芯片部件式led及其制造方法

            文檔序號:6903331閱讀:129來源:國知局

            專利名稱::芯片部件式led及其制造方法
            技術領域
            :本發明涉及表面安裝用的芯片部件式LED及其制造方法,被用作各種顯示面板、液晶顯示裝置的背光、照射光開關等的光源。
            背景技術
            :作為各種顯示面板、液晶顯示裝置的背光、照射光開關等的光源,以往使用芯片部件式LED。圖12表示一例這樣的以往的芯片部件式LED的結構。以往的芯片部件式LED是如下結構將絕緣基板81、82形成為雙層結構,在上部的絕緣基板82中形成通孔83,延伸設置到該通孔83內的底部為止(即,下層的絕緣基板81的上表面)而形成一布線圖案84,在通孔83內的所述布線圖案84上安裝LED芯片85,用金屬細線(Au線等)87連接該LED芯片85和另一布線圖案86,進而用透明樹脂88密封包含LED芯片85和金屬細線87在內的絕緣基板82的表面。順便說明一句,作為這樣結構的芯片部件式LED,例如記載在日本特開2001—160629號公報、日本特開2006—190764號公報中。但是,根據上述以往結構的芯片部件式LED,需要兩張絕緣基板81、82,并且由于將LED芯片85安裝在下層的絕緣基板82上,所以絕緣基板82需要有能夠安裝的最低限度的厚度,因此存在難以薄型化,而且還有成本較高的問題。作為解決這種問題的方案,有在日本特開平07_235696號公報中展示的半導體裝置的布線結構及其形成方法。根據該日本特開平07—235696號公報,如下形成半導體裝置將薄的銅板粘合在絕緣樹脂基板的正反兩面,如此形成整體的厚度薄的銅粘合基板,在這樣的銅粘合基板上從一方的表面側形成通孔,將LED芯片搭載在表面露出在通孔內的下側的銅板上,并用一層樹脂層密封以覆蓋通孔。在日本特開平07—235696號公報中所記載的薄型的半導體裝置中,未記載有關用于使其發白色光的技術。為了發白色光,只要使上述一層的密封樹脂層中含有黃色熒光體就可以,作為該密封樹脂形成方法,有在半固化的薄片(tablet)樹脂(傳遞模塑(transfermould)用樹脂)中加入熒光體,進行傳遞模塑獲得白色芯片LED的方法。這種方法作業性好,面向批量生產。但是,在傳遞模塑的特性上,熒光體的濃度的高低無論如何都因場所而顯著地顯現,避免不了作為白色LED來說非常重要的特性的色度的偏差。此外,薄片樹脂因制作方法的制約(每次制作的量較大的制約)而不能靈活地變更熒光體的配比。此外,一般地,已知在LED芯片附近配置熒光體,最能夠提高發光效率,但實施傳遞模塑時,熒光體不僅擴散到附近而且擴散到整個成形樹脂中,相對于熒光體的使用量,發光效率降低。因熒光體的沉降的偏差等,容易產生顏色不勻。此外,作為密封樹脂材料,大多使用耐熱性良好的硅酮樹脂,但在傳遞模塑中使用半固化狀態的樹脂,所以用硅酮樹脂進行模塑是不可能的。如硅酮樹脂那樣,在未固化的狀態下可對液態的樹脂進行傳遞模塑,但若是粘度較低的液態樹脂,容易巻入氣泡,需要配備防止這種情況的專用裝置等,從而成為非常困難的技術。而且,由于與環氧樹脂相比,硅酮樹脂的硬度較低,所以在密封樹脂的周圍沒有保護反射材料等密封樹脂的構件的芯片式LED的結構的情況下,密封樹脂上帶有裂紋,或形狀發生變形,所以不適于將硅酮樹脂使用為密封樹脂(例如,上表面直接接觸安裝機等)。但是,芯片附近的樹脂,由于利用熒光體變換前的芯片發出的光(紫外光、近紫外光藍色光)造成的劣化較大,因此,應該用抗光性比環氧樹脂好的硅酮樹脂密封芯片附近。
            發明內容本發明為了解決這樣的問題而提出,其目的在于,提供芯片部件式LED及其制造方法,在基板中形成通孔,用在通孔內搭載了LED芯片的薄型的芯片部件式LED,抑制熒光體的沉降偏差,發出顏色不勻較少的白色光、可見光。為了解決上述課題,本發明的芯片部件式LED的特征在于,在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板,在包含所述第二凹孔的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板,在所述第一凹孔內的金屬薄板上安裝LED芯片,該LED芯片通過金屬細線電連接于所述第二凹孔內的金屬薄板,包含所述第一凹孔的LED芯片和包含所述第二凹孔的所述金屬細線被含有熒光體的第一透明樹脂密封,包含所述第一透明樹脂的所述絕緣基板的表面被第二透明樹脂密封。在該結構中,第一和第二透明樹脂也可以通過不同的形成方法來密封。此外,本發明的芯片部件式LED的特征在于,在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板,在包含所述第二凹孔的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板,在所述第一凹孔內的金屬薄板上安裝LED芯片,該LED芯片通過金屬細線電連接于所述第二凹孔內的金屬薄板,包含所述第一凹孔在內的LED芯片和所述金屬細線的一部分被含有熒光體的第一透明樹脂密封,所述第二凹孔和所述金屬細線的一部分被第三透明樹脂密封,包含所述第一透明樹脂及所述第三透明樹脂在內的所述絕緣基板的表面被第二透明樹脂密封。在該結構中,第一及第三透明樹脂與第二透明樹脂也可以通過不同的形成方法來密封。