專利名稱：：粘合片、與切割膠帶一體化粘合片以及半導體的制造方法
技術領域：
：本發明涉及適用于半導體元件與半導體元件裝載用支撐部件粘接的粘合片、與切割膠帶一體化的粘合片，以及半導體裝置的制造方法。
背景技術：
：以往，主要使用銀膠來粘接半導體元件與半導體元件裝載用支撐部件。但是，隨著近年來半導體元件的小型化、高性能化，對所用的支撐部件也開始要求小型化、精細化。對于這樣的要求，由于使用銀膠粘接在導線連接時不方便，會造成突出或半導體元件的歪斜，難以控制粘合片的膜厚，以及粘合片產生孔隙等原因，無法很好地滿足上述要求。因此，為了滿足上述要求，近年來開始使用片狀的粘合劑。這種粘合片的使用方式有單片粘貼方式或晶片背面粘貼方式。在使用前者的單片粘貼方式的粘合片制造半導體裝置時，將巻筒狀的粘合片切割或拉裂成單片后，將該單片粘貼在支撐部件上，再將切割成單個的半導體元件粘接在上述貼有粘合片的支撐部件上，制成具有半導體元件的支撐部件，然后，根據需要，經過導線連接過程、封裝過程等制成半導體裝置。但是，為了使用上述的單片粘貼方式的粘合片，必須具有將粘合片切開，粘接到支撐部件上的專用組裝設備，因此與使用銀膠的方法相比，存在著生產成本高的問題。另一方面，在使用后者的晶片背面粘貼方式的粘合片制造半導體裝置時，首先將粘合片粘貼在半導體晶片的背面，再在粘合片的另一面貼上切割膠帶；然后用切割方法將上述晶片切割成單個的半導體元件；將單個化的具有粘合片的半導體元件拾取(pickup)出來，粘接到支撐部件上；然后經過加熱、硬化、導線接合等過程，制成半導體裝置。這種晶片背面粘貼方式的粘合片，在將單片化的具有粘合片的半導體元件粘接到支撐部件上時，不需要粘合片的單片化裝置，以往的銀膠用組裝設備不加改造便可使用，或者只要附加熱盤等裝置進行部分改造便可使用。因此，在使用粘合片的組裝方法中，作為一種能將生產成本控制得比較低的方法而引人注目。但是，因為在使用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法中，在上述切割工序之前，必須經過粘合片與切割膠帶的粘貼等2次粘貼工序，所以需要將工序簡化。因此，有人提出了在切割膠帶上附帶有粘合片，將其粘貼在晶片上的方法(例如，特開2002—226796號公報、特開2002-158276號公報、特開2_32181號公報)。另外，使用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法，在晶片切割時，必須同時也將粘合片切斷，但是在使用金剛石切割刀的一般切割方法中，要同時切斷晶片與粘合片就必須將切割速度放慢，這會導致成本上升。另一方面，對于晶片的切割方法，近年來有入提出了不將晶片完全切斷，而是用加工的溝槽作為折疊痕的方法，或用激光照射預定的切割線上的晶片內部形成變質區域的方法，對晶片進行可以容易切斷的加工，然后再用施加外力等方法予以切斷，前者被稱為半切割，后者叫做暗切割(特開2002—192370號公報，特開2003—338467號公報)。這些方法，特別是在晶片的厚度較薄的情況下，有減少切片不良的效果，由于不需要切口寬度，因此可以預期有提高成品率的效果。使用上述的半切割或暗切割，通過上述的晶片背面粘貼方式的進行半導體裝置制造的過程中，必須將粘合片與晶片同時切斷，但是在用一般的粘合片的情況下，要與晶片同時切斷是困難的。另外，當粘合片使用斷裂性良好的非伸縮性粘合片時，可以使晶片與粘合片的切斷面大致一致，同時切斷，但是非伸縮性的粘合片的流動性低，因此很難在IO(TC以下的低溫下粘貼在晶片上，而且粘合片本身很脆，可能會產生開裂，降低粘接的可靠性。
發明內容5如上所述，在用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法中，還沒有找到高效率的切斷晶片與粘合片的辦法。因此，在制造半導體裝置時的切割過程中，需要有一種能使上述半導體晶片形成可切割狀態的處理后，可以與晶片同時被切斷的粘合片。另外，在制造半導體裝置的半導體元件與支撐部件的粘接過程中，還需要有一種可靠性良好的粘合片。本發明的目的是提供一種能在低溫下粘貼在晶片上、具有能在室溫下進行處理的柔韌度、而且能在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的粘合片。本發明人等發現，如將25'C時處于B階狀態的粘合片的斷裂強度與斷裂延伸率限定在特定的數值范圍內，便可以獲得能在室溫下與晶片同時切斷的粘合片。還有，本發明人等發現，為了維持粘合片在室溫下的撓性，并能在室溫下切斷晶片的同時切斷粘合片，粘合片的彈性模量必須具有特定的頻率相關性。這里所謂的頻率相關性是指在動態粘彈性模量測定時，彈性模量因加至試樣中的畸變頻率而引起的彈性模量不同的現象。具體地說，本發明以下面〈1〉〈15〉所述的事項為其特征。〈1〉一種至少含有高分子量成分的粘合片，其中處于B階狀態的上述粘合片，在25"C的溫度下，nyi《j工乂又乂v乂、J寸Jw.i丄vira、小于等于lOMPa，且斷裂延伸率為大于等于1%、小于等于40%。〈2〉一種至少含有高分子量成分的粘合片，其中處于B階狀態的上述粘合片，在25"C的溫度下，10Hz動能粘彈性模量測定所得彈性模量為l3000MPa，在25'C的溫度下，900Hz動能粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。〈3〉一種至少含有高分子量成分的粘合片，其中處于B階狀態的上述粘合片，在25'C的溫度下，10Hz動能粘彈性模量測定所得彈性模量為l3000MPa，在一2(TC的溫度下，10Hz動能粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。〈4〉如上述〈2〉或〈3〉所述的至少含有高分子量成分的粘合片，其中處于B階狀態的上述粘合片，在6(TC的溫度下，10Hz動能粘彈性模量測定所得彈性模量為0.120MPa。