝膠法、溶劑熱法等)制備的硫化鋅納米線， 由于直徑相對(duì)較大，表現(xiàn)不出非常優(yōu)異的物理特性，無(wú)論是在其應(yīng)用 方面還是對(duì)其研究上都存在著極大的限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種用模板法制備硫化鋅量子線的方法。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下的技術(shù)方案。先用陽(yáng)極氧化方法在鋁基片的兩面依次形成阻擋層和含微孔陣列的氧化鋁層，阻擋層 是不含微孔陣列的氧化鋁層，微孔的孔徑大小為8 15nm，符合量子 線所要求達(dá)到的尺寸，再將鋁基片夾持在去鋁基夾具中去除鋁基片一 面的中心部分上的含微孔陣列的氧化鋁層、阻擋層、鋁基和鋁基片另 一面的氧化鋁層背面的阻擋層，卸去去鋁基夾具，得含微孔陣列的氧 化鋁納米模板，然后在去掉鋁基的 一 面的氧化鋁層上濺射 一 層金電 極，最后，用直流電沉積法在所述的納米模板的微孔中形成硫化鋅量 子線。用本發(fā)明的方法制得的硫化鋅量子線具有非常明顯的量子限制 效應(yīng)，比表面積巨大，材料的純度高，密度和特性均勻，確保其比背 景技術(shù)制得的直徑較大的硫化鋅量子線，具有更加優(yōu)異的性能。 現(xiàn)結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。
一種用模板法制備硫化鋅量子線的方法，其特征在于，具體操作 步驟
第一步用傳統(tǒng)方法清洗基片4
取一純度為99.999%的鋁片，規(guī)格為20mmX20mmX 0.5mm，作 為基片4，將其置于丙酮中進(jìn)行超聲清洗，清洗后放入烘箱中干燥， 再置于氮?dú)鈿夥罩校?50 DC~650 °C下退火4小時(shí) 6小時(shí)，然后在體 積比為1:4的高氯酸和乙醇的混合溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光，拋光溫度 為0。C 10。C，拋光時(shí)間為30秒 50秒，最后用酸溶液或堿溶液清洗 基片4表面；
第二步 一次陽(yáng)極氧化
將經(jīng)第一步處理的基片4放入濃度為12wt。/。 16wtW的硫酸溶液 中，在-6。C ~6°C下進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，陰極和陽(yáng)極分別是鉑片和 基片4，陽(yáng)極氧化的電壓、電流和時(shí)間分別為20伏、lmA 10mA禾口2 小時(shí)~5小時(shí)，在基片4的正面和背面上分別形成正面阻擋層3和背 面阻擋層5，正面阻擋層3和背面阻擋層5是不含微孔陣列的氧化鋁 層，繼而在正面阻擋層3和背面阻擋層5上分別形成正面氧化鋁層2 和背面氧化鋁層6，正面氧化鋁層2和背面氧化鋁層6是含有微孔陣 列的氧化鋁層，但是一次陽(yáng)極氧化形成的微孔陣列，其微孔的孔徑大 小不夠均勻，其陣列的排列不夠整齊，需要進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化；
第三步二次陽(yáng)極氧化
將經(jīng)第二步處理的基片4放入由磷酸、鉻酸和水混合而成混合液 體中，磷酸鉻酸水的重量比為6:1.8:92.2， 65 。C水浴40分鐘~60分 鐘，去氧化鋁層，該氧化鋁層包括正面氧化鋁層2、正面阻擋層3、 背面阻擋層5和背面氧化鋁層6，再在-6。C 6°C下，在濃度為12 wt% 1 5 wt%的硫酸溶液中進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，陰極和陽(yáng)極分別是 鉑片和經(jīng)去氧化鋁膜處理的基片4，陽(yáng)極氧化的電壓、電流和時(shí)間分 別為20伏、2mA 10mA禾卩2小時(shí)~5小時(shí)，在基片4的正面和背面上 分別形成正面阻擋層3和背面阻擋層5，繼而在正面阻擋層3和背面 阻擋層5上分別形成正面氧化鋁層2和背面氧化鋁層6，與第二步中 一次陽(yáng)極氧化相比，二次陽(yáng)極氧化形成的微孔陣列，其微孔的孔徑為 8~15nm，大小均勻，其陣列的排列整齊； 第四步去基片4背面上的氧化鋁層
