專利名稱：涂膠顯影設備的監測方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種涂膠顯影設備的監 測方法。
背景技術：
目前，在半導體器件的制造中，通常利用涂膠顯影設備(Automatic clean track, ACT )進行涂覆光刻膠和顯影。通常ACT設備具有晶片盒站、 涂膠單元、顯影單元以及機械手臂等。首先，ACT設備通過機械手臂將 晶片盒內的晶片取出放置到涂膠單元進行涂膠，之后將晶片放到曝光設 備進行曝光，曝光完成后再將晶片放置到顯影單元進行顯影，顯影結束 后將晶片放回晶片盒站。在2007年1月31日公開的，公開號為CN1904730A的中國專利申請 中，提供了 一種涂膠顯影設備(ACT ),該設備主要由涂膠單元(COT)、 顯影單元(DEV)、邊部曝光裝置(WEE)、工藝機器人、中間載體、 對中單元、盒站機器人、晶片盒站等部分組成的。在晶片加工的過程中，晶片通過盒站機器人從晶片盒傳送到對中單元 或中間載體，再由工藝機器人從對中單元或中間載體中取出后送到各工 藝單元，例如涂膠單元(COT)、顯影單元(DEV)、邊部曝光裝置(WEE); 經工藝處理后的晶片由工藝機器人傳送到對中單元或中間載體，再由盒 站機器人從對中單元或中間載體取出后送回到晶片盒。通常，ACTi殳備包括至少兩個對中單元，至少兩個中間載體，至少兩 個工藝機器人，每次經過工藝單元的加工之后，由相應的工藝機器人將 晶片放入相應的對中單元或中間載體。例如，在開始對晶片的加工時，1) 通過盒站機器人將晶片從晶片盒傳送到第 一 中間載體；2)通過涂膠工藝 機器人將晶片從第一中間載體傳送到涂膠單元進行涂膠；3)涂膠結束后 涂膠工藝機器人將晶片從涂膠單元傳送到第二中間載體；4)晶片再由后續工藝機器人從第二中間載體傳送到后續單元進行加工；5)在曝光結束 后，晶片被傳送回第三中間載體；6)通過顯影工藝機器人將晶片從第三 中間載體傳送到顯影單元進行顯影；9)顯影結束后，顯影工藝機器人將 晶片從顯影單元傳回到第二中間載體；10)通過涂膠工藝機器人將晶片 從第二中間載體傳回到第一中間載體；11)通過盒站機器人將晶片從第 一中間載體送回晶片盒。這樣就完成了晶片的掩^^莫圖形的加工。對具有掩模圖形的晶片進行測試時，發現如圖l所示，晶片表面具有 球狀顆粒，也就是球狀缺陷，在晶片進行后續的刻蝕、淀積或者離子注 入的過程中，所述球狀缺陷，會嚴重影響刻蝕和離子注入的深度以及淀 積的厚度，隨著晶片的特征尺寸越來越小，球狀缺陷使得晶片的報廢率 逐漸升高，因此使得晶片造成了大量的浪費。在現有技術中，通常在生產開始之前對ACT設備進行測試，測試晶片 表面的缺陷和刻蝕后的圖形的尺寸等，而在生產過程中沒有對ACT設備 的生產質量進行監測的方法。發明內容本發明提供了一種涂膠顯影設備的監測方法，通過該方法可以監測 涂膠顯影設備對晶片加工過程中帶來晶片球狀缺陷的情況。本發明提供的一種涂膠顯影設備的監測方法，該涂膠顯影設備包括 涂膠單元、中間單元和手臂傳送單元，其中手臂傳送單元包括手臂傳送 單元，該方法包括步驟將第一晶片傳送到中間單元，將第二晶片傳送 到涂膠單元，并對第二晶片進行涂膠操作；將第二晶片從涂膠單元取入 手臂傳送單元內；將第一晶片從中間單元取入手臂傳送單元內；對第一 晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶片表面的球狀顆粒的 數量大于監測值為不合格，否則為合格。可選的，還包括將手臂傳送單元內的第二晶片放入顯影單元顯影， 以及顯影之后放入中間單元烘焙。可選的，所述測試利用電子掃描顯孩史鏡或者光學顯孩i鏡測試。可選的，所述涂膠顯影設備為8寸或12寸的晶片的曝光顯影設備。 可選的，所述第一晶片和第二晶片包括測試晶片。 可選的，所述第一晶片和第二晶片還包括生產晶片。 可選的，所述第一晶片至少為4個；所述第二晶片至少為4個。 可選的，所述涂膠顯影設備還包括至少容納3個晶片盒的晶片存儲 單元。可選的，所述涂膠單元包括基臺，對正常生產的晶片涂膠時，基臺 的轉速為2000轉/秒-4000轉/秒，對第二晶片涂膠時，基臺的轉速大 于正常生產的晶片涂膠時的基臺轉速。可選的，所述將第一晶片傳送到中間單元之前還包括將第一晶片傳 送到顯影單元。與現有技術相比，上述技術方案具有以下優點上述技術方案可以在生產的同時對ACT設備進行監測，及時發現ACT 設備帶來的晶片球狀缺陷的情況，因此可以及時對ACT設備進行調整， 從而減少了對晶片的浪費，同時也減少了球形缺陷，提高了生產效率。
