專利名稱：Tft-lcd陣列基板和彩膜基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示裝置的制造方法，特別是一種基于MVA模式的 TFT-LCD陣列基板和彩膜基板的制造方法。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低 等特點，在當前的平板顯示裝置市場占據了主導地位。隨著TFT-LCD應用領 域的逐漸擴展，現有技術提出了一種適用于大屏幕顯示的基于MVA模式的 TFT—LCD。畫素分割垂直配向(Multi—Domain Vertical Alignment,簡稱 MVA)模式是一種具有高對比度、快速響應和寬視角等優點的顯示裝置，可以 使大屏幕顯示裝置具有更好的畫面品質。
圖19為現有技術基于MVA模式的TFT-LCD的截面圖，取自于顯示區域， 圖20為圖19結構中陣列基4反的平面圖。如圖19和圖20所示，TFT-LCD由 陣列基板、彩膜基板以及處于二者之間的液晶層構成。陣列基板包括形成在 基板上的陣列結構層10,陣列結構層10內形成有數條橫向的柵線1和數條 縱向的數據線2，柵線1和數據線2的相交處形成薄膜晶體管(TFT) 3，且 限定了數個像素區域，每個像素區域內形成有像素電極4。陣列結構層10的 像素電極4上形成有一系列陣列凸起13，最后由一層陣列取向膜14覆蓋在 像素電極4和一系列陣列凸起13上。彩膜基板包括形成在基板上的彩膜結構 層20，彩膜結構層20內形成有黑矩陣、彩色樹脂(包括紅色樹脂、綠色樹 脂和藍色樹脂)和與陣列基板上像素電極4相對應的公共電極5。彩膜結構 層20的公共電極5上同樣形成有一系列彩膜凸起23,最后由一層彩膜取向膜24覆蓋在公共電極5和一系列彩膜凸起23上。陣列凸起13和彩膜凸起 23用于控制液晶的排布方向，凸起的斜坡可以使液晶分子形成多疇，這種排 布技術稱為自動疇形成技術(Automatic Domain Formation,簡稱ADF) 。 P車 列凸起13和彩膜凸起23通過改變液晶的預傾角可以使液晶形成多疇，凸起 的橫截面一般為三角形，對于靠近凸起側壁的液晶分子來說，無論加電與否， 凸起側壁的傾角都可以使液晶分子朝理想方向傾斜，對遠離凸起側壁的液晶 分子來說，只有在加電后，凸起側壁的傾角和側面的電場才可以使液晶分子 向理想方向偏轉。如圖19所示，未加電時，液晶分子6的長軸垂直于陣列基 板和彩膜基板，只有在靠近陣列基板上的陣列凸起13和彩膜基板上的彩膜凸 起23的液晶分子6略有傾斜，光線此時無法穿過上下兩片偏振片。當加電后， 陣列基板上的陣列凸起13和彩膜基板上的彩膜凸起23附近的液晶分子迅速 帶動其他液晶分子轉動到垂直于凸起表面的狀態，即分子長軸傾斜于屏幕， 使透射率上升從而實現光線調制。
目前，在現有技術基于MVA模式的TFT-LCD生產工藝中，陣列基板上形 成像素電極和陣列凸起是在二個光刻、刻蝕、剝離和清洗等工序中形成的， 彩膜基板上形成公共電極和彩膜凸起也是在二個光刻、刻蝕、剝離和清洗工 序中形成，生產工序多，時間長，很大程度上降低了 TFT-LCD的生產效率。
發明內容
本發明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板和彩膜基板的制造方法，陣 列基板和彩膜基板上的凸起由 一 次構圖工藝完成，提高生產效率。
為了實現上述目的，本發明提供了一種TFT-LCD陣列基板的制造方法， 包括
步驟ll、在基板上形成具有柵電極、源電極、漏電極和鈍化層的陣列結 構層；
步驟12、在所述陣列結構層上依次沉積像素電極層和有機層，并涂布一層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝， 在所述陣列結構層上形成像素電極圖形和位于所述像素電極上由所述有機層 形成的陣列凸起。
所述步驟11具體為
步驟111、在基板上沉積一層柵金屬層，通過構圖工藝形成柵電極和柵 線圖形；
步驟112、在完成步驟111的基板上連續沉積柵絕緣層和有源層，通過 構圖工藝形成有源層圖形；
步驟113、在完成步驟112的基板上沉積一層金屬薄膜，通過構圖工藝 形成數據線、源電極和漏電極圖形；
步驟114、在完成步驟113的基板上沉積一層鈍化層，通過構圖工藝在 所述漏電極上方形成鈍化層過孔。
所述步驟12具體為
步驟121、在所述陣列結構層上依次沉積一層用于形成像素電極的像素 電極層和一層用于形成陣列凸起的有機層；
步驟122、在所述有機層上涂布一層光刻膠；
步驟123、釆用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影，
形成未曝光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌以及完全曝光區域；
步驟124、通過第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和像素
