覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法

專利名稱：：覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法
技術領域：
：本發明涉及覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，更具體地說，涉及一種能夠降低加熱覆金屬聚酰亞胺基板時尺寸變化的分散性、當作為COF使用時可進行穩固地接合、并且可以改善不合格率的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法。
背景技術：
：近年來，作為封裝使液晶屏幕顯示圖像的驅動用半導體的半導體封裝用基板，覆金屬聚酰亞胺基板已被廣泛使用。上述覆金屬聚酰亞胺基板中所用的聚酰亞胺片具有優良的耐熱性，并且在機械、電學以及化學性能方面與其他塑料材料相比也不遜色，因此，被作為例如印刷線路板(PWB)、柔性印刷線路板(FPC)、巻帶自動接合用帶(TAB)、覆晶薄膜(COF)等電子部件用的絕緣基板材料多方面使用。這種PWB、FPC、TAB和COF,可以采用在聚酰亞胺片的至少一面上被覆金屬層的覆金屬聚酰亞胺基板，對其進-斤加工而制得。其中，作為封裝液晶屏顯示用驅動IC芯片的手段，COF特別引人注目。與以前的封裝手段TCP(TapeCarrierPackage)相比，COF能夠進行密腳距封裝，是能夠容易實現驅動IC小型化和降低成本的封裝手段。作為這種COF的制造方法，一般是采用使高耐熱性、高絕緣性樹脂聚酰亞胺片與通常作為金屬導電體的良導體銅層粘合而得到的覆金屬聚酰亞胺基板，使該銅層通過光刻蝕法形成精細圖案，并在所需要的地方鍍錫和被覆防焊膜而制得的方法。在制造上述覆金屬聚酰亞胺基板時，作為在聚酰亞胺片表面上形成金屬層的方法，例如可以首先通過濺射法形成包含鎳、鉻、鎳鉻合金等的金屬薄層，再在其上形成銅層以使其具有良好的導電性而制得。此外，為了使用于形成電路的導電層膜厚化，通常通過電鍍法，或者電鍍與無電鍍聯用的方法形成銅等金屬導電體。另外，上述由濺射法形成的金屬覆膜的厚度，通常為100-500nm。另外，金屬導電體的厚度，例如，當通過減成法形成電路時，通常為5~12pm。這里，當通過電鍍法形成金屬導電體時，可以使用例如連續電鍍裝置，該裝置具有至少兩個用于供給電鍍液的、槽內部與發揮陰極功能的電鍍面相對向地設置了陽極的電鍍槽，多個槽在薄片輸送方向上并排設置；并具有向各電鍍槽供電的供電部和連續輸送薄片狀基板用的機構。例如，已公開了一種連續電鍍的方法，該方法設置了多個具有陽極和電解液的電鍍槽，將具有厚度為3pm以下的金屬覆膜的絕緣體片依次連續地供給到這些電鍍槽中，控制每個電鍍槽的通電量，使各電鍍槽中的通電量按照該薄片的供給順序依次增加，可以連續地形成均勻良好的電鍍膜(參見例如專利文獻1)。通過如上所述的濺射法和電鍍法形成金屬層的覆金屬聚酰亞胺基板，由于建立了容易實現金屬層的薄膜化，并且可以保持聚酰亞胺片與金屬覆膜的平滑界面，同時獲得了充分的粘合強度的技術，因此用其制得的COF適合于電路的密腳距化。因此，已經開始批量生產了內引腳部具有25~30pm腳距的COF,并在繼續開發20pm腳距以下的密腳距COF。可是，在COF中，通過內引腳接合裝載半導體芯片，然后通過外引腳封裝在液晶屏上。通常，由于接合時供給的熱量會使COF的尺寸發生變化，因而要預先預測該變化量，并事先對COF上形成的電路、特別是內引腳的腳距和外引腳的腳距進行校正。特別是20|im腳距的COF,由于是狹窄腳距，必需對引腳的腳距進行嚴格的校正。但是，即使是在使用由上述濺射法和電鍍法形成金屬層的覆金屬聚酰亞胺基板的情況下，對于20pm腳距的COF,接合時端部引腳脫離所要接合的位置的比率也會增加，因而出現不合格率提高的問題。加熱覆金屬聚酰亞胺基板時尺寸變化的分散被認為是其主要原因。由于這種狀況，需要能夠進一步降低加熱時尺寸變化分散性的覆金屬聚酰亞胺基板。專利文獻1日本特開平7-22473號公報(第1頁，第2頁)
發明內容本發明的目的是鑒于上述現有技術的問題，提供能夠降低加熱覆金屬聚酰亞胺基板時尺寸變化的分散性、當作為COF使用時可進行穩固地接合、并且可以改善不合格率的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法。