去鋁基夾具7用聚四氟乙烯制成，包括頂板8和底板11，在頂 板8的中心部分處開(kāi)有孔9，孔9是直徑為7mm的圓孔，頂板8和 底板11的四角上各有螺孔10，使用時(shí)，頂板8和底板11用四個(gè)螺 絲固定，將基片4夾持在頂板8和底板11之間，將經(jīng)第三步處理的 基片4夾持在去鋁基夾具7中，僅基片4背面的中心部分暴露在外， 再將夾持基片4的去鋁基夾具7放入由磷酸、鉻酸和水混合而成混合 液體中，磷酸鉻酸水的重量比為6:1.8:92.2， 65°C水浴40分鐘 60 分鐘，去掉基片4背面的中心部分上的氧化鋁層，該氧化鋁層包括背 面氧化鋁層6和背面阻擋層5;
第五步去鋁基40
將基片4與夾持它的去鋁基夾具7 —起放入濃度為 1 Owt% 16wt%的SnCl4溶液或氯化銅溶液中，浸泡4小時(shí)~8小時(shí)，去 掉鋁基40，鋁基40就是基片4的中心部分；
第六步去正面阻擋層3
將基片4與夾持它的去鋁基夾具7—起放入濃度為6wt。/。的磷酸， 3(TC下反應(yīng)10分鐘 16分鐘，去除正面阻擋層4，卸下去鋁基夾具7， 得到含正面氧化鋁層2的基片4，即含微孔陣列的氧化鋁層納米模板
12;
第七步濺射Au電極
將第六步制得的含微孔陣列的氧化鋁納米模板12的背面濺射一 層Au電極，厚度為200納米； 第八步配制溶液
在室溫下，配制含有7.5gL—'的ZnCl2和6.1 gL—1的硫單質(zhì)的 二甲基亞砜溶液；
第九步直流電沉積
將夾持經(jīng)第七步處理的含微孔陣列的氧化鋁層納米模板12的去 鋁基夾具7放入第八步配制的溶液中，120。C下，進(jìn)行直流電沉積，電流密度為6.62 mA/ cm2，陽(yáng)極和陰極分別為鉑片和經(jīng)第七步處理的含 微孔陣列的氧化鋁層納米模板12，沉積10分鐘 20分鐘，在該納米模 板的微孔陣列的微孔l中形成硫化鋅量子線，取出該納米模板，依次 用二甲基亞砜溶液、丙酮和去離子水沖洗干凈，室溫下自然干燥，制 得存于含微孔陣列的氧化鋁層納米模板12的微孔陣列中的硫化鋅量 子線。
硫化鋅量子線可廣泛用于納米制造技術(shù)、電子技術(shù)及器件、生物 技術(shù)、醫(yī)藥、化學(xué)等領(lǐng)域。量子器件具有發(fā)射閾值低、發(fā)射電流密度 大、穩(wěn)定性高等優(yōu)異的場(chǎng)發(fā)射性能。利用量子線控制雜質(zhì)散射的原理， 可制成量子線溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，單模量子線可制作A- B量 子干涉FET和布喇格反射量子干涉FET等電子干涉效應(yīng)器件。
與背景技術(shù)湘比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
1、 本發(fā)明的制備方法通過(guò)制備小孔徑的氧化鋁模板來(lái)有效地控 制硫化鋅量子線的尺寸，確保其具有量子效應(yīng)，繼而由量子限制效應(yīng) 調(diào)節(jié)禁帶寬度，使ZnS具有比體材料大得多的吸收系數(shù)。
2、 本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)單易行，制作成本低，無(wú)污染。
圖1:去鋁基夾具7的頂板和底板的俯視圖。去鋁基夾具7用聚 四氟乙烯制成，其中，7是去鋁基夾具，8是頂板，9為圓孔，直徑 為7mm， IO是螺孔，直徑為2.5mm ， ll是底板，頂板8和底板11 的厚度、長(zhǎng)度和寬度分別為8mm、 4cm和4cm。
圖2:經(jīng)第三步處理的基片4的剖面示意圖。其中，l為微孔， 其孔徑為8 15nm， 2為正面氧化鋁層，3為正面阻擋層，4為基片， 40為鋁基，5為背面阻擋層，6為背面氧化鋁層。
圖3:經(jīng)第三步處理的基片4的表面掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。
圖4:含微孔陣列的氧化鋁層納米模板12的剖面示意圖。其中， 12是含微孔陣列的氧化鋁層納米模板。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。所有的實(shí)施例 均按照"發(fā)明內(nèi)容"所述方法的操作步驟進(jìn)行操作。因此，所有的實(shí)施 例僅羅列每一個(gè)操作步驟的關(guān)鍵技術(shù)數(shù)據(jù)。