電極層，形成有機層和像素電極層圖形；
步驟125、通過第一次灰化工藝去掉除未曝光光刻膠形貌以外的光刻膠； 步驟126、通過第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區域的有機
層，形成橫截面為梯形的凸起圖形；
步驟127、通過第二次灰化工藝灰化掉剩余的光刻膠。
為了實現上述目的，本發明還提供了一種TFT-LCD彩膜基板的制造方法，
包括步驟21 、在基板上形成具有黑矩陣圖形和彩色樹脂圖形的彩膜結構層； 步驟22、在所述彩膜結構層上依次沉積公共電極層和有機層，并涂布一 層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝， 在所述彩膜結構層上形成公共電極圖形和位于所述公共電極上由所述有機層 形成的彩膜凸起。
所述步驟21可以為在基板上沉積一層黑矩陣層，通過構圖工藝形成黑 矩陣圖形；在完成上述步驟的基板上形成紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂圖 形。所述步驟21也可以為在基板上形成紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂圖 形；在完成上述步驟的基板上沉積一層黑矩陣層，通過構圖工藝形成黑矩陣 圖形。
所述步驟22具體為
步驟221、在所述彩膜結構層上依次沉積一層用于形成公共電極的公共 電極層和一層用于形成彩膜凸起的有機層；
步驟222、在所述有機層上涂布一層光刻膠；
步驟223、采用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影， 形成未曝光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌以及完全曝光區域；
步驟224、通過第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和公共 電極層，形成有機層和公共電極層圖形；
步驟225、通過第一次灰化工藝去掉除未曝光光刻膠形貌以外的光刻月交； 步驟226、通過第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區域的有機 層，形成橫截面為梯形的凸起圖形；
步驟227、通過第二次灰化工藝灰化掉剩余的光刻膠。 本發明提出了一種基于MVA模式的TFT-LCD陣列基板的制造方法，通過 采用灰色調或半色調掩模板，將現有技術形成像素電極和陣列凸起的二道構 圖工藝整合為一道構圖工藝，在提高生產效率的同時，保證了 TFT-LCD陣列 基板的產品特性。同時，本發明還提出了一種基于MVA模式的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，通過采用灰色調或半色調掩模板，將現有技術形成公共電 極和彩膜凸起的二道構圖工藝整合為 一道構圖工藝，在提高生產效率的同時，
保證了 TFT-LCD彩膜基板的產品特性。
下面通過附圖和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。
圖1為本發明TFT-LCD陣列基板的制造方法的流程圖； 圖2為本發明陣列基板的制造方法中形成像素電極層、有機層和光刻膠 后的示意圖3為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中曝光顯影工藝后的示
意圖4為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第一次刻蝕后的示意圖； 圖5為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第一次光刻膠灰化后 的示意圖6為本發明陣列J^反的制造方法形成陣列凸起中第二次刻蝕后的示意圖； 圖7為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第二次光刻膠灰化后 的示意圖8為本發明陣列_|^反的制造方法形成陣列凸起中整形工藝后的示意圖； 圖9為本發明TFT-LCD彩膜基板的制造方法的流程圖； 圖10為本發明彩膜基板的制造方法中形成公共電極層、有機層和光刻膠 后的示意圖11為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中曝光顯影工藝后的 示意圖12為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第一次刻蝕后的示
意圖13為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第一次光刻膠灰化后的示意圖14為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第二次刻蝕后的示