本發明者們為達到上述目的，對覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法反復專心研究，結果發現，在包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序，以及在所得的聚酰亞胺片的金屬覆膜上采用連續電鍍裝置形成金屬導電體的電鍍工序的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中，在上述濺射工序中，形成具有特定表面電阻的金屬覆膜，可以抑制濺射中受熱過程中的分散，而且可以降低后續電鍍時的陰極電流密度差，并且，在上述電鍍工序中，控制特定的陰極電流密度，使電流密度分布均勻化，同時，調節特定的薄片輸送速度，可以抑制疊層結構的界面氧化，并且所得覆金屬聚酰亞胺基板可以降低金屬層的殘留應力的分散程度，降低對其加熱時尺寸變化的分散程度，當作為COF使用時，可進行穩固地接合、并且可以改善不合格率，從而完成了本發明。即，根據本發明的第1項發明，提供一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，該方法包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序、以及采用由輸送薄片和向金屬覆膜供電的輥和具有與該金屬覆膜相對向的陽極的至少兩個槽的電鍍槽構成的連續電鍍裝置，在所得的聚酰亞胺片的金屬覆膜上形成金屬導電體的電鍍工序，其特征在于滿足下述(1)和(2)的條件。(1)在上述濺射工序中，形成的金屬覆膜的表面電阻控制為0.1~l.OQ/口。(2)在上述電鍍工序中，將陰極電流密度控制為全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1~3A/dm2,以及各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1~5,同時，將薄片輸送速度調節為80~300m/h。另外，根據本發明的第2項發明，提供一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于在第1項發明中，上述陽極為不溶性陽極。另外，根據本發明的第3項發明，提供一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于在第2項發明中，上述陰極電流密度為全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1.5~3A/dm2,各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1~3，以及薄片輸送速度為100~300m/h。另外，根據本發明的第4項發明，提供一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于在第13任一項發明中，上述金屬覆膜由金屬片層與其表面上形成的銅層構成。另外，根據本發明的第5項發明，提供一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于在第1-4任一項發明中，上述金屬導電體為銅。根據本發明的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，可以降低加熱所得的覆金屬聚酰亞胺基板時尺寸變化的分散程度，當將其作為COF使用時，可進行穩固地接合，并且可以改善不合格率。特別是當用于以開發中的20pm腳距為代表的密腳距COF時，由于接合時端部引腳脫離所要接合的位置的比率下降，大幅改善了不合格率，因此其工業價值非常大。圖1表示本發明覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中所用的連續電鍍裝置簡略結構的一個實例的圖。具體實施例方式以下，對本發明的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法進行具體說明。本發明的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法是包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序、以及采用由輸送薄片和向金屬覆膜供電的輥和具有與該金屬覆膜相對向的陽極的至少兩個槽的電鍍槽構成的連續電鍍裝置，在所得的聚酰亞胺片的金屬覆膜上形成金屬導電體的電鍍工序的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于滿足下述(1)和(2)的條件。(l)在上述濺射工序中，形成的金屬覆膜的表面電阻控制為o.i~。(2)在上述電鍍工序中，將陰極電流密度控制為全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1~3A/dm2，以及各電鍍槽中陰才及電流密度的最大值相對于最小值的比為1~5,同時，將薄片輸送速度調節為80~300m/h。在本發明的制造方法中，通過在滿足上述(1)和(2)的條件下進行濺射工序和電鍍工序，控制形成的金屬覆膜的表面電阻，同時，使電鍍的平均陰極電流密度處于一定的范圍內，以減小疊層結構每層的電流密度差，降低所形成的金屬層的殘留應力的分散程度，并減少由供電導致的電鍍中斷時間，抑制疊層結構的界面氧化，是很重要的。