實(shí)施例1第一步中，基片4在450 °C下退火4小時(shí)，0°(2下電化學(xué)拋光 30秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為12wt%， 一次陽(yáng)極氧化的溫度 為-6。C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為2小時(shí)和10mA;第三步中，水 浴時(shí)間為40分鐘，硫酸溶液的濃度為12wt%， 二次陽(yáng)極氧化的溫度 為-6。C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為2小時(shí)和lOmA;第四步中，水 浴40分鐘；第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為10wte/。的SnCl4溶
液，浸泡時(shí)間為8小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為10分鐘；第九步中， 沉積時(shí)間為10分鐘。 實(shí)施例2
第一步中，基片4在550 °C下退火4.5小時(shí)，5QC下電化學(xué)拋光 40秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為14wt%， 一次陽(yáng)極氧化的溫度 為0°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為3.5小時(shí)和6mA;第三步中，水 浴時(shí)間為45分鐘，硫酸溶液的濃度為14wt%， 二次陽(yáng)極氧化的溫度 為0°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為3小時(shí)和7mA;第四步中，水浴 50分鐘；第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為13wt。/。的SnCU溶液， 浸泡時(shí)間為6小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為13分鐘；第九步中，沉 積時(shí)間為15分鐘。
實(shí)施例3
第一步中，基片4在650 。C下退火5小時(shí)，10。C下電化學(xué)拋光 50秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為16wt%， 一次陽(yáng)極氧化的溫度 為6°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為5小時(shí)和2mA;第三步中，水浴 時(shí)間為50分鐘，硫酸溶液的濃度為16wt%， 二次陽(yáng)極氧化的溫度為 6°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為5小時(shí)和2mA;第四步中，水浴60 分鐘；第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為16wty。的SnCU溶液， 浸泡時(shí)間為4小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為16分鐘；第九步中，沉 積時(shí)間為20分鐘。
實(shí)施例4
除以下不同外，本實(shí)施例的其余操作均與實(shí)施例1的完全相同
第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為10wtQ/。的氯化銅溶液。 實(shí)施例5
除以下不同外，本實(shí)施例的其余操作均與實(shí)施例2的完全相同 第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為13wty。的氯化銅溶液。 實(shí)施例6
除以下不同外，本實(shí)施例的其余操作均與實(shí)施例3的完全相同 第五步中，去鋁基40的溶液是濃度為16wt。/。的氯化銅溶液。
權(quán)利要求
1、一種用模板法制備硫化鋅量子線的方法，其特征在于，具體操作步驟第一步 用傳統(tǒng)方法清洗基片(4)取一純度為99. 