顯示器件及其制造方法

文檔序號：6902986閱讀：86來源：國知局

專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種用通過使用在電極之間插入了發光材料且通過在電極之間施加電流而發光的元件(發光元件)而形成的顯示器件，尤其涉及這種顯示器件中發光元件的密封結構。
背景技術：
近年來，已經積極的研發了使用發光元件的薄而輕的顯示器。發光元件是通過在一對電極之間插入施加電流而發光的發光材料來形成的。由于不像液晶顯示器的情況，發光元件自身發光，并且元件本身也很輕，所以不需要光源，例如背光。因此，極其有利于形成薄而輕顯示器。
盡管發光元件的發光材料包括有機的和無機的，但是通常認為使用由低電壓驅動的有機材料的發光元件是最優選的。具有使用有機材料的發光元件的顯示器的驅動電壓是從5V到IOV，可以理解的是，和使用需要100V到200V的驅動電壓的無機材料的電發光器件相比它可以用很低的電壓驅動。值得稱贊的低能耗的液晶顯示器的驅動電壓近似于從5V到15.5V，還可以理解的是具有使用無機材料的發光元件的顯示器可以用等于或者低于液晶顯示器的電壓驅動。
然而，具有這種優點還沒有實際應用的背景就是可靠性的問題。由于潮濕，使采用有機材料的發光元件經常損壞，而且具有不能保持長久可靠性的缺點。由于潮濕而損壞的發光元件導致發光減少或者不發光。可以想象的是這在使用發光元件的顯示器件中引起暗點(黑點)和收縮(從顯示器件的邊緣部分發光減少)。提出了不同的對策以抑制這種損壞(例如，參考l:日本專利特開平9一
148066，以及參考2:日本專利特開平13—203076)。
然而，當采用這些對策時，仍然沒有獲得足夠的可靠性，因此，期望在可靠性上得到進一步改善。

發明內容
本發明的目的就是提供這樣一種密封結構，該密封結構可以阻止從外部進入的破壞因素例如水或者氧氣材料并且在使用有機或者無機發光元件的顯示器中獲得足夠的可靠性。
鑒于上述目的，根據本發明通過阻止水從層間絕緣膜進入，抑制了發光元件的損壞并且得到了足夠的可靠性。在本發明中，在具有在基板之間插入發光元件而構成的像素部分的發光器件中至少基板的一側是透光的。
本發明的一種結構是包括在一對基板對之間插入發光元件的發光器件，其中的至少一個是透光的，形成發光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜
的一個或者兩個接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿過第一層間絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和第一開口中的第一層間絕緣膜第一防水保護膜；以及穿過第二層間絕緣膜的第二開口。
本發明的另一種結構是包括在一對基板之間插入發光元件的發光器件，其中的至少一個是透光的，形成發光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一個或者兩個接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿過第一層間絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和第一開口中第一層間絕緣膜的第一防水保護膜；以及穿過第二層間絕緣膜的第二開口；和覆蓋第二開口的和第二開口中第二層間絕緣膜第二防水保護膜，并且該第二防水保護膜在第二開口的底面上和第一防水保護膜接觸。
本發明的另一種結構是包括在一對基板之間插入發光元件的發光器件，其中的至少一個是透光的，形成發光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一個或者兩個接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿過第一層間絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和第一開口中第一層間絕緣膜的第一防水保護膜；以及穿過第二層間絕緣膜的第二開口；和覆蓋第二開口和第二開口中第二層間絕緣膜的第二防水保護膜，并且該第二防水保護膜在第二開口的底面上和第一防水保護膜接觸，并且在具有第一開口和第二開口的區域或者在該區域的外側用防水結構將該基板對彼此固定在一起。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中第二防水保護膜由與發光元件的正極和負極相同的材料構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中發光元件裝配有連接到薄膜晶體管上的像素部分。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中第一防水保護膜是由和薄膜晶體管的源極和漏極相同的材料構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在第一開口的較低部分中形成半導體薄膜。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在第一開口的較低部分中形成金屬膜。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在第一開口的較低部分中形成半導體膜，以及半導體膜是由和薄膜晶體管的活性層相同的材料構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在第一開口的較低部分中形成金屬膜，以及金屬膜是由和薄膜晶體管的柵極相同的材料構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中至少第一開口的底面的部分和第二開口的底面的部分是形成在基板表面的相同部分。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中第一開口的底面的部分和第二開口的底面的部分是形成在基板表面的不同部分。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中形成多個第一開口和第二開口。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一層由有機材料構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一層由無機材料構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一層由硅氧烷膜構成。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中有機材料是丙烯酸或者聚酰亞胺。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中第一防水保護膜或者第二防水保護膜是氮化硅膜。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中第一防水保護膜和第二防水保護膜是氮化硅膜。
本發明的另一種結構是，發光器件包括插入一對基板之間的發光元件，至少其中是一個透光的，其中形成發光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內部沒
有到達基板邊緣部分的層間絕緣膜的側邊緣部分被加工成錐型。
本發明的另一種結構是，發光器件包括插入一對基板之間的發光元件，至
少其中是一個透光的，其中形成發光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內部沒
有到達基板邊緣部分的層間絕緣膜的側邊緣部分被加工成錐型，以及形成在層
間絕緣膜側邊緣部分的防水保護膜。
本發明的另一種結構是，發光器件包括插入一對基板之間的發光元件，其
中至少一個透光的，其中形成發光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內部沒有
到達基板邊緣部分的層間絕緣膜的側邊緣部分被加工成錐型，以及形成在層間絕緣膜側邊緣部分的防水保護膜，并且在層間絕緣膜的側邊緣部分區域或者在該區域的外側區域用防水結構將該基板對彼此固定在一起。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中發光元件裝配有連接到薄膜晶體管上的像素部分。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在從層間絕緣膜的較低部分到基板的邊緣部分形成金屬膜。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜，并且該半導體膜是由和薄膜晶體管的活性層相同的材料構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中在從層間絕緣膜的較