這樣，可以降低加熱時尺寸變化的分散性，當作為COF使用時，可以制得能夠穩固地接合的覆金屬聚酰亞胺基板。以下，對濺射工序和電鍍工序中形成的金屬層的殘留應力的分散，就其在現有技術中的問題以及在本發明制造方法中的作用進^亍詳細的"i兌明。即，通常，在采用覆金屬聚酰亞胺基板形成COF的引腳時，如上所述，在引腳的形成時增加了受熱過程等，對光刻膠曝光用掩模上形成的圖案尺寸要進行一定的校正。這是為了事先預測直至與IC芯片接合時以及與液晶面板接合時由受熱過程等引起的引腳腳距變化的量，以防止脫離而進^f亍的。另外，引腳腳距變化的主要原因，是由于聚酰亞胺片、金屬層以及防焊膜等COF的構成部件的熱脹冷縮等導致的變形。這種由熱引起的變形是必然發生的現象，其變形量可以通過試驗預先掌握。然而，問題是，這種變形量并不恒定，即是分散的，而且，這種變形量的分散性越大，且引腳腳距越密腳距化，則上述脫離的可能性就越大。作為這些COF構成部件發生分散的原因，就聚酰亞胺片而言，成膜時的受熱過程、延伸的分散以及薄片厚度的分散是主要原因，另外，就防焊膜而言，厚度的分散是主要原因。另一方面，就金屬層而言，雖然厚度的分散也是主要原因，但金屬層的殘留應力的分散也產生很大的影響。其中，在形成構成金屬層的金屬導電體的電鍍過程中，作為電鍍膜中殘留的應力分散的主要原因，聚酰亞胺片上形成的陰極的電流密度(以下稱為陰極電流密度)的變化量具有最大的影響。也就是說，當通過電鍍法，在聚酰亞胺片表面上的由'踐射形成的金屬覆膜上形成金屬導電體時，通常，在電鍍的初期階段，由于該金屬覆膜與其上形成的電鍍膜很薄而電阻很大，因而不得不使電鍍槽的電流密度極大地降低。之后，在達到一定電鍍厚度的成長階段，因注重生產性和經濟性而采取使電鍍槽的電流密度急劇增大的方法。例如，在以前的方法中，經電鍍槽形成的疊層結構的電鍍膜，在由濺射形成的金屬覆膜的緊鄰上層，以0.001~0.01A/dm2的電流密度形成，而在最表層，以0.5~1.0A/dm2的電流密度形成。此時全部電鍍槽的平均電流密度為0.3~0.7A/dm2。通常，電鍍膜的殘留應力與陰極電流密度成正比，具有若電流密度高則應力也增大的傾向。因此，在以前的方法中，通過如上所述寬范圍的電流密度在疊層結構上形成電鍍膜的每層的殘留應力差非常大，這是尺寸變化分散的主要原因。作為抑制這種電鍍膜每層的殘留應力差的手段，可以考慮保持電鍍初期階段的極低電流密度不變，繼續進行電鍍，但是這樣給生產力帶來極大的障礙，必需建立極長的生產線，因而不現實。例如，當以平均電流密度0.1A/dm2電鍍至厚度為8pm時，電鍍時間必需達到5小時。另外，在極低電流密度下的電鍍雖然對降低殘留應力很有效，但是由于對伸長率、抗拉強度、耐折曲性等其他重要的電鍍膜的物性產生影響，因而認為在現行的使用COF的組裝工序中，引起接合以外的麻煩的可能性很高。另外，在低電流密度下制得的電鍍膜由于耐折曲性變差，因而在COF的接合時斷路等的可能性增大。并且，在經濟性方面，平均電流密度也需要確保在一定的值以上。相比之下，在本發明的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中，如上所述，通過在滿足上述(l)和(2)的條件下進行'減射工序和電鍍工序，控制形成的金屬覆膜的表面電阻，同時，使電鍍的平均陰極電流密度處于一定的范圍內，以減小疊層結構每層的電流密度差，降低所形成的金屬層的殘留應力的分散程度，并減少由供電導致的電鍍中斷時間，抑制疊層結構的界面氧化。由此，提高了生產力。作為本發明的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序和在所得聚酰亞胺片的金屬覆膜上形成金屬導電體的電鍍工序。即，在聚酰亞胺片表面上形成極薄的金屬覆膜，再通過電鍍法增厚到所需的厚度。l.濺射工序作為上述濺射工序，除上述(l)的條件以外，對其沒有特別的限制，可以在聚酰亞胺片表面上，在形成所需厚度金屬覆膜的、里，作為上述濺射中所用的裝置，對其沒有特別的限制，可以使用具有由含有構成金屬覆膜的元素的規定組成構成的靶的磁控管濺射裝置等。作為上述制造方法中使用的聚酰亞胺片，對其沒有特別的限制，可以使用KaptonEN(東1/f二求乂制造)、UpilexS(宇部興産制造)、Apical(力氺力制造)等市售的聚酰亞胺片。另外，作為聚酰亞胺片的厚度，對其沒有特別的限制，若考慮確保其彎曲性，優選為25~50,。作為上述濺射過程中形成的金屬覆膜，對其沒有特別的限制，為了確保其與聚酰亞胺的粘合力以及其耐熱性等的可靠性，作為金屬片層，可以從鎳、鉻、鉬等金屬或者鎳鉻合金等它們的合金中選擇，但優選相對于總量含5~30質量％鉻的鎳鉻合金。另外，其厚度優選為5~50nm。換句話說，因為當用于COF等并將金屬層通過蝕刻形成電子電路時，與作為良導體的銅的蝕刻性有很大差別的合金組成和厚度都是不合適的。