根據這樣的結構,由于LED芯片的安裝面和一端部連接到該LED芯片上的金屬細線的另一端部的連接面被形成在金屬薄板上,所以可以降低金屬細線的高度。此外,將LED芯片直接安裝在金屬薄板(第一布線圖案)上,所以不需要以往的基板,可進行該部分的薄型化,同時金屬細線的高度也比以往的低,可進一步進行薄型化。此外,通過除去金屬薄板,可以容易地對安裝了LED芯片的第一布線圖案和連接了金屬細線的另一端部的第二布線圖案進行電性分離。而且,由于在各個凹孔內形成的布線圖案和底面的金屬薄板被直接電連接,所以不需要在絕緣基板的外周部分形成布線圖案等,制造方法比以往的芯片部件式LED的制造方法容易。因此,還可降低制造成本。這種情況下,安裝所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和電連接來自所述LED芯片的金屬細線的所述第二凹孔的底面的高度位置形成為大致相同的高度。由此,由于不需要加工時的激光輸出等的調整,所以凹孔加工容易。此外,電連接來自所述LED芯片的金屬細線的所述第二凹孔也可以至少形成兩處以上。通過在兩處以上形成,對于在表面側形成了陽極、陰極電極的情況等中不將LED芯片的搭載面用于LED芯片的電極的引出而使用了金屬細線的更復雜的布線,LED芯片的電極結構也可以應對于薄型化。此外,本發明的芯片部件式LED優選是以下結構在所述第一凹孔和所述第二凹孔之間的壁體的表面形成有用于對所述金屬細線進行布線的槽部。通過這樣形成槽部,在該槽部通過金屬細線進行布線,可以進一步降低金屬細線的配置高度,可以實現芯片部件式LED的進一步薄型化。此外,在本發明中,優選是形成為所述透明樹脂中含有熒光體的結構。而且,也可以是所述凹孔的內周面被形成為從所述絕緣基板的背面側向表面側逐漸擴展的傾斜面。由此,在將本芯片部件式LED用作各種顯示面板、液晶顯示裝置的背光、照射光開關等的光源時的點亮時,面向側面的光被傾斜面反射而朝向上方,所以可以提高向上方的反射效率。這里,優選是使所述第一透明樹脂為硅酮樹脂,所述第二透明樹脂為環氧樹脂。通過使第一透明樹脂為硅酮樹脂,熱應力得到緩和,LED芯片和金屬細線之間的斷線不良變少,此外,金屬細線連接用的第二凹孔的金屬表面和金屬細線之間的斷線不良也變少。優選是用環氧類樹脂即第二透明樹脂覆蓋在所形成的第一透明樹脂上,以覆蓋作為LED芯片、金屬細線以及金屬細線連接部分的第二凹孔。這里,環氧類樹脂是在粘性、透明性、耐氣候性、強度上優良,適合作為密封樹脂的樹脂。此外,通過用硅酮類樹脂形成第三透明樹脂,由于熱膨脹系數小,所以能夠降低金屬細線的連接部的斷線不良。而且,由于能夠在LED芯片搭載用的第一凹孔、金屬細線連接用的第二凹孔、以及絕緣基板表面的區8域中使用分別不同的密封樹脂,所以可以形成有充分的樹脂選擇性的封裝結構。此外,本發明的芯片部件式LED的制造方法的特征在于,包括在絕緣基板的表面和背面形成金屬薄板的步驟;除去所述絕緣基板表面側的LED芯片搭載位置和金屬細線連接位置的金屬薄板的步驟;在除去了所述金屬薄板的區域將第一凹孔及第二凹孔形成為直到所述絕緣基板的背面側的金屬薄板為止的深度的步驟;形成導電層使其延伸設置到所述凹孔的側面和所述金屬薄板上的底面的步驟;在所述導電層的表面通過蒸鍍法形成含AU的層的步驟;形成絕緣區域的步驟;在所述第一凹孔的底面安裝LED芯片的步驟;使用金屬細線電連接所述LED芯片和所述第二凹孔的底面的步驟;通過澆注法用第一透明樹脂密封第一凹孔和金屬細線的一部分,以覆蓋所述LED芯片的第一密封步驟;以及通過傳遞模塑法用第二透明樹脂進行密封,以覆蓋第一透明樹脂的第二密封步驟。艮口,根據本發明的制造方法,由于不需要在絕緣基板的外周部分形成布線圖案等,所以相應地可以使制造方法容易,制造成本也可以降低。此外,若例如將激光照射到絕緣基板的LED芯片安裝部分,從而形成第一及凹孔第二凹孔以達到背面的金屬薄板為止,則在用激光除去絕緣基板的對象區域時,激光以從中心部分擴展的方式除去絕緣部分,所以可以將形成的第一凹孔及第二凹孔的內周面同時形成為傾斜面(彎曲面)。即,僅通過照射激光,就可以同時形成第一凹孔及第二凹孔和內周壁的傾斜面。此外,根據本發明的制造方法,所述第二密封步驟也可以構成為密封所述第二凹孔和所述金屬細線的一部分。此外,也可以構成為,所述方法還包括覆蓋所述第二凹孔,使用第三透明樹脂密封金屬細線的一部分的第三密封步驟,在所述第二密封步驟中,用第二透明樹脂覆蓋第一透明樹脂和第三透明樹脂。此外,也可以構成為,在所述第二密封步驟中,用第二透明樹脂覆蓋所述絕緣基板表面。這樣,通過用第二透明樹脂覆蓋絕緣基板表面,可以保護基板表面的導電層。而且,在所述第二密封步驟中,也可以不用第二透明樹脂覆蓋所述第二凹孔。這里,優選是所述第一透明樹脂按照澆注法形成,所述第二透明樹脂按照傳遞模塑法形成。即,在搭載了LED芯片的第一凹孔,由于難以均9勻地加入熒光體,所以優選是按照澆注法形成第一透明樹脂。此外,通過使用傳遞模塑法使第二透明樹脂成為整體密封樹脂,可以降低生產性成本,以及使每個封裝(package)的特性均勻。圖1是本發明的實施方式1的芯片部件式LED的剖面圖。