專利名稱：：帶有多晶硅場板的功率mos場效應管及其制造方法
技術領域：
：本發明涉及一種功率MOS場效應管及其制造方法。特別涉及帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管及其制造方法。這種功率MOS場效應管可以是N或P溝槽型MOS場效應管，也可以是N或P平面型MOS場效應管，它能承受的電壓在中低壓范圍(20V〈電壓〈300V),
背景技術：
功率MOS場效應管使用已有多年歷史，其設計和制造方法一直在持續的改進，從性能上，主要是朝著低導通電阻(Rdson)，高耐壓，高頻率的方向狄，終端保護結構是MOS場效應管設計的一個非常重要的環節。功率MOS場效應管，工作時需承受較高的反向電壓，位于器件中間有源區的各并聯單胞陣列間的表面電位大致相同，而位于有源區邊緣(即終端)的單胞與襯底表面的電位卻相差很大，往往引起夕卜團單胞的表面電場過于集中從而造成器件的邊緣擊穿.因此，需要在單胞陣列的外團增加終端保護結構，減小終端電場密度，起到提高MOS場效應管耐壓的作用.對于大于20V的功率MOS場效應管，其終端保護結構從內向外由場限環、場板和截止環組成。而制造場限環和有源區需要進行兩次光刻。目前的技術水平，制造一種功率溝槽型MOS場效應管，總共需務使用七塊光刻版，并按以下工藝流程來完成第一步，在半導體硅片上生長場氧化層；第二步，通過光刻，界定出有源區，對場氧化層進行刻蝕(光刻版l);第三步，通過光刻，界定出場限環注入區域，進行P型摻雜形成場限環P+區(光刻版2);第四步，于半導體硅片表面生長硬掩膜氧化層，通過光刻，界定出溝槽腐蝕區域，并進行硬掩膜氧化層腐蝕(光刻板3)第五步，基于硬掩膜氣化層進行深溝槽硅刻蝕；第六步，生長柵氧化層，于柵氧化層表面淀積導電多晶硅；第七步，通過光刻，界定出多晶硅刻蝕區域，進行多晶硅刻蝕(光刻版4);第八步，于整個半導M片表面進行P型雜質離子注入，并進行推阱形成單胞陣列的P-阱；第九步，通過光刻，界定出源極區域，進行N型雜質離子注入鵬成rr區(光刻版5);第十步，于整個半導體硅片表面淀積介質層；第十一步，通過光刻，界定出接觸孔區域，并進行氣化層刻蝕(光刻版6);第十二步，淀積金屬層，通過光刻，定義出刻蝕區域，進行金屬刻蝕(光刻版7)。但是隨著市場竟爭的激烈，對成本控制的要求也越來越高，如何在不降低器件性能(如特征導通電阻(SpecificRdson)、耐壓、器件電容等)的情況下，降低制造成本成為目前重要的研究方向.控制制造成本，有兩個主要方向，一是減小芯片面積，在同樣大小的硅片上得到更多的芯片。另一方向是減少光刻次數，生產成本與光刻次數成正比，所以使用盡量少的光刻次數，能大幅度減少生產成本。
發明內容本發明提供一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管及其制造方法，其目的是要在保證不影響器件性能(如特征導通電阻(SpecificRdson)、耐壓等)的前提下，通過對終端保護結構的優化設計來減少光刻次數，從而降低器件的制造成本。為達到上述目的，本發明MOS場效應管采用的笫一種技術方案是一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管，在俯視平面上，該器件中間為并聯的單胞陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構，其創新在于在俯視平面上，所述終端保護結構由一個場限環、一個場板和一個截止環組成，從單胞陣列的邊緣單胞外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環、場板、截止環次序設置，而且邊緣單胞外圍直接連接場限環.在截面上，場限環位于半導體珪片的第一導電類型外延層上部區域內，它由笫一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于笫二導電類型摻雜區的上部.在截面上，場板由柵氧化硅層和導電多晶硅疊加構成，柵氧化硅層位于半導M片的笫一導電類型外M表面上，導電多晶硅位于柵氧化硅層上。在截面上，截止環位于半導體硅片的第一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部，金屬層將笫一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區連接成等電位.