圖1為具有球狀缺陷的晶片示意圖； 圖2為 一種ACT設備的結構示意圖；圖3為本發明的涂膠顯影設備的監測方法一實施例的涂膠顯影設備 的監測方法流程圖；圖4為本發明的涂膠顯影設備的監測方法一實施例中的ACT設備 的結構示意圖；圖5為本發明的涂膠顯影設備的監測方法第一實施例的涂膠顯影設 備的監測方法流程圖；圖6為本發明的涂膠顯影設備的監測方法第二實施例的涂膠顯影設；圖7a為一種具有球狀缺陷的晶片示意圖；圖7b為一種具有合格范圍內的球狀缺陷的晶片示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結 合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明，使本發明的上述及其 它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示 相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。 在附圖中，為清楚明了，放大了層和區域的厚度。為了清楚，在下面的描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為 它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例 的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照 有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外， 應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術 人員來說僅僅是常規工作。如圖2所示的一種ACT設備的結構示意圖。ACT設備包括晶片存儲單 元201、涂膠單元202、顯影單元203、中間單元204、手臂傳送單元205。 其中，手臂傳送單元205包括傳送空間和手臂。通常利用ACT設備對晶片進行涂膠顯影過程為1 )手臂將晶片從晶 片存儲單元201取入傳送空間，然后傳送到中間單元204; 2)手臂將晶片 從中間單元204取入傳送空間，然后傳送到涂膠單元202進行涂膠；3)手 臂將涂膠完成的晶片從涂膠單元202取入傳送空間，然后傳送到中間單元 204; 4)手臂將晶片從中間單元204取入傳送空間，然后傳送到后續單元 進行相關操作，例如曝光設備進行曝光；6)后續操作完成之后晶片被放 回中間單元204; 7)手臂將晶片從中間單元204取入傳送空間，然后傳送 到顯影單元203進行顯影；8 )手臂將顯影完成的晶片從顯影單元203取入7傳送空間，然后傳送到中間單元204; 9)手臂將晶片從中間單元204取入 傳送空間，然后傳送到晶片存儲單元201。發明人經過研究認為，1) ACT設備采用流水做業，也就是每個工藝 單元在做完一個晶片將該晶片傳遞給下一單元之后，繼續對下一個晶片 進行操作，并不是一個晶片完全加工完成之后，再從晶片存儲單元201取 另一個晶片進行上述步驟的操作，并且中間單元204、涂膠單元202之間 都是通過手臂傳送單元205進行晶片的傳送，也就是說在對晶片完成涂膠 之后，手臂傳送單元205內的手臂將晶片取入傳送空間，傳輸給中間單元 204。之后手臂傳送單元205內的手臂還要將顯影完成的另 一個晶片從中 間單元204耳又入傳送空間，傳輸給中間單元204。2 )在涂膠單元202對晶片進行涂膠的過程會產生大量的薄霧和粉塵， 這是由于在旋轉涂敷光刻膠時，光刻膠的顆粒會揮發或者濺射到涂膠單 元202的空間內。