另外，為了降低表面電阻以確保進行電鍍前的導電性，優選繼續通過濺射在上述金屬覆膜表面上形成銅層。作為此時的銅層，要控制表面電阻為滿足(l)的條件的規定值。換句話說，當厚度不足50nm時，則不能獲得足夠的導電性，將對之后電鍍的銅析出的均勻性產生不良影響。另一方面，若厚度超過500nm,雖然在產生導電性方面較好，但由于濺射對聚酰亞胺片的熱過程提高而對基板的尺寸變化、變形等產生影響，恐怕對COF等制得的產品會產生不良影響。上述制造方法中涉及的(l)的條件在上述濺射工序中是控制所形成的金屬覆膜的表面電阻為o.i-i.on/口。也就是說，通過降低濺射中形成的金屬覆膜的表面電阻，可以提高自電鍍初期階段的電流密度，因此可以提高平均陰極電流密度。然而，使上述金屬覆膜表面電阻的降低，即是使上述金屬覆膜厚度的增加，這時，濺射使聚酰亞胺片受到的熱量增加，必然分散程度也增大。結果，COF的接合時引腳位置偏離的危險性增加。因此，在本發明制造方法中，上述金屬覆膜的表面電阻要在由濺射產生熱量的增加導致的分散程度不至于很大的范圍內選擇。換句話說，當金屬覆膜的表面電阻不足O.lQ/口時，濺射熱過程的分散程度增大，接合時位置的偏離增加。另一方面，若金屬覆膜的表面電阻超過l.OQ/口，則電鍍初期階段陰極電流密度必需控制得極低，從而增大了電鍍的疊層結構的每層陰極電流密度差。或者，若以超過l.OQ/口的狀態強制增大陰極電流密度，則會增大鍍膜的殘留應力。另外，為了減小濺射的熱過程的分散程度，并且減小陰極電流密度差，金屬覆膜的表面電阻優選控制在0.2~0.8Q/口。作為上述金屬覆膜的表面電阻的控制方法，由于其表面電阻受濺射中形成的金屬覆膜的厚度、純度、晶粒粒徑等的影響，因而要獲得所需的表面電阻，可以通過選擇濺射條件而進行。例如，在真空下進行的磁控管濺射中，在由濺射形成銅層的場合，通過使銅層的厚度為300~10nm，可以使金屬覆膜的表面電阻為0.1~l.OQ/口。2.電鍍工序作為上述電鍍工序，除了上述(2)的條件以外，對其沒有特別的限制，可以在聚酰亞胺片上形成的滿足(l)條件的金屬覆膜上，采用連續電鍍裝置，在形成金屬導電體的、通常覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中所采用的條件下進行。另外，上述連續電鍍裝置是由輸送薄片和向金屬覆膜供電的輥和具有與該金屬覆膜相對向的陽極的至少兩個槽的電鍍槽構成的裝置，例如，由于可以大幅節約設置空間，采用在輸送線方向上并排設置了根據電鍍厚度等而定的必要數目的豎型電鍍槽的裝置。這里，將具有金屬覆膜的一定寬度的聚酰亞胺片以一定的速度依次連續地供給到電鍍槽中，在金屬覆膜上連續地形成電鍍層。即，可以采用通常覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中所用的連續電鍍裝置，該裝置具有與金屬覆膜接觸的可以供電的具有導電性的輥、在該金屬覆膜相對向的位置設置了陽極的電鍍槽、向該槽內供給薄片的與電鍍液接觸并輸送的薄片輸送機構。作為上述金屬導電體，對其沒有特別的限制，在COF等中優選電路材料，并且可以使用電鍍被覆的導電性優良的金屬或合金，優選銅。此時作為所用的電鍍液，可以使用通常銅電鍍中所用的市售的碌u酸銅電鍍液。上述制造方法中所涉及的(2)條件，在上述電鍍工序中是將陰極電流密度控制在全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1~3A/dm2，以及各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1~5,同時，將薄片輸送速度調節為80-300m/h。換句話說，是為了降低滿足(l)條件的金屬覆膜上形成的金屬層的殘留應力的分散程度，抑制接合時的位置偏離，而使電鍍的各層的平均陰極電流密度處于一定的范圍內，以減小疊層結構每層的電流密度差。不過，作為電鍍的平均陰極電流密度，就抑制接合時的位置偏離而言，減小疊層結構每層的陰極電流密度差即可，但是，考慮到要確保耐折曲性以及生產性、經濟性方面，本發明制造方法的電鍍工序中，采用上述(2)的條件。換句話說，作為陰極電流密度，當全部電鍍槽的平均陰極電流密度不足1A/dm2時，則難以確保其耐折曲性。另一方面，若平均陰極電流密度超過3A/dm2,則難以抑制殘留應力的分散。另夕卜，在確保可靠性和經濟性方面，全部電鍍槽的平均陰極電流密度優選為1.5~3A/dm2。并且，通過控制各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1-5，使疊層結構各層內電流密度分布均一化，可以實現構成金屬層的金屬導電體的殘留應力進一步均一化。這樣，可以使疊層結構整體的殘留應力均一化，從而抑制分散。換句話說，若上述陰極電流密度的最大值相對于最小值的比超過5,則由電流密度差導致的殘留應力差增大，從而增大了分散性。