端面處理用夾具以及使用其的半導體激光裝置的制造方法

專利名稱：端面處理用夾具以及使用其的半導體激光裝置的制造方法
技術領域：
本發明涉及在半導體激光裝置的光射出的端面以及在其相反側的端面上形成反射率控制膜時，適宜地使用的端面處理用夾具以及使用該夾具的半導體激光裝置的制造方法。
背景技術：
半導體激光裝置以高效地取出在其內部產生的光、以及防止半導體激光裝置的氧化而引起的劣化為目的，在光射出的端面和其相反側的端面上形成反射率控制膜。在半導體激光裝置的上迷端面上形成反射率控制膜的情況下，半導體激光裝置通過下述方式制造。首先，在化合物半
導體的襯底上形成P型層和n型層后，在各個p型層和n型層上形成電極。然后，通過劈開，形^為多個半導體激光裝置本體相連的條狀態，并與該條(以下稱為"半導體^光條")是不同材料的長方體(以下稱為"隔板(spacer)")交替排列，安裝在固定它們的夾具上，并在上述端面上形成反射率控制膜(例如，參照專利文獻l、 2)。
專利文獻l:日本專利申請公開平9-83072號公報
專利文獻2:日本專利公告平6-7619號公報
在上述現有的技術中，通過使用濺射法、真空蒸鍍法或化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱為CVD)法等方法形成單層膜或至少兩層以上的多層膜，從而形成反射率控制膜。在這些方法中，構成反射率控制膜的材料的粒子在具有能量的狀態下碰撞固定半導體激光條和隔板的夾具或隔板。碰撞夾具或隔板的粒子中的很多粒子雖然附著在其上，但是一部分粒子會蝕刻夾具或隔板進行，因蝕刻而從夾具或隔板放出的粒子有被引入半導體激光裝置的端面上形成的反射率控制膜中的情況。
在固定半導體激光條和隔板的夾具是由例如不銹鋼(SUS)等金屬構成的情況下，金屬被引入反射率控制膜中。當在反射率控制膜中引入有金屬的狀態下進行激光振蕩時，該金屬吸收光，引起光學突變性損壞(Catastrophic Optical Damage,簡稱為COD)導致的劣化，存在半導體激光裝置的可靠性降低的問題。

發明內容
本發明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種端面處 理用夾具以及使用該夾具的半導體激光裝置的制造方法，該端面處理用 夾具能夠防止半導體激光裝置的因光學災變性損壞導致的劣化，在半導 體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜。
本發明的端面處理用夾具，是為了在半導體激光裝置本體的端面上 形成反射率控制膜并制造半導體激光裝置而固定半導體激光裝置本體
的端面處理用夾具，其特征在于具有窗部，該窗部形成有露出半導體 激光裝置本體的端面的窗口 ，至少窗部由氧化物和氮化物中的至少一方 構成。
本發明的半導體激光裝置的制造方法的特征在于，具備如下工序 通過上述端面處理用夾具固定半導體激光裝置本體，在從上述端面處理 用夾具的窗口露出的半導體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜。
此外，本發明的半導體激光裝置的制造方法的特征在于，具備如下 工序以在相鄰的兩個半導體激光裝置本體之間插入隔板的方式配置多 個半導體激光裝置，通過上述端面處理用夾具固定，在從上述端面處理 用夾具的窗口露出的各半導體激光裝置本體的端面上，形成反射率控制
膜，其中，上述隔板至少由氧化物和氮化物中的至少一方構成。