意圖15為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第二次光刻膠灰化 后的示意圖16為本發明彩^i^反的制造方法形成陣列凸起中整形工藝后的示意圖； 圖17為本發明曝光工藝中使用的半色調掩模板的結構示意圖； 圖18為本發明曝光工藝中使用的灰色調掩模板的結構示意圖； 圖19為現有技術基于MVA模式的TFT-LCD的截面圖； 圖20為圖19結構中陣列基板的平面圖。 附圖標記"i兌明
l一柵線；
4一像素電極；
IO—陣列結構層；
13—陣列凸起；
22 —凸起圖形；
40—光刻膠；
50—石英基板；
50c—完全透光區域,
2—數據線；
5—公共電極；
ll一像素電極層；
20—彩膜結構層；
23—彩膜凸起；
40a—未曝ibb^膠形貌
50a—不透光區i或；
3—薄膜晶體管； 6—液晶分子； 12—凸起圖形； 21—公共電極層； 30—有機層；
50b—半透光區域；
具體實施例方式
圖1為本發明TFT-LCD陣列基板的制造方法的流程圖，具體為 步驟ll、在基板上形成具有柵電極、源電極、漏電極和鈍化層的陣列結 構層；
步驟12、在所述陣列結構層上依次沉積像素電極層和有機層，并涂布一 層光刻膠；采用灰色調或半色調掩4莫板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝，在所述陣列結構層上形成像素電極圖形和位于所述像素電極上由所述有機層 形成的陣列凸起。
本發明提供了一種基于MVA模式的TFT-LCD陣列基板的制造方法，通過 采用灰色調或半色調掩模板，將現有技術形成像素電極和陣列凸起的二道構 圖工藝整合為一道構圖工藝，在提高生產效率的同時，仍保證了 TFT-LCD陣 列基板的產品特性。本發明所稱的構圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、 刻蝕等工藝。
步驟ll具體為首先，采用濺射或熱蒸發的方法，在基板(如玻璃基板 或石英基板)上沉積一層厚度為1000A- 7000 A的柵金屬層，采用柵電極掩 模板通過構圖工藝對柵金屬層進行刻蝕，在基板的一定區域上形成柵電極和 柵線圖形，同時形成的還可以有公共電極線或擋光條圖形。之后，利用化學 汽相沉積法在基板上連續淀積厚度為1000A~ 6000A的柵絕緣層和厚度為 1000A~ 6000A的有源層，有源層包括半導體層(如非晶硅層)和摻雜半導體 層(如摻雜非晶硅層)，采用有源層掩模板進行曝光后對有源層進行刻蝕， 形成有源層圖形，即硅孤島，而柵金屬層和有源層之間的柵絕緣層可以起到 阻擋刻蝕的作用。接下來，采用和制備柵電極和柵線類似的方法，在基板上 淀積一層類似于柵金屬層的厚度為100()A 700()A金屬薄膜，采用源漏極掩 模板在一定區域上形成數據線、源電極和漏電極，源電極和漏電極分別與有 源層的兩端相接觸，形成TFT溝道。隨后，在整個基板上沉積一層厚度為 1000A 6000人的鈍化層，采用鈍化層掩模板通過曝光和刻蝕工藝，在漏電極 位置形成鈍化層過孔，鈍化層過孔暴露出漏電極，形成本發明陣列結構層。
圖2為本發明陣列基板的制造方法中形成像素電極層、有機層和光刻膠 后的示意圖。在陣列結構層IO上依次沉積一層用于形成像素電極的像素電極 層(金屬氧化物薄膜)11和一層用于形成陣列凸起的有機層30,隨后涂布一 層用于曝光的光刻膠40，如圖2所示。本實施例中，光刻膠40的厚度優選 為ljum 10jum。圖3為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中曝光顯影工藝后的示 意圖。采用灰色調或半色調掩模板對光刻膠40進行曝光，使光刻膠40形成 未曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域，顯影后，使未曝光區域的光刻 膠得以保留，形成未曝光光刻膠形貌40a，部分曝光區域的光刻膠被部分去 掉，形成部分曝光光刻膠形貌40b,完全曝光區域的光刻膠被完全去掉，如 圖3所示。本實施例中，當光刻膠40的厚度為ljam 10jLim時，灰色調或半 色調掩4莫板中部分曝光區域的透過率優選為10°/。- 50%。
圖4為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第一次刻蝕后的示意 圖。通過刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層30和像素電極層11,形 成有機層和像素電極層圖形，如圖4所示。本步驟中，可以采用先干刻有機 層、后濕刻像素電極層的刻蝕工藝，也可以全部干刻的刻蝕工藝。