圖2(a)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(b)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(c)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(d)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(e)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(f)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(g)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖2(h)是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖3是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的變形例1的剖面圖。圖4是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的變形例2的剖面圖。圖5是表示本發明實施方式1的芯片部件式LED的變形例3的剖面圖。圖6是本發明實施方式2的芯片部件式LED的剖面圖。圖7(a)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的10圖7(b)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(c)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(d)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(e)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(f)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(g)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖7(h)是表示本發明實施方式2的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖8是本發明實施方式3的芯片部件式LED的剖面圖。圖9是本發明實施方式3的芯片部件式LED的俯視圖。圖10(a)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(b)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(c)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(d)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(e)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(f)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(g)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖10(h)是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的制造方法的說明圖。圖11是表示本發明實施方式3的芯片部件式LED的變形例1的結構的剖面圖。圖12是表示一例以往的芯片部件式LED的結構的剖面圖。具體實施例方式以下,參照本發明的實施方式。<實施方式1>圖1是本實施方式1的芯片部件式LEDIO的剖面圖。該芯片部件式LED10在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔(通孔)3a和金屬細線連接用的第二凹孔(通孔)3b的絕緣基板1的背面側,以電性分離的狀態形成有與各個凹孔對應的作為布線圖案的金屬(Cu)薄板2a、2b。此外,在絕緣基板1的表面側,在包含第一凹孔3a的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a,在包含第二凹孔3b的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板4b。而且,在這樣的布線結構中,成為了如下結構在第一凹孔3a的底面部分的金屬薄板4a上安裝LED芯片5,該LED芯片5通過金屬細線6電連接于第二凹孔3b的底面部分的金屬薄板4b上,在這種狀態下,包含LED芯片5和金屬細線6的絕緣基板1的整個表面由透明樹脂7密封。這里,在本實施方式1中,該透明樹脂7由第一透明樹脂71和第二透明樹脂72構成,第一透明樹脂71將包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金屬細線6的整體進行密封,第二透明樹脂72將包含該第一透明樹脂71的絕緣基板1的整個表面進行密封。在后面的制造方法中說明了細節,第一透明樹脂71含有黃色熒光體(例如,a—SIALON等),通過澆注法形成,第二透明樹脂72只是透明樹脂,通過傳遞(transfer)成形法形成。這樣的結構和制造方法的理由是為了避免在傳遞成形中成為缺點的熒光體的偏差,通過澆注法形成含有熒光體的層,對光的取出產生影響的透明樹脂7的外面形狀、即第二透明樹脂的外形形狀是通過可穩定成形的傳遞成形進行密封的形狀。在本實施方式1中,第一透明樹脂71由硅酮(silicone)類樹脂形成,第二透明樹脂72由環氧類樹脂形成。