〈5〉如上述〈2〉〈4〉中任何一項所述的至少含有高分子量成分的粘合片，其中處于B階狀態的上述粘合片，在25X:的溫度下，斷裂強度為大于等于0.1MPa、小于等于10MPa，且斷裂延伸率為大于等于1%、小于等于40%。〈6〉如上述〈1〉〈5〉中任何一項所述的粘合片，其中上述高分子量成分的玻璃化溫度為一3(TC5(TC，重均分子量為5萬100萬。〈7〉如上述〈6〉所述的粘合片，其中玻璃化溫度為一3(TC5(TC，重均分子量為5萬100萬的上述高分子量成分含量為粘合片總重量除去填料重量后的50重量％或以下。〈8〉如上述〈7〉所述的粘合片，包括熱硬化性成分。〈9〉如上述〈7〉或〈8〉的任何一項所述的粘合片，包括570重量％的填料。〈10〉如上述〈1〉〈9〉中任何一項所述的粘合片，其中殘留的揮發成分為0.013重量％。〈11〉如上述〈1〉〈10〉中任何一項所述的粘合片，其中膜厚為1250um。〈12〉一種與切割膠帶一體化的粘合片，其是利用上述〈1〉〈11〉中任何一項所述的粘合片與切割膠帶層壓而成。〈13〉一種半導體裝置的制造方法，包括i)將上述〈1〉〈11〉中任何一項所述的粘合片粘貼在半導體晶片上；ii)使所述半導體晶片形成可切割狀態的處理工序；iii)將切割膠帶粘貼在上述粘合片上，其中上述這些工序的順序為i一ii一in，ii一i—m或i一in—ii。并且此方法還包括進行iv)將上述半導體晶片與上述粘合片切斷，以得到多個切割成單片的具有粘合片的半導體芯片；以及v)將上述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件上。〈14〉一種半導體裝置的制造方法，包括i')將上述〈12〉所述的與切割膠帶一體化的粘合片粘貼在半導體晶片上；ii)使所述半導體晶片形成可切割狀態的處理工序，其中上述這些工序的順序為r—n或n—r。并且此方法還包括進行iv)將上述半導體晶片與上述與切割膠帶一體化的粘合片切斷，以得到多個切割成單片的具有粘合片的半導體芯片的工序；以及V)將上述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件上。〈15〉如上述〈13〉或〈14〉所述的半導體裝置的制造方法，其中使上述半導體晶片成為可切割狀態的方法為半切割或暗切割。本申請于此要求相同申請人先前提出的日本特許申請，即2003—161656號(申請日2003年6月6日)以及2003—402748號(申請日2003年12月2曰)的優先權，以便參照這些申請的發明書來說明本發明。圖1是顯示本發明的工序I)的一種實施方式的示意圖。圖2是顯示本發明的工序II)的一種實施方式的示意圖。圖3是顯示本發明的工序m)的一種實施方式的示意圖。圖4是顯示本發明的工序IV)的一種實施方式的示意圖。圖5是顯示本發明的工序V)的一種實施方式的示意圖。圖6是顯示本發明的工序I，)的一種實施方式的示意圖。圖7是顯示本發明的工序II)的一種實施例的示意圖。圖8是顯示對圖7的晶片施加外力，晶片與粘合片成被切斷狀態的示意圖。圖9是顯示本發明的工序V)的一種實施方式的示意圖。圖10是具有粘合片的半導體芯片的一種實施方式的示意圖。圖11是顯示本發明的工序I，)、工序II)與工序IV)的一種實施方式的示意圖。具體實施例方式本發明的粘合片是一種至少含有高分子量成分的粘合片，其特征在于，處于B階狀態的上述粘合片，在25°C的溫度下，斷裂強度為大于等于O.lMPa、小于等于10MPa，且斷裂延伸率為大于等于1%、小于等于40%。斷裂強度不足O.lMPa時，粘合片較脆，較不易處理。另外，在超過10MPa的情況下，在切斷晶片時就不可能同時將粘合片切斷，因此也不合適。同樣地，斷裂延伸率不足1%時，粘合片較脆，較不易處理。另外，在超過40%的情況下，在切斷晶片時就不可能同時將粘合片切斷，因此也不合適。從晶片被切斷時能確實地將粘合片也切斷這一點以及有充分的強度能方便地進行處理這一點來看，斷裂強度優選18MPa，斷裂延伸率優選535%，更加優選斷裂強度為37MPa，斷裂延伸率為1030%。處于B階狀態的上述粘合片在25"C的溫度下斷裂強度與斷裂延伸率，是用寬10mm、卡盤(chuck)間距離20mm、厚5250um的試樣，用拉伸試驗機以0.5m/min的拉伸速度，對其應力、畸變曲線進行測定，然后用下式求出。斷裂強度(Pa)=最大強度(N)/試樣的截面積(m2)斷裂延伸率(％)=(斷裂時的試樣長度(mm)—20)/20X100為了提高斷裂強度，提高彈性模量的同時提高材料的韌性是有效的。具體地說，在通過添加各種填料提高彈性模量的同時，添加少量的橡膠等對改良材料的韌性很有效。要降低斷裂強度，可以增加低聚物、單體的添加量，降低填料的斷裂延伸率。為了提高斷裂延伸率，提高材料的撓性與韌性是有效的方法，例如，增加低Tg下分子量大的高分子量成分的量、軟化點低于3(TC的低聚物、單體的添加量是有效的。為了降低延伸率，可以增加軟化點溫度高于3(TC的低聚物、單體的添加量，增加具有高Tg的高分子量成分的量，添加填料，可以有效降低韌性。本發明的粘合片是一種至少含有高分子量成分的粘合片，其特征在于，處于B階狀態的上述粘合片，在25i:的溫度下，IOHz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為13000MPa，在25"C的溫度下，900Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。從處理時粘合片不易產生開裂這點來看，在25"C的溫度下，10Hz的彈性模量優選為101500MPa，更加優選1001200MPa。該彈性模量如過小于lMPa,粘合片的延伸太大，難以處理，如超過3000MPa，處理時粘合片會產生開裂，因而是不希望的。另外，在25i:溫度下，900Hz的彈性模量優選為500015000MPa。該彈性模量如過小于4000MPa，有難以切斷的傾向，如超過20000MPa，有處理時粘合片容易產生開裂的傾向。