由于上述原因，使得在手臂傳送單元205內的手臂將后一次進行加工 的晶片從涂膠單元202取入手臂傳送單元205時，涂膠單元202內的光刻膠 的顆粒也被帶入手臂傳送單元205內。在手臂傳送單元205內的手臂將顯 影完成的前一次的晶片從中間單元204取入手臂傳送單元205內時，手臂 傳送單元205內的光刻膠顆粒就落在前一次的晶片表面，形成球狀缺陷。針對上述情況本發明提供了 一種涂膠顯影設備的監測方法，本發明的 技術方案通過在生產過程中插入一批測試用的晶片，只進行在取入中間 單元204的時候沾染球狀顆粒，然后測試該批晶片的球狀缺陷，判斷是否 合格，因此利用生產過程的部分步驟實現了球狀缺陷的監控，并且不影 響正常的生產。基于圖2所示的ACT設備的監控方法包括圖3所示的下列步驟A101:手臂傳送單元205內的手臂將第一晶片傳送到中間單元204; 手臂傳送單元205內的手臂將第二晶片傳送到涂膠單元202，并對第二晶 片進行涂膠操作；
A102:手臂傳送單元205內的手臂將第二晶片從涂膠單元202取入手 臂傳送單元205的傳送空間；
A103:手臂傳送單元205內的手臂將第一晶片從中間單元取入手臂傳 送單元205的傳送空間；
A104:對第一晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶片 表面的球狀顆粒的數量大于監測值為不合格，否則為合格。其中監測值 為晶片表面允許的球狀顆粒的數量，也就是不影響晶片下一步生產，例 如刻蝕或者離子注入的球狀顆粒的數量。監測值也可以根據生產需要人 為的設定。
其中，還包括將手臂傳送單元內的第二晶片力丈入顯影單元顯影，以 及顯影之后放入中間單元烘焙。
所述測試可以是利用電子掃描顯微鏡或者光學顯微鏡測試。
所述涂膠顯影設備可以為8寸或12寸的晶片的曝光顯影設備。
所述第一晶片和第二晶片可以包括測試晶片。
所述第一晶片和第二晶片還可以包括生產晶片。
所述第一晶片可以至少為4個；所述第二晶片可以至少為4個。
所述涂膠顯影i殳備還可以包括至少容納3個晶片盒的晶片存儲單元
201。
所述涂膠單元202還包括基臺，對正常生產的晶片涂膠時，基臺的 轉速為2000轉/秒-4000轉/秒，對第二晶片涂膠時，基臺的轉速大于 正常生產的晶片涂膠時的基臺轉速。因為提高了測試時的基臺轉速，因 此使涂膠的過程產生更多的球狀顆粒，便于更精確的測試球狀顆粒的數 量是否合格。
所述將第 一晶片傳送到中間單元204之前還可以包括將第 一晶片傳送到顯影單元203。
因為上述技術方案可以在生產的同時對ACT設備進行監測，及時發現 ACT設備帶來的晶片球狀缺陷的情況，因此可以及時對ACT設備進行調 整，從而減少了對晶片的浪費，同時也減少了球形缺陷，提高了生產效率。
下面結合圖4和圖5對本發明的涂膠顯影設備的監測方法的第一實 施例在ACT設備對生產晶片的加工過程中的應用，對上述方案進行詳 細說明。
如圖5所示，ACT設備包括晶片存儲單元401、涂膠單元402、顯影單 元403、中間單元、手臂傳送單元。其中，中間單元包括第一中間單元 404、第二中間單元405、第三中間單元406;手臂傳送單元包括第一手 臂傳送單元407、第二手臂傳送單元408、第三手臂傳送單元409。每個手 臂傳送單元還包括傳送空間和手臂，例如第一手臂傳送單元407包括第 一傳送空間和第一手臂、第二手臂傳送單元408包括第二傳送空間和第二 手臂，第三手臂傳送單元409包括第三傳送空間和第三手臂。
其中，晶片存儲空間用來盛放裝有晶片的晶片盒，通常晶片存儲空間 可以容納至少2個晶片盒，每個晶片盒可以盛放25片晶片。本實施例晶片 存儲空間可以容納4個晶片盒。
涂膠單元402用來對晶片以旋轉方式涂光刻膠，為了提高效率通常 ACT設備具有至少2個涂膠單元402。本實施例的ACT設備包括2個涂膠單 元402。
ACT設備還可以包括邊部曝光單元，用來在晶片曝光之后，再對晶片 邊部的光刻"交曝光。