此外,絕緣基板1由玻璃環氧樹脂形成,其厚度約為50jim。此外,在背面側形成的金屬(Cu)薄板2a、2b形成為約20pm的厚度。而且,在本實施方式中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為cj)470pm,使金屬細線連接用的第二凹孔3b的內徑為4>180^m。這樣,根據本實施方式1,LED芯片5的安裝面和一端部連接到該LED芯片5上的金屬細線6的另一端部的連接面形成在金屬薄板2a、2b上,所以可以降低金屬細線6的配置高度。此外,由于將LED芯片5直接安裝在金屬薄板4a、2a上,所以不需要以往的基板,可進行該部分的薄型化,同時金屬細線6的高度也比以往低,可進一步進行薄型化。下面,參照圖2(a)圖2(h)說明上述結構的芯片部件式LEDIO的制造方法。在最初的步驟中,在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、4(圖2(a))。在下個步驟,除去絕緣基板1的表面側的LED芯片搭載位置41和金屬細線連接位置42的金屬薄板4(圖2(b))。在下個步驟,將通過對除去了金屬薄板4的區域41、42進行激光加工而具有傾斜面的凹孔3a、3b形成到直至絕緣基板1的背面側的金屬薄板2為止的深度(圖2(c))。在本實施方式l中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為4)470(im,使金屬細線連接用的第二凹孔3b的內徑為cj)l80(im。在下個步驟,從絕緣基板1的表面側,通過鍍敷形成厚度20pm的Cu(銅)鍍層45,以使其延伸設置到各個凹孔3a、3b的側面和底面的金屬薄板2上(圖2(d))。這里,不需要鍍銅的部位使用抗蝕劑(resist)而預先保護。在下個步驟,在該電鍍層45的表面,為了防止濕氣造成的銹、氧化等實施表面保護,通過蒸鍍(蒸著)形成厚度101im的Ni/Au層。在下個步驟,為了形成絕緣區域,除去絕緣基板1表面的不需要的Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4(由標號46表示),同時除去絕緣基板1背面的不需要的金屬薄板2(由標號22表示)(圖2(e))。由此,在絕緣基板1的表面,在絕緣狀態下形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a和成為第二布線圖案的金屬薄板4b,在絕緣基板l的背面,在絕緣狀態下形成面對第一布線圖案的金屬薄板4a的金屬薄板2a和面對第二布線圖案的金屬薄板4b的金屬薄板2b。在下個步驟,在LED芯片搭載用的凹孔3a的底面的金屬薄板4a,使用銀膏安裝LED芯片5(圖2(f))。在下個步驟,將安裝了的LED芯片5和金屬細線連接用凹孔3b的底面的金屬薄板4b使用金屬細線6進行鍵合(bonding)而電連接(圖2(g))。在下個步驟,用透明樹脂密封包含LED芯片5和金屬細線6在內的絕緣基板l的整個表面(圖2(h))。具體地說,將包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金屬細線6的整體使用含有熒光體的硅酮類樹脂通過鍵合法進行密封,從而形成第一透明樹脂71,接著,將包含該第一透明樹脂71的絕緣基板1的整個表面使用不含熒光體的環氧類樹脂通過傳遞模塑法進行密封,從而形成第二透明樹脂72。這里,將基于鍵合法的第一透明樹脂71的固化條件及基于傳遞模塑法的第二透明樹脂72的固化條件都設為15(TC、1小時。第一透明樹脂71采用硅酮樹脂的原因在于,多少也抑制在由熒光體變換的長波長化前的芯片發出的直接光下劣化的情況,第二透明樹脂采用環氧樹脂的原因在于,利用其硬度而使外形形狀穩定。此外,絕緣基板上設置的布線圖案(Cu)受到M/Au保護,但為了提高光反射率,也可以至少包含第一、第二凹孔而對絕緣基板的表面側鍍Ag,這種情況下,期望用第二透明樹脂覆蓋絕緣基板的整個表面。第二透明樹脂通過使用如環氧樹脂那樣氣體遮斷性好、吸濕性低的樹脂,防止Ag鍍層的腐蝕。最后,通過切割(dicing)來制作寬度1.6mm、厚度0.8mm、高度0.2mm的疑似白色芯片部件式LEDIO(參照圖1)。再有,在本實施方式中,雖然在第一透明樹脂71中添加了黃色熒光體,但也可以添加紅色熒光體和綠色熒光體來取代黃色熒光體,這種情況下,與疑似白色相比,可發出現色性得到改善的高現色的白色光。這在下述實施方式中也同樣。(實施方式1的變形例1)圖3是表示本實施方式1的芯片部件式LED10的變形例1的結構的剖面圖。在本變形例1中,是將第一透明樹脂71僅形成在包含LED芯片5及LED芯片5上所連接的金屬細線6的一部分在內的第一凹孔3a的整體及其周邊部分,不包含至第二凹孔3b的結構。此外,第一透明樹脂71使用含有黃色熒光體的硅酮類樹脂形成,第二透明樹脂72使用不含有熒光體的環氧類樹脂形成。由于其他的結構與上述實施方式1的圖1所示的芯片部件式LED10的結構相同,所以這里省略說明。此外,關于制造方法,由于與參照圖2(a)圖2(h)說明的上述制造方法相同,所以這里省略說明。(實施方式1的變形例2)圖4是表示本實施方式1的芯片部件式LED10的變形例2的結構的剖面圖。在本變形例2中,成為如下結構包含第一凹孔3a在內的LED芯片5和金屬細線6的一部分被含有黃色熒光體的第一透明樹脂71密封,第二凹孔3b和金屬細線6的一部分被第三透明樹脂73密封,包含第一透明樹脂71和第三透明樹脂73的絕緣基板1的整個表面被第二透明樹脂72密封。