還有，本發明的粘合片是一種至少含有高分子量成分的粘合片，其特征在于，處于B階狀態的上述粘合片，在25。C的溫度下，10Hz下動態粘彈性模量測定所得彈性模量為13000MPa，在一20。C的溫度下，900Hz下動態粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。在一2(TC的溫度下，優選10Hz下動態粘彈性模量測定所得彈性模量為500015000MPa。該彈性模量如小于4000MPa，有難以切斷的傾向，如超過20000MPa，有處理時粘合片容易產生開裂的傾向。本發明的粘合片，只要在粘貼到晶片上之后，在切斷時在上述規定的各種特性值范圍內即可，在粘貼時也可以不在此范圍內。這就是說，可以在粘合片粘貼到晶片上之后，經過一定的保存時間后，再進行熱處理、光硬化等放射線照射加工，使其處于上述各種特性值范圍內，例如，使用粘貼到半導體晶片上之前的狀態下斷裂強度與斷裂延伸率高的粘合片，可以在低溫下將粘合片粘貼到半導體晶片上，可以在粘貼之后再使其斷裂強度與斷裂延伸率處于上述各種特性值范圍內。同樣地，如果粘合片初期，在25。C的溫度下，10Hz的彈性模量不到lMPa，在粘貼到晶片上時，有很強的粘合性，容易在室溫下進行層壓，然后再使其斷裂強度與斷裂延伸率處于上述各種特性值范圍內，也是可以的。使用本發明的粘合片時，由于晶片的翹度小，在室溫下很容易進行處理，因此優選在4(TC10(TC的溫度之間進行層壓。因此，本發明的粘合片，優選在處于B階狀態的上述粘合片，在60'C的溫度下，10Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為0.120MPa，更加優選是0.1lOMPa，特別優選是0.15MPa。如低于O.lMPa，粘貼后粘合片會從晶片上剝離，發生錯位，因此不好。還有，本發明的粘合片除了上述的各種特性外，最好還具有將半導體元件裝載在半導體元件裝載用的支撐部件的實際生產過程所要求的耐熱性與耐濕性。另外，本發明的粘合片，雖然只要能滿足上述的特性，其余沒有什么特別的限制，但是為使其具有適當的粘合強度，片狀時的處理比較容易，所以除高分子量成分外，最好還含熱硬化性成分與填料，除此之外，還可以含硬化促進劑、催化劑、添加劑、耦合劑等。另外，由于粘合片中含的高分子量成分越多，填料越少，斷裂強度與斷裂延伸率就越高，因此這些成分對將斷裂強度與斷裂延伸率調節到本發明規定的數值范圍內非常重要。以下，對構成本發明的粘合片的成分進行詳細說明。本發明中的高分子量成分，只要是能滿足上述粘合片的特性的就可以，就沒有特別的限制，但是優選其玻璃化溫度(下稱Tg)在一3(TC5(TC時的重均分子量為5萬100萬。如Tg超過50°C，粘合片的撓性低，因而不合適，如Tg不到一30'C，則因為粘合片的撓性過高，晶片斷裂時粘合片難以斷裂，所以也不合適。另外，重均分子量如果低于5萬，則粘合片的耐熱性低，所以并不合適，重均分子量如果超過100萬，則粘合片的流動性低，所以也不合適。從晶片被切斷時粘合片的斷裂性與或耐熱性的觀點來看，優選Tg為一20°C40°C，重均分子量為10萬90萬的高分子量成分，更加優選Tg為一1(TC5(TC，重均分子量為5萬100萬的高分子量成分，特別優選Tg為一10°C30°C，重均分子量為50萬90萬的高分子量成分。此外，重均分子量是用凝膠滲透色譜分析法(GPC)得到的、采用標準聚苯乙烯檢量線的聚苯乙烯換算值，泵使用日立制作所制造的L一6000，色普柱使用日立化成工業(有限公司)制造的由蓋爾帕克(Gelpack)GL-R440，蓋爾帕克GL-R450以及蓋爾帕克GL-R400M(各10.7mmcl)X300mm)依此順序連接的管柱，洗滌液用四氫呋喃，對于120mg試樣溶解于5ml四氫呋喃中構成的樣品，在1.75ml/分的流速下，進行的測定。高分子量成分，具體地說，可以舉出的有聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯、聚酯、聚酰胺、丁二烯橡膠、丙烯酸橡膠、(甲基)丙烯酸樹脂、氨基甲酸樹脂、聚苯撐醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、苯氧樹脂、改性聚苯撐醚樹脂、苯氧樹脂、聚碳酸酯及其混合物等。特別優選含官能性單體的重均分子量大于等于10萬的高分子成分，例如，含有丙烯酸縮水甘油酯或甲基丙烯酸縮水甘油酯等官能性單體，且重均分子量大于等于10萬的含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等。含環氧基的(甲基)丙烯酸共聚物可以使用例如，(甲基)丙烯酸共聚物，丙烯酸橡膠等，優選使用丙烯酸橡膠。丙烯酸橡膠以丙烯酸酯為主要成分，是以丁基丙烯酸酯與丙烯晴等的共聚物、乙基丙烯酸酯與丙烯晴等的共聚物為主構成的橡膠。高分子量成分的含量優選是小于等于粘合片總重量除去填料重量后的50重量％，更加優選是小于等于35重量％，特別優選大于等于25重量％、小于等于30重量％。高分子量成分的添加量太多，粘合片的斷裂性有惡化的傾向，高分子量成分的添加量太少，粘接時流動性過大，有產生空隙的傾向。上述的熱硬化性成分，有環氧樹脂、氰酸樹脂、酚醛樹脂及其硬化劑等，但是從耐熱性好的觀點來看，最好用環氧樹脂。環氧樹脂只要能硬化，具有粘接作用即可，沒有特別的限制。可以使用雙酚A型環氧樹脂等雙官能環氧樹脂、酚醛的嵌段型環氧樹脂或甲酚的嵌段型環氧樹脂等嵌段型環氧樹脂。另外，多官能環氧樹脂，含有復數環的環氧樹脂或酯環族環氧樹脂等一般公知的環氧樹脂也可以適用。還有，為了降低處于B階狀態的粘合片的斷裂強度與斷裂延伸率、提高粘接劑的可處理性、提高熱傳導性、調整熔融粘度，賦予其觸變性(thixotr叩ic)，本發明的粘合片中應當加入填料，最好與無機填料相配合。無機填料可以列舉出氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅、銻氧化物等。