10低部分到基板的邊緣部分形成金屬膜。以及金屬膜是由和薄膜晶體管的柵極相同的材料構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中層間絕緣膜是由有機材料構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中層間絕緣膜是由無機材料構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中層間絕緣膜是由硅氧烷構成的。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中有機材料是丙烯酸或者聚酰亞胺。
根據上述結構本發明的另一種結構是發光器件，其中防水保護膜是氮化硅膜。
本發明的另一種結構是，發光器件包括在一對基板之間插入發光元件構成的像素部分，至少其中一個是透光的；接收外部信號的外部連接部分；和連接像素部分和外部連接部分的多條配線，其中在像素部分和外部連接部分之間用防水結構將基板對彼此固定在一起，形成發光元件以和層間絕緣膜接觸，層間絕緣膜的一部分位于多條配線中的相鄰配線線之間，以及在用防水結構將基板彼此固定在一起的部分的較低部分或者在其內部，該線密密地設置有多個彎曲。
根據上述結構，可以抑制場致發光器件中發光元件的損壞。而且，可靠性也得到了徹底地提高。
通過和附圖一起閱讀下述具體描述時，本發明的這些和其它目的、特征和優點將更顯而易見。

圖1A到1C示出實施方式1。圖2A到2B示出傳統結構。圖3是場致發光器件的頂視圖。圖4A和4B示出實施方式1的變形。圖5A到5B示出實施方式2。
圖6A到6C示出實施方式3。
圖7A和7B示出實施方式3。
圖8A到8C示出傳統結構。
圖9A到9B示出實施方式4。
圖10A到10F示出實施方式4。
圖IIA和11B示出實施方式5。
圖12A到12C示出實施方式6。
圖13A到13D示出實施方式6。
圖14A和14B示出實施例1。
圖15A和15B示出實施例1。
圖16A和16B示出實施例1。
圖17示出實施例2。
圖18A和18I示出實施例2。
圖19A和19B示出實施例3。
圖20示出實施例4。
圖21A和21J示出實施例5。
圖22A和22D是示出實施例5的SEM圖和圖案。
圖23A到23E示出電子器件的例子。
具體實施例方式
下面描述實現本發明的方式。注意，圖中相同的數字指代相同的部分或者類似的部分。而且省略相同部分的描述。 (實施方式l)
在場致發光器件中，經常使用絕緣膜比如氧化硅膜、氮化硅膜、丙烯酸膜、聚酰亞胺膜或者硅氧垸膜的作為層間絕緣膜。特別地，丙烯酸膜或者硅氧烷膜是優選材料，是因為它可以通過涂覆形成并且它具有很高的planarity。然而，在其它方面，它有相當高的滲透性。
圖2A和2B是沿圖3中線b-b'的橫截面圖。在圖2A和2B所示的傳統結構的情況下，層間絕緣膜l的端表面2總是暴露到外部大氣中。因此，存在一種情況是，即使當其上面的部件被防水密封劑3覆蓋使得發光元件4沒有暴露于外部空氣中時，但是水通過層間絕緣膜進入并且導致發光元件損壞。
因此，參考圖1A到1C描述本發明一種用于解決該問題的結構。圖1A 到1C示出通過用防水膜(以后，稱作保護膜)覆蓋形成在層間絕緣膜外圍上的凹槽內部，減少水通過層間絕緣膜進入的例子。例如，圖1A到1C對應于沿圖3中線d-d'的橫截面圖。注意，在圖1A和1B中省略了由防水材料制成的密封劑和相對的基板。示出了場致發光器件的外圍的狀態。附圖標記100表示基板；101，基礎絕緣膜；102，第一層間絕緣膜；103，第一保護膜；104，第二層間絕緣膜；以及105，第二保護膜。
在這種結構中，假定第一層間絕緣膜102和第二層間絕緣膜104具有相當高的可滲透性。在這些高滲透性的膜中，在厚度方向上形成穿透每個膜的凹槽形開口 106。形成保護膜103和105以至少覆蓋凹槽的內部(以連續地覆蓋露出的層間絕緣膜的端表面和較低部分的膜)。而且，保護膜103和105在開口 106彼此接觸。
當使用這種結構時，通過形成在凹槽形開口 106的端表面上的防水保護膜 103和105阻止了從層間絕緣膜102和104進入的水的進一步進入。由于形成的凹槽形開口 106在厚度方向上穿透，所以不提供保護膜就能阻斷水的進入路徑。因此，單獨提供凹槽形開口變成了由于水而使發光元件損壞的對策，依賴于所需的可靠度。
當全繞滲透性膜的外圍連續地形成凹槽形開口 106時，凹槽形開口 106 是最有效的。然而，當這不可能實現時，可以期望通過僅在一側或者部分地形成開口而達到某種程度的效果，因為至少可以減少水從部分進入。
在圖1A到1C中，雖然從層間絕緣膜的外圍到裝配有發光元件的區域反復地提供有凹槽形開口 106，但是也可以僅僅提供一個凹槽形開口 106。然而，通過反復地采用這種方法，可靠性得到進一步提高。
當保護膜103和105由配線材料構成時，它們可以用作能設置在外部邊界的引出配線。而且，圖1A和圖1B之間的區別就是在每個開口中保護膜103 和105是獨立的或不是獨立的區別。當如圖1B所示在每個開口應用這種獨立
13結構時，在每個開口中保護膜可以被用作獨立配線。
通過這種凹槽形開口和保護膜抑制水進入的其它結構也是可以想到的，在
圖4A和4B中給出它們的一些例子。圖4A和4B中示出的橫截面圖也對應于圖3中線d-d'等。而且，省略了防水材料制成的密封劑和相對的基板。
圖1A到1C示出在第一層間絕緣膜102中形成的第一開口和在第二層間絕緣膜中形成的第二開口的位置相同的例子；然而，圖4A和4B示出在第一層間絕緣膜102中形成的第一開口和在第二層間絕緣膜中形成的第二開口的位置不同的例子。甚至這種結構也能獲得和圖1A到1C所示的結構相似的效果，以及由于第二開口比圖IA到1C的第二開口更淺，所以可以在短時間形成。另外，由于水平差異變小，因此不需要關注步驟間的斷開。在圖4A和圖4B 中，形成開口的位置是不同的。
另外，用防水材料構成的密封劑107將裝配有發光元件的基板100固定到相對基板108，從外面密封發光元件。當密封劑形成在凹槽的開口 106的上部時，密封劑更有效地抑制水進入。
在這個實施方式中，描述了兩層層間絕緣膜的情況；然而，本發明也能應用于一層的情況。 (實施方式2)
在這個實施方式中，參考圖5A和5B描述通過將基板的外圍上的滲透性膜從基板外圍移到一定距離以阻止水進入的結構的例子。這里，假定滲透性膜是層間絕緣膜。然而，對象不限于層間絕緣膜，并且本發明可以被用作滲透性膜的對策。橫截面圖對應于圖3中線e-e'。
附圖標記120表示圖5A中基板的端表面上去除了層間絕緣層102和104 的部分。在實施方式1中，層間絕緣膜102和104的端表面暴露于外部空氣中。然后，在這個實施方式中，去除基板端表面上層間絕緣膜102和104的適當距離，它們的端表面用保護膜103和105涂覆。因此，可以防止滲透性膜的端表面暴露于外部空氣中；由此，可以阻斷水自己進入。
當防水材料制成的密封劑107形成在覆蓋有保護膜的層間絕緣膜端表面的外邊或者形成為在固定的相對基板108中覆蓋層間絕緣膜的整個端表面時，可以進一步阻止水進入。因此，可以期望可靠性得到提高。另外，在這個實施例中的其它結構也是可以想象的，它們中的一個例子示
于圖5B中。圖5B和圖5A之間的區別是在基板端表面上層間絕緣膜102和
104的去除的位置。圖5A示出第二層間絕緣膜104的端表面位于比第一層間
絕緣膜102的端表面離基板的外邊更遠的結構。
注意，在這個實施方式中使用了兩層層間絕緣膜；然而，本發明可以應用于具有一層層間絕緣膜的場致發光器件。
此外，當和實施方式1組合時這個實施例更有效。 (實施方式3)
參考圖6A到6C可以顯而易見，在制造本發明的密封結構的情況中，在基板端表面上可以在形成開口 106和去除層間絕緣膜部分120同時，在層間絕緣膜102和104中形成接觸孔的開口，這是有效的。
然而，在使用硅半導體層作為蝕刻制動器蝕刻層間絕緣膜和柵絕緣膜的條件下蝕刻接觸孔。在開口 106和蝕刻制動器不存在位置上的層間絕緣膜中去除部分120，可以產生蝕刻殘渣或者可以削尖基礎絕緣膜101，由此，在蝕刻第一層間絕緣膜102中產生不平坦。
圖7A是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基礎膜之上作為層間絕緣膜，氮化硅膜形成在其上，在接觸孔的開口狀態下去除層間絕緣膜，然后進行配線。由"C"和"c"表示的區域是層間絕緣膜被去除的區域，區域"a"、 "b"和"c" 裝配有配線。區域"A"是沒有被蝕刻的最初表面，"B"是層間絕緣膜的端表面，以及"C"是基礎絕緣膜的表面。