圖5為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第一次光刻膠灰化后 的示意圖。通過灰化工藝將不需要的光刻膠灰化掉，去掉除未曝光光刻膠形 貌40a以外的光刻膠，如圖5所示。
圖6為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第二次刻蝕后的示意 圖。通過刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌40a所保護的區域以外區域的有機 層30,形成橫截面為梯形的凸起圖形12，如圖6所示。
圖7為本發明陣列基板的制造方法形成陣列凸起中第二次光刻膠灰化后 的示意圖。通過灰化工藝將未曝光光刻膠形貌40a灰化掉，保留住橫截面為 梯形凸起圖形12，如圖7所示。
在上述技術方案&出上，本發明TFT-LCD陣列基板的制造方法還可以包 括整形工藝，通過整形工藝形成橫截面為三角形凸起。圖8為本發明陣列基 板的制造方法形成陣列凸起中整形工藝后的示意圖，整形工藝將凸起圖形12 整形為橫截面為三角形的陣列凸起13,如圖8所示。實際使用中，整形工藝 可以根據凸起的化學性質來選擇不同的刻蝕方式進行。實際上，橫截面為梯形 或三角形的目的是為液晶分子提供一個傾斜角度，因此整形工藝僅僅是個可選過程。
圖9為本發明TFT-LCD彩膜基板的制造方法的流程圖，具體為 步驟21、在基板上形成具有黑矩陣圖形和彩色樹脂圖形的彩膜結構層； 步驟22、在所述彩膜結構層上依次沉積公共電極層和有機層，并涂布一 層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝， 在所述彩膜結構層上形成公共電極圖形和位于所述公共電極上由所述有機層 形成的彩膜凸起。
本發明提供了 一種基于MVA模式的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，通過 采用灰色調或半色調掩模板，將現有技術形成公共電極和彩膜凸起的二道構 圖工藝整合為一道構圖工藝，在提高生產效率的同時，仍保證了 TFT-LCD彩 膜基板的產品特性。
步驟21具體為首先，使用化學汽相沉積方法在基板上制備一層厚度為 10000A- 50000A的黑矩陣層，用黑矩陣掩模板通過曝光和刻蝕工藝，在基板 的一定區域上形成黑矩陣的圖形。然后，利用涂敷分散法在基板上涂敷厚度 為10000A 50000A的紅色樹脂層、綠色樹脂層和藍色樹脂層，通過曝光和顯 影工藝，在基板的一定區域上形成紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂的彩色樹 脂圖形，形成本發明彩膜結構層。當然，上述流程也可以是先形成彩色樹脂 圖形，然后再形成黑矩陣圖形。
圖10為本發明彩膜基板的制造方法中形成公共電極層、有機層和光刻膠 后的示意圖。在彩膜結構層20上依次沉積一層用于形成公共電極的公共電極 層21和一層用于形成彩膜凸起的有機層30，隨后涂布一層用于曝光的光刻 膠40，如圖10所示。本實施例中，光刻膠40的厚度優選為1ium 10jim。
圖11為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中曝光顯影工藝后的 示意圖。采用灰色調或半色調掩模板對光刻膠40進行曝光，使光刻膠40形 成未曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域，顯影后，使未曝光區域的光 刻膠得以保留，形成未曝光光刻膠形貌40a，部分曝光區域的光刻膠被部分
13去掉，形成部分曝光光刻膠形貌40b，完全曝光區域的光刻膠被完全去掉， 如圖11所示。本實施例中，當光刻膠40的厚度為1]um l()iam時，灰色調 或半色調掩才莫;f反中部分曝光區域的透過率優選為10% ~ 50%。圖12為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第一次刻蝕后的示 意圖。通過刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層30和公共電極層21， 形成有機層和公共電極層圖形，如圖12所示。本步驟中，可以采用先干刻有 機層、后濕刻公共電極層的刻蝕工藝，也可以全部干刻的刻蝕工藝。圖13為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第一次光刻膠灰化 后的示意圖。通過灰化工藝將不需要的光刻膠灰化掉，去掉除未曝光光刻膠 形貌40a以外的光刻膠，如圖13所示。圖14為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第二次刻蝕后的示 意圖。通過刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌40a以外區域的有機層30,形成 橫截面為梯形的凸起圖形22，如圖14所示。