為了提高熱傳導性，優選使用氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等。為了調整熔融粘度，賦予其觸變性，優選使用氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結晶性二氧化硅、非晶性二氧化硅等。另外，為了提高耐濕性，優選使用氧化鋁、二氧化硅、氫氧化鋁、銻氧化物等。上述的填料的用量優選大于等于粘合片全部重量的5重量％、小于等于70重量％，更加優選大于等于35重量％、小于等于60重量％。添加量太多，容易產生粘合片的貯藏彈性模量上升，粘接性能降低，因孔隙殘存而造成電器特性降低等問題，所以特別優選小于等于50重量％。另外，填料的比重最好是l10g/cm3。此外，本發明的粘合片可以通過包含分子內有一個以上的不飽和雙鍵的丙烯酸單體及其光起始劑等，使其具有紫外線(UV)硬化性，在低溫下層壓12后，可以通過紫外線照射降低斷裂延伸率，提高斷裂性。在有機溶劑中混合上述高分子量成分，如有需要還可以混入熱硬化性成分、填料、以及其他成分，在混練后調制成清漆后，在基體薄膜上形成清漆層，加熱干燥后除去基體，即可制成本發明的粘合片。上述的混合、混練可以適當地組合使用一般的攪拌機、研磨攪拌機、三輪攪拌機、球磨機等分散機。上述的加熱干燥條件，只要能將所用的溶劑充分揮發掉就可以，沒有特別的限制，但是通常是在60。C20(TC加熱0.190分鐘。上述的粘合片制造中，調制上述清漆所用的有機溶劑，只要能將材料均勻地溶解、混練或分散就可以，沒有特別的限制，可以使用一般所知的有機溶劑。這類溶劑可以列舉出，例如二甲基酰胺、二甲基乙酰胺、N—甲基吡咯垸酮、丙酮、丁酮、環已酮等酮系溶劑，甲苯，二甲苯等。從干燥速度快、價格便宜的角度來看，優選使用丁酮、環已酮等。有機溶劑的用量只要是粘合片制造后的殘留揮發組分為全部重量基準的0.013重量％就行，沒有特別的限制，但是從耐熱性的角度來看，優選是全部重量基準的0.012.0重量％，更加優選是全部重量基準的0.011.5重量％。另外，在可切割狀態的范圍內，本發明的粘合片可以由若干張重疊起來，制成多層的粘合片。還有，本發明的粘合片可以與例如熱塑性薄膜、粘接劑、熱硬化樹脂等構成的薄膜組合起來，在薄膜的兩面重疊上粘合片，或者形成多層的粘合片。另外，所謂的在可切割狀態的范圍內，是指多層的粘合片的斷裂強度以及斷裂延伸率、彈性模量在上述的數值范圍內。這類薄膜可以列舉出例如，聚酰亞胺、聚酯等熱塑性樹脂、環氧樹脂硅樹脂及其混合物等構成的薄膜。這類薄膜可以含有各種填料。對本發明的粘合片的膜厚沒有特別的限制，但是優選為1250um。如果小于l"m，則應力緩行效果與粘接性能有變差的傾向，如果大于250um，則不夠經濟，也不符合半導體裝置小型化的要求，有難以切斷的傾向。另外，從粘接性能好，而且能實現半導體裝置的薄型化的角度出發，優選為3100tim，更加優選為555um。本發明的與切割膠帶一體化的粘合片，可以用本發明的粘合片層壓在公知的切割膠帶上制得。使用該與切割膠帶一體化的粘合片，可以將晶片上的層壓工序一次完成，提高生產效率。在切割膠帶上層壓粘合片的方法，除了印刷外，還可列舉出將預先制成的粘合片押壓在切割膠帶上、熱軋層壓(hotrolllaminating)等方法，但是從可以連續制造、效率高的角度來看，優選使用熱軋層壓方法。本發明所用的切割膠帶，可以列舉出例如，聚四氟乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚酰亞胺薄膜等塑膠薄膜。另外，也可以根據需要進行底漆涂覆、紫外線處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。切割膠帶必須有粘接性能，可以在切割膠帶的一側設置粘接劑層。這可以對粘接劑層的樹脂組合物，特別是對其液態成分的比例、高分子量成分的Tg進行調整，將所得的具有適當粘接強度的樹脂組合物進行涂覆、干燥后形成。另外，對切割膠帶的膜厚沒有特別的限制，可以跟據粘合片的膜厚和與切割膠帶一體化的粘合片的用途，根據發明所屬
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的人員的知識適當確定，但是從經濟性好、薄膜處理方便等方面考慮可以為60150lim，優選70130um。另外，本發明的粘合片或與切割膠帶一體化的粘合片必須具有在制造半導體裝置時，半導體元件不會在進行切割時飛散的粘接力，而且在以后拾取時又要能從切割膠帶上剝離下來。例如，如粘合片或切割膠帶的粘接性太高，槽端部的樹脂就會融結而造成分離困難。所以，本發明的粘合片或切割膠帶在處于B階狀態下的90°剝離強度優選小于等于150N/m，更加優選5100N/m，進一步優選550N/m。剝離強度如超過150N/m，拾取時芯片容易被撕壞。剝離強度的測定，是在25"C的氣氛中，以90°的角度，用50mm/分的拉伸速度將粘合片從切割膠帶上剝離下來的結果。為了使得上述9(T的剝離強度小于等于150N/m，要適當地對粘合片的粘合強度進行調節。調節粘合強度的方法，可以利用粘合片的室溫下的流動性上升，粘接強度與剝離強度會上升的傾向，而流動性降低，粘接強度與剝離強度也會降低的傾向這一性質。例如，要使流動性上升，可以采用增加可塑劑的含量、增加產生粘接性的材料的含量等方法。反過來，要降低流動性，則可以減少上述化合物的含量。上述的可塑劑可以列舉出，例如具官能基的丙烯酸單體、單官能基環氧樹脂、液態環氧樹脂、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂系的所謂稀釋劑等。可以用上述本發明的粘合片或具有本發明的粘合片的與切割背脊一體型的粘合片來制造半導體裝置。