另外，為了使殘留應力均一化，陰極電流密度優選使陰極電流密度最大值相對于最小值的比為1~3。作為上述陰極電流密度的控制方法，通常，在電鍍初期階段，即金屬覆膜的表面電阻高的區域，上述連續電鍍裝置的各電鍍槽內，電流密度極易集中在與供電輥接近的電鍍液入口界面處，相反電鍍槽底部電流密度大幅降低，因此，為了抑制電鍍槽入口處電流密度的集中，需要在聚酰亞胺片上的金屬覆膜與陽極之間設置適當的電流屏蔽板的方法等，而對其手段沒有特別的限制。例如，作為電流屏蔽板，可以采取在絕緣板上設置開口部，調節其開口面積的方法，通常使其在電流密度集中的電鍍液界面附近較小，相反使電流密度小的電鍍槽底部較大。另外，通過將薄片的輸送速度調節為80~300m/h,在將半導體芯片通過接合封裝在COF上并將半導體芯片用樹脂密封時，可以避免引腳表面錫鍍保護膜脫落的問題。也就是說，由于上述連續電鍍裝置由多個電鍍槽和供電部以及輸送機構構成，當采用該裝置將金屬導電體形成疊層結構時，由于要向金屬覆膜及其上形成的電鍍膜供電，因而會出現聚酰亞胺基板處于電鍍液外的時間，即疊層結構的各層之間電鍍的中斷時間。若該電鍍中斷時間較長，則在將所得基板通過刻蝕形成引腳，并在其表面上通過無電鍍形成錫鍍膜后，在將半導體芯片通過接合封裝在COF上并將半導體芯片用樹脂密封時，會出現引腳表面的錫鍍保護膜發生脫落的危險的問題。更具體地說，已知當將半導體芯片進行樹脂密封時，當經受3小時150°C的熱負荷時，在引腳表層部位錫與銅發生合金化時會產生由于擴散速度差而產生的空隙，即所謂的柯肯達爾(Kirkendall)空隙。在由上述連續電鍍裝置制得銅鍍膜的疊層結構中，由下層對合金化所需銅離子的供給，由于疊層結構界面狀態而發生延遲。在銅離子供給處于延遲的狀態下，引腳表層部位在沒有下層供給銅離子的狀態下，存在銅向錫一側擴散而使空隙急劇增加、擴大的危險。而疊層結構界面越是氧化，即在電鍍液外的電鍍中斷時間越長，則其危險性越大。因此，通過使薄片的輸送速度達到一定速度以上，使電鍍的中斷時間處于一定時間以內，可以抑制疊層結構界面的氧化，從而抑制引腳表面錫鍍保護膜的脫落。換句話說，當薄片的輸送速度不足80m/h時，即使使供電部小型化，電鍍中斷時間也會達到約30秒以上，上述脫落的危險性增大。另一方面，若薄片輸送速度超過300m/h,則會發生基板上產生缺陷等的危險。另外，為了使引腳表面的錫鍍保護膜不發生脫落，優選薄膜的輸送速度達到100m/h以上。作為上述連續電鍍裝置中使用的陽極，對其沒有特別的限制，可以使用可溶性或不溶性陽極，然而，其中，通過使用不溶性陽極，可以在顯示更好效果的電鍍條件下進行。這時，優選全部電鍍槽的平均陰極電流密度控制為1.5~3.0A/dm2,各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為1~3，同時，將薄片輸送速度調節為100~300m/h。另外，通常，在鍍銅中，可溶性陽極成問題的是含磷的銅球表面上產生的碎屑等混入電鍍液中，出現使電鍍外觀品質下降的問題，為防止該問題，可以使用不溶性陽極，而在覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法中，從抑制殘留應力的分散、電鍍膜耐折曲性等角度出發，采用不溶性陽極可以使電鍍電流密度條件、基板輸送速度最佳化。這是因為，不溶性陽極所具有的表面電位的均一性、電極間距離的均一性發揮作用，與頁可溶性陽極相比更容易實現電流密度的均一化。作為上述可溶性陽極，對其沒有特別的限制，可以采用含有構成所形成的金屬導電體的元素的市售陽極，對于獲得銅導體的情況，可以使用在鈦盒中填充含磷銅球的陽極。作為不溶性陽極，對其沒有特別的限制，可以使用以鈦為基體，表面上形成鉑或其氧化物薄膜的陽極等，優選例如具有在鈦網表面涂敷氧化銥結構的陽極。實施例以下，通過本發明的實施例和比較例對本發明進行更具體的說明，但是本發明并不是由這些實施例進行任何的限定。另外，在實施例和比較例中使用的金屬覆膜的表面電阻和覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法如下。(1)金屬覆膜表面電阻的測定按照JISK7194采用四探針法進行0(2)覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價采用所得覆金屬聚酰亞胺基板，通過減成法，形成內引腳部為20pm腳距、外引腳部為35pm腳距的引腳圖案，在引腳表面通過無電鍍法形成厚度為0.6pm的錫覆膜。然后，為了抑制錫鍍膜中產生晶須的目的，在120。C下進行60分鐘熱處理，再在所需部位形成厚度為lOpm的防焊膜層，為了使其熱硬化的目的，在120'C下進行2小時熱處理。熱處理后，為了使內引腳部與IC芯片的基座部接合，將接合部在42(TC下熱壓合1秒鐘，然后在IC芯片及其周圍部位涂敷熱固化性樹脂，在150°C下進行3小時熱處理，將IC芯片用樹脂封閉。