圖15為本發明彩膜基板的制造方法形成陣列凸起中第二次光刻膠灰化 后的示意圖。通過灰化工藝將未曝光光刻膠形貌40a灰化掉，保留住橫截面 為梯形凸起圖形22，如圖15所示。在上述技術方案基礎上，本發明TFT-LCD彩膜基板的制造方法還可以包 括整形工藝，通過整形工藝形成橫截面為三角形凸起。圖16為本發明彩膜基 板的制造方法形成陣列凸起中整形工藝后的示意圖，通過整形工藝將凸起圖 形22整形為橫截面為三角形的彩膜凸起23，如圖16所示。實際使用中，整 形工藝可以根據凸起的化學性質來選擇不同的刻蝕方式進行。實際上，橫截面 為梯形或三角形的目的是為液晶分子提供一個傾斜角度，因此整形工藝僅僅 是個可選過程。在本發明陣列基板的制造方法和彩膜基板的制造方法的上述實施例中， 光刻膠曝光所采用的半色調掩模板或灰色調掩模板均采用現有技術的結構。 圖17為本發明曝光工藝中使用的半色調掩模板的結構示意圖，半色調掩模板包括石英基板50，由設置在石英基板50上的鉻等不透光金屬形成不透光區 域50a,由設置在石英基板50上的片狀金屬鉻組成的狹縫柵狀結構形成半透 光區域50b，由暴露的石英基板50形成完全透光區域50c。掩模曝光時，不 透光區域50a對應于陣列凸起或彩膜凸起所在位置區域，半透光區域50b對 應于像素電極或公共電極所在位置區域，完全透光區域50c對應于像素電極 或公共電極以外區域。在實際生產時，片狀金屬鉻的厚度與狹縫的寬度比值 為O. 2~5。此外，不透光區域50a也可以由片狀金屬鉻組成的狹縫柵狀結構 形成，但片狀金屬鉻的厚度與狹縫的寬度比值為5-0.2。圖18為本發明曝 光工藝中使用的灰色調掩模板的結構示意圖，灰色調掩模板包括石英基板5 0 ， 由設置在石英基板50上的鉻等不透光金屬形成不透光區域50a，由設置在石 英基板50上的氧化鉻等金屬氧化物或其他半透明的金屬氧化物形成半透光 區域50b，由暴露的石英基板50形成完全透光區域50c。掩模曝光時，不透 光區域50a對應于陣列凸起或彩膜凸起所在位置區域，半透光區域50b對應 于像素電極或公共電極所在位置區域，完全透光區域50c對應于像素電極或 公共電極以外區域。在實際生產時，可以通過控制半透光區域50b的氧化物 組分或半透光區域的氧化物厚度來控制半透光區域的透過率。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制， 盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當 理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技 術方案的精神和范圍。
權利要求
1. 一種TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟11、在基板上形成具有柵電極、源電極、漏電極和鈍化層的陣列結構層；步驟12、在所述陣列結構層上依次沉積像素電極層和有機層，并涂布一層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝，在所述陣列結構層上形成像素電極圖形和位于所述像素電極上由所述有機層形成的陣列凸起。
2. 根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟11具體為步驟111、在基板上沉積一層柵金屬層，通過構圖工藝形成4冊電極和柵線；步驟112、在完成步驟111的基板上連續沉積柵絕緣層和有源層，通過 構圖工藝形成有源層圖形；步驟113、在完成步驟112的基板上沉積一層金屬薄膜，通過構圖工藝 形成數據線、源電極和漏電極圖形；步驟114、在完成步驟113的基板上沉積一層鈍化層，通過構圖工藝在 所述漏電極上方形成鈍化層過孔。
3. 根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟12具體為步驟121、在所述陣列結構層上依次沉積一層用于形成像素電極的像素 電極層和一層用于形成陣列凸起的有機層；步驟122、在所述有機層上涂布一層光刻膠；步驟123、采用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影， 形成未曝光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌以及完全曝光區域；步驟124、通過第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和像素電極層，形成有機層和像素電極層圖形；步驟125、通過第一次灰化工藝去掉除未曝光光刻膠形貌以外的光刻膠； 步驟126、通過第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區域的有機層，形成橫截面為梯形的凸起圖形；步驟127、通過第二次灰化工藝灰化掉剩余的光刻膠。