這里,在本變形例2中,第一透明樹脂71由硅酮類樹脂形成,第二透明樹脂72由環氧類樹脂形成,第三透明樹脂73由硅酮類樹脂形成。通過用硅酮類樹脂形成第三透明樹脂73,從而熱膨脹系數小,可以降低金屬細線6的連接部的斷線不良。此外,在本變形例2中,可以在LED芯片搭載用的第一凹孔3a、金屬細線連接用的第二凹孔3b、以及絕緣基板表面的各區域中分別使用不同的密封樹脂,所以可以形成樹脂的選擇度足夠的封裝結構。此外,在本變形例2中,用透明樹脂密封包含LED芯片5及金屬細線6的絕緣基板1的整個表面的步驟與參照圖2說明的上述制造方法不同。因此,這里只說明該不同的步驟。15即,將包含第一凹孔3a在內的LED芯片5和金屬細線6的一部分用含有黃色熒光體的硅酮類樹脂通過鍵合法進行密封,形成第一透明樹脂71,接著,將第二凹孔3b和金屬細線6的一部分用硅酮類樹脂通過鍵合法進行密封,形成第三透明樹脂73,接著將包含第一透明樹脂71及第三透明樹脂73在內的絕緣基板1的整個表面用環氧類樹脂通過傳遞模塑法進行密封,形成第二透明樹脂72。這里,將基于鍵合法的第一透明樹脂71及第三透明樹脂73的固化條件和基于傳遞模塑法的第二透明樹脂72的固化條件都設為150°C、1小時。(實施方式1的變形例3)圖5是表示本實施方式1的芯片部件式LED10的變形例3的結構的剖面圖。在本變形例3中,成為如下結構將第二透明樹脂72僅形成在包括第一透明樹脂71的整體、并且第一凹孔3a的整體及其周邊部分上,不包含至第二凹孔3b。由于其他的結構與上述實施方式1的變形例1的圖3所示的芯片部件式LED10的結構相同,所以這里省略說明。此外,關于制造方法,由于與參照圖2說明的上述制造方法相同,所以這里省略說明。<實施方式2>圖6是本實施方式2的芯片部件式LED20的剖面圖。但是,在以下的說明中,對與上述實施方式l相同(或具有相同功能)的構件標注相同標號。該芯片部件式LED20在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔(通孔)3a和隔著該第一凹孔3a而在兩側的金屬細線連接用的第二凹孔(通孔)3b及第三凹孔(通孔)3c的絕緣基板1的背面側,在電性分離的狀態下形成有對應于各個凹孔的作為布線圖案的金屬(Cu)薄板2a、2b、2c。此外,在絕緣基板1的表面側,在包含第一凹孔3a的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a,在包含第二凹孔3b的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板4b,在包含第三凹孔3c的部分形成作為第三布線圖案的金屬薄板4c。而且,在這樣的布線結構中,形成為如下構造在第一凹孔3a的底面部分的金屬薄板4a上安裝LED芯片5,該LED芯片5通過金屬細線6a而電連接于第二凹孔3b的底面部分的金屬薄板4b,同時通過金屬細16線6b而電連接于第三凹孔3c的底面部分的金屬薄板4c,在該狀態下,包含LED芯片5及金屬細線6a、6b在內的絕緣基板1的整個表面被透明樹脂7密封。這里,在本實施方式2中,該透明樹脂7由第一透明樹脂71和第二透明樹脂72構成,第一透明樹脂71對包含第一凹孔3a的LED芯片5、包含第二凹孔3b的金屬細線6a、以及包含第三凹孔部3c的金屬細線6b整體進行密封,第二透明樹脂72對包含該第一透明樹脂71的絕緣基板l的整個表面進行密封。此外,在本實施方式2中,第一透明樹脂71由包含黃色熒光體的硅酮類樹脂形成,第二透明樹脂72由不含有熒光體的環氧類樹脂形成。此外,絕緣基板1由玻璃環氧樹脂形成,其厚度約為60拜。此外,在背面側形成的金屬(Cu)薄板2a、2b被形成為約25iim的厚度。而且,在本實施方式2中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為4)50(Hmi,金屬細線連接用的第二凹孔3b及第三凹孔3c的內徑分別為cj)200,。這樣,根據本實施方式2,LED芯片5的安裝面和一端部連接到該LED芯片5上的金屬細線6a、6b的另一端部的連接面被形成在金屬薄板2a、2b、2c上,所以可以降低金屬細統6a、6b的配置高度。此外,由于將LED芯片5直接安裝在金屬薄板4a、2a上,所以不需要以往的基板,相應地可進行薄型化,同時金屬細線6a、6b的高度也可以比以往的低,可進一步薄型化。下面,參照圖7(a)圖7(h)說明上述結構的芯片部件式LED20的制造方法。在最初的步驟,在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、4(圖7(a))。在下個步驟,除去絕緣基板1的表面側的LED芯片搭載位置41和金屬細線連接位置42、43的金屬薄板4(圖7(b))。在下個步驟,將通過對除去了金屬薄板4的區域41、42、43進行激光加工而具有傾斜面的凹孔3a、3b、3c形成為直至絕緣基板1的背面側的金屬薄板2為止的深度(圖7(c))。在本實施方式2中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為4>500|im,金屬細線連接用的第二凹孔3b及第三凹孔3c的內徑分別為d)200pm。在下個步驟,從絕緣基板1的表面側,通過鍍敷形成厚度15|im的Cu鍍層45,以使其延伸設置到各個凹孔3a、3b、3c的側面和底面的金屬薄板2上(圖7(d))。