明顯可見的是，在接觸孔開口的狀態下，層間絕緣膜中形成的接觸孔到達基底絕緣膜時，產生了區域"C"中所示的小的不平坦。然后，通過在那之上形成配線產生區域"c"中所示的大的不平坦。由形成在區域"a"之上的配線的不平坦明顯可見的是，在形成開口之后由基礎絕緣膜上的不平坦引起的這種不平坦。配線可以用作保護膜，以及這可以導致在保護膜紙上產生不平坦。而且，配線本身的覆蓋變的糟糕。
當產生這種大的不平坦時，形成在其上由防水材料構成的密封劑的粘接性受到極大地影響。這是因為當密封劑的粘接性差時，甚至當密封劑本身的滲透性差時，水從粘接性差的部分進入。如圖7A，圖7B是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基礎絕緣膜之上作為層間絕緣膜，在接觸孔打開的條件下去除層間絕緣膜，然后進行配線。圖 7A中區域"C"對應于圖7B的區域"D"，區域"D"是在基底上按順序形成基礎絕緣膜和層間絕緣膜之后，在接觸孔打開的條件下去除層間絕緣膜的表面。圖7A 中區域"c"對應于圖7B中的區域"E"，區域"E"是在圖7B中區域"D"上形成配線的表面。
另一方面，圖7B中的區域"F"是在接觸孔打開的條件下去除層間絕緣膜的部分的表面類似于圖7B中在基板上按順序形成基礎絕緣膜、硅膜、和層間絕緣膜之后圖7B中的區域"D"，也就是，在基礎絕緣膜上形成作為蝕刻制動器硅膜并且在其上形成層間絕緣膜。簡要地，它具有圖7B中配置有硅膜的蝕刻制動器的區域"D"的結構。由于在"E"中形成配線時通過蝕刻去除區域"F"中的硅膜，所以可以看到與圖7B中區域"D"相類似的硅膜。和層間絕緣膜下面沒有形成硅膜的"D"相比，區域"F"具有很平的表面。
這是因為硅膜充當蝕刻制動器膜，并且抑制在蝕刻層間絕緣膜中產生層間絕緣膜的殘渣和由基礎絕緣膜的圓槽導致產生不平坦。
基于這點，在這種實施方式中，在設置圖1A到1C中的開口 106和在圖 5A和5B (圖6A)中去除了部分120的層間絕緣膜的位置上預先形成蝕刻制動器膜130和131。圖6A到6C中示出的橫截面圖對應于沿圖3線f-f'的橫截面圖。
在這種實施方式中，描述了通過使用形成薄膜晶體管(TFT)的半導體膜 132的硅膜形成這種蝕刻制動器膜130和131的例子。其中薄膜晶體管(TFT) 是在驅動電路部分或像素部分形成的。然而，可以使用任何膜作為蝕刻制動膜 130和131只要它能起到開口 106和在去除層間絕緣膜時去除了部分120的層間絕緣膜的蝕刻制動器的作用。在這種實施方式中，它可以由和半導體層132 相同的材料構成，和半導體層132同時形成；它可以由和柵極133相同的材料構成，和柵極同時形成；或者它可以單獨的由其它材料構成。當它和半導體層 132或者柵絕緣膜同時形成時，由于沒有增加工藝過程，所以這是有利的。
開口 106和去除了部分120的層間絕緣膜與用于配線的接觸孔開口同時形成。在這種情況，蝕刻制動器膜130和131 (硅膜)形成在本發明的發光器件中開口 106和去除了部分120的層間絕緣膜的較低部分。因此，沒有產生由于層間絕緣膜的蝕刻殘渣或者圓槽引起的不平坦。如果形成了后面將形成的配線
134以覆蓋開口 106的內部和被去除了部分120的層間絕緣膜中層間絕緣膜的端表面，它也起到保護膜103的作用。當用蝕刻制動器膜130和131去除層間絕緣膜時，在較低膜上沒有產生蝕刻殘渣或者圓槽。因此，可以阻止保護膜103 粘性的降低，可以抑制在保護膜上產生不平坦。
在這個實施方式中，保護膜103是由和用于配線134相同的金屬膜材料構成，并且可以用形成配線的步驟同時形成。然而，它可以以不同的步驟由其它材料構成。
而且，保護膜103還可以被后面將形成的像素部分的開關TFT上用于發光元件正極的材料涂覆。可以期望的是可以進一步抑制水進入(圖6B)。
在形成發光元件之后，用由防水材料構成的密封劑107固定相對基板108。通過將密封劑施加到凹槽形開口 106上和/或基板外圍上的去除了部分120的層間絕緣膜上，可以阻斷水的進入路徑。因此，密封劑對于抑制發光元件損壞是高效的。發光元件是通過將發光層137插在正極135和負極138之間形成的，并且發光元件通過隔離物136與每個元件隔開(圖6C)。
當應用這個實施方式時，抑制了凹槽形開口 106和基板外圍上的去除了部分120的層間絕緣膜上的保護膜103產生不平坦。因此，可以阻止密封劑的粘性降低，并且可以抑制水從具有很差粘性的部分進入，這提高了可靠性。
這種實施方式可以和實施方式1或2自由組合。當組合時，進一步阻止了水從外部進入；因此，場致發光器件的可靠性得到進一步提高。 (實施方式4)
在這種實施方式中，描述了一種結構，該結構可以抑制在很難去除整個層間絕緣膜的結構中通過層間絕緣膜進入的水的影響。
如實施方式2和3中所描述的，去除基板外圍上的層間絕緣膜以及通過用保護膜103 (和105)和密封劑107涂覆層間絕緣膜的端表面而盡可能的不將層間絕緣膜的端表面露出到外部空氣中是一種十分有效的阻止水進入的方法。然而，可能有一種情況是，由于取決于結構，所以去除整個層間絕緣膜是困難的。
17例如，考慮連接到外部端子和內部電路的配線部分(圖3中的區域"C")。
當使用其中去除了基板外圍上的層間絕緣膜的結構(形成去除了部分120的層
間絕緣膜的結構實施方式2和3)時，通過去除基板外圍上的層間絕緣膜、形成金屬膜作為配線以及蝕刻金屬膜以具有配線所需的形狀來形成配線。
然而，存在第12步，即層間絕緣膜的端表面形成在從去除了層間絕緣膜 15的部分IO和保留了層間絕緣膜的部分11之間。有一種情況是，形成在這個位置的金屬膜沒有被充分蝕刻掉并殘留。這種蝕刻殘渣13使得鄰近的線14短路并引起故障。
如圖9所示對留在線14之間的層間絕緣膜16進行測量以減少露在外面空氣中的層間絕緣膜同時防止短路。因此，通過阻止將大多數層間絕緣膜露到外面空氣中，可以阻止由于上述的短路引起的故障。然而，不能去除留在配線之間的層間絕緣膜并總是暴露到外部空氣中；因此不能阻止水從部分進入。當從長期可靠性的觀點考慮時，水從殘留在配線之間的層間絕緣膜進入可以有反作用。
膜中水的擴散現象使得水通過層間絕緣膜進入。至于擴散現象，假定到達某位置的時間和距離的平方成比例，這可以通過擴散公式得到。也就是，當只有留在配線之間的層間絕緣膜是水的進入通道時，通過在留在電極之間的絕緣膜中擴散迸入的水到達場致發光器件內部的時間，可以通過使距離盡可能長的而得到有效地增長。
通常地，如圖10A所示，除了在布置方面必須是彎曲的地方，例如拐角之外，連接外端子和內電路的配線部分是直線。配線14密密地設置有圖10B 所示的多個彎曲部。
然后可以增長存在于配線之間的層間絕緣膜16的基本長度，并且水在層間絕緣膜中到達場致發光器件內部之前的擴散距離變得更長。因此，可以在很大程度上獲得開始破壞的時間，以及可以確保比以前更長時間的可靠性。
圖IOC到IOF示出實現這種實施方式的其它可想象得出的結構的例子。當配線中間的層間絕緣膜的長度變得更長時甚至比圖10A中傳統結構短時，和以前相比可以進一步推遲水進入。根據需要可以形成想要的圖案。
當應用這種實施方式時，當從發光器件的上面看時，配線之間的層間絕緣
18膜的面積變大。因此，在不暴露到外部空氣的這個位置中設置配線的彎曲部是不可能的，也就是，由防水材料構成的密封劑的內部或者在密封劑得較低部分。可以通過和實施方式1到3適當地組合來應用這種實施方式。根據它的位置，通過分別應用實施方式有效地阻止水進入是可能的，例如將這種實施方式應用到場致發光器件的連接外部端子和內部電路的配線部分(圖3等中的區域 "C")，實施方式1和2應用到其它外圍部分。而且，在這種實施方式中，只有在形成配線部分12中去除層間絕緣膜的步驟。當在那個時候應用實施方式中的結構時，可以抑制在配線上產生不平坦。因此，提高了由防水材料構成的密封劑的粘性，以及減少水從密封劑和配線之間的界面進入。
(實施方式5)
在這種實施方式中，參考圖IIA和IIB描述了可以去除層間絕緣膜并且阻止水通過層間絕緣膜進入的方式，該層間絕緣膜是在基板外圍上也在連接到外部端子和內部電路的配線部分中(圖3C中區域"c"等)。
如圖8所示，僅在步驟12中因為層間絕緣膜15的端表面不能被蝕刻，所以在那產生了蝕刻殘渣。由于層間絕緣膜的端表面是陡斜的，所以配線材料并不能被用于形成配像的各相異性干燥蝕刻法蝕刻并且可以留在這個部分上。在這個配線部分中，根據配線的邊緣，使用濕蝕刻代表的各相同性蝕刻是困難的。
因此，在這種實施方式中，層間絕緣膜18的端表面17被加工成緩錐形。因此，即使在層間絕緣膜的端表面17上配線也一定可以被蝕刻，并且可以阻止產生蝕刻殘渣；因此去除配線14之間的層間絕緣膜變得沒有必要了 (圖11A 和IIB)。