第一中間單元404、第一中間單元404、第三中間單元406是由具有不 同配置的烘爐單元組成。每個烘爐單元內分別由冷盤裝置、熱盤裝置、 超熱盤裝置、對中裝置、增粘裝置等疊加組成，也是根據具體情況進行不同配置。用來對晶片進行涂膠、曝光、顯影之后對晶片上的圖形進行 定形等作用。
顯影單元403用來對晶片進行顯影，形成掩模圖形。 步驟包括
Sl:向晶片存儲單元401放入裝有晶片的晶片盒。其中，第一個晶片 盒和第二晶片盒中裝有的正常生產的生產晶片，第三個晶片盒和第四個
晶片盒中分別裝有至少4片測試用的測試晶片或者生產晶片，所述測試晶 片是指成本比較低的測試用的樣片，生產晶片是指大到正常生產要求的 晶片。其中，第三晶片盒中為第一晶片，第四晶片盒中為第二晶片。
S2:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第一晶片盒和第二晶片盒 內的生產晶片從晶片盒逐個取入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間， 并傳送到第二中間單元405 ，在第二中間單元405的對中裝置中進行對中， 之后從對中裝置取出，再送到增粘裝置中進行增粘處理，之后送到冷盤 裝置冷卻處理；
S3:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第 一晶片盒和第二晶片盒 內的生產晶片從第二中間單元405取入第 一手臂傳送單元407的第 一傳送 空間，并傳送到涂膠單元402,并進行涂膠操作；所述涂膠操作采用旋轉 涂敷方式。例如采用先將晶片放置在可以繞中心軸，在水平方向旋轉的 基臺上，先在晶片上滴一定量的光刻膠，然后瞬間快速旋轉，使光刻膠 均勻覆蓋在晶片上。通常基臺的旋轉速度為2000 - 4000轉/秒。
S4:在涂膠完成后，第一手臂傳送單元407內的第一手臂將第一晶片 盒和第二晶片盒內的生產晶片從涂膠單元402取入第一手臂傳送單元407 的第一傳送空間，傳送到第一中間單元404,在第一中間單元404的超熱 盤裝置內進行后烘處理；
S5:第三手臂傳送單元409內的第三手臂將第一晶片盒和第二晶片盒 內的生產晶片從第 一 中間單元404取入第三手臂傳送單元409的第三傳送
ii空間，然后傳送到后續單元進行相關操作，例如曝光設備進行曝光，邊
部曝光單元進行邊部曝光；
S6:第 一晶片盒和第二晶片盒內的生產晶片被放回第三中間單元406 進行曝光后的烘焙等操作；
S7:第三手臂傳送單元409內的第三手臂，將第一晶片盒和第二晶片 盒內的生產晶片從第三中間單元406取入第 一手臂傳送單元407的第 一傳 送空間，然后傳送到顯影單元403進行顯影；
S8:第三手臂傳送單元409內的第三手臂，將顯影完成的第一晶片盒 和第二晶片盒內的生產晶片從顯影單元403取入第三手臂傳送單元409的 第三傳送空間，然后傳送到第一中間單元404;
S9:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第 一晶片盒和第二晶片盒 內的生產晶片從第 一中間單元404取入第 一手臂傳送單元407的第 一傳送 空間，然后傳送到第二中間單元405;
S10:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第一晶片盒和第二晶片 盒內的生產晶片從第二中間單元405取入第二手臂傳送單元408的第二傳 送空間，然后傳送到晶片盒；
完成涂膠顯影的操作在生產晶片上形成掩才莫圖形。
上述為ACT對生產晶片的加工過程，涂膠顯影設備的監測步驟包括
Sl 1:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第 一晶片和第二晶片耳又 入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間，并傳送到第二中間單元405 ， 在第二中間單元405內不做任何操作；