在截面上，場限環、截止環和單胞陣列三者各自的笫二導電類型摻雜區為同一制造層，它們的笫二導電類型雜質摻雜深度相同；場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第一導電類型雜質摻雜深度相同；場板中的導電多晶硅位于場限環與截止環之間區域的上方，并作為第一導電類型和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層。為達到上述目的，本發明MOS場效應管采用的笫二種技術方案是一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管，在俯視平面上，該器件中間為并聯的單胞陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構，其創新在于在俯視平面上，所述終端保護結構由至少兩個場限環、與場限環數量相同的場板和一個截止環組成，從單胞陣列的邊緣單胞外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環、場板、場限環、場板，最后為截止環的M設置，而且邊緣單胞外圍直接連接場限環.在截面上，場限環位于半導M片的第一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，笫一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部。在截面上，場板由柵氧化硅層和導電多晶硅疊加構成，柵氧化硅層位于半導朱法片的第一導電類型外延層表面上，導電多晶硅位于柵氧化硅層上。在截面上，截止環位于半導體硅片的第一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和笫二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于笫二導電類型摻雜區的上部，金屬層將第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區連接成等電位。在截面上，場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第二導電類型雜質摻雜深度相同；場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第一導電類型雜質摻雜深度相同；場板中的導電多晶硅位于兩個相鄰場限環以及場限環與截止環之間區域的上方，并作為第一導電類型和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層.上述功率MOS場效應管笫一種和笫二種技術方案中的有關內容解釋如下所述"邊緣單胞"是指單胞陣列邊緣位置的單胞。所述"由內向外"是指以單胞陣列為中心向外圍擴散的方向.所述"該器件中間"是指器件單胞陣列的區域，或稱其為有源區，它是相對外圍終端保護結構而言的。所述"第一導電類型"和"第二導電類型"兩者中，對于N型MOS場效應管第一導電類型指N型，第二導電類型指P型；對于P型MOS場效應管正好相反。為達到上述結構，本發明功率MOS場效應管制造方法采用的技術方案是按照上述第一或第二技術方案所述功率MOS場效應管的制造方法，其創新在于(1)所述場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區，由同一個第二導電類型摻雜過程形成，(2)所述場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區，由同一個第一導電類型摻雜過程形成.(3)所述場板中的導電多晶硅與單胞陣列中導電多晶硅，由同一個多晶硅淀積以及多晶硅刻蝕過程形成。(4)所述場板中的導電多晶硅在第一導電類型雜質和笫二導電類型雜質離子注入之前形成，并作為終端保護區域第一導電類型雜質和笫二導電類型雜質離子注入的阻擋層。本發明溝槽型功率MOS場效應管制造方法包括下列工藝步驟a)提供笫一導電類型的具有兩個相對主面的半導體硅片；b)于笫一主面上形成第一氧化硅層；c)選擇性的掩蔽和刻蝕第一氧化^，形成深溝槽刻蝕的笫一氧化M硬掩膜；d)于具有第一氧化硅層硬掩膜的笫一主面刻蝕形成深溝槽；e)于第一主面及深溝槽表面形成第二氧化硅層，即柵氧化硅層；f)于第二氧化硅層表面形成導電多晶珪層；g)選擇性的掩蔽和刻蝕導電多晶硅層，形成場板中的導電多晶硅和單胞陣列中深溝槽的導電多晶硅；h)于具有導電多晶硅阻擋層的第一主面中進行第二導電類型雜質離子注入，并通過推結形成場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區；i)于具有導電多晶硅阻擋層的笫一主面中進行笫一導電類型雜質離子注入，并通過推結形成場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區；j)于第一主面形成第三氧化硅層，第三氧化硅層為層間介質層；k)選擇性的掩蔽和刻蝕笫三氧化硅層，形成單胞陣列的接觸孔和截止環的接觸孑L,接觸孔深度刻蝕至笫一導電類型摻雜區下表面以下的位置；1)于第三氣化珪層表面形成金屬層；m)選擇性的掩蔽和刻蝕金屬層.