因此，在連接到外部電路和內部電路的配線部分中(圖3C中區域"c"等) 可以徹底地去除基板外圍上的層間絕緣膜。而且，通過覆蓋比層間絕緣膜和防水密封劑共存的更向外的整個外圍位置可以完全阻斷穿過層間絕緣膜的水通路。
注意，層間絕緣膜的錐形端表面可以用惰性氣體例如氬氣處理。這樣增加了配線的表面密度，和沒有處理的情況比較，還具有使雜質如水更難以進入的效果。而且，優選的是，還形成氮化膜例如氮化硅膜以覆蓋層間絕緣膜的錐形端表面，因為可以類似地抑制水從端表面進入。這種實施方式可以適當地和實施方式1和2結合使用。根據它的位置和必要性，可以通過單獨應用實施方式有效阻止水進入，例如，將這種實施方式應用到連接到場致發光器件的外部端子和內部電路，并且實施方式1和2應用到另一外圍部分。
(實施方式6)
在這種實施方式中描述了實施方式5和實施方式3組合的例子。
在這種實施方式5和實施方式3組合的實施方式中，蝕刻制動器膜20形成在為了抑制在蝕刻間絕緣膜時引起不平坦的產生而去除了層間絕緣膜的部分10中。在這種情況下，為了將層間絕緣膜的端表面形成為錐形，根據邊緣 21在保留層間絕緣膜15的低端部分形成用作蝕刻制動器作用的膜(圖12A)。
蝕刻制動器膜20形成在去除了部分10的層間絕緣膜的整個表面上，并在其上形成配線14。因此，當蝕刻制動器膜20導電時，形成在去除了一部分的層間絕緣膜上的所有配線短路。然而，在蝕刻中蝕刻沒形成配線的位置22中的蝕刻制動器膜，并且連同不需要的金屬膜一起將其去除，或者在通過配線蝕刻不能將其蝕刻的情況下再次進行適當的蝕刻以去除。因此，沒必要擔心該部分中配線之間的短路。然而，位于上述保留下來的層間絕緣膜的較低部分中蝕刻制動器膜23 (在錐形邊緣21部分中的蝕刻制動器膜20)并沒有去除而保留了下來，由于它覆蓋有層間絕緣膜。當該膜導電時，帶來了配線通過該部分短路的問題(參見圖12B)。
當蝕刻制動器由絕緣膜構成時，不會產生這種問題。然而，在沒有增加步驟而形成蝕刻制動器時，尤其會產生這種問題，因為可以想象得到的膜是用于半導體層的硅膜或者用于柵極的金屬膜，并且兩者都有導電性。
在這種實施方式中，形成在層間絕緣膜下面的所有蝕刻制動器膜中，從頭開始蝕刻制動器膜并沒有形成在配線之間(圖13A到13D)。形成在層間絕緣膜下面的所有蝕刻制動器膜中，蝕刻制動器膜形成為與位于配線較低部分中的蝕刻制動器膜隔開(圖18F到181)。
當應用這種結構時，在連接到外部端子和內部電路的配線部分中也能抑制去除層間絕緣膜時產生不平坦，并且也能抑制配線的不平坦。因此，也能阻止由于較低膜的不平坦所引起的密封劑粘性的降低，并且可以徹底降低水從粘性差的密封劑部分的進入。因此，場致發光器件的可靠性得到了極大地提高。 [實施例1]
在這個實施例中，參考圖14A和14B、 15A禾ni5B、 16A禾B 16B描述實
施方式1和實施方式2的具體實施例。
第一層層間絕緣膜225形成在設置有基礎絕緣膜201、驅動電路晶體管(僅僅是圖中所示的n溝道薄膜晶體管203和p溝道薄膜晶體管204)和像素部分 (僅僅是圖中所示的開關晶體管205和電流控制晶體管206)中的薄膜晶體管的基板200上。
絕緣基板例如玻璃基板、石英基板或者水晶玻璃、陶瓷基板、不銹鋼基板、金屬基板(鉭、鎢、鉬等)、半導體基板、塑料基板(聚酰亞胺、丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸脂、多芳基化合物、聚醚砜(polyethersulfone) 等等)等等都可以用作基板200，至少能抵抗加工的過程中產生的熱的材料。在這個實施例中，使用玻璃基板。
二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等等可以用作基礎絕緣膜201。通過常規的方法例如濺射、低壓CVD、等離子體CVD等等形成這些膜。在這個實施例中，氮氧化硅膜形成的厚度為100nm。
因此，形成了非晶體半導體膜。非晶體半導體膜可以由硅或者含硅材料作為它的主要構成成分(例如SixGel-x等等)并具有所需的厚度。作為制造方法，可以使用常規的例如濺射、低壓CVD、等離子體CVD。在這個實施例中，非晶體半導體膜由非晶硅形成為50nm的厚度。
下面，將非晶硅結晶。在這個實施例中描述通過熱處理在添加促使結晶化
的元素后進行激光結晶和結晶的步驟。
在半導體膜的表面上用旋轉器涂敷重量濃度為5ppm到10ppm含鎳硝酸
鎳，形成鎳溶液的薄膜。可以通過濺射代替涂敷將鎳元素濺射在半導體膜的整個表面上。作為催化元素，可以使用元素例如鐵(Fe)、鈀(Pd)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈷(Co)、鉬(Pt)、銅(Cu)、和金(Au)中的一種或多種以及鎳 (Ni)。
隨后，通過熱處理使非晶半導體膜結晶化。由于使用了催化元素，所以該熱處理過程可以在50(TC到60(TC的溫度下進行大約4到24小時。按照這種結晶化工藝，半導體膜變成了結晶半導體膜。
然后，通過激光進行結晶化以改善結晶度。對于激光結晶過程，可以使用脈沖振蕩或者連續振蕩氣體、固體或者金屬激光振蕩器件。通過使用光學系統從激光振蕩器件中振蕩出的激光可以以線形放射出。
如這個實施例中通過使用催化結晶化的金屬而結晶的半導體膜包含用于膜中結晶的金屬元素。因為這種殘渣可以帶來多個不利，所以需要使用吸起法降低其濃度。
首先，用臭氧水對結晶的半導體膜進行處理，然后形成具有從lnm到5nm 厚度的屏蔽膜，在其上通過濺射形成吸氣的位置。通過蒸發包含氬元素的50nm 厚的無機硅膜形成吸氣的位置。然后，通過使用燈退火器件在75(TC退火3分鐘進行吸氣以去除吸氣位置。
在吸氣后，結晶化半導體膜被蝕刻成所需形狀的半導體層207到210。然后，形成柵極絕緣膜211。通過低壓CVD、等離子體CVD、濺射等等可以形成近似115nm厚的含硅絕緣膜。在這個實施例中形成氧化硅膜。
在柵絕緣膜211上形成30nm厚的氮化鉭(TaN)膜作為第一導電層，以及形成370nm厚的鎢(W)膜作為第二導電膜。注意，在這個實施例中，第一導電層是30nm厚的TaN，第二導電層是370nm厚的W膜，然而，本發明不限于此。第一和第二導電層可以由選自于Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al、 Cu、 Cr和 Nd或者合金或者具有上述元素作為主成分構成的化合材料。而且，可以使用摻有雜質元素例如磷的多晶硅代表的半導體膜。可以形成20nm到100nm厚的第一導體層，和形成100nm到400nm厚的第二導體層。在這個實施例中，使用兩層的疊層結構，可以使用單層結構，或者還可以層疊三層或更多層。
為了通過蝕刻導體層形成電極和配線，用光刻法通過曝光形成掩模的抗蝕劑。在第一和第二蝕刻條件下進行蝕刻處理。用抗蝕劑構成的掩模進行蝕刻以形成柵極和配線。蝕刻條件可以由各個情況來決定。
在這種方法中，使用ICP (感應耦合等離子體)蝕刻。作為第一蝕刻條件，將氣流比為25/25/10 (sccm)和壓力為l.OPa的CF4、 Cl2、 02用作蝕刻氣體， 500W的RF (13.56MKz)電源施加在線圈電極上產生用于蝕刻的等離子體。 150W的RF (13.56MHz)電源施加在基板側(樣品階段)提供足夠的負自偏
22壓。在第一蝕刻條件下蝕刻W膜使第一導電層的邊緣部分成錐形。在第一蝕
刻條件下蝕刻W膜的速率是200.39 nm/min， TaN膜上蝕刻的速率是 80.32nm/min， W相對于TaN的選擇比率接近2.5。而且，在第一蝕刻條件下 W膜的錐角大約26。。
接下來，在第二蝕刻條件下進行蝕刻。用抗蝕劑剩下的作為掩模進行蝕刻 15秒，通過使用氣流比為30/30 (sccm)和壓力為l.OPa的CF4和Cl2作蝕刻氣體，以及500W的RF (13.56MHz)電源施加在線圈電極上產生用于蝕刻的等離子體。20W的RF (13.56MHz)電源施加在基板側(樣品階段)提供足夠的負自偏壓。在混合了CF4和Cb的第二蝕刻條件下，W膜和TaN膜都被蝕刻了同樣的程度。由于施加到基板的負偏壓使得在第一蝕刻中第一和第二導電層的邊緣部分變成了錐形。
在沒有去除作為掩模的抗蝕劑時進行第二蝕刻。使用氣流比為24/12/24 (sccm)和壓力為1.3Pa的SF6、 Cl2禾B 02作蝕刻氣體，以及700W的RF (13.56MHz)電源施加在線圈電極上產生用于蝕刻25秒的等離子體。10W的 RF (13.56MHz)電源施加在基板側(樣品階段)提供足夠的負自偏壓。在這個蝕刻條件下，對W膜有選擇性地蝕刻以形成在第二形狀的導電層。此時第一導電層很難被蝕刻掉。通過第一和第二蝕刻形成了包括有第一導電層212a 到215a和第二導電層212b到215b的柵極。