具體地說，本發明的半導體裝置的制造方法的特征包括I)將本發明的粘合片粘貼在半導體晶片上的工序；II)使所述半導體晶片形成可切割狀態的處理工序；III)將切割膠帶粘貼在上述粘合片上的工序，其中上述這些工序的順序為I—II—111、II—I一III或I—III—II。此方法還包括IV)將上述半導體晶片與上述粘合片切斷，得到多個切割成單片的具有粘合片的半導體芯片的工序；以及V)將上述具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件上的工序。圖1顯示將本發明的粘合片1粘貼在半導體晶片A上的工序的一種實施例；圖2顯示對半導體晶片A的預定切割線4進行激光照射，在晶片內部形成變質區域(切割預定部)5，進行使半導體晶片形成可切割狀態的處理的工序的一種實施例；圖3顯示將由粘接劑層2a與基體層2b構成的切割膠帶2粘貼在粘合片1上的工序的一種實施例；圖4顯示通過拉伸切割膠帶2，將半導體晶片A與粘合片1切斷的工序的一種實施例；圖5顯示將具有粘合片的半導體芯片6粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件7上工序的一種實施例。上述的半導體晶片，除了單晶硅外，還可以使用多晶硅、各種陶瓷、砷化鎵等化合物半導體。上述工序I)中將粘合片粘貼在半導體晶片上的溫度，即層壓溫度優選在0T:17(TC的范圍內，為了減少晶片的翹度，更加優選在2(TC13(TC的范圍內，特別優選在2(TC6(TC的范圍內。另外，在工序II)后進行工序I)的情況下，為了防止層壓過程中因應力或變形造成晶片破裂，優選在不會產生變形的條件下支撐晶片，進行層壓。上述工序II)中進行使體晶片形成可切割狀態的處理加工方法，可以列舉出不將晶片用切割刃等完全切斷，而是可以將溝槽加工成折疊痕的方法或用激光照射預定切割線上的晶片內部形成變質區域的方法等，然后再用施加外力等，很容易地將晶片切斷的方法。晶片的激光加工方法可以使用特開2002一192370號公報、特開2003—338467號公報所述的方法。裝置可以使用，例如株式會社東京精密制造的MAHOHDICINGMACHINE。對半導體晶片的激光激光可以從半導體晶片的表面，即形成電路的一面照射，另外也可以從半導體晶片的背面，即沒有形成電路、粘貼了粘合片的那一面照射。如果工序n)在工序i)或后面將要說明的工序i')或工序in)之后進行的話，因為激光也可以從粘合片或切割膠帶一側照射半導體晶片，所以粘合片或切割膠帶最好也能透過激光。另外，從方便對不能切割部分，即切斷部分的辨認的角度來看，粘合片最好與切割膠帶的透明度與色調不同。在本發明中，例如，在下述條件下，使用上述的激光加工裝置，將聚光點對準硅晶片的內部，沿著預定切割線從硅晶片的表面進行激光照射，在硅晶片的內部形成變質區域。該變質區域可以沿著預定切割線將晶片切斷。變質區域最好是通過多光子吸收，在半導體晶片內部局部加熱熔融而形成的熔融處理領域。激光加工條件(A)半導體基板硅晶片(厚350um，外徑6英寸)(B)激光光源半導體激光激發Nd:YAG激光波長1064nm激光光點截面積3.14X10—8cm2振蕩形態Q開關脈沖反復頻率100kHz脈沖寬度30ns輸出2。PJ/脈沖激光質量TEMOO偏光特性直線偏光(C)聚光用透鏡倍率50倍NA:0.55對聚光波長的透光率60。％(D)裝載半導體基板的裝載平臺的移動速度100mm/秒在工序ni)中，可以用一般公知的方法將切割膠帶粘貼在粘合片與半導體晶片粘接面的反面。粘貼的溫度，即層壓的溫度優選在0'C6(TC的范圍內，更加優選在1(TC4(TC的范圍內，特別優選在15"C3(TC的范圍內。在工序II)后進行工序III)的情況下，為了防止層壓過程中因應力或變形造成晶片破裂，優選在不產生變形的條件下支撐晶片，進行層壓。本發明的半導體裝置的制造方法中，可以將工序i)與工序m)變化為工序r)，將本發明的與切割膠帶一體化的粘合片粘貼在半導體晶片上。在這種情況下，本發明的半導體裝置的制造方法包括i')將本發明的與切割膠帶一體化的粘合片粘貼在半導體晶片上的工序；以及n)使半導體晶片形成可切割狀態的工序；其中，按照I，一II或II一I'的順序。該方法還包括:iv)將半導體晶片與本發明的與切割膠帶一體化的粘合片切斷，得到多個切割成單片的具有粘合片的半導體芯片的工序；以及V)將具有粘合片的半導體芯片粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件上的工序。圖6顯示將本發明的與切割膠帶一體化的粘合片3，粘貼在半導體晶片A上的工序的一種實施例；圖7顯示用切割鋸2對半導體晶片A進行切割，使其成為可切割狀態的工序的一種實施例；圖8顯示對與切割膠帶一體化的粘合片3施加外力，晶片A以及與切割膠帶一體化的粘合片3的粘合片1被切斷狀態的一種實施例；圖9顯示將具有粘合片的半導體芯片6粘接在裝載半導體芯片用的支撐部件7上的工序的一種實施例。另外，圖ll歸納了將本發明的與切割膠帶一體化的粘合片3，粘貼在半導體晶片A上的工序，對半導體晶片A的預定切割線4進行激光照射，在晶片內不形成變質區域(切割預定部)5，使得晶片成為可切割狀態的工序，以及對切割膠帶2或與切割膠帶一體化的粘合片3施加外力，將晶片A以及與粘合片l切斷的工序。另外，在本發明的半導體裝置的制造方法中，對將粘合片或切割膠帶粘貼到晶片上的粘貼方法以及切割方法的組合沒有特定的限制。從操作方便和講究效率的觀點出發，優選使用本發明的與切割膠帶一體化的粘合片粘貼到晶片上和暗切割的組合。在將與切割膠帶一體化的粘合片粘貼到半導體晶片上時，將半導體晶片同與切割膠帶一體化的粘合片的粘接面貼在一起。粘貼溫度，即層壓的溫度優選在0。C17(TC的范圍內，為了減少晶片的翹度，更加優選在2(TC13(TC的范圍內，特別優選是在2(rC6(TC的范圍內。在上述工序i)、n)以及m)，或者I，)和II)之后，進行工序IV)，在此工序中，半導體晶片與粘合片的切斷，可以用對切割膠帶或與切割膠帶一體化的粘合片施加外力的方法進行。