然后，為了將外引腳部位與液晶面板ITO電極進行ACF接合，將接合部位在200°C下熱壓合5秒鐘。進行以上處理之后，觀察內引腳部和外引腳部的接合部，求出由位置偏離導致的脫落等不良的發生率。另外，顯示鍍錫的脫落性的指標，采用進行加速實-瞼的評價結果。即，采用口一厶7yK八一77>司制造的無電鍍液TinpositLT-34，在引腳表面上形成厚度為0.6pm的錫鍍膜后，在160°C下處理24小時，在該引腳部位表面上帖上透明帶，充分粘合后，剝離透明帶，在200倍的金屬顯微鏡下確認有無錫鍍膜的脫落。另外，實施例和比較例中使用的連續電鍍裝置如下。圖1表示了上述連續電鍍裝置的簡略結構的一個實例。在圖1中，連續電鍍裝置是具有用于輸送薄片2和向金屬覆膜及電鍍膜供電的不銹鋼制的供電輥3、以及在電鍍槽1內使薄片2反轉的反轉輥4、17個裝有陽極5的電鍍槽1在輸送方向上并排設置的裝置的一個實例。另外，在實施例和比較例中，各電鍍槽的槽內電鍍長度，即浸請于電鍍液的距離為3000mm,各電鍍槽間用于向電鍍面供電而在電鍍液外輸送基板的距離為700mm。另外，使用的電鍍槽數目，是基于各條件合理需要的槽數。另外，陽極與金屬覆膜和電鍍膜之間設置了具有各種形狀的電流屏蔽板。此外，銅鍍液采用含硫酸180g/L、硫酸銅80g/L、氯離子50mg/L、以及為確^呆銅鍍膜平滑性等目的而添加的^見定量的有才幾添加劑的銅鍍液。(實施例1)首先，通過在真空環境中運行的磁控管濺射裝置，聚酰亞胺片采用Kapton150EN(東1/.x工求乂制造)，在真空度保持為0.01~O.lPa的腔內，于150°C下進行1分鐘的加熱處理。接著，采用相對于總量含20質量％鉻的鎳鉻合金靶和銅靶，在聚酰亞胺片表面上形成厚度為20nm的鎳鉻合金層和厚度為300nm的銅層。所得金屬覆膜的表面電阻為0.1Q/口。然后，采用所得的濺射后的聚酰亞胺片，采用上述連續電鍍裝置(電鍍槽數17槽)，在銅覆膜上層疊銅鍍層，制得形成了銅導體的覆金屬聚酰亞胺基板。這里，作為上述連續電鍍裝置的陽極，采用鈦盒中填充含磷的銅球、盒周圍用聚丙烯制得的基質(Ay夕)覆蓋的可溶性陽極。另外，全部電鍍槽的平均電流密度(以下，也稱為總平均電流密度)控制為1.0A/dm2,以及各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為5,同時薄片的輸送速度調節為80m/h,直至厚度達到8pm,形成由電鍍膜構成的銅導體。然后，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法，，，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表1。(實施例2)除了各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(實施例3)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為12槽，總平均電流密度控制為1.5A/dm2，以及各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(實施例4)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為6槽，總平均電流密度控制為3.OA/dm2,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(實施例5)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為15槽，采用不溶性陽極，總平均電流密度控制為1.5A/dm2,各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3，以及薄片的輸送速度調節為100m/h,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。另外，作為不溶性陽極，是在鈦網表面上涂敷氧化銥的陽極，在電鍍槽內與金屬覆膜和電鍍膜相對向地設置。(實施例6)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為23槽，采用不溶性陽極，總平均電流密度控制為1.5A/dm2,各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為2,以及薄片的輸送速度調節為150m/h,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表1。另外，作為不溶性陽極，將在鈦網表面上涂敷氧化銥的陽極，在電鍍槽內與金屬覆膜和電鍍膜相對向地設置。