本發明設計構思描述如下對于功率MOS場效應管，其應用時必須承受反向的耐壓，通常MOS場效應管會在其邊緣設計終端保護結構。終端保護結構主要有場板、場限環及截止環組成，其中場板與場限環組^f吏用改善表面擊穿特性.場板可以有效地抑制表面電荷引起的低擊穿，場限環則可以減緩平面結曲率效應造成的PN結擊穿.場板和場限環的結^用能大幅提高功率MOS場效應管的M耐壓性能.而設計截止環，主要是收集表面電荷，避免引M面反型造成漏電。本發明功率MOS場效應管及其制造方法的發明點在于終端保護結構設計和制作，其相對現有技術(見困1所示)的優化之處集中表現在以下幾個方面(1)場限環、截止環和單胞陣列三者的第二導電類型摻雜區為同一制造層，在制造中由第二導電類型雜質摻雜同時形成，深度相同。(2)本發明MOS場效應管由單胞陣列最外團的一圏第二導電類型摻雜區來起到場限環的作用，同時M不同的耐壓需求，可以對場限環第二導電類型摻雜區的寬度進行調整.(3)本發明場板由導電多晶硅與柵氣化硅層疊加組成.(4)本發明場板中的導電多晶硅的制作第二導電類型摻雜區之前完成，并作為終端保護區域笫一導電類型雜質和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層.本發明相對現有技術其優點和效果主要體現在如下幾點1、本發明將場板結構改進成由柵氧/tt^層和導電多晶娃組成，其中，導電多晶硅既作為場板的一部分，也作為場限環的第二導電類型摻雜區和截止環的第二導電類型摻雜區的注入阻擋層，因此省去了場氧化硅層結構，減少了光刻次數，縮短了制造時間，降低了制造成本.而原來的場板結構因為有場氧化M，需JMt—次場氧化，光刻，腐蝕，才能形成所需的場板。而本發明巧妙的運用了多晶g形成場板，并且使其成為終端保護結構區域笫一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區的注入阻擋層。2、本發明將場限環、截止環及單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區同一步完成，減少了光刻次數以及注入和熱過程，縮短了制造時間，節約了成本。而原來的場限環單獨制作，需^ft一次光刻，注入A推阱，才能形成所需的場限環。3、本發明功率MOS場效應管制造it^中只需使用四塊光刻板，并且能承受超過20V-300V的反向電壓。而圖1所示的現有80V的溝槽型功率MOS場效應管通常需要7塊光刻板。由此可以看出本發明極大的優化了結構，減少了光刻次數，降低了制造成本.現將本發明制造方法與現有制造方法對比如下:賄命齢>法械明命齡法省去妙敗笫4場氧^g"成長<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從以上對比的表格中，可以清楚的看出以下效果第一，本發明制造方法省去了有源區光刻;jout目應工藝；第二，本發明制造方法省去了場限環光刻板;M目應工藝；第三，本發明制造方法省去了源極光刻板成;M目應工藝；通常，溝槽型功率MOS場效應管的制造成本可以簡化成以光刻次數來計算，增加一次光刻約增加10~15%的成本，因此本發明減少了三次光刻大約可以降低30~40%左右的成本，這對于提高溝槽型功率MOS場效應管的市場竟爭力來說效果是顯著的。附圖1為現有功率溝槽型MOS場效應管剖面示意圖；附圖2為本發明實施例一功率溝槽型MOS場效應管俯視平面示意圖；附圖3為本發明實施例一功率溝槽型MOS場效應管截面示意圖；附圖4~9為本發明實施例一功率溝槽型MOS場效應管工藝制作流程示意圖；附圖10為本發明實施例二功率溝槽型MOS場效應管截面示意圖。以上附圖中1、單胞陣列；2、場限環；3、場板；4、截止環；5、邊緣單胞；6、場限環p-區；7、N-型外M;8、柵氧化硅層；9、導電多晶硅；10、截止環p-區；11、單胞陣列的P-阱；12、N+型襯底；13、深溝槽導電多晶硅；14、介質層；15、金屬層；16、場氧化砝層；17、光刻膠，具體實施方式下面結合附圖及實施例對本發明作進一步描述實施例一一種功率溝槽型MOS場效應管如圖2所示，在俯視平面上，該MOS場效應管中間為并聯的單胞陣列1，單胞陣列1的外圍設有終端保護結構，該MOS場效應管還設有柵極(圖中未畫出)，該柵極的位置根據封裝要求來確定.所述終端保護結構由一個場限環2、一個場板3和一個截止環4組成.