根據本發明的端面處理用夾具，半導體激光裝置本體以從窗部的窗 口露出端面的方式被固定。在此狀態下，在半導體激光裝置本體的端面 上形成反射率控制膜，制造半導體激光裝置。在使反射率控制膜的材料 附著在半導體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜時，當反射率控 制膜的材料附著在端面處理用夾具的窗部上，窗部被蝕刻時，因蝕刻而 被放出的窗部的材料被引入反射率控制膜中。在端面處理用夾具的窗部 是由金屬構成的情況下，金屬被引入反射率控制膜中，被引入的金屬吸 收光，引起光學災變性損壞劣化。因為本發明的端面處理用夾具的窗部 由氧化物和氮化物中的至少 一方構成，因此在窗部的材料被《1入反射率 控制膜中的情況下，氧化物或氮化物的至少一方被引入反射率控制膜 中。
因此，因為能夠防止金屬被引入反射率控制膜中，能夠防止引入的
4金屬導致光吸收，所以能夠防止半導體激光裝置的光學災變性損壞劣 化，在半導體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜。
根據本發明的半導體激光裝置的制造方法，因為以窗部由氧化物和 氮化物中的至少一方形成的端面處理用夾具固定半導體激光裝置本體， 在從窗部的窗口露出的半導體激光裝置本體的側面上形成反射率控制 膜，所以能夠防止金屬被引入形成于半導體激光裝置本體的端面的反射 率控制膜中，能夠防止被引入的金屬導致的光吸收。由此，能夠防止半 導體激光裝置的光學災變性損壞劣化，得到可靠性較高的半導體激光裝 置。
此外，根據本發明的半導體激光裝置的制造方法，利用窗部是由氧 化物和氮化物中的至少一方構成的端面處理用夾具，固定多個半導體激 光裝置本體。在相鄰的兩個半導體激光裝置本體之間，插入由氧化物和 氮化物中的至少一方構成的隔板。在此狀態下，在從端面處理用夾具的 窗部上形成的窗口露出的各半導體激光裝置本體的端面上形成反射率 控制膜。在使反射率控制膜的材料附著在各半導體激光裝置本體的端面 上形成反射率控制膜時，有端面處理用夾具的窗部和隔板被蝕刻，其材 料被放出的情況。
因為端面處理用夾具的窗部和隔板由氧化物和氮化物中的至少一 方構成，所以與窗部和隔板由金屬構成的情況不同，即使由于蝕刻而放 出窗部和隔板的材料，也能夠防止金屬被引入反射率控制膜中，能夠防 止被引入的金屬導致的光吸收。特別是在本發明中，因為不僅是窗部， 隔板也由氧化物和氮化物中的至少 一方構成，所以能夠確實地防止金屬 被引入反射率控制膜中。因此，能夠更確實地防止半導體激光裝置的光 學災變性損壞劣化，得到可靠性高的半導體激光裝置。


圖1是表示本發明的笫一實施方式的半導體激光端面處理用夾具3 的平面圖。
圖2是從圖1的截面線II-II看到的截面圖。 圖3是簡略表示保持夾具7的立體圖。 圖4是簡略表示固定夾具8的立體圖。
圖5是表示對GaAs襯底的外延生長工序、絕緣膜形成工序和金屬電極形成工序結束階段的晶片15的結構的截面圖。
圖6是表示將圖5所示的晶片15劈開為諧振腔(resonator)長度后的 半導體激光條l的立體圖。
圖7是表示半導體激光裝置21的結構的截面圖。
圖8是表示端面處理用夾具32所具備的第一遮蓋夾具25的立體圖。
圖9是表示將第一和第二遮蓋夾具25、 28安裝在保持夾具29和固 定夾具30上的狀態的立體圖。
圖IO是從圖9的截面線X-X看到的截面圖。
附圖標記說明
1半導體激光條
2隔板
3、32半導體激光端面處理用夾具
4、26 窗口
5、27 窗部
6鎮孔部
7、29保持夾具
8、30 固定夾具
9端面 ，.