該外力，例如在半切割的情況下，最好是以扭曲方向或螺旋方向施加，在暗切割的情況下，最好是以拉伸(擴張)方向施加。例如，在暗切割中，在拉伸切割膠帶的兩端施加外力，切斷晶片與粘合片時，可以使用市售的晶片擴張裝置。更具體地說，如圖4所示，在放置臺13上的切割膠帶2的四周部分貼上夾圈11，加以固定，然后通過上升部12的上升，從兩端給切割膠帶2施加張力。以這時上升部上升速度為擴張速度，提供上升部上升的高度14為擴張量，在本發明中，擴張速度優選為101000mm/秒，更加優選10100mm/秒，特別優選1050mm/秒。另外，擴張量優選為530mm，更加優選1030mm，特別優選1520mm。如擴張速度不到10mm/秒，半導體晶片與粘合片的切斷有困難的傾向；超過1000mm/秒時，則切割膠帶有易于破裂的傾向。此外，如擴張量不到5mm，半導體晶片與粘合片的切斷有困難的傾向；超過30mm時，則切割膠帶有易于破裂的傾向。通過這樣對切割膠帶進行拉伸，施加外力，就會以晶片內部的變質區域為起點在半導體晶片的厚度方向產生開裂開，該開裂到達晶片的表面與背面，再到達與半導體晶片密切貼著的粘合片的背面，半導體晶片與粘合片發生破裂，即切斷。這樣便可以制成具有粘合片的半導體芯片。還有在擴張量超過25mm的情況下，切割膠帶的基體層優選使用氯乙烯材料，但在拉伸的量不大的情況下，優選使用各種聚烯烴材料。另外，擴張最好在室溫下進行，但是如有必要也可以在一5(TC10(TC之間調整。在本發明中，優選在一5(TC6(TC之間，更加優選在0"C4(TC之間。從粘合片的斷裂延伸率低、切斷比較容易、可防止粘合片切斷不良造成成品率低的觀點考慮，擴張時的溫度以低溫為好。在使用紫外線硬化粘接劑作為切割膠帶的粘接劑層情況下，在擴張的前或后，用紫外線從與切割膠帶上粘貼半導體晶片的面相反的一面照射，使紫外線硬化粘接劑硬化。這樣，紫外線硬化粘接劑與粘合片之間的粘接力下降，因此，后面的工序IV)中的拾取就容易了。接下來，在工序V)中，拾取裝置使用圖5或圖9所示的吸附夾頭21、鋼絲夾22，將多個切割成單片的具體有粘合片的半導體芯片拾取出來，將其裝載在半導體芯片裝載用支撐部件的半導體芯片裝載部上，將粘合片加熱硬化。加熱硬化通常在10(TC22(TC之間進行。本發明的半導體裝置的制造方法，并不限定為上述工序，可以包含任意的工序。例如，在進行了工序I)或工序I')后，進行工序IV)之前任何一個階段，都可以包含用紫外線、紅外線或微波照射粘合片的工序，或者將粘合片加熱或冷卻的過程。在進行了工序V)之后，可以根據需要包含導線接合工序、封裝工序等。下面，通過實施例對本發明進行詳細說明，但是本發明并不限定于此。實施例1環氧樹脂使用雙酚F型環氧樹脂(環氧基當量為160，東都化成株式會社制造，商品名為YD-8170C)30重量份；甲酚的嵌段型環氧樹脂(環氧基當量為210，東都化成株式會社制造，商品名為YDCN-703)10重量份；環氧樹脂的硬化劑使用苯酚的嵌段樹脂(用大日本^>*化學工業株式會社制造，商品名為于<才一7二>LF2882)27重量份；作為含環氧基的丙烯酸系共聚物的含有環氧基的丙烯酸橡膠(凝膠滲透色譜分析法測得的重均分子量為80萬，甲基丙烯酸縮水甘油酯3重量％，Tg為一7。C，于力'七少厶^'7夕^制造，商品名為HTR—860P—3DR)28重量份；作為硬化促進劑的咪唑系硬化促進劑(四國化成株式會社制造的年二7'/A2PZ—CN)0.1重量份；二氧化硅填料(7卜"^77>>株式會社制造，SO-C2(比重2.2g/cm3))95重量份；硅烷偶聯劑(日本二二力一株式會社制造，商品名為A—189)0.25重量份與(日本二二力一株式會社制造，商品名為A—1160的產品)0.5重量份構成的組合物中，加入環已酮，攪拌混合，真空除氣，制成粘接劑清漆。該粘接劑清漆涂覆在厚度為50"m的脫膜處理過的聚對苯二甲酸乙酯薄膜上，加熱至9(TC的溫度10分鐘，加熱至12(TC的溫度5分鐘，進行干燥，形成膜厚25"m的涂膜，制成處于B階狀態的粘合片。另外，用同樣的操作，制成膜厚75ym的處于B階狀態的粘合片。實施例26用表1所示的組合物，用與實施例1同樣的方法，制成粘合片。實施例6的粘合片是用實施例1所得的粘合片經4(TC、24小時熱處理，降低了斷裂延伸率的粘合片。比較例15用表1所示的組合物，用與實施例1同樣的方法，制成粘合片。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>在下面的評價專項目中，對實施例16以及比較例15的粘合片進行評價，對于彈性模量，使用膜厚75的粘合片，對于其他項目，使用膜厚25的粘合片。所得結果如表2所示。粘合片的評價方法(1)斷裂強度、延伸率處于B階狀態的粘合片在25t:的溫度下的斷裂強度與斷裂延伸率，使用寬10mm、長30mm、厚25um的試樣，用拉伸試驗機(今田制作制于"-夕^荷載計SV55)以卡盤間距離20mm、0.5m/min的拉伸速度，對其應力、畸變曲線進行測定，然后用下式求出。斷裂強度(Pa)=最大強度(N)/試樣的截面積(m2)斷裂延伸率(％)=(斷裂時的試樣的卡盤間長度(mm)—20)/20X100(2)殘留的揮發成分殘留的揮發成分，是對從B階狀態的薄膜中取下的5cm見方的薄膜稱重(質量A)，在具有脫膜性的基板上放置于17(TC的干燥機中1小時后再稱重(質量B)，然后用下式求出。殘留的揮發成分(％)=(A—B)X100/A(3)彈性模量(儲藏彈性模量)用動態粘彈性模量測定裝置(^才口、'公司制造，DVE—V4)對處于B狀態的粘合片的儲藏彈性模量進行測定(試樣尺寸長20mm、寬4mm、膜厚75um，溫度范圍一30。C10(TC，升溫速度5°C/min，拉伸模式，10Hz或900Hz，自動靜荷重)。(4)粘接強度使用^》力株式會社制造的粘接試驗機，根據JISZ0237-1991所述的方法(探針直徑5.1mm，剝離速度10mm/s，接觸荷載100gf/cm2，接觸時間ls)在25"C的溫度下進行測定。