在沒有去除作為掩模的抗蝕劑時進行第一摻雜。因此，將低濃度N型雜質摻雜到晶體半導體層中。可以通過離子摻雜或者離子注入進行第一摻雜。用從lxl013atoms/cm^l」5xl014 atoms/cm2的分量和從40kV到80kV的催化電壓進行離子摻雜。N型雜質可以是由磷(p)或者砷(As)代表的屬于元素周期表15族的元素。在這個實施例中使用磷(P)。第一導電層被用作掩模以自校準的方式形成雜質區域(N—區域)，低濃度的雜質被摻雜。
其后，去除作為掩模的抗蝕劑。然后，重新形成抗蝕劑構成的掩模并在比第一摻雜更高的加速電壓下進行第二摻雜。同樣在第二摻雜將N型雜質摻雜。用從lxl0"atoms/cm2到3"015 atoms/cm2的分量和從60kV到120kV的加速電壓進行離子摻雜。在這個實施例中，用從3.0xl015atoms/cm2的分量和65kV的加速電壓進行離子摻雜。進行第二摻雜，使得通過使用第二導電劑層作為掩模對抗雜質元素，將雜質元素摻雜到第一導電層下的半導體層中。
通過第二摻雜，第二摻雜區域(N—區域，LOV區域)形成在沒有和第二導體層重疊的部分或者在第一導電層與結晶半導體重疊的部分中沒有被掩模覆
蓋的部分。濃度范圍在lxlO toms/cmS到5><1019 atoms/cm3的N型雜質摻雜到第二雜質區域中。而且，用lxl0"atoms/cm3到5xl0"atoms/cm3的高濃度N型雜質對露出的部分(第三雜質區域N+區域)摻雜，該露出部分既沒有被第一形狀的導體層也沒有被掩模覆蓋。半導體層只有一部分被掩模覆蓋的N+區域。這部分的N型雜質濃度沒有從第一摻雜的雜質濃度改變。因此，事實上這部分被稱作第一摻雜區域(N—區域)。
注意，在這個實施例中，通過兩種摻雜處理形成每個摻雜區域；然而，本發明不唯一地局限于此。根據每種情況決定通過一種或多種摻雜形成具有所需
雜質濃度的雜質區域。
其后，去除作為掩模的抗蝕劑，重新在第三摻雜中形成由抗蝕劑構成的掩模。通過第三摻雜，形成第四摻雜區域(P+區域)和第五摻雜區域(P—區域)，其中該區域中有與第一和第二的導電率相反的雜質元素被添加到作為P溝TFT
的半導體層。
第四摻雜區域(P+區域)形成在沒有被作為掩模的抗蝕劑覆蓋和沒有與第一導電層重疊的部分，第五摻雜區域(P—區域)形成在沒有被作為掩模的抗蝕劑覆蓋、沒有與第一導電層重疊和沒有與第二導電層重疊的部分。P型雜質元素可以是硼(B)、鋁(Al)、或者鎵(Ga)，其中的每個都屬于元素周期表中的13族。
在這個實施例中，通過使用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜，用硼作為P型雜質元素以形成第四和第五摻雜區域。用lxlO"atoms/cn^的分量和80kV的加速電壓進行離子摻雜。
注意，在第三摻雜中用于形成P溝道TFT的半導體層207和209由抗蝕劑構成的掩模覆蓋。
通過第一和第二摻雜，第四摻雜區域(P+區域)和第五摻雜區域(P—區域) 由不同濃度的磷摻雜。然而，在第四摻雜區域(P+區域)和第五摻雜區域(P一區域)兩個區域中進行第三摻雜，使得P型雜質元素的濃度為lxl019atomS/Cm2到5xl021 atoms/cm2。因此，第四摻雜區域(P+區域)和第五摻雜區域(P—區域)用作P溝道TFT的源區和漏區而沒有問題。
可以注意到第四摻雜區域(P+區域)和第五慘雜區域(P—區域)是通過一次第三摻雜形成的；然而，本發明不僅僅局限于此。第四摻雜區域(P+區域) 和第五掾雜區域(P—區域)可以根據各自條件通過多次摻雜處理而形成。
通過上述的摻雜處理，形成了第一摻雜區域(N—區域)216、第二摻雜區域(N—區域，Lov區域)217、第三摻雜區域(N+區域)218和219、第四摻雜區域(P+區域)220和221、和第五摻雜區域(P—區域)222和223。
其后，在柵極和柵絕緣膜上形成第一鈍化膜224。氮化硅膜、氧氮化硅膜、或包含氫的氮氧化硅膜形成為第一鈍化膜。
其后，形成第一層間絕緣膜225。在將硅氧烷聚合物整個用作第一層間絕緣膜之后，通過在5(TC到20(TC的溫度下10分鐘的熱處理以及在30(rC到45(rC 的溫度下進行1個小時到12個小時的烘干處理干燥第一層間絕緣膜。通過烘干在整個表面形成厚lnm的硅氧烷膜,其中骨架結構由硅(Si)和氧(0)組成。這個步驟可以通過包含在第一鈍化膜224中的氫使半導體層氫化，也可以烘干硅氧烷聚合物；從而，可以減少步驟的數量，可以簡化過程。
由已知方法比如CVD方法形成的無機絕緣膜、有機材料樹脂、低-K材料等可以用作第一層間絕緣膜。
其后，可以由CVD方法形成的氮化硅氧化物膜或氮氧化硅膜覆蓋在第一層間絕緣膜225上。當蝕刻隨后來形成的導電膜時，這層膜可以起到蝕刻制動器的功能并且可以防止層間絕緣膜過度蝕刻。此外，可以通過濺射在其上形成氮化硅膜。氮化硅膜具有抑制堿性金屬離子運動的功能；因此，，可以防止隨后形成像素電極中的金屬離子例如鋰元素或者鈉元素移動到半導體薄膜。
其后，對第一層間絕緣膜構圖和蝕刻，以形成延伸到薄膜晶體管203到 206的接觸孔226、凹槽形開口 227和在基板外圍去除了部分228的層間絕緣膜。
通過使用CF4、 02和He的混合氣體蝕刻硅氧烷，然后使用CHF3氣體蝕刻并去掉作為柵絕緣膜的氧化硅膜，可以形成接觸孔226、開口 227和去除了部分228的層間絕緣膜。其后，在接觸孔226里層疊金屬膜并且構圖以形成源極和漏極。在這個實
施例中，包含氮原子的鈦膜、鈦鋁合金膜和鈦膜分別以100nm/350nm/100nm 的厚度層疊。然后，將該膜構圖并蝕刻成所需的形狀以形成三層的源/漏極229 至235和像素電極236。
以鈦為耙，用為1: 1的流量比率設置的氮和氬濺射，在第一層中形成包含氮原子的鈦膜。當上述包含氮原子的鈦膜形成在由硅氧垸膜構成的層間絕緣膜上時，可以形成配線，該配線很難剝落并且與半導體區域相連的阻抗低。
在這個實施例中，頂柵極多晶硅TFT同時形成在驅動電路部分和像素部分中；然而，像素部分中的TFT可以是使用非晶硅作為活性層的TFT或者是使用微晶硅作為活性層的TFT。另外，當然可以使用底柵極TFT。
在形成源極和漏極的同時用相同材料構成第一保護膜237以覆蓋在凹槽形開口 227內部和基板外圍去除了部分228的層間絕緣膜的端。
其后，在基板的整個表面上形成第二層間絕緣膜238。第二層間絕緣膜238 可以用與第一層間絕緣膜225相同的材料構成。在這個實施例中，第二層間絕緣膜238是用與第一層間絕緣膜相同的硅氧烷膜構成的。
其后，在與蝕刻第一層間絕緣膜的相同條件下形成連接到像素電極上的接觸孔239、凹槽形開口 240和基板外圍上的去除了部分241的層間絕緣膜。
在這個實施例中，第一層間絕緣膜225和第二層間絕緣膜238都是由硅氧垸膜構成的；然而，層間絕緣膜的結構不局限于此。可以適當將該結構改變成用于第一層間絕緣膜的有機膜和用于第二層間絕緣膜的無機膜的組合、其相反的組合、有機膜和有機膜的組合、無機膜和無機膜的組合等等。取決于所選擇的層間膜的滲透性，保護膜只可以形成在第一層間絕緣膜上或第二層間絕緣膜上。
在第二層間絕緣膜238上形成接觸孔之后，作為發光元件陽極的第一電極連續地形成在與像素電極相連的接觸孔239內和第二層間絕緣膜238上。發光元件的電極是Al-Si(260a)/TiN(260b)/ITSO(260c)構成的疊層。這里，Al-Si是包含大約1 atomic。/。到5 atomic。/。的硅的鋁，以及ITSO是一種ITO與Si02混合的材料。
在形成發光元件陽極的同時，凹槽形開口 240和位于基板外圍上去處部分
26241的層間絕緣膜238的端表面的內部由保護膜242覆蓋。用發光元件的電極 260a到260b可以形成保護膜。可以使用從260a到260c的全部三層，或者使用其中的一層或兩層。
其后，形成絕緣體243以覆蓋第一電極的端表面。絕緣體243可以由無機或有機材料構成。可以舉出氧化硅、氧氮化硅、硅氧烷、丙烯酸、聚酰亞胺等等。優選通過使用感光有機材料來形成絕緣體243，因為開口的形狀變成蒸發發光層時很難發生曲率半徑的連續改變和步驟之間的斷開等等這樣的形狀。
然后，通過使用一種蒸發設備隨著蒸發源的移動進行蒸發。例如，在一個被抽真空到5xl(^Torr(0.665Pa)或更小、最好l(T4Torr至l(T6Torr的膜形成腔中進行蒸發。通過電阻加熱，先將有機化合物蒸發并且在蒸發中打開隔板時沿基板方向飛散。蒸發的有機化合物向上飛散并且通過為金屬掩模設置的開口被蒸發到基板上以形成發光層244 (包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層和電子注入層)。
在這個實施例中，通過蒸發形成發光層；因此，使用低分子量的發光材料。然而，也可以通過使用高分子量的材料和具有性質介于低分子量材料和高分子量材料之間的中間分子量材料形成發光層。通過將高分子材料溶解到溶液中使用旋轉涂覆或者墨汁噴射而使用高分子量材料。另外，同樣可以使用有機材料和無機材料組合的材料。