如圖3所示，在截面上，從有源區邊緣單胞5外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環2、場板3、截止環4次序設置，而且邊緣單胞5外圍直接連接場限環2。場限環2由上部帶N+區的場限環P-區6構成，場限環P-區6位于半導體硅片的N—型外延層7上。場板3由柵氣化珪層8和導電多晶硅9疊加構成，柵氧化珪層8位于半導體硅片的N—型外延層7表面上，導電多晶硅9位于柵氣化硅層8上。截止環4由上部帶N+區的截止環p-區10構成，截止環p-區10位于半導M片的N型外延層7上，金屬層分別將截止環P—區10和N+區連接成等電位(圖中未畫出).半導體硅片N型外延層7上的場限環P_區6、截止環P—區10和單胞陣列的p-阱ll為同一制ity昏，它們的P型雜質摻雜深度相同.場P艮環P—區6、截止環P-區10和單胞陣列的P—阱11三者上部所帶的N+區為同一制造層，它們的N型雜質摻雜深度相同。場板3中的導電多晶硅9作為P型雜質離子注入和N型雜質離子注入的阻擋層，該阻擋層位于場限環p-區6與截止環P區IO之間區域的上方。參見圖4~圖9所示，本實施例一功率溝槽型MOS場效應管制造方法包括下列工藝步驟a)硅硬掩膜生長。其中硬掩膜可以采用LPTEOS或熱氧化二氣化^化學氣相沉積二氧化硅或熱氣化二氣化^氮化硅。其后通過光刻和各向異性刻蝕形成有源區單胞的深溝槽硬掩模.b)深溝槽刻蝕。溝槽采用各向異性刻蝕形成垂直側壁(通常側壁與硅片表面呈88度)。見圖4有源區單胞陣列深溝槽。c)柵氣化/多晶硅淀積.在帶深溝槽的N'型外延層7表面生長柵氣化硅層8(見圖4)，然后在柵氣化硅層8表面淀積導電多晶硅層。柵氧化/多晶硅淀積采用現有普通工藝。d)多晶硅層光刻/多晶硅刻蝕。具體是對導電多晶珪層進行光刻和刻蝕，所留下的導電多晶硅同時形成場板3中的導電多晶硅9和有源區單胞的深溝槽導電多晶硅13(見困5).e)單胞陣列的P—阱、截止環p-區和場限環p-區注入。具體是以場板3中的導電多晶硅9作為阻擋層進行P型雜質離子注入(通常注入為硼B),并推阱，形成了具有相同深度的截止環P-區IO、場限環p-區6和單胞陣列的P_阱11(見圖6)。f)N型源層注入(]NT注入)，退火.具體是以場板3中的導電多晶硅9作為阻擋層進行N型雜質離子注入(通常注入的離子為砷As)，退火后同時形成相同深度的截止環P-區10、場限環P-區6和單胞陣列的p-阱ll三者上部的N+區(見圖7).g)介質層淀積，見圖8，介質層14淀積可以選取硼磷硅玻璃(BPSG)或磷硅玻璃(PSG)或硅玻璃(USG)等，h)孔光刻/刻蝕。具體是對有源區、截止環及導電多晶硅引出的孔光刻/腐蝕，孔深挖至N"區以下位置，讓孔能直接與p-阱相連(見圖9)。j)金屬層淀積/光刻/刻蝕，孔及金屬層15互連線的形成，采用現有技術，金屬填充可以采用鵠塞工藝或直M屬填充工藝.本發明節省了有源區光刻版，場限環光刻;&^L源區注入三層光刻板，在保證產品性能的前提下，減少了光刻次數，大大降低制造成本，可適用于大批量低成本制造功率溝槽型MOS場效應管。實施例二一種功率MOS場效應管如圖10所示，本實施例與實施例一的不同之處在于終端保護結構由兩個場限環2、兩塊場板3和一個截止環4組成，從有源區邊緣單胞5外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環2、場板3、場限環2、場板3，最后為截止環4的M設置，而且邊緣單胞5外圍直接連接場限環2.其它結構以及制造方法內容與實施例一相同，這里不再重復描述.由本實施例可以直接得出終端保護結構由三個場限環2、三塊場板3和一個截止環4組成的情況。也可以得出終端保護結構由三個以上場限環2、三塊以上場板3和一個截止環4組成的情況。雖然上述說明是以N通道溝槽型MOS場效應管來加以描述的，但L^發明也可以適用于P溝道溝槽型MOS場效應管，其中僅需將P改為N，N該為P即可。此外，本發明同樣適用于平面型MOS場效應管。本發明并不受限于上述說明，而是可允許種種修飾及變化，其中不同的制造方法而導致與本發明終端保護結構相同的，均在本發明范圍之內。