專利名稱：Mos器件的特性測量結構的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造領域的檢測制程，具體地說，涉及一種金屬氧化物 半導體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)器件的特性測量結構。
背景技術：
圖l為現有的MOS器件的特性測量結構。該結構中有3個MOS管MOSl'、 MOS2' 、 MOS3' 。 MOS器件的漏極分別連在襯墊Dl' 、 D2' 、 D3'上；所有MOS 器件的源極連在一起共享襯墊S'，所有MOS器件的襯底連在一起共享襯墊B'。 所迷MOS器件上的柵極均連在一個保護二級管 〃 上，由于該保護二級管4'的 存在，MOS器件的柵極不能加反向偏壓，否則保護二級管4'將處于正向導通而 將柵極與村底直接短路。而在實際的集成電路生產過程中，當制程發生問題以 至器件的特性發生變化時，如果能對該MOS器件的柵極加反向偏壓進行測試， 將會得到更多的參數來幫助我們判斷出現問題的可能原因，如果使用圖1的傳 統結構將顯然不能滿足這種測試要求。另外，由于所有MOS器件的源極連在一起共享襯墊,所有MOS器件的 襯底連在一起共享襯墊B'，因此，無法實現對其中某一個MOS器件單獨進行 某些參數的測量。發明內容有鑒于此，本發明解決的技術問題在于提供一種MOS器件的特性測量結 構，其可以對柵極加反向偏壓進行測試，也可以對某一個MOS器件進行獨立測 試。為解決上述技術問題，本發明提供了一種新的MOS器件的特性測量結構。 一種MOS器件的特性測量結構，其包括數個MOS器件以及數個主襯墊，其中 所有MOS器件的漏極連在不同的主襯墊上，所有MOS器件的柵極連在同 一主村墊上，所有MOS器件的襯底連在同一主襯墊上，所有MOS器件的源極連在 同一主襯墊上；MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管； 所述特性測量結構在每一MOS器件的源極和村底與各自連接的主襯墊之間或者 /以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或 者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助村墊。與現有技術相比，本發明提供的MOS器件的特性測量結構在適當位置設置 了熔斷絲和輔助村墊，利用輔助襯墊和主村墊熔斷對應的熔斷絲，實現對MOS 器件的柵極加反向偏壓進行測試；也可以通過熔斷對應的熔斷絲將待測MOS器 件與其他MOS器件分隔開，且不影響待測的MOS器件。
圖1為現有的MOS器件的特性測量結構的示意圖；圖2為本發明實施例中的MOS器件的特性測量結構的示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本發明MOS器件的特性測量結構的一實施例進行描述，以 期進一步理解本發明的目的、具體結構特征和優點。本實施例的特性測量結構如圖2中所示，圖中所示的MOS器件的特性測量 結構包括三個MOS器件M0S1、 MOS2、 MOS3。上述3個MOS器件的漏極 分別連在主襯墊D1、 D2、 D3上。3個MOS器件的4冊極連在同一主襯墊G上， 3個MOS器件的襯底連在同一主襯墊B上，3個MOS器件的源極連在同一主 襯墊S上。MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管4,且保護 二極管4和柵極之間設置熔斷絲rl，熔斷絲rl和保護二極管4之間引出輔助襯 墊A。在MOSl、 MOS2、 MOS3的源極和襯底與各自共用主襯墊S、 B之間分 別設置有熔斷絲r2、 r4、 r6和r3、 r5、 r7，且在熔斷絲r2、 r4、 r6和r3、 r5、 r7 靠近源極和襯底一側分別引出輔助襯墊a、 c、 e和b、 d、 f。上述熔斷絲rl-r7為多晶硅硅化物熔斷絲，使用制程中硅片的多晶硅層的 最小寬度設計，阻抗大約為100歐姆。在該熔斷絲rl-r7的兩端加電壓Vdd(2.5、3.3、 5.0伏特等)，當電流達到8-12毫安時，該多晶石圭石圭化物熔斷絲rl-r7就 會自動熔斷。當需要對MOS器件的柵極加反向偏壓進行測試時，首先需要在輔 助襯墊A和主襯墊G兩端加電壓將熔斷絲rl熔斷，使柵極和襯底之間形成斷路， 然后就可以在柵極上加反向偏壓進行測試以獲得更多參數來判斷硅片出現問題 的原因所在。另外，需要對某一MOS器件進行獨立測試時，只需要熔斷對應的 熔斷絲即可將待測MOS器件與其他MOS器件分開，且不會對待測MOS器件 產生破壞作用。舉例來說，如果需要對MOSl進行獨立測試時，就需要在主襯 墊S和輔助村墊a兩端加電壓將熔斷絲r2熔斷，在主襯墊B和輔助襯墊b兩端 加電壓將熔斷絲r3熔斷，這樣MOS1就可以與MOS2、 MOS3分隔開來。另外，上述輔助襯墊a、 b、 c、 d、 e、 f的尺寸小于上述主襯墊B、 S、 G、 Dl、 D2、 D3和輔助襯墊A,可以自由布線和排列，在實現對每一 MOS器件進 行獨立測試的情況下，也沒有多占用上述主襯墊的空間。
權利要求
1.一種MOS器件的特性測量結構，其包括數個MOS器件以及數個主襯墊，其中所有MOS器件的漏極連在不同的主襯墊上，所有MOS器件的柵極連在同一主襯墊上，所有MOS器件的襯底連在同一主襯墊上，所有MOS器件的源極連在同一主襯墊上；MOS器件的柵極和襯底之間連接有用于保護柵極的保護二極管；其特征在于，所述特性測量結構在每一MOS器件的源極和襯底與各自連接的主襯墊之間或者/以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助襯墊。
2. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述主村墊與 熔斷絲靠近保護二極管一側引出的輔助襯墊大小相同。
3. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲靠 近源極、襯底一側引出的輔助襯墊的尺寸小于所述主襯墊。
4. 如權利要求1所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲為 多晶硅硅化物。
5. 如權利要求l所述的MOS器件的特性測量結構，其特征在于，所述熔斷絲 當通過8-12毫安電流時自動熔斷。
全文摘要
本發明公開了一種MOS器件的特性測量結構，涉及半導體領域的檢測制程。現有結構不能對柵極加反向偏壓進行測試，也無法實現對每一個MOS器件獨立測試。本發明提供的特性測量結構在每一MOS器件的源極和襯底與各自連接的主襯墊之間或者/以及保護二極管和柵極之間設置有熔斷絲，且在熔斷絲靠近源極、襯底一側或者/以及熔斷絲靠近保護二極管一側引出輔助襯墊。通過熔斷保護二極管附近的熔斷絲可以實現在柵極加反向偏壓進行測量；通過熔斷對應的源極、襯底側的熔斷絲，可將待測的MOS器件與其他MOS器件相分離，實現對每一MOS器件的獨立測試。
文檔編號H01L23/544GK101252119SQ200810035120
公開日2008年8月27日 申請日期2008年3月25日 優先權日2008年3月25日
發明者王慶東, 坡 黎 申請人:上海宏力半導體制造有限公司