4. 根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟123具體為釆用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光， 使光刻膠形成未曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域，通過顯影完全去 掉完全曝光區域的光刻膠，部分去掉部分曝光區域的光刻膠形成部分曝光光 刻膠形貌，保留未曝光區域的光刻膠形成未曝光光刻膠形貌。
5. 根據權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟124具體為通過先干刻有機層、后濕刻像素電極層的刻蝕工藝或 全部干刻的刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和像素電極層，形成有 機層和像素電極層圖形。
6. —種TFT-LCD彩膜基板的制造方法，其特征在于，包括步驟21 、在基板上形成具有黑矩陣圖形和彩色樹脂圖形的彩膜結構層； 步驟22、在所述彩膜結構層上依次沉積公共電極層和有機層，并涂布一 層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝， 在所述彩膜結構層上形成公共電極圖形和位于所述公共電極上由所述有機層 形成的彩膜凸起。
7. 根據權利要求6所述的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟21具體為在基板上沉積一層黑矩陣層，通過構圖工藝形成黑矩陣 圖形；在完成上述步驟的基板上形成紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂圖形， 或所述步驟21具體為在基板上形成紅色樹脂、綠色樹脂和藍色樹脂圖形； 在完成上述步驟的基板上沉積一層黑矩陣層，通過構圖工藝形成黑矩陣圖形。
8. 根據權利要求6所述的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，其特征在于，所述步驟22具體為步驟221、在所述彩膜結構層上依次沉積一層用于形成公共電極的公共 電極層和一層用于形成彩膜凸起的有機層；步驟222、在所述有機層上涂布一層光刻膠；步驟223、采用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影， 形成未曝光光刻膠形貌、部分曝光光刻膠形貌以及完全曝光區域；步驟224、通過第一次刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和公共 電極層，形成有機層和公共電極層圖形；步驟225、通過第一次灰化工藝去掉除未曝光光刻膠形貌以外的光刻膠；步驟226、通過第二次刻蝕工藝去掉未曝光光刻膠形貌以外區域的有機 層，形成橫截面為梯形的凸起圖形；步驟227、通過第二次灰化工藝灰化掉剩余的光刻膠。
9. 根據權利要求8所述的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟223具體為采用灰色調或半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光， 使光刻膠形成未曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域，通過顯影完全去 掉完全曝光區域的光刻膠，部分去掉部分曝光區域的光刻膠形成部分曝光光 刻膠形貌，保留未曝光區域的光刻膠形成未曝光光刻膠形貌。
10. 根據權利要求8所述的TFT-LCD彩膜基板的制造方法，其特征在于， 所述步驟224具體為通過先干刻有機層、后濕刻公共電極層的刻蝕工藝或 全部干刻的刻蝕工藝去掉暴露在光刻膠外面的有機層和公共電極層，形成有 機層和公共電極層圖形。
全文摘要
本發明涉及一種TFT-LCD陣列基板和彩膜基板的制造方法。陣列基板的制造方法包括在基板上形成具有柵電極、源電極、漏電極和鈍化層的陣列結構層；在所述陣列結構層上依次沉積像素電極層和有機層，并涂布一層光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕和灰化工藝，在所述陣列結構層上形成像素電極圖形和位于所述像素電極上由所述有機層形成的陣列凸起。本發明通過采用灰色調或半色調掩模板，將現有技術形成像素電極和陣列凸起的二道構圖工藝整合為一道構圖工藝，在提高生產效率的同時，保證了TFT-LCD陣列基板的產品特性。
文檔編號H01L21/70GK101546733SQ20081010299
公開日2009年9月30日 申請日期2008年3月28日 優先權日2008年3月28日
發明者周偉峰, 星 明, 建 郭 申請人:北京京東方光電科技有限公司