假定發光元件的發光機構以這種方式發光，當對插在一對電極之間的有機化合物層施加電壓時，通過位于有機化合物層的光發射中心的重組，從陰極注入的電子和從陽極注入的空穴形成一個由分子構成的電子空穴對而且當由分子構成的電子空穴對恢復到基態時釋放用于光發射的能量。已知的激發狀態包括單一激發狀態和三重激發狀態，通過任一個激發狀態都可以發光。
發光層典型地具有層疊結構。典型的層疊結構是由"空穴傳輸層、場致發光層和電子傳輸層"組成。這種結構具有高的發光效率以至于最近研究和發展的發光器件主要采用這種結構。可以使用以空穴注入層、空穴傳輸層、場致發光層和電子傳輸層這樣的順序層疊在陽極上的結構，或者同樣也可以使用以空穴注入層、空穴傳輸層、場致發光層、電子傳輸層和電子注入層的發光層這樣的順序層疊在陽極上的結構。可以將熒光顏料等摻雜到場致發光層中。其后，在發光層上形成第二電極245作為陰極。第二電極245可以由包含具有低功函數的金屬(Li、 Mg或Cs)的薄膜構成。另外，優選第二電極由透明導電膜(ITO(氧化銦錫)、氧化銦鋅(In2OrZnO)、氧化鋅(ZnO)、等等) 層疊在包含鋰、鎂、銫等的薄膜上的疊層膜構成。此外，雖然可以近似地確定膜的厚度以作為陰極，但是通過電子束蒸發可以形成0.01pm到lpm厚的第二電極。
通過選擇和排列發光層，這樣的發光元件既可以單色顯示又可以多色顯示。對于單色顯示，所有的發光元件都是通過使用一種材料制造的；可是，對于多色顯示卻有幾種方法。一種是分別著色法。分別著色法是通過分別使發光層著色而實現多色顯示，這些發光層在需要的部分發射出目標色彩的光。另一種是色彩轉換法。發光層由一種材料構成，并且僅在需要的部分設置色彩轉換層。通過色彩轉換層從發光層發射出的光被轉換成需要的顏色，從而實現了多色顯示。另一種方法是在白光發射元件上裝置色彩過濾器。這種方法通過在全部像素部分上形成發射白光的發光層和通過色彩過濾器來實現多色顯示。在所有的這些方法中，在全色彩顯示的狀況下形成發光層使得在每一個像素上設置 RGB光三原色。因而，發光器件可以進行單色顯示、多色顯示和全色顯示。
在以這種方式形成發光元件246后，用由防水材料構成的密封劑247反向的基板248固定在基板上。當該密封劑形成并覆蓋在有保護膜覆蓋的層間絕緣膜的端表面時，由防水材料構成的密封劑247進一步穩固地阻止水入口和進入的通道，該層間絕緣膜覆蓋有圍繞設置有保護膜的槽形開口 227和240中和在基板外圍去除了部分228和241的層間絕緣膜中的絕緣膜，該密封劑對提高可靠性起到了很好的作用。防紫外線滲透的固化樹脂可以用作由防水材料構成的密封劑247。
根據上述步驟，可以生產抵抗由于外部的水進入引起損壞的場致發光器件，并且可以徹底地提高場致發光器件的可靠性。注意到在這個實施例中，在密封部分中層間絕緣膜周圍只設置了一個凹槽形開口；然而，可以設置多個開口。通過設置多個開口可以進一步提高可靠性。
在這個實施例中，參考圖17和18A至18I描述關于實施方式5和實施方式6的實施例。在圖17中，層間絕緣膜為單層結構；然而，它可以被看作具有與實施例l相同的結構。發光元件中第一電極的結構是不同的，但是下面描述該結構。
圖17是沿圖3中線f-f的橫截面圖。在圖17中，在層間絕緣膜外圍的凹槽形開口和基板外圍上去除了部分的層間絕緣膜中形成蝕刻制動器膜250。在驅動電路部分或者像素部分中蝕刻制動器膜250可以與晶體管的半導體層同時形成。蝕刻制動器膜250的功能是在蝕刻層間絕緣膜251的過程中作為蝕刻制動器，并且具有通過減少蝕刻殘余物或不均勻性的產生來改善由防水材料構成的密封劑的粘性的作用。
除了具有蝕刻制動器膜250之外，源極和漏極的制造與上面實施例1是相同的，省略說明。源極和漏極形成后，形成發光元件的第一電極252與像素部分中轉換TFT的電極255接觸。在這個實施例中，在設置有源極和漏極層間絕緣膜上制造出發光元件的第一電極252。因此，不必制造第二層間絕緣膜。與實施例1中的第一電極相同的材料可以被用作第一電極252等的材料，并且制造第一電極后的過程與實施例l相同；所以省略說明。
這里，當第一電極是由ITO代表的透明導電膜構成時，光可以從基板200 的方向發出。另外，當第二電極也同樣是由透明材料構成時，光可以從基板200 和相對基板248這兩個方向發出。
圖18A至18I示出制造圖3中區域"c"的方法。圖18A至18E是沿圖3線 a-a'的橫截面圖，圖18F至18I是圖3中區域"c"的俯視圖。圖18A至18E和圖 18F至18I彼此相鄰，分別示出了同一步驟的方框圖。在圖18A至18I中，左側是FPC的方向，右側是顯示部分的方向。因為圖18F至18I具有與圖3中區域"c"不同的方向，所以這一點需要加以注意。
在這個實施例中，當在顯示部分中形成晶體管和第一層間絕緣膜時，在與外部端子和內部電路相連的配線部分中，在整個基板300上形成基礎絕緣膜 301。在基礎膜301上去除了層間膜的部分形成蝕刻制動器膜302 (硅膜)；形成作為柵絕緣膜的絕緣膜303以覆蓋在蝕刻制動器膜302 (硅膜)和基礎絕緣膜301上；然后，形成第一層間絕緣膜304同樣用來覆蓋。可以使用丙烯酸膜或硅氧烷膜作為層間膜；可是，在這個實施例中使用了硅氧垸膜(圖18A至18F)。
其后，蝕刻和去除第一層間絕緣膜304以在端表面具有錐形形狀，由此在基板外圍上形成去除了部分305的層間絕緣膜。作為蝕刻制動器的蝕刻制動器膜302 (硅膜)預先形成在去除了部分305的層間絕緣膜上。因此，在清除后去除了部分305的層間絕緣膜的表面是平坦的，并且不會出現由于基礎膜的蝕刻殘渣或鑿槽引起的不平坦(圖18B和18G)。
其后，形成作為配線的金屬膜306。金屬膜可以由與驅動電路或像素部分中的源極和漏極相同的材料構成。具體的材料與實施例1中源極和漏極使用的材料相同(圖18C至18H)。
為了形成配線307，金屬膜306的蝕刻與形成源極和漏極的蝕刻同時進行。此時，通過蝕刻去除沒有被形成在去除了部分305的層間絕緣膜上的蝕刻制動器膜302 (硅膜)的配線307覆蓋的部分。當預先形成沒有位于配線307下而且形成在剩余的層間絕緣膜304下面位置308的蝕刻制動器膜302，并且其形狀與位于配線蝕刻后的配線307下面的蝕刻制動器膜309 (硅膜)相分離時，彼此相鄰的配線不會短路，即使蝕刻制動器膜302是由導電材料(圖18D， 18E 和181)構成的。
可以避免去除了部分305的層間絕緣膜上不平坦的產生，并且其后形成的配線上的大的不平坦的產生也可以通過形成作為蝕刻制動器的蝕刻制動器膜 302 (硅膜)來抑制。可以保持形成在其上的由防水材料構成的密封劑的粘性，以及減少水從密封劑的粘性變差的部分進入。
當應用這樣的結構時，也可以去除與外部端子部分(比如FPC)和內部電路相連的配線部分中的層間絕緣膜，并且可以防止層間絕緣膜暴露于外部空氣。因此，可以徹底減少水的進入，這樣有利于提高場致發光器件的可靠性。
在去除基板外圍上第一層間絕緣膜以便在其端表面形成錐形形狀之后和在形成作為配線的金屬之前，為了防止濕氣從端表面(未示出)進入通過CVD 在其上形成氮化物膜比如氮化硅膜或氮化碳膜是有用的。通過形成這樣的氮化物膜可以獲得更高的可靠性。
在這個實施例中，在像素部分和驅動電路部分上通過與打開接觸孔的相同步驟去除基板外圍上第一層間絕緣膜。因此，在像素部分和驅動電路部分中，當去除第一層間絕緣膜后形成氮化物膜時，較低層中的配線等和將要通過接觸孔在第一層間絕緣膜上形成的配線之間可以不導電。因此，在需要與較低部分進行電連接的部分，最好在形成作為配線的金屬前去除該部分的氮化物膜。當在第一層間絕緣膜上形成氮化物膜時，在這樣的接觸孔部分里可以防止潮氣從層間絕緣膜的端表面進入。因此，可以獲得更高的可靠性。 [實施例3]
在這個實施例中，參考圖19A和19B描述將本發明的結構應用于場致發光器件中的像素結構中的例子。
圖19A和19B示出一個像素的元件結構。通過將多個這樣的像素排列成矩陣形成圖3中的顯示部分。當然，這種像素結構只不過是一個例子，任何其它想得到的像素結構都可以使用。
在圖19A和19B中，采用了一種頂部發光結構。一個像素包含源線400、驅動器TFT柵線401、陽極線402、可擦除柵線403、寫入柵線404、可擦除 TFT405、寫入TFT406、驅動器TFT407、顯示
TFT408、 AC驅動二極管409、電容器410、驅動器TFT的漏極411和驅動器TFT柵線412。
然后，通過絕緣膜在上面部分形成發光元件413，發光元件的陽極或陰極與驅動器TFT的漏極411相連。
在這個實施例中，參考圖20描述場致發光器件中顯示圖像所需的源驅動器結構。
在柵信號線被選中的行中，從與時鐘脈沖504和起始脈沖505相對應的第一階段開始轉換寄存器500 (SR)連續地輸出采樣脈沖。第一鎖存器電路501 隨著采樣脈沖的輸入及時接受視頻信號，每一階段接受的視頻信號被存儲在第一鎖存器電路501里。