20半導體激光裝置本體
21半導體激光裝置
22第一反射率控制膜
23第二反射率控制膜
25第一遮蓋夾具
28第二遮蓋夾具
31夾具本體
具體實施例方式
(第一實施方式)
圖1是表示本發明的第一實施方式的半導體激光端面處理用夾具3 的平面圖。圖2是從圖1 ^截面線II-II看到的截面圖。圖3是簡略表示 保持夾具7的立體圖。圖4是簡略表示固定夾具8的立體圖。在圖1中，表示將后述的圖5所示的晶片15劈開成為條狀態的半導體激光條1和 隔板2被交替配置、并且固定在半導體激光端面處理用夾具(以下，稱 為"端面處理用夾具")3上的狀態。換言之，在圖1中，表示多個半導 體激光條1以在相鄰的兩個半導體激光條1之間插入隔板2的方式進行 配置，并且被固定在端面處理用夾具3上的狀態。
如后述的圖6所示，在半導體激光條l中，多個半導體激光裝置本 體20在預定的方向上連接并形成為的長方體狀。隔板2與半導體激光 條1同樣地被形成為長方體狀。因此，通過如圖1所示那樣以在相鄰的 兩個半導體激光條l之間插入隔板2并在寬度方向上排列的方式配置半 導體激光條1,從而多個半導體激光裝置本體20以使隔板2插入相鄰的 兩個半導體激光裝置本體20之間的方式配置。
端面處理用夾具3是為了在作為半導體激光裝置本體20的半導體 激光條1的端面9上，如后述的圖7所示那樣形成反射率控制膜22、 23 并制造半導體激光裝置21,對半導體激光裝置本體20、具體而言是對 半導體激光條1進行固定的夾具。端面處理用夾具3構成為具備形成 有锪孔部(counterbore)6的保持夾具7;以及與保持夾具7協作夾持并固 定半導體激光條1和隔板2的固定夾具8。保持夾具7和固定夾具8從 其厚度方向一方看形成為大致長方形的框狀。
此外，如圖2和圖3所示，通過在保持夾具7上形成锪孔部6，能 夠將半導體激光條1和隔板2安裝在保持夾昇7上。端面處理用夾具3 具有窗部5,其形成有露.出半導體激光裝置本體20的端面9的窗口 4。 在本實施方式中，面對保持夾具7的外方的表面部和面對固定夾具8的 外方的表面部構成窗部5。半導體激光裝置本體20以從窗部5的窗口 4 露出端面9的方式被固定。
在半導體激光裝置本體20的端面9上形成反射率控制膜時，在本 實施方式中，反射率控制膜的材料以從反射率控制膜的預定的第一成膜 方向11或與第一成膜方向11相差180度的第二成膜方向12附著的方 式，將端面處理用夾具3配置在成膜裝置上。反射率控制膜通過使用濺 射法、真空蒸鍍法或化學氣相沉積(CVD)法等方法，成膜單層膜或至 少兩層以上的多層膜而形成。本實施方式中的第一成膜方向11為垂直 于半導體激光裝置本體20的離個端面9中的一部分與固定夾具8相接 一側的端面9、且向該端面9接近的方向，第二成膜方向12為垂直于半導體激光裝置本體20的兩個端面9中的一部分與保持夾具7相接一側 的端面9、且向該端面9接近的方向。
通過以半導體激光裝置本體20的端面9垂直于第一和第二成膜方 向11、 12的方式，將半導體激光條1和隔板2配置在保持夾具7的锪 孔部6上，從而在半導體激光裝置本體20的端面9上形成反射率控制 膜的之前的工序結束。
圖3所示的保持夾具7和圖4所示的固定夾具8實際上構成為包括 對保持夾具7和固定夾具8這兩者進行固定的螺絲；和按照半導體激光 條1的長度尺寸和個數而構成它們的多個部件，為了容易理解，在圖3 中簡略表示保持夾具7，在圖4中簡略表示固定夾具8。保持夾具7和 固定夾具8的方式并不必須限定于圖3和圖4所示的方式，例如，保持 夾具7和固定夾具8也可以形成為從其厚度方向的一方看時為長方形的 框狀。