這里,不需要鍍Cu的部位預先用抗蝕劑進行保護。在下個步驟,在該鍍層45的表面上,通過蒸鍍法(蒸著)形成厚度15pm的Ni/Au層。在下個步驟,為了形成絕緣區域,除去絕緣基板1表面的不需要的Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4(由標號46、47表示),同時除去絕緣基板1背面的不需要的金屬薄板2(由標號22、23表示)(圖7(e))。由此,在絕緣基板l的表面,在絕緣狀態下形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a、成為第二布線圖案的金屬薄板4b和成為第三布線圖案的金屬薄板4c,在絕緣基板l的背面,在絕緣狀態下形成面對第一布線圖案的金屬薄板4a的金屬薄板2a、面對第二布線圖案的金屬薄板4b的金屬薄板2b、以及面對第三布線圖案的金屬薄板4c的金屬薄板2c。在下個步驟,在LED芯片搭載用的凹孔3a的底面的金屬薄板4a上,使用硅酮樹脂安裝LED芯片5(圖7(f))。在下個步驟,將安裝的LED芯片5和金屬細線連接用凹孔3b的底面的金屬薄板4b使用金屬細線6a進行鍵合而電連接,同時將LED芯片5和金屬細線連接用凹孔3c的底面的金屬薄板4c用金屬細線6b進行鍵合而電連接(圖7(g))。在下個步驟,用透明樹脂密封包含LED芯片5和金屬細線6a、6b在內的絕緣基板1的整個表面(圖7(h))。具體地說,將包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b及第三凹孔3c的兩金屬細線6a、6b的整體使用含有熒光體的硅酮類樹脂通過鍵合法進行密封,從而形成第一透明樹脂71,接著,將包含該第一透明樹脂71的絕緣基板l的整個表面使用不含有熒光體的環氧類樹脂通過傳遞模塑法進行密封,從而形成第二透明樹脂72。這里,將基于鍵合法的第一透明樹脂71的固化條件設為150°C、3小時,將基于傳遞模塑法的第二透明樹脂72的固化條件設為12(TC、1小時。最后,通過切割來制作寬度1.5mm、厚度0.8mm、高度0.18mm的藍色芯片部件式LED20(參照圖7(a)圖7(h))。<實施方式3>圖8及圖9是本實施方式3的芯片部件式LED30的剖面圖及俯視圖。但是,在以下的說明中,對與上述實施方式l相同(或具有相同功能)的構件,標注相同標號。該芯片部件式LED30在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔(通孔)3a和金屬細線連接用的第二凹孔(通孔)3b的絕緣基板1的背面側,在電性分離的狀態下形成有對應于各個凹孔的作為布線圖案的金屬(Cu)薄板2a、2b。此外,在絕緣基板l的表面側,在包含第一凹孔3a的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a,在包含第二凹孔3b的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板4b。這些金屬薄板4a、4b通過形成一定寬度的缺口部分48而被絕緣,所述缺口部分48是在隔開第一凹孔3a和第二凹孔3b的隔壁部分la的表面中央部除去了金屬薄板4后形成的。此外,在隔壁部分la的表面,在與該缺口部分48正交的方向上,即以跨越第一凹孔3a和第二凹孔3b的方式,形成有規定深度的凹槽部分11。而且,在這樣的布線結構中,在第一凹孔3a的底面部分的金屬薄板4a上安裝LED芯片5,該LED芯片5通過金屬細線6而電連接于第二凹孔3b的底面部分的金屬薄板4b。此時,金屬細線6穿過隔壁部分la的凹槽部分11內而被布線。即,以上方不露出到絕緣基板1的表面的方式來布線。而且,在該狀態下,形成為包含LED芯片5和金屬細線6在內的絕緣基板1的整個表面被透明樹脂7密封的結構。這里,在本實施方式3中,該透明樹脂7由第一透明樹脂71和第二透明樹脂72構成,第一透明樹脂71對包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金屬細線6的整體進行密封,第二透明樹脂72對包含該第一透明樹脂71在內的絕緣基板1的整個表面進行密封。此外,在本實施方式3中,第一透明樹脂71由含有熒光體(例如,CaAlSiN3:Eu、Ca3(ScMg)2Si3012:Ce等)的硅酮類的透明樹脂形成,第二透明樹脂72由不含有熒光體的環氧類的透明樹脂形成。在本實施方式3中,絕緣基板1由玻璃環氧樹脂形成,其厚度約為55pm。此外,在背面側形成的金屬(Cu)薄板2a、2b被形成為約18pm19的厚度。此外,在本實施方式3中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為4)400pm,金屬細線連接用的第二凹孔3b的內徑為(J)150^im。而且,凹槽部分11的深度為25pm。這樣,根據本實施方式3,LED芯片5的安裝面和一端部連接到該LED芯片5上的金屬細線6的另一端部的連接面被形成在金屬薄板2a、2b上,并且金屬細線6穿過凹槽部分11內部而被布線,所以可以使金屬細線6的配置高度比上述實施方式1、2的還低。此外,由于將LED芯片5直接安裝在金屬薄板4a、2a上,所以不需要以往的基板,可進行該部分的薄型化。下面,參照圖10(a)圖10(h)說明上述結構的芯片部件式LED30的制造方法。在最初的步驟,在絕緣基板1的表面和背面分別形成金屬薄板2、4(圖10(a))。