根據從一個轉換寄存器500輸出的采樣脈沖，第一鎖存器電路501中三個鎖存器電路A、B和C接收分別從視頻線DATAOl至20、DATA21至40、DATA 41至60中接受輸入的信號。在第一階段從轉換寄存器500中輸出的采樣脈沖接受用于在從S01到S1920的所有源信號線中的從S01到S60的源信號線中被充電和放電的視頻信號。在在第一階段中第一鎖存器電路接受轉換寄存器500
的采樣脈沖響應的視頻信號，在其中鎖存器電路A存儲從S01到S20源信號線的視頻信號；B，從S21到S40; C，從S41到S60。其后，接受在第二階段中接收從轉換寄存器輸出的采樣脈沖的響應視頻信號的第一鎖存器電路接受從S61到S120源信號線的視頻信號。鎖存器電路A、 B和C分別存儲從S61到S80、從S81到SIOO、從S101到S120源信號線的視頻信號。類似地，在第32個階段轉換寄存器接受并存儲從S1861到S1920源信號線的視頻信號；于是，就完成了接受一行的視頻信號。
在完成一行視頻信號的接受之后，輸出鎖存器脈沖(LAT) 506時，存儲在第一鎖存器電路501中的所有視頻信號立刻被轉移到第二鎖存器電路502中，并且立刻對所有的信號線充電和放電。從可以根據需要適當的設置用于使第二鎖存器電路502輸出所需大小的電平轉換器和緩沖器。
從第一行到最后一行重復上面提到的操作，由此完成了一楨畫面的寫入。隨后，重復同樣的操作以顯示圖像。
注意到具有這種結構的源驅動器僅僅是一個實例，即使使用任何其它結構的源驅動器也可以應用本發明。
在這個實施例中描述了如在實施方式5中所述的將絕緣膜的端表面形成為錐形的方法。
當可以進行各向同性的蝕刻例如濕法蝕刻，并且在蝕刻中存在邊緣和一定膜厚度時，可以很容易的得到錐形。
在這個實施例中描述了通過各向異性的干法蝕刻將絕緣膜形成為錐形的方法。
首先，參考圖21A至21E描述通過使用預先由傳統方法生產出的蝕刻掩模的干法蝕刻將對象加工成所需形狀的方法。
通過涂覆等在要被處理的對象601的整個表面形成掩模材料602例如感光抗蝕劑或聚酰亞胺(圖21A)。在這個描述中給出了正抗蝕劑的例子。
因此，在低溫下進行用于蒸發和穩定抗蝕劑中的材料預先焙燒；其后，在希望的形狀中通過光掩模603使抗蝕劑部分曝光(圖21B)。當通過曝光而曝光的部分溶解在顯影劑里并被去除之后(圖21C)，為了改善抗蝕劑的粘性和改善用于下一步驟中的蝕刻劑的抵抗力進行焙燒。到此為止形成了用于對象的蝕刻掩模。到此為止的步驟被稱作光刻法。
通過使用掩模和適當的蝕刻劑來蝕刻對象，可以將對象加工成所需的形狀
(圖21D)。
這里，蝕刻掩模的端表面與位于較低部分的對象成很大的角度。因此，當進行各向異性的蝕刻例如干法蝕刻時，位于較低部分的對象的端表面變成與刻掩模的端表面相映像的陡峭形狀。當去除位于基板外圍上的層間絕緣膜并且以
這種方式形成配線時，在層間絕緣膜的端表面產生了如在實施方式4或5中所述配線的蝕刻殘渣，由于配線短路導致故障。
其次，在通過光刻法形成的掩模中，在優選為錐形的光掩模604的端表面上形成用于曝光的狹縫605，該狹縫605具有比光刻裝置分辨率更窄的寬度。通過狹縫和具有比光刻裝置的分辨率更窄寬度的圖案曝光的掩模材料例如抗蝕劑不完全在該部分中曝光。膜厚度減少的掩模保留下來即使在去除了具有顯影劑的曝光部分之后。
通過這樣形成寬度等于或小于光掩模中光刻裝置的曝光分辨率的狹縫或者孔，在感光掩模材料例如抗蝕劑中沒曝光的部分和完全曝光的部分之間設置不完全曝光部分。因此，蝕刻掩模的端表面形成為錐形。
在較低層和掩模中的對象都被蝕刻的條件下，使用錐形的蝕刻膜進行由干法蝕刻代表的各向異性時。在蝕刻對象的同時其厚度薄的蝕刻掩膜消失。根據蝕刻掩模的消失，依次蝕刻重新曝光到蝕刻大氣中的對象，由此，得到形狀基本上與蝕刻掩模的形狀相映象的對象(圖21F到21J)。
通過使用其端表面為錐形的蝕刻掩模得到其端表面具有類似的錐形的對象(在實施方式5中的層間絕緣膜)。
在曝光中根據的光掩模的狹縫、圖案和孔的形狀可以隨意的形成顯影后感光材料的形狀可以自由地形成。圖22A到22D示出其例子。圖22A圖和22C是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基板上，抗蝕劑應用在其上，用光掩模700曝光，以及用干法蝕刻蝕刻，圖22B和22D是光掩模的示意圖。SEM圖示出了用具有如圖22B或22D所示光掩模700的圖案的光掩模對抗蝕劑進行曝光。
雖然，使用典型的光掩模只是對部分701曝光，在圖22A到圖22D中，通過形成等于或小于光掩模中光刻裝置極限分辨率的圖案702，可以得到如SEM圖中所示的橫截面形狀。
如圖22A到22D所示，通過改變等于或小于光刻裝置的極限分辨率的圖案702的形狀，對象可以具有各種各樣的形狀。具有以前不能形成的形狀的對象可以通過適當的改變對象材料和使用由此形成的蝕刻掩膜的蝕刻條件來生產。
可以給出應用本發明的電子裝置的例子，諸如攝像機、數碼相機、護目型顯示器(頂部安裝型顯示器)、導航系統、錄音機(車載音響、音頻組件等等)、便攜式個人電腦、游戲機、個人數字助理(移動電腦、蜂窩電話、便攜式游戲機、電子式樣書籍等等)，和包括錄制介質的錄像機(尤其是，在諸如數字化視頻光盤(DVD)的錄制介質中具有處理數據的能力和具有能夠顯示數字圖像的顯示器的裝置)。這些電子裝置的應用實例在圖23A到23E中示出。
圖23A示出一種墻面安裝型顯示裝置，該裝置包括底座2001、顯示部分2003、揚聲器部分2004等。本發明應用于顯示部分2003的制造。通過使用本發明可以保證更長期的可靠性。
圖23B示出一種數字照相機，包括主機2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接端口2105、快門2106等。本發明可以應用于顯示部分2102。雖然數字照相經常用于戶外并且容易被置于比戶內更惡劣的環境中，通過使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
圖23C示出一種便攜式個人電腦，包括主機2201底座2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口 2205、鼠標2206等。本發明可以應用于顯示部分2203。可以想象地，與桌上電腦不同的是，便攜式個人電腦可以四處攜帶并使用。類似于數字照相機，由于被四處攜帶，與桌上電腦監視器相比增加了在更為不利的環境中使用的可能性。通過使用本發明即使在這種環境中也可以保證更長期的可靠性。
圖23D示出一種移動電腦，包括主機2301、顯示部分2302、開關2303、
34操作鍵2304、紅外接口 2305等。本發明可以應用于顯示部分2302。雖然移動電腦經常用于戶外并且容易被置于比戶內更惡劣的環境中，通過使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
圖23E示出一種便攜式游戲機，包括底座2401、顯示部分2402、揚聲器部分2403、操作鍵2404、錄制介質插入部分2405等。本發明可以應用于顯示部分2402。雖然便攜式游戲機經常用于戶外并且容易被置于比戶內更惡劣的環境中，通過使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
如上所述，本發明的應用范圍是很大使得本發明可以應用于不同領域的電子器件中。另外，生產的可靠性提高了，因此作為制造商可靠性也得到了改善。
本發明是以2003年8月29日在日本專利局提出的日本專利申請序列號2003-347601和2003年9月12日提出的2003-322334為基礎，其內容在此引作參考。
盡管參考附圖借助例子已經全面地描述了本發明，但是可以理解的是，多種變化和改變對于本領域技術人員來說是顯而易見的。因此，除非這種變化和改變超出了本發明在后面限定的范圍，否則它們應當解釋為包括在其中。
3權利要求
1. 一種發光器件，包括第一基板；形成在第一基板上的層間絕緣膜；形成在層間絕緣膜上的發光元件；以及設置在發光元件上的第二基板，其中層間絕緣膜的側表面在沒到達第一基板邊緣部分的區域內是錐形的，以及其中第一基板和第二基板中的至少一個是透明的。
2. 根據權利要求1的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
3. 根據權利要求1的發光器件，其中在/AM間絕緣膜的底部至lJS^的，部分形成半導體膜。
4. 根據權利要求1的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的:^ 部分形成金屬膜。
5. 根據權利要求1的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到的，部分形成半導體膜，并且該半導體膜是由與薄膜晶體管的活性層相同的材料構成的。