在本實施方式中，構成端面處理用夾具3的保持夾具7和固定夾具 8中的至少與窗部5相當的部分由氧化物和氮化物中的至少一方的材料 構成。在本實施方式中，端面處理用夾具3的整體、即保持夾具7和固 定夾具8的整體由氧化物和氮化物中的至少一方的材料形成。這樣，在 本實施方式中，由氧化物或氮化物的至少一方的材料形成端面處理用夾 具3的窗部5，但是如果雖然同是氧化物或氮化物而材料不同時，會影 響反射率控制膜的折射率，因此構成端面處理用夾具3的窗部5的材料 優選與形成于半導體激光裝置本體的端面9上的反射率控制膜為相同的 材料。
本實施方式的反射率:控制膜由氧化物或氮化物的至少一方的材料 構成。作為氧化物的一個例子，能夠列舉氧化鋁、氧化硅、氧化鉭、氧 化鈦、氧化鎂、和氧化鈮。此外，作為氮化物的一個例子，能夠列舉氮 化鋁和氮化硅。反射率控制膜通過將上述氧化物或氮化物成膜為單層膜 或至少兩層以上的多層膜而形成。本實施方式的端面處理用夾具3通過 與上述反射率控制膜相同的材料構成。
如上所述，根椐本實施方式的端面處理用夾具3，半導體激光裝置 本體20以端面9從窗部，的窗口 4露出的方式被固定。在此狀態下， 在半導體激光裝置本體的端面9上形成反射率控制膜，制造半導體激光 裝置。在從第一或第二成膜方向11、 12使反射率控制膜的材料附著在
8半導體激光裝置本體的端面9上而形成反射率控制膜時，反射率控制膜 的材料附著在端面處理用夾具3的窗部5上，當窗部5被蝕刻時，因蝕 刻而被放出的窗部5的材料被引入反射率控制膜中。在端面處理用夾具 3的窗部5由金屬形成的情況下，金屬被引入反射率控制膜中，被引入 的金屬吸收光，引起光學災變性損壞劣化。因為本實施方式的端面處理 用夾具3的窗部5由氧化物和氮化物中的至少一方構成，所以在窗部5 的材料被引入反射率控制膜中的情況下，氧化物或氮化物的至少一方被 引入反射率控制膜中。
因此，由于能夠防止金屬被引入反射率控制膜中，防止被引入的金 屬導致的光吸收，所以能夠防止半導體激光裝置的光學災變性損壞劣 化，能夠在半導體激光裝置本體的端面9上形成反射率控制膜。
如上所述，反射率控制膜使用賊射法、真空蒸鍍法或CVD法等方 法而被形成，但是在本爽施方式的端面處理用夾具3中，在通過作為反 射率控制膜的材料而被放出的粒子的能量較高的濺射法形成反射率控 制膜的情況下，尤其能夠發揮上述的效果。
此外，根椐本實施方式的端面處理用夾具3,在以上述的方法形成 反射率控制膜之前，在以包含稀有氣體、氮氣、氧氣或它們的混合氣體 的等離子體除去半導體激光裝置本體20的端面9的污染物、水分、自 然氧化膜等的情況下，也能夠發揮與形^上述的反射率控制膜時相同的效果。
圖5是表示對GaAs襯底的外延生長工序、絕緣膜形成工序和金屬 電極形成工序結束階段的晶片15的結構的截面圖。圖6是表示將圖5 所示的晶片15劈開為諧振腔長度后的半導體激光條1的立體圖。圖7 是表示半導體激光裝置21的結構的截面圖。
成為半導體激光裝單.、21的半導體激光裝置本體20，是在砷化鎵 (GaAs)襯底、磷化銦(InP)襯底或氮化鎵(GaN )襯底上進行外延 生長，形成激光振蕩的區域而被制造。在本實施方式中，對使用GaAs 襯底且振蕩波長為650nm的半導體激光裝置的制造方法進行說明。半導 體激光裝置的襯底和振蕩波長并不一定限定于上述振蕩波長。