在下個步驟,除去絕緣基板1的表面側的LED芯片搭載位置41、金屬細線連接位置42、金屬細線6的布線位置(成為凹槽部分11的位置)的金屬薄板4(圖10(b))。在下個步驟,將對除去了金屬薄板4的區域41、42實施激光加工而具有傾斜面的凹孔3a、3b形成為直到絕緣基板1的背面側的金屬薄板2為止的深度。此時,在成為隔開所形成的凹孔3a、3b的隔壁部分la的表面,同樣通過激光加工而形成規定深度的凹槽部分11,以跨越這些凹孔3a、3b之間(圖IO(c)、圖8、圖9)。在本實施方式4中,使LED芯片搭載用的第一凹孔3a的內徑為d>50(^m,金屬細線連接用的第二凹孔3b的內徑為小200pm,凹槽部分11的深度為25|im。在下個步驟,從絕緣基板1的表面側,通過鍍敷形成厚度25pm的Cu鍍層45,以使其延伸設置到各個凹孔3a、3b的側面和底面的金屬薄板2上(圖IO(d))。這里,不需要鍍Cu的部位預先用抗蝕劑保護。在下個步驟,在該鍍層45的表面,通過蒸鍍方式形成厚度10pm的Ni/Au層。在下個步驟,為了形成絕緣區域,除去絕緣基板1表面的不需要的Ni/Au層及Cu鍍層45和金屬薄板4(由標號46表示),同時除去絕緣基板1背面的不需要的金屬薄板2(由標號22表示)(圖10(e))。由此,在絕緣基板1的表面,在絕緣狀態下形成作為第一布線圖案的金屬薄板4a和成為第二布線圖案的金屬薄板4b,在絕緣基板1的背面,在絕緣狀態下形成面對第一布線圖案的金屬薄板4a的金屬薄板2a和面對第二布線圖案的金屬薄板4b的金屬薄板2b。再有,在本實施方式4中,在該步驟中,用于將金屬細線6布線的凹槽部分11表面的Ni/Au層及Cu鍍層45也被除去。即,凹槽部分ll表面為絕緣基板l露出的狀態。在下個步驟,在LED芯片搭載用的凹孔3a的底面的金屬薄板4a上,使用環氧樹脂安裝LED芯片5(圖IO(f))。在下個步驟,將安裝的LED芯片5和金屬細線連接用凹孔3b的底面的金屬薄板4b使用金屬細線6進行鍵合而電連接(圖IO(g))。在下個步驟,用透明樹脂密封包含LED芯片5和金屬細線6在內的絕緣基板l的整個表面(圖10(h))。具體地說,將包含第一凹孔3a的LED芯片5和包含第二凹孔3b的金屬細線6和連通凹孔3a、3b的凹槽部分ll的整體使用含有熒光體(CaA鵬:Eu、Ca3(Sc'Mg)2Si3012:Ce)的硅酮類樹脂通過鍵合法進行密封,從而形成第一透明樹脂71,接著,將包含該第一透明樹脂71在內的絕緣基板1的整個表面使用不含有熒光體的環氧類樹脂通過傳遞模塑法進行密封,從而形成第二透明樹脂72。這里,將基于鍵合法的第一透明樹脂71的固化條件設為15(TC、l小時,將基于傳遞模塑法的第二透明樹脂72的固化條件設為150°C、3小時。最后,通過切割來制作寬度1.65mm、厚度0.75mm、高度0.15mm的高現色芯片部件式LED30(參照圖8)。根據本實施方式3,由于可以形成金屬細線6,以使其穿過在LED芯片搭載用凹孔3a和金屬細線連接用凹孔3b之間形成的凹槽部分11內部,所以可以制作高度更低的0.15mm的芯片部件式LED30。(實施方式3的變形例1)圖11是表示本實施方式3的芯片部件式LED30的變形例1的結構的剖面圖。在本變形例1中,是將第一透明樹脂71僅形成在包含LED芯片5及LED芯片5所連接的金屬細線6的一部分在內的第一凹孔3a的整體及其21周邊部分上,不包含至第二凹孔3b的結構。由于其他的結構與上述實施方式3的圖8所示的芯片部件式LED10的結構相同,所以這里省略說明。此外,關于制造方法,由于與參照圖10(a)圖10(h)說明的上述實施方式3的制造方法相同,所以這里省略說明。再有,在上述各個實施方式13中,雖然對于絕緣基板形成了具有一對圖案(pattern)的1芯片LED燈,但若用同樣的方法形成多個圖案,并使多個LED芯片連接,則可容易構成多色(多個LED芯片)發光的LED燈。此外,作為LED芯片5,除了藍色LED芯片以外,還可以使用紅色、黃色、綠色等各種LED芯片。此外,本申請記載了有關發出白色光的發明,但通過將LED芯片選擇為在從紫外光至藍色光的范圍內發出任一種波長的LED芯片,選擇被該LED芯片激勵,在藍色紅色的可見光為止的范圍內發出規定的顏色的光的熒光體,由此,可以提供發出規定的可見光的芯片部件式LED。例如,如果選擇藍色LED芯片和紅色熒光體CaAlSiN3:Eu,則成為發出紅色光的單色光源。本發明在不脫離其精神或主要的特征的情況下可以用其他各種各樣的方式來實施。因此,上述實施例在所有方面都只不過是簡單的例示,而不是限定性地解釋。本發明的范圍由權利要求的范圍來表示,在說明書正文中沒有任何限制。而且,屬于權利要求的范圍的同等范圍的變形或變更,都是在本發明的范圍內的變形或變更。本申請要求2007年IO月31日于日本申請的特愿2007—284136以及2007年12月25日于日本申請的特愿2007—332943的優先權。上述提及的內容是將兩優先權所有內容組合在本申請中而形成的。2權利要求1.一種芯片部件式LED,其特征在于,在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板,在包含所述第二凹孔的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板,在所述第一凹孔內的金屬薄板上安裝LED芯片,該LED芯片通過金屬細線電連接于所述第二凹孔內的金屬薄板,包含所述第一凹孔的LED芯片和包含所述第二凹孔的所述金屬細線被含有熒光體的第一透明樹脂密封,包含所述第一透明樹脂的所述絕緣基板的表面被第二透明樹脂密封。