(實施例7)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為8槽，采用不溶性陽極，總平均電流密度控制為3.0A/dm2,各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3,以及薄片的輸送速度調節為100m/h，除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表1。另外，作為不溶性陽極，將在鈦網表面上涂敷氧化銥的陽極，在電鍍槽內與金屬覆膜和電鍍膜相對向地設置。(實施例8)除了通過濺射形成厚度為10nm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為l.OQ/口以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(實施例9)通過濺射形成厚度為10nm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為l.OQ/口，以及上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為6槽，總平均電流密度控制為3.0A/dm2,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(實施例10)通過濺射形成厚度為10nm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為l.OD/口，上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為15槽，采用不溶性陽極，總平均電流密度控制為1.5A/dm2,各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3,以及薄片的輸送速度調節為100m/h,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表1。另外，作為不溶性陽極，將在鈦網表面上涂敷氧化銥的陽極，在電鍍槽內與金屬覆膜和電鍍膜相對向地設置。(實施例11)通過濺射形成厚度為10nm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為l.OQ/口，上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為8槽，采用不溶性陽極，總平均電流密度控制為3.OA/dm2,各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為3，以及薄片的輸送速度調節為100m/h，除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表1。另外，作為不溶性陽極，將在鈦網表面上涂敷氧化銥的陽極，在電鍍槽內與金屬覆膜和電鍍膜相對向地設置。(比較例1)除了通過濺射形成厚度為lOOOnm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為0.09Q/口以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(比較例2)除了通過濺射形成厚度為5nm的銅層，金屬覆膜的表面電阻為1.1。/口以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(比較例3)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為20槽，總平均電流密度控制為0.9A/dm2,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(比較例4)上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為5槽，總平均電流密度控制為3.5A/dm2,除此以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(比較例5)除了各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為6以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。(比較例6)除了上述連續電鍍裝置的電鍍槽數為16槽，薄片的輸送速度調節為70m/h以外，與實施例1同樣地操作，采用所得的覆金屬聚酰亞胺基板，按照上述"覆金屬聚酰亞胺基板作為COF使用時的評價方法"，求出COF接合部的位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率。結果列于表l。