包括多個半導體激光裝置本體20的晶片15通過外延生長法在
GaAs襯底16上結晶生長活性層17和熔覆層18，并在結晶側和襯底側 分別形成電極19而被制造。將這樣制造的晶片15劈開成諧振腔長度，制造多個半導體激光裝置本體20連接的半導體激光條1 。在通過劈開而 形成的端面9上，使用上述的端面處理用夾具3,利用濺射法、真空蒸 鍍法或CVD法等各種成膜方法形成反射率控制膜。
在要求高輸出的半導體激光裝置21中，在射出激光一側的端面9 上形成反射率低的反射率控制膜(以下，也有稱為"第一反射率控制膜" 的情況)22,在其相反一側的端面9上形成反射率高的反射率控制膜(以 下，也有稱為"第二反射率控制膜"的情況)23。第一反射率控制膜22 的反射率并不是簡單地越低越好，而是對應于半導體激光裝置所要求的 特性而進行選定。在高輸出的半導體激光裝置中，作為第一反射率控制 膜22的反射率選擇3%~7%左右的反射率，在需要抑制返回光的情況下 選擇7%~10%左右的反射率。此外，第二反射率控制膜23的反射率為 60%以上，優選為80%以上。如圖7所示，在端面9上形成第一和第二 反射率控制膜22、 23之后，通過將半導體激光條1分離成每個芯片、 即分離成各個半導體激光裝置本體20，得到半導體激光裝置21。
根據本實施方式的半導體激光裝置的制造方法，窗部5以氧化物和 氮化物中的至少一方形成的端面處理用夾具3固定半導體激光裝置本體 20,在從窗部5的窗口 4露出的半導體激光裝置本體20的端面9上形 成第一和第二反射率控制膜22、 23,因此，能夠防止金屬被引入形成于 半導體激光裝置本體20的端面9上的第一和第二反射率控制膜22、 23 中，從而能夠防止被引入的金屬導致的光吸收。由此，能夠防止半導體 激光裝置21的光學災變性損壞劣化，得到可靠性較高的半導體激光裝 置21。
(第二實施方式)
接著，對本發明的第二實施方式的端面處理用夾具和使用該夾具的 半導體激光裝置的制造方法進行說明。關于本實施方式的半導體激光條 的制造工序，因為與上述的第一實施方式相同，所以針對相對應的位置 標注相同的附圖標記，省略與第一實施方式共同的說明。
在第一實施方式中，對以氧化物或氮化物的材料構成端面處理用夾 具3的情況進行了說明，但氣化物和氮化物與金屬相比，存在難以加工 且制造成本上升的問題。因此，特別是形成有锪孔部6的保持夾具7優 選由金屬、例如不銹鋼(Stainless Used Steel:簡稱為SUS)構成。
本實施方式的端面處理用夾具32是考慮上述那樣的端面處理用夾具的加工性和成本后的結構，其構成為，在從第一或第二成膜方向u、
12在半導體激光條1的端面上形成反射率控制膜的情況下，在反射率控 制膜附著的位置上，將由氣化物或氮化物的材料構成的遮蓋夾具安裝在 圖1~圖4所示的第一實施方式的端面處理用夾具3上。即，本實施方式 的端面處理用夾具32構成為包括與第一實施方式的端面處理用夾具3 為相同的結構的夾具本體31、以及第一和第二遮蓋夾具25、 28。
圖8是表示端面處理用夾具32所具備的第一遮蓋夾具25的立體圖。 圖9是表示將第一和第二遮蓋夾具25、 28安裝在保持夾具29和固定夾 具30上的狀態的立體圖。圖IO是從圖9的截面線X-X看到的截面圖。