S12:第一手臂傳送單元407的第一手臂將第 一晶片取入第一手臂傳 送單元407的第一傳送空間，并傳送到第一中間單元404，在第一中間單 元404內不估支任何操作。S13:第一手臂傳送單元407的第一手臂將第一晶片取入第一手臂傳 送單元407的第一傳送空間，并傳送到顯影單元403，在顯影單元403內不 做任何操作。
S14:第一手臂傳送單元407的第一手臂將第一晶片取入第一手臂傳 送單元407的第一傳送空間，并傳送到第一中間單元404，在第一中間單 元404內不做任何操作。
S15:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第二晶片從第 一 中間單 元404傳送到涂膠單元402,并進行涂膠操作，在此操作過程中將基臺的 轉速設置為最高轉速，轉速越高涂膠過程產生的光刻膠揮發顆粒就越多， 這樣可以增大球狀缺陷的產生幾率，使監測更靈敏，例如設置基臺轉速 大于正常生產的晶片涂膠時的基臺轉速，例如正常生產的晶片涂膠時基 臺轉速為4000轉/秒，則第二晶片涂膠時基臺轉速為5000轉/秒。
上述對第 一晶片和第二晶片的操作中可以先對第 一晶片進行相關操 作，也可以先對第二晶片進行相關操作，第一晶片和第二晶片的操作沒 有順序關系。
S16:第一手臂傳送單元407內的第一手臂將第二晶片從涂膠單元402 取入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間，這個步驟中會有光刻膠顆粒 被帶入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間內，然后把第二晶片傳送到 第 一 中間單元404或者第 一 中間單元404;
S17:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第 一晶片從第 一 中間單 元404取入第 一手臂傳送單元407的第 一傳送空間，使第 一測試晶片表面 落上光刻膠的顆粒，然后把第一測試晶片傳送到第 一中間單元404;
S18:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第 一 晶片從第 一 中間單 元404取入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間，并傳送到晶片盒；
S19:對第一測試晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶 片表面的球狀顆粒的數量大于監測值為不合格，否則為合格。其中監測值為晶片表面允許的球狀顆粒的數量，也就是不影響晶片下一步生產，例如刻蝕或者離子注入步驟中允許的晶片表面的球狀顆粒的數量。
通過判斷晶片表面的球狀顆粒是否合格，從而可以監測ACT設備是否滿足生產的要求，如果不能滿足，則可以通過調整ACT設備的參數或者其它維修手段對ACT設備進行調整，使其滿足要求。
上述實施例中，可以在第一晶片盒中》丈入第一晶片，以及在第二晶片
盒中放入第二晶片；同時也可以將第一晶片和第二晶片放入同一個晶片合
JUL 。
上述實施例中，可以在生產過程中的至少一片生產晶片加工之后插入上述監測步驟。
第一晶片可以至少包括4片，第二晶片可以至少包括4片。
在上述過程中可以不包括步驟13)和步驟14)。
本實施例中，第一晶片和第二晶片還包括測試晶片和生產晶片，除此之外，第一晶片和第二晶片也可以只是測試晶片，測試晶片是指用于測試的成本較低的樣片，其不能滿足生產的需要但是可以用來進行測試，因此利用測試晶片進行測試可以節省成本。
上述步驟中，對第 一晶片和第二晶片的操作步驟與對生產用的第 一晶片盒和第二晶片盒內的生產晶片操作的相應步驟的時間間隔相同，例如第 一片生產晶片顯影完之后被取入第 一手臂傳送單元407的時間和第二片生產晶片涂膠之后被取入第 一手臂傳送單元407的時間差為S,則第一片第 一晶片被從第 一 中間單元404取回第一手臂傳送單元的時間和第二片第二晶片被耳又入第一手臂傳送單元的時間差也為S。
下面結合圖4和圖6對本發明的涂膠顯影設備的監測方法的第二實施例在ACT設備對生產晶片的加工過程中的應用，對上述方案進行詳細說明。