(5)粘合力在12(TC的加熱板上，用粘合片將芯片(5mm見方)與鍍金基板(具有銅箔的電鍍軟基板(鎳:5um，金0.3um))層壓，經130°C、30min+170°C、122小時固化。測定該試樣吸濕前，85°C/85%RH、48小時吸濕后的26(TC溫度下的剝離強度。(6)層壓性用熱軋層壓(60°C、0.3分、0.3MPa)將寬度為10mm的粘合片與晶片粘貼，然后，使用TOYOBALWIN制造的UTM—4—100型拉力計，在25'C的氣氛中，以90°的角度、50mm/分的拉伸速度對粘合片進行剝離，測定剝離強度。剝離強度在30N/m以上時，層壓性良好，剝離強度在30N/m以下時，層壓性不良。(7)流動性將粘合片與PET薄膜沖裁成1X2cm的長方形的的試樣，用熱壓接試驗裝置(于^夕_產業(株)制)，在加熱板溫度160°C、壓力lMPa的條件下，按壓18秒后，用光學顯微鏡對試樣端部突出的樹脂的長度進行測定，將此作為流動量。(8)半切割的斷裂性將分別制作的粘合片與切割膠帶搭配好，將粘合片層壓在切割膠帶上，用熱軋層壓機(杜邦制造的Riston)在25。C的溫度下將其層壓，制成與切割膠帶一體化的粘合片。這時，切割膠帶用古河電工(株)的制品(UC3004M—80)。切割膠帶的膜厚為80um。接下來，將要進行切割加工的半導體晶片粘貼在與切割膠帶一體化的粘貼面上。這時，使用的半導體晶片是厚度為80um的半導體晶片。另外，層壓溫度為6(TC。接下來，使用切割刃對晶片進行半切割，再洗凈、干燥，對晶片進行可切割的加工，使得半導體晶片受到外力作用時，至少能得到2塊以上的芯片。然后，通過將與切割膠帶一體化的粘合片彎折，使得粘合片與半導體晶片切斷，制成具有粘合片的半導體芯片。這里，如果半導體晶片與粘合片半切割距離大于等于卯％，則同時被切斷晶片的斷裂性良好，不滿90%的為不良。(9)耐回流開裂性、耐溫度循環性將5mm見方的切斷半導體元件和粘合片，與厚度25lim的聚酰亞胺薄膜作為基體的線路板粘貼，制作成半導體裝置試樣(在一面形成焊球)，測試其耐熱性。在耐熱性的評價方法中，用耐回流開裂性與耐溫度循環性試驗。i"j、jt^Y力L力農I土口:jh1力，疋l寸lA!'千過Ai丄KiRw力LAr，》廠K、」口JitoU夂議疋刀1叉得試樣表面的最高溫度為26(TC，試樣在此溫度保持20秒鐘，再放置于室溫下進行冷卻，用目測與超音波顯微鏡觀察經過反覆2次上述處理的試樣中的開裂情況。IO個試樣均未發生開裂的為O，1個以上發生開裂的為X。耐溫度循環性的評價，是把將試樣放在一55'C的環境下30分鐘之后再放置在125'C的環境下30分鐘視為一個循環，在進行1000次循環后，用超音波顯微鏡觀察上述處理的試樣中的開裂情況。10個試樣均為發生開裂的為0，1個以上發生開裂的為X。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>實施例14的彈性模量、斷裂強度與斷裂延伸率在本發明規定的范圍內，所以其層壓性、斷裂性良好。另外，由于室溫下的粘接強度較小，因此處理性優良，此外，由于高溫下的粘接力優良，所以耐回流開裂性、耐溫度循環性也優良。實施例5雖然斷裂性良好，但是6(TC時層壓性不良，不適于低溫層壓。比較例15的彈性模量、斷裂強度與斷裂延伸率均不在本發明規定的范圍內，任何一個的斷裂性都不好。暗切割的具有粘合片的半導體芯片的制作將實施例13、實施例6、比較例1與比較例5的粘合片與下述方式l4適當組合，制造具有粘合片的半導體芯片，對其斷裂性與端部的突出情況進行評價。各方式的概要如表3所示。另外，粘合片與方式的組合形式以及斷裂性與端部的突出情況的評價結果如表4所示。工序l:用熱軋層壓機(杜邦制造的Riston)在6(TC的溫度下將粘合片層壓在要進行切割加工的半導體晶片(厚80um)的半導體晶片上。如圖2所示，用激光照射所得的粘接有粘合片的半導體晶片A，在晶片內部形成變質領域。接下來，在粘合片的另一面層壓切割膠帶(古河電工(株)制造，UC3004M—80)。將不銹鋼制的夾圈貼在切割膠帶的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割膠帶擴張。該擴張的條件為擴張速度是30mm/秒，擴張量為15mm。工序2:如圖2所示，用激光照射半導體晶片(厚80um)，在晶片內部形成變質領域。然后，用熱軋層壓機(杜邦制造的Riston)在6(TC的溫度下將粘合片層壓到半導體晶片A上。接下來，在粘合片的另一面層壓切割膠帶(古河電工(株)制造，UC3004M—80)。然后，將不銹鋼制的夾圈貼在切割膠帶的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割膠帶擴張。該擴張的條件為擴張速度是30mm/秒，擴張量為15mm。工序3:如圖2所示，用激光照射半導體晶片(厚80iim)，在晶片內部形成變質領域。然后，用熱軋層壓機(杜邦制造的Riston)在6(TC的溫度下對粘合片與切割膠帶(古河電工(株)制造，UC3004M—80)層壓形成的與切割膠帶一體化的粘合片層壓到晶片上。然后，將不銹鋼制的夾圈貼在切割膠帶的外周部。接下來，用擴張裝置將固定了夾圈的切割膠帶擴張。該擴張的條件為擴張速度是30mm/秒，擴張量為15mm。工序4:如圖2所示，用激光照射半導體晶片(厚80um)，在晶片內部形成變質領域。然后，用熱軋層壓機(杜邦制造的Riston)在60。C的溫度下將粘合片層壓到晶片上。接下來，將粘合片加熱IO分鐘，加熱溫度120°C。然后，在粘合片的另一面層壓切割膠帶(古河電工(株)制造，UC3004M-80)。將不銹鋼制的夾圈貼在切割膠帶的外周部。接下來，用層壓裝置將固定了夾圈的切割膠帶擴張。該擴張的條件與擴張速度是30mm/秒，擴張量為15mm。方式i方式2方式3方式4晶片準備粘貼粘接片激光加工，粘貼切割膠帶擴張晶片準備T激光加工粘貼粘接片粘貼切割膠帶晶片準備會激光加工粘貼與切割膠帶成-體的粘接片擴張擴張晶片準備激光加工粘貼粘接片粘接片加熱粘貼切割膠帶擴張斷裂性擴張后，用光學顯微鏡觀察半導體晶片與粘合片是否斷裂。