在本實施方式中，夾具本體31雖然與上述的第一實施方式的端面 處理用夾具3同樣地構成，但是構成夾具本體31的保持夾具29和固定 夾具30由金屬構成。第一和第二遮蓋夾具25、 28形成為從其厚度方向 的一方看時為大致正方形框狀。第一和第二遮蓋夾具25、 28整體的大 小被制作為大于與第一實施方式的端面處理用夾具3相當的夾具本體 31，并且窗口 26被制作成與夾具本體31的窗口 4相同或小于該窗口 4。 如圖9所示，第一和第二遮蓋夾具25、 28僅遮蓋夾具本體31,沒有必 要保持半導體激光條1和隔板2，因此只需在板上開孔這樣程度的加工 即可完成。因此，通過包含第一和第二遮蓋夾具25、 28而構成端面處 理用夾具32,能夠消除上述的難以加工的問題和制造成本增大的問題。
第一和第二遮蓋夾具25、 28由氧化物和氮化物中的至少一方構成。 由此，假設即使保持夾具29和固定夾具30由金屬、例如SUS構成，在 從預定的第一成膜方向11或與第一成膜方向11相差180度的第二成膜 方向12使構成反射率控制膜的材料的粒子碰撞而形成反射率控制膜時， 反射率控制膜的材料不會附著在SUS上，能夠防止SUS被引入反射率 控制膜。如上所述，因為不會發生將SUS等金屬材料引入反射率控制膜 的情況，所以能夠得到可靠性高的半導體激光裝置。如第一實施方式中 所述那樣，第一和第二逡奉夾再25、 28的材料優選與形成于端面9上 的反射率控制膜22、 23為相同的材料。
在本實施方式中，因為保持夾具29和固定夾具30均由金屬構成， 所以以分別覆蓋保持夾具29和固定夾具30的方式設置兩個遮蓋夾具 25、 28。遮蓋夾具的數量不限定于兩個，按照構成保持夾具29和固定 夾具30的材料加以選擇。例如，在保持夾具29和固定夾具30中，僅固定夾具30由氧化物和氮化物中的至少一方構成的情況下，不需要覆 蓋固定夾具30的第一遮蓋夾具25，此外，在僅保持夾具29由氣化物和 氮化物中的至少一方構成的情況下，不需要覆蓋保持夾具29的第二遮 蓋夾具28。
根據本實施方式的端面處理用夾具，端面處理用夾具32構成為具 備夾具本體31和遮蓋夾具25、 28。半導體激光裝置本體20被夾具本體 31固定，半導體激光裝置本體20的端面9露出的窗口 26形成于覆蓋夾 具本體31的遮蓋夾具25、 28的窗部27。由此，因為能夠以與窗部27 不同的材料形成夾具本體31,所以能夠利用容易加工且價格低廉的材 料、例如金屬形成夾具本體31。此外，因為能夠使遮蓋夾具25、 28為 簡單的結構、例如以在板上開孔這樣程度的加工就能夠形成的結構，所 以能夠容易且廉價地制造遮蓋夾具25、 28。因此，與以氧化物和氮化物 中的至少一方形成端面處理用夾具32的整體的情況相比，能夠容易且 廉價地制造端面處理用夾具32。 (第三實施方式)
接著，對本發明的第三實施方式的端面處理用夾具和使用該夾具的 半導體激光裝置的制造方沬進行說明。因為本實施方式的半導體激光條 的制造工序和端面處理用'夾具與上述的第一實施方式相同，所以對相對 應的部位標注相同的附圖標記，省略與第 一 實施方式共同的說明。
在形成反射率控制膜時，構成反射率控制膜22、 23的材料不僅附 著在端面處理用夾具3上，還附著在隔板2上。因此，在隔板2為金屬 的情況下，通過反射率控制膜22、 23的材料附著在隔板2上，隔板2 被蝕刻，存在因蝕刻而從隔板2放出的金屬粒子被引入反射率控制膜 22、 23中的情況。
因此，在本實施方式中，，通過以氧化物和氮化物中的至少一方的材 料構成隔板2，能夠進一步降低金屬粒子被引入反射率控制膜22、 23中 的情況，能夠得到高可靠性的半導體激光裝置。