999％的鋁片，規(guī)格為20mm×20mm×0.5mm，作為基片(4)，將其置于丙酮中進(jìn)行超聲清洗，清洗后放入烘箱中干燥，再置于氮?dú)鈿夥罩校?50℃～650℃下退火4小時(shí)～6小時(shí)，然后在體積比為1∶4的高氯酸和乙醇的混合溶液中進(jìn)行電化學(xué)拋光，拋光溫度為0℃～10℃，拋光時(shí)間為30秒～50秒，最后用酸溶液或堿溶液清洗基片(4)表面；第二步 一次陽(yáng)極氧化將經(jīng)第一步處理的基片(4)放入濃度為12wt％～16wt％的硫酸溶液中，在-6℃～6℃下進(jìn)行第一次陽(yáng)極氧化，陰極和陽(yáng)極分別是鉑片和基片(4)，陽(yáng)極氧化的電壓、電流和時(shí)間分別為20伏、1mA～10mA和2小時(shí)～5小時(shí)，在基片(4)的正面和背面上分別形成正面阻擋層(3)和背面阻擋層(5)，正面阻擋層(3)和背面阻擋層(5)是不含微孔陣列的氧化鋁層，繼而在正面阻擋層(3)和背面阻擋層(5)上分別形成正面氧化鋁層(2)和背面氧化鋁層(6)，正面氧化鋁層(2)和背面氧化鋁層(6)是含有微孔陣列的氧化鋁層，但是一次陽(yáng)極氧化形成的微孔陣列，其微孔的孔徑大小不夠均勻，其陣列的排列不夠整齊，需要進(jìn)行二次陽(yáng)極氧化；第三步 二次陽(yáng)極氧化將經(jīng)第二步處理的基片4放入由磷酸、鉻酸和水混合而成混合液體中，磷酸∶鉻酸∶水的重量比為6∶1.8∶92.2，65℃水浴40分鐘～60分鐘，去氧化鋁層，該氧化鋁層包括正面氧化鋁層(2)、正面阻擋層(3)、背面阻擋層(5)和背面氧化鋁層(6)，再在-6℃～6℃下，在濃度為12wt％～15wt％的硫酸溶液中進(jìn)行第二次陽(yáng)極氧化，陰極和陽(yáng)極分別是鉑片和經(jīng)去氧化鋁膜處理的基片(4)，陽(yáng)極氧化的電壓、電流和時(shí)間分別為20伏、2mA～10mA和2小時(shí)～5小時(shí)，在基片(4)的正面和背面上分別形成正面阻擋層(3)和背面阻擋層(5)，繼而在正面阻擋層(3)和背面阻擋層(5)上分別形成正面氧化鋁層(2)和背面氧化鋁層(6)，與第二步中一次陽(yáng)極氧化相比，二次陽(yáng)極氧化形成的微孔陣列，其微孔的孔徑為8～15nm，大小均勻，其陣列的排列整齊；第四步 去基片(4)背面上的氧化鋁層去鋁基夾具(7)用聚四氟乙烯制成，包括頂板(8)和底板(11)，在頂板(8)的中心部分處開(kāi)有孔(9)，孔(9)是直徑為7mm的圓孔，頂板(8)和底板(11)的四角上各有螺孔(10)，使用時(shí)，頂板(8)和底板(11)用四個(gè)螺絲固定，將基片(4)夾持在頂板(8)和底板(11)之間，將經(jīng)第三步處理的基片(4)夾持在去鋁基夾具(7)中，僅基片(4)背面的中心部分暴露在外，再將夾持基片(4)的去鋁基夾具(7)放入由磷酸、鉻酸和水混合而成混合液體中，磷酸∶鉻酸∶水的重量比為6∶1.8∶92.2，65℃水浴40分鐘～60分鐘，去掉基片(4)背面的中心部分上的氧化鋁層，該氧化鋁層包括背面氧化鋁層(6)和背面阻擋層(5)；第五步 去鋁基(40)將基片(4)與夾持它的去鋁基夾具(7)一起放入濃度為10wt％～16wt％的SnCl4溶液或氯化銅溶液中，浸泡4小時(shí)～8小時(shí)，去掉鋁基(40)，鋁基(40)就是基片(4)的中心部分；第六步 去正面阻擋層(3)將基片(4)與夾持它的去鋁基夾具(7)一起放入濃度為6wt％的磷酸，30℃下反應(yīng)10分鐘～16分鐘，去除正面阻擋層(4)，卸下去鋁基夾具(7)，得到含正面氧化鋁層(2)的基片(4)，即含微孔陣列的氧化鋁層納米模板(12)；第七步 濺射Au電極將第六步制得的含微孔陣列的氧化鋁納米模板(12)的背面濺射一層Au電極，厚度為200納米；第八步 配制溶液在室溫下，配制含有7.5gL-1的ZnCl2和6.1gL-1的硫單質(zhì)的二甲基亞砜溶液；第九步 直流電沉積將夾持經(jīng)第七步處理的含微孔陣列的氧化鋁層納米模板(12)的去鋁基夾具(7)放入第八步配制的溶液中，120℃下，進(jìn)行直流電沉積，電流密度為6.62mA/cm2，陽(yáng)極和陰極分別為鉑片和經(jīng)第七步處理的含微孔陣列的氧化鋁層納米模板(12)，沉積10分鐘～20分鐘，在該納米模板的微孔陣列的微孔(1)中形成硫化鋅量子線，取出該納米模板，依次用二甲基亞砜溶液、丙酮和去離子水沖洗干凈，室溫下自然干燥，制得存于含微孔陣列的氧化鋁層納米模板(12)的微孔陣列中的硫化鋅量子線。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的用模板法制備硫化鋅量子線的方法， 其特征在于，第一步中，基片(4)在450 °C下退火4小時(shí)，0°(2下 電化學(xué)拋光30秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為12wt%， 一次陽(yáng)極氧化的溫度為-6。C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為2小時(shí)和10mA;第 三步中，水浴時(shí)間為40分鐘，硫酸溶液的濃度為12wt%， 二次陽(yáng)極 氧化的溫度為-6。