第二實施例和第一實施例中的ACT設備相同。步驟包括
HI:向晶片存儲單元401放入裝有晶片的晶片盒。其中，第一個晶片盒裝有至少4片測試用的測試晶片，第二個晶片盒中裝有的正常生產的生產晶片，其中，第一晶片盒中為第一晶片，第二晶片盒中為第二晶片。
H2:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第二晶片盒的第二晶片從晶片盒逐個取入第二手臂傳送單元408的第 一傳送空間，并傳送到第二中間單元405，在第二中間單元405的對中裝置中進行對中，之后vMv對中裝置取出，再送到增粘裝置中進行增粘處理，之后送到冷盤裝置冷卻處理；
H3:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將所述第二晶片從第二中間單元405取入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間，并傳送到涂膠單元402,并進行涂膠操作；旋轉涂膠的過程中有光刻膠的顆粒或者霧狀的光刻膠揮發在涂膠單元402的空腔內。
H4:在涂膠完成后，第一手臂傳送單元407內的第一手臂將所述第二晶片從涂膠單元402取入第 一手臂傳送單元407的第 一傳送空間，傳送到第一中間單元404，在第一中間單元404的超熱盤裝置內進行后烘處理；
H5:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第 一晶片取入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間，并傳送到第二中間單元405,在第二中間單元405內不估文任何才喿作；
H6:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第 一晶片^v第二中間單元405取入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間，使第一測i&晶片表面落上光刻膠的顆粒，然后把第 一測試晶片傳送到第 一中間單元404;
H7:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第 一晶片從第 一中間單元404取入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間，并傳送到晶片盒；
H8:對第一測試晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶片表面的球狀顆粒的數量大于監測值為不合格，否則為合格。其中監測
15值為晶片表面允許的球狀顆粒的數量，也就是不影響晶片下一步生產，例如刻蝕或者離子注入的球狀顆粒的數量。
H9:第三手臂傳送單元409內的第三手臂將所述第二晶片從第 一中間單元404取入第三手臂傳送單元409的第三傳送空間，然后傳送到后續單元進行相關梯:作，例如曝光設備進行曝光，邊部曝光單元進行邊部曝光；
H10:第二晶片被放回第三中間單元406進行曝光后的烘焙等梯:作；
Hll:第三手臂傳送單元409內的第三手臂，將第二晶片從第三中間單元406取入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間，然后傳送到顯影單元403進行顯影；
H12:第三手臂傳送單元409內的第三手臂，將顯影完成的第二晶片從顯影單元403取入第三手臂傳送單元409的第三傳送空間，然后傳送到第一中間單元404;
Hl3:第 一手臂傳送單元407內的第 一手臂將第二晶片>^人第 一 中間單元404取入第一手臂傳送單元407的第一傳送空間，然后傳送到第二中間單元405;
H14:第二手臂傳送單元408內的第二手臂將第二晶片從第二中間單元405取入第二手臂傳送單元408的第二傳送空間，然后傳送到晶片盒；
上述步驟中，在保證步驟4)位于步驟6)之前的情況下，其它步驟可以任意調換順序。