此外，如第一和第二實施方式中所述的那樣，隔板2的材料優選為 與形成于端面9上的反射率控制膜22、 23為相同的材料。
在本實施方式中，，也可以是與上述第二實施方式相同地在端面處理 用夾具3上安裝遮蓋夾具25、 28的結構。在采用這種結構的情況下， 能夠得到與上述的第二實施方式相同的效果。根據本實施方式的半導體激光裝置的制造方法，在通過窗部5是由 氧化物和氮化物中的至少一方構成的端面處理用夾具3固定多個半導體 激光裝置本體20時，在相鄰的兩個半導體激光裝置本體20之間插入由 氧化物和氮化物中的至少一方構成66隔板2。在此狀態下，在從形成于 端面處理用夾具3的窗部5的窗口 4露出的各半導體激光裝置本體20 的端面9上形成反射率控制膜22、 23。
因為端面處理用夾具3的窗部5和隔板2由氧化物和氮化物中的至 少一方構成，所以與窗部5和隔板2由金屬構成的情況不同，即使因蝕 刻而放出出窗部5和隔板2的材料，也能夠防止金屬被引入反射率控制 膜22、 23中，從而能夠防止被引入的金屬導致的光吸收。特別是在本 實施方式中，因為不僅窗部5，隔板2也由氧化物和氮化物中的至少一 方形成，所以能夠確實地防止金屬被引入反射率控制膜22、 23中。從 而，能夠更確實地防止半導體激光裝置的光學災變性損壞劣化，并得到 高可靠性的半導體激光裝置。
權利要求
1. 一種端面處理用夾具，是為了在半導體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜并制造半導體激光裝置而固定半導體激光裝置本體的端面處理用夾具，其特征在于，具有窗部，該窗部形成有露出半導體激光裝置本體的端面的窗口，至少窗部是由氧化物和氮化物中的至少一方構成。
2. 如權利要求1所述的端面處理用夾具，其特征在于，具備 固定半導體激光裝置本體的夾具本體；以及 具有所述窗部并覆蓋所述夾具本體的遮蓋夾具。
3. —種半導體激光裝置的制造方法，其特征在于，具備如下工序'. 利用權利要求1或2所述的端面處理用夾具固定半導體激光裝置本體，在從所述端面處理用夾具的窗口露出的半導體激光裝置本體的端 面上形成反射率控制膜的。
4. 一種半導體激光裝置的制造方法，其特征在于，具備如下工序 以在相鄰的兩個半導體激光裝置本體之間插入隔板的方式配置多個半導體激光裝置本體，并且利用權利要求1或2所述的端面處理用夾 具進行固定， ，在從所述端面處理用夾具的窗口露出的各半導體激光裝置本體的 端面上形成反射率控制膜，其中，所述隔板由氧化特和氮化物中的至少一方構成。
全文摘要
本發明提供一種端面處理用夾具以及使用該夾具的半導體激光裝置的制造方法，該夾具能夠防止半導體激光裝置的光學災變性損壞劣化，并能夠在半導體激光裝置本體的端面上形成反射率控制膜。以氧化物和氮化物中的至少一方構成端面處理用夾具(3)的窗部(5)，以使得端面從窗部(5)的窗口(4)露出的方式固定半導體激光條(1)。在此狀態下，在半導體激光條(1)的端面(9)上形成反射率控制膜，制造半導體激光裝置。由此，因為能夠防止金屬被引入反射率控制膜中，從而防止被引入的金屬導致的光吸收，所以能夠防止半導體激光裝置的光學災變性損壞劣化，并能夠在半導體激光條(1)的端面(9)上形成反射率控制膜。
文檔編號H01S5/00GK101483316SQ20081018630
公開日2009年7月15日 申請日期2008年12月15日 優先權日2008年1月10日
發明者中川康幸 申請人:三菱電機株式會社