6. 根據權利要求1的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到^^反的，部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同的材料構成的。
7. 根據權利要求1的發光器件，其中層間絕緣膜是由有機材料構成的。
8. 根據權利要求1的發光器件，其中層間絕緣膜是由無機材料構成的。
9. 根據權利要求1的發光器件，其中層間絕緣膜是由含，，成分的膜構成的。
10. 根據權利要求7的發光器件，其中有機材料是丙烯酸。
11. 根據權利要求7的發光器件，其中有機材料是聚M胺。
12. 根據權利要求1的發光器件，其中保護膜是氮化硅膜。
13. 根據權利要求1的發光器件，其中發光器件組合到電子器件中，該電子器件選自于由顯示器件、照相機、電腦、便攜式信息終端和游戲機組成的組中。
14. 一種發光器件，包括第一凝反；形成在第一mil的層間絕緣膜；形皿層間絕緣膜上的發光元件；設置在發光元件上的第二，以及形戯層間絕緣膜的側表面的《娥膜，其中層間絕緣膜的側表面在沒到達第一基板邊緣部分的區域內是錐形的，以及其中至少第一和第二基板中的一個是透明的。
15. 根據權利要求14的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
16. 根據權利要求14的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜。
17. 根據權利要求14的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成金屬膜。
18. 根據權利要求14的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜，并且該半導體膜是由與薄膜晶體管的活性層相同的材料。
19. 根據權利要求14的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同的材料構成的。
20. 根據權利要求14的發光器件，其中層間絕緣層是由有機材料構成的。
21. 根據權利要求14的發光器件，其中層間絕緣層是由無機材料構成的。
22. 根據權利要求14的發光器件，其中層間絕緣膜是由含有硅氧烷成分的膜構成的。
23. 根據權利要求20的發光器件，其中有機材料是丙烯酸。
24. 根據權利要求20的發光器件，其中有機材料是聚酰亞胺。
25. 根據權利要求14的發光器件，其中保護膜是氮化硅膜。
26. 根據權利要求14的發光器件，其中保護膜是防水的。
27. 根據權利要求14的發光器件，其中發光器件組合到電子器件中，該電子器件選自于由顯示器件、照相機、電腦、便攜式信息終端和游戲機組成的組中。
28. —種發光器件，包括第一繊；形自第一凝^h的層間絕緣膜；形皿層間絕緣膜上的發光元件；設置在發光元件上的第二S^及，以及形成在層間絕緣膜的側表面的保護膜，其中層間絕緣膜的側表面在沒到達第一對反邊緣部分的區域內是錐形的，其中至少第一和第1板中的一個是透明的，以及其中第一和第二基板彼此固定在設置有層間絕緣膜外表面的第一區域或者是第一區域外面的第二區域上。
29. 根據權利要求28的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
30. 根據權利要求28的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜。
31. 根據權利要求28的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成金屬膜。
32. 根據權利要求28的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成半導體膜，并且該半導體膜是由與薄膜晶體管的活性層相同的材料構成的。
33. 根據權利要求28的發光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的邊緣部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同的材料構成的。
34. 根據權利要求28的發光器件，其中層間絕緣層是由有機材料構成的。
35. 根據權利要求28的發光器件，其中層間絕緣層是由無機材料構成的。
36. 根據權利要求28的發光器件，其中層間絕緣膜是由含有硅氧烷成分的膜構成的。
37，根據權利要求34的發光器件，其中有機材料是丙烯酸。
38. 根據權利要求34的發光器件，其中有機材料是聚酰亞胺。
39. 根據權利要求28的發光器件，其中保護膜是氮化硅膜。
40. 根據權利要求28的發光器件，其中保護膜是防水的。
41. 根據權利要求28的發光器件，其中發光器件組合到電子器件中，該電子器件選自于由顯示器件、照相機、電腦、便攜式信息終端和游戲機組成的組中。
42. —種發光器件，包括第一繊；第一^t^h的像素部分；像素部他括層間絕緣膜上的發光元件；向像素部^f俞入信號的外部連接部分；連接至U像素部分和夕卜部連接部分的至少第一配線和第二配線；以及在像素部分和外部連接部分之間的固定第一對反和第^ 的密封元件，其中第一配線與第二配線相鄰，層間絕緣膜插在其間。其中至少第一配線和第二配線中的一個包括至少一個彎曲部分，以及其中第一配線和第二配線被密封材料覆蓋。
43. 根據權利要求42的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
44. 根據權利要求42的發光器件，其中第H^戶膜是由與膜薄晶體管的源極和漏極相同的材料構成。
45. 根據權利要求42的發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜中的一層是由有機材料構成的。
46. 根據權利要求42的發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜中的一層是由無機材料構成的。
47. 根據權禾腰求42的發光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜中的一層是由含有硅f^成分的膜構成的。
48. 根據權利要求42的發光器件，其中有機材料是丙烯酸。
49. 根據權利要求45的發光器件，其中有機材料是聚酰亞胺。
50. 根據權利要求45的發光器件，其中第一^^戶膜是氮化石刦莫。
51. 根據權利要求42的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
52. 根據權利要求42的發光器件，其中發光器件組合到電子器件中，該電子器件選自于由顯示器件、照相機、電腦、便攜式信息終端和游戲機組成的組中。
53. —種發光器件，包括第一繊；形成在第一 ±的層間絕緣膜；形i^層間絕緣膜上的發光元件；設置在發光元件上的第^ ，其中在用密封材料將第一和第二凝反彼此固定在一起的區域中，層間絕緣膜的側面是錐形的。
54. 根據權利要求53的發光器件，其中發光元件電連接到薄膜晶體管上。
55. 根據權利要求53的發光器件，其中層間絕緣膜是由有機材料構成的。
56. 根據權利要求53的發光器件，其中層間絕緣膜是由無機材料構成的。
57. 根據權利要求53的發光器件，其中層間絕緣膜是由含有石i^成分的膜構成的。
58. 根據權利要求55的發光器件，其中有機材料是丙烯酸。
59. 根據權利要求55的發光器件，其中有機材料是聚鵬安。
60. 根據權利要求53的發光器件，其中發光器件組合到電子器件中，該電子器件選自于由顯示器件、照相機、電腦、便攜式信息終端和游戲機組成的組
全文摘要
本發明的目的就是提供這樣一種密封結構，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進入，并且在顯示器中使用有機或無機場致發光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒于上述目的，關注層間絕緣膜的滲透性，根據本發明，通過阻止水從層間絕緣膜的進入，抑制了場致發光元件的損壞并且獲得了足夠的可靠性。
文檔編號H01L51/52GK101483186SQ20081018633
公開日2009年7月15日申請日期2004年8月27日優先權日2003年8月29日
發明者土屋薰, 坂倉真之, 安西彩, 松田豐, 永井雅晴申請人:株式會社半導體能源研究所

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