上述實施例中所述第 一 晶片可以至少為4個；所述第二晶片可以至少為4個。本發明的涂膠顯影設備的監測方法適用于8寸或12寸的晶片的涂膠顯影設備。
圖7a是采用本發明的監測方法監測到的具有球狀缺陷的晶片，圖7b是具有合格范圍內的球狀缺陷數量的晶片，也就是具有監測值范圍內的球狀缺陷數量的晶片，圖7a和圖7b中所示的黑點為球狀缺陷。比較圖7a和圖7b,就得到了涂膠顯影設備帶來的球狀缺陷的數量。當球狀缺陷的數量超過合格率，也就是大于監測值，那么就對涂膠顯影設備進行參數調整。
在以上的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是以上描述僅是本發明的較佳實施例而已，本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發明不受上面公開的具體實施的限制。同時任何熟悉本領域技術人員在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1、一種涂膠顯影設備的監測方法，其特征在于，該方法包括步驟將第一晶片傳送到中間單元，將第二晶片傳送到涂膠單元，并對第二晶片進行涂膠操作；將第二晶片從涂膠單元取入手臂傳送單元內；將第一晶片從中間單元取入手臂傳送單元內；對第一晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶片表面的球狀顆粒的數量大于監測值為不合格，否則為合格。
2、 如權利要求1所述的監測方法，其特征在于，還包括將手臂傳 送單元內的第二晶片放入顯影單元顯影，以及顯影之后放入中間單元烘焙。
3、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述測試利用電 子掃描顯微鏡或者光學顯孩t鏡測試。
4、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述涂膠顯影設 備為8寸或12寸的晶片的涂膠顯影設備。
5、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述第一晶片和 第二晶片包括測試晶片。
6、 如權利要求5所述的監測方法，其特征在于，所述第一晶片和 第二晶片還包括生產晶片。
7、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述第一晶片至 少為4個；所述第二晶片至少為4個。
8、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述涂膠顯影設 備還包括至少容納3個晶片盒的晶片存儲單元。
9、 如權利要求8所述的監測方法，其特征在于，所述涂膠單元包 括基臺，對正常生產的晶片涂膠時，基臺的轉速為2000轉/秒_ 4000轉 /秒，對第二晶片涂膠時，基臺的轉速大于正常生產的晶片涂膠時的基臺轉速。
10、 如權利要求2所述的監測方法，其特征在于，所述將第一晶片傳送到中間單元之前還包括將第一晶片傳送到顯影單元。
全文摘要
本發明公開了一種涂膠顯影設備的監測方法，該涂膠顯影設備包括涂膠單元、中間單元和手臂傳送單元，其中手臂傳送單元包括手臂傳送單元，該方法包括步驟將第一晶片傳送到中間單元，將第二晶片傳送到涂膠單元，并對第二晶片進行涂膠操作；將第二晶片從涂膠單元取入手臂傳送單元內；將第一晶片從中間單元取入手臂傳送單元內；對第一晶片進行測試，根據測試結果進行判斷，當第一晶片表面的球狀顆粒的數量大于監測值為不合格，否則為合格。本發明的技術方案可以及時發現涂膠顯影設備帶來的晶片球狀缺陷的情況，因此可以及時對涂膠顯影設備進行調整，從而減少了對晶片的浪費，同時也減少了球形缺陷，提高了生產效率。
文檔編號H01L21/02GK101593668SQ20081011366
公開日2009年12月2日 申請日期2008年5月29日 優先權日2008年5月29日
發明者張建峰 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司