2.—種芯片部件式LED,其特征在于,在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含所述第一凹孔的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板,在包含所述第二凹孔的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板,在所述第一凹孔內的金屬薄板上安裝LED芯片,該LED芯片通過金屬細線電連接于所述第二凹孔內的金屬薄板,包含所述第一凹孔在內的LED芯片和所述金屬細線的一部分被含有熒光體的第一透明樹脂密封,所述第二凹孔和所述金屬細線的一部分被第三透明樹脂密封,包含所述第一透明樹脂及所述第三透明樹脂在內的所述絕緣基板的表面被第二透明樹脂密封。3.如權利要求1所述的芯片部件式LED,其特征在于,所述第一透明樹脂和第二透明樹脂通過不同的形成方法密封。4.如權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,所述第一透明樹脂及第三透明樹脂與第二透明樹脂用不同的形成方法密封。5.如權利要求1或權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,所述第一透明樹脂為硅酮類樹脂,所述第二透明樹脂為環氧類樹脂。6.如權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,所述第三透明樹脂為硅酮類樹脂。7.如權利要求1或權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,安裝所述LED芯片的所述第一凹孔的底面和電連接來自所述LED芯片的金屬細線的所述第二凹孔的底面的高度位置形成為大致相同的高度。8.如權利要求1或權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,電連接來自所述LED芯片的金屬細線的所述第二凹孔至少形成有兩處以上。9.如權利要求1或權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,在所述第一凹孔和所述第二凹孔之間的壁體的表面形成有用于對所述金屬細線進行布線的槽部。10.如權利要求1或權利要求2所述的芯片部件式LED,其特征在于,所述凹孔的內周面被形成為從所述絕緣基板的背面側向表面側逐漸擴展的傾斜面。11.一種芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,包括在絕緣基板的表面和背面形成金屬薄板的步驟;除去所述絕緣基板表面側的LED芯片搭載位置和金屬細線連接位置的金屬薄板的步驟;在除去了所述金屬薄板的區域將第一凹孔及第二凹孔形成為直到所述絕緣基板的背面側的金屬薄板為止的深度的步驟;形成導電層使其延伸設置到所述凹孔的側面和所述金屬薄板上的底面的步驟;在所述導電層的表面通過蒸鍍法形成含Au的層的步驟;形成絕緣區域的步驟;在所述第一凹孔的底面安裝LED芯片的步驟;使用金屬細線電連接所述LED芯片和所述第二凹孔的底面的步驟;通過澆注法用第一透明樹脂密封第一凹孔和金屬細線的一部分,以覆蓋所述LED芯片的第一密封步驟;以及通過傳遞模塑法用第二透明樹脂進行密封,以覆蓋第一透明樹脂的第二密封步驟。12.如權利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,所述第一密封步驟用所述第一透明樹脂還密封所述第二凹孔和所述金屬細線的整體。13.如權利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,所述第二密封步驟密封所述第二凹孔和所述金屬細線的一部分。14.如權利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,所述制造方法還包括覆蓋所述第二凹孔,使用第三透明樹脂密封金屬細線的一部分的第三密封步驟,在所述第二密封步驟中,用第二透明樹脂覆蓋第一透明樹脂和第三透明樹脂。15.如權利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,在所述第二密封步驟中,用第二透明樹脂覆蓋所述絕緣基板表面。16.如權利要求11所述的芯片部件式LED的制造方法,其特征在于,在所述第二密封步驟中,不用第二透明樹脂覆蓋所述第二凹孔。全文摘要本發明提供一種芯片部件式LED,在形成了LED芯片搭載用的第一凹孔和金屬細線連接用的第二凹孔的絕緣基板的包含第一凹孔的部分形成作為第一布線圖案的金屬薄板,在包含第二凹孔的部分形成作為第二布線圖案的金屬薄板。在第一凹孔內的金屬薄板上安裝LED芯片,該LED芯片通過金屬細線電連接于第二凹孔內的金屬薄板,包含第一凹孔的LED芯片和包含第二凹孔的所述金屬細線被含有熒光體的第一透明樹脂密封。包含第一透明樹脂的絕緣基板的表面被第二透明樹脂密封。文檔編號H01L33/48GK101488546SQ20081019088公開日2009年7月22日申請日期2008年10月29日優先權日2007年10月31日發明者幡俊雄,松田誠申請人:夏普株式會社
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