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>由表1可知，在實施例1~11中，在賊射工序中，形成的金屬覆膜的表面電阻被控制為O.l-l.OQ/口，在電鍍工序中，對于陰極電流密度，全部電鍍槽的平均陰極電流密度被控制為1~3A/dm2,以及各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比被控制為15，同時，薄片的輸送速度被調節為80-300m/h,由于照本發明的制造方法制造覆金屬聚酰亞胺基板，COF接合部位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率以及錫鍍膜脫落發生率均不足0.01%，可判斷為良好。相比之下，在比較例1~6中，由于金屬覆膜的表面電阻、全部電鍍槽的平均陰極電流密度、各電鍍槽內陰極電流密度的最大值相對于最小值的比或者薄膜的輸送速度總有一項不滿足這些條件，因此COF接合部位置偏離的不良發生率、引腳斷路發生率或者錫鍍膜脫落發生率總有一項為0.01%以上，在這些條件下得到的覆金屬聚酰亞胺基板在生產性、產率和可靠性方面還不能說足夠好。工業上應用由以上內容可知，由本發明制造方法制得的覆金屬聚酰亞胺基板適合用于以內引腳為20pm腳距、外引腳為35pm腳距為代表的密腳距COF。這樣，在IC與液晶面板的組裝工序中內引腳部與IC芯片、以及外引腳部與液晶面板的接合時的脫落等問題、引腳斷路等問題、以及錫鍍膜脫落等發生的可能性可以得到充分的抑制。并且，本發明的制造方法，由于還可以預期電鍍生產性的提高，因此在生產性和經濟性方面也是有效的。根據本發明制得的覆金屬聚酰亞胺基;^反，除了COF以外，還可以適用于PWB、FPC、TAB等柔性線路板中。權利要求1.一種覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，該方法是包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序、以及采用由輸送薄片和向金屬覆膜供電的輥和具有與該金屬覆膜相對向的陽極的至少兩個槽的電鍍槽構成的連續電鍍裝置，在所得的聚酰亞胺片的金屬覆膜上形成金屬導電體的電鍍工序的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于滿足下述(1)和(2)的條件，(1)在上述濺射工序中，形成的金屬覆膜的表面電阻控制為0.1～1.0Ω/□；(2)在上述電鍍工序中，將陰極電流密度控制為全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1～3A/dm2，以及各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1～5，同時，將薄片輸送速度調節為80～300m/h。2.權利要求1所述的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于上述陽極為不溶性陽極。3.權利要求2所述的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于上述陰極電流密度為全部電鍍槽的平均陰極電流密度為1.5~3A/dm2,各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比為1~3,以及薄片輸送速度為100-300m/h。4.權利要求1~3任一項所述的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于上述金屬覆膜由金屬片層與其表面上形成的銅層構成。5.權利要求1~4任一項所述的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法，其特征在于上述金屬導電體為銅。全文摘要本發明提供能夠降低加熱覆金屬聚酰亞胺基板時尺寸變化的分散性、當作為COF使用時可在經受的熱量下進行穩固地接合、并且可以改善不合格率的覆金屬聚酰亞胺基板的制造方法。該方法是包括在聚酰亞胺片表面上形成金屬覆膜的濺射工序、以及采用連續電鍍裝置在所得的金屬覆膜上形成金屬導電體的電鍍工序的制造方法，其特征在于滿足下述(1)和(2)的條件，(1)在上述濺射工序中，形成的金屬覆膜的表面電阻控制為0.1～1.0Ω/□；(2)在上述電鍍工序中，全部電鍍槽的平均陰極電流密度控制為1～3A/dm²，以及各電鍍槽中陰極電流密度的最大值相對于最小值的比控制為1～5，同時，薄片輸送速度調節為80～300m/h。文檔編號H01L21/48GK101350315SQ20081009694公開日2009年1月21日申請日期2008年5月12日優先權日2007年7月20日發明者大瀧啟一,小笠原修一,淺田雅男,竹之內宏申請人:住友金屬礦山株式會社