以被切割距離大于等于98°%的斷裂為優良(◎)，大于等于90%的斷裂的為良好(0)，5090%的斷裂的為部分良好(A)，不滿50%的為不良(X)。端部的突出情況另外，將拾取出來的具有粘合片的半導體芯片，進行如圖IO所示的半導體芯片與粘合片端部的觀察。以未被切斷、從晶片端部突出的粘合片的長度8為突出長度。該長度不滿020um的為優良(◎)，20100um的為良好(0)，超過100um的為不良(X)。<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>實施例722的彈性模量、斷裂強度與斷裂延伸率在本發明規定的范圍內，所以層壓性、斷裂性良好。另外，由于室溫下的粘接強度較小，因此處理性優良；由于高溫下的粘接力優良，所以耐回流開裂性、耐溫度循環性也優良。特別是實施例10、14、18和22，由于對粘合片進行了后加熱，因此斷裂性提高。另外，降低了粘合片的斷裂廷伸率的實施例1922的斷裂性也優良。比較例的彈性模量、斷裂強度與斷裂延伸率均不在本發明規定的范圍內，任何一個的斷裂性都不好。根據本發明，可以提供一種能在IO(TC或以下的低溫下粘貼到晶片上、具有能在室溫下進行處理的柔韌度、而且能在通常的切斷條件下與晶片同時切斷的粘合片。另外，根據本發明，在半導體裝置制造中的切割過程中，由于可以同時使用半切割或暗切割等晶片切割方法和使用晶片背面粘貼方式的粘合片的方法，因此可以高效率地進行切割過程。還有，采用本發明的粘合片，即使使用厚度小于等于100ixm的極薄晶片，由于沒有必要使用切割鋸之類將晶片與粘合片同時切斷，所以可以提高切割速度。因此，根據本發明的粘合片，可以提高半導體裝置的加工速度，提高成品率。另外，通過使用本發明的粘合片，芯片與粘合片的切斷面可以在100"m以內一致，而且萬一沒有切斷，也能容易確認粘合片是否被切斷，所以不會發生拾取不良的情況，可以高效率地制造半導體裝置。此外，在制造半導體裝置的半導體元件與裝載半導體元件用的支撐部件的粘接過程中，粘接的可靠性也為優良。也就是說，本發明的粘合片具有將半導體元件裝載在支撐部件上時實際需要的耐熱性與耐濕性，而且可操作性優良。.以上為本發明的優選實施例，但本發明并不限定與此。在不脫離本發明的實質和范圍的情況下，可以進行必要的變更和修正。權利要求1.一種粘合片的切割方法，是通過擴張進行粘貼在半導體晶片上的粘合片的切割，其特征在于在室溫以下的溫度進行所述擴張。2.根據權利要求1所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片至少含有高分子量成分，處于B階狀態的所述粘合片在25'C下的斷裂強度為O.lMPa以上、10MPa以下，且斷裂延伸率為1%以上、40%以下。3.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片至少含有高分子量成分，處于B階狀態的所述粘合片在25'C下的由10Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為13000MPa，在25'C下的由900Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。4.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片至少含有高分子量成分，處于B階狀態的所述粘合片在25。C下的由10Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為13000MPa，在一2(TC下的由10Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為400020000MPa。5.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片至少含有高分子量成分，處于B階狀態的所述粘合片，在6(TC下的由10Hz動態粘彈性模量測定所得彈性模量為0.120MPa。6.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述高分子量成分的玻璃化溫度為一3(TC5(TC，重均分子量為5萬100萬。7.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片進一步含有熱硬化性成分。8.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片進一步含有填料，以所述粘合片的總重量為基準，所述填料的含量為570重量％。9.根據權利要求8所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片中的所述高分子量成分的含量占所述粘合片的總重量中除去所述填料的重量之外的重量的50重量％以下。10.根據權利要求2所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片中的殘留的揮發成分為0.013重量％。11.根據權利要求l所述的粘合片的切割方法，其特征在于所述粘合片的膜厚為1250(xm。12.根據權利要求1所述的粘合片的切割方法，其特征在于按530mm的擴張量進行所述擴張。全文摘要本發明涉及粘合片、與切割膠帶一體化粘合片以及半導體的制造方法。本發明提供粘合片的切割方法，該方法是通過擴張進行粘貼在半導體晶片上的粘合片的切割，其特征在于在室溫以下的溫度進行所述擴張。文檔編號H01L21/00GK101471240SQ20081018692公開日2009年7月1日申請日期2004年6月4日優先權日2003年6月6日發明者增野道夫,宇留野道生,稻田禎一申請人:日立化成工業株式會社