C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為2小時(shí)和10mA;第 四步中，水浴40分鐘；第五步中，去鋁基(40)的溶液是濃度為1 Owt% 的SnCU溶液，浸泡時(shí)間為8小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為10分鐘； 第九步中，沉積時(shí)間為10分鐘。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用模板法制備硫化鋅量子線的方法， 其特征在于，第五步中，去鋁基(40)的溶液是濃度為10wto/。的氯化 銅溶液。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用模板法制備硫化鋅量子線的方法， 其特征在于，第一步中，基片(4)在550 。C下退火4.5小時(shí)，5 °C 下電化學(xué)拋光40秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為14wt%, —次陽(yáng) 極氧化的溫度為0°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為3.5小時(shí)和6mA; 第三步中，水浴時(shí)間為45分鐘，硫酸溶液的濃度為14wt%， 二次陽(yáng) 極氧化的溫度為0°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為3小時(shí)和7mA;第 四步中，水浴50分鐘；第五步中，去鋁基(40)的溶液是濃度為13wt% 的SnCU溶液，浸泡時(shí)間為6小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為13分鐘； 第九步中，沉積時(shí)間為15分鐘。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的用模板法制備硫化鋅量子線的方法， 其特征在于，第五步中，去鋁基(40)的溶液是濃度為13wt。/。的氯化 銅溶液。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用模板法制備硫化鋅量子線的方法， 其特征在于，第一步中，基片(4)在650 °C下退火5小時(shí)，10°C下 電化學(xué)拋光50秒；第二步中，硫酸溶液的濃度為16wt%， 一次陽(yáng)極 氧化的溫度為6°C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為5小時(shí)和2mA;第三 步中，水浴時(shí)間為50分鐘，硫酸溶液的濃度為16wt%， 二次陽(yáng)極氧 化的溫度為6。C，陽(yáng)極氧化時(shí)間和電流分別為5小時(shí)和2mA;第四步 中，水浴60分鐘；第五歩中，去鋁基(40)的溶液是濃度為16wt% 的SnCU溶液，浸泡時(shí)間為4小時(shí)；第六步中，反應(yīng)時(shí)間為16分鐘； 第九步中，沉積時(shí)間為20分鐘。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用模板法制備硫化鐸量子線的方法， 其特征在于，第五步中，去鋁基(40)的溶液是濃度為16wty。的氯化 銅溶液。
全文摘要
一種用模板法制備硫化鋅量子線的方法，先用陽(yáng)極氧化方法在鋁基片的兩面依次形成阻擋層和含微孔陣列的氧化鋁層，阻擋層是不含微孔陣列的氧化鋁層，微孔的孔徑大小為8～15nm，再將鋁基片夾持在去鋁基夾具中去除鋁基片一面的中心部分上的含微孔陣列的氧化鋁層、阻擋層、鋁基和鋁基片另一面的氧化鋁層背面的阻擋層，卸去去鋁基夾具，得含微孔陣列的氧化鋁納米模板，然后在去掉鋁基的一面的氧化鋁層上濺射一層金電極，最后，用直流電沉積法在所述的納米模板的微孔中形成硫化鋅量子線。制得的硫化鋅量子線具有非常明顯的量子限制效應(yīng)，比表面積巨大，材料的純度高，密度和特性均勻，比背景技術(shù)制得的直徑較大的硫化鋅量子線，具有更加優(yōu)異的性能。
文檔編號(hào)H01L31/036GK101532177SQ200810208059
公開(kāi)日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者朱自強(qiáng), 王基慶, 王繼強(qiáng), 茅惠兵 申請(qǐng)人:華東師范大學(xué)