權利要求1、一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管，在俯視平面上，該器件中間為并聯的單胞陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構，其特征在于在俯視平面上，所述終端保護結構由一個場限環、一個場板和一個截止環組成，從單胞陣列的邊緣單胞外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環、場板、截止環次序設置，而且邊緣單胞外圍直接連接場限環；在截面上，場限環位于半導體硅片的第一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部；在截面上，場板由柵氧化硅層和導電多晶硅疊加構成，柵氧化硅層位于半導體硅片的第一導電類型外延層表面上，導電多晶硅位于柵氧化硅層上；在截面上，截止環位于半導體硅片的第一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部，金屬層將第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區連接成等電位；在截面上，場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第二導電類型雜質摻雜深度相同；場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第一導電類型雜質摻雜深度相同；場板中的導電多晶硅位于場限環與截止環之間區域的上方，并作為第一導電類型和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層。2、一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管，在俯視平面上，該器件中間為并聯的單胞陣列，單胞陣列的外圍設有終端保護結構，其特征在于在俯視平面上，所述終端保護結構由至少兩個場限環、與場限環數量相同的場板和一個截止環組成，從單胞陣列的邊緣單胞外圍開始，終端保護結構由內向外按場限環、場板、場限環、場板，最后為截止環的M^設置，而且邊緣單胞外圍直接連接場限環；在截面上，場限環位于半導體硅片的笫一導電類型外延層上部區域內，它由第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，笫一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部；在截面上，場板由柵氧化硅層和導電多晶硅疊加構成，柵氧化^位于半導體硅片的第一導電類型外延層表面上，導電多晶硅位于柵氣化硅層上；在截面上，截止環位于半導朱眭片的第一導電類型外延層上部區域內，它由笫一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區構成，其中，第一導電類型摻雜區位于第二導電類型摻雜區的上部，金屬層將第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區連接成等電位；在截面上，場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區為同一制造層，它們的第二導電類型雜質摻雜深度相同；場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區為同一制造層，它們的笫一導電類型雜質摻雜深度相同；場板中的導電多晶硅位于兩個相鄰場限環以及場限環與截止環之間區域的上方，并作為第一導電類型和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層.3.根據權利要求1或2所述功率MOS場效應管的制造方法，其特征在于所述場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區，由同一個第二導電類型摻雜過程形成；所述場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第一導電類型摻雜區，由同一個第一導電類型摻雜過程形成；所述場板中的導電多晶硅與單胞陣列中導電多晶硅，由同一個多晶硅淀積以及多晶硅刻蝕過程形成；所述場板中的導電多晶硅在第一導電類型雜質離子和第二導電類型雜質離子注入之前形成,并作為終端保護區域第一導電類型雜質離子和第二導電類型雜質離子注入的阻擋層。4.根據權利要求l或2所述功率MOS場效應管的制造方法，其特征在于包括下列工藝步驟a)提供第一導電類型的具有兩個相對主面的半導體硅片；b)于第一主面上形成笫一氧化硅層；c)選擇性的掩蔽和刻蝕第一氧化M，形成深溝槽刻蝕的第一氧化M硬掩膜；d)于具有第一氧化硅層硬掩膜的第一主面刻蝕形成深溝槽；e)于第一主面及深溝槽表面形成第二氧化硅層，即柵氧化硅層；f)于第二氧化硅層表面形成導電多晶硅層；g)選擇性的掩蔽和刻蝕導電多晶M，形成場板中的導電多晶硅和單胞陣列中深溝槽的導電多晶硅；h)于具有導電多晶硅阻擋層的第一主面中進行第二導電類型雜質離子注入，并通過推結形成場限環、截止環和單胞陣列三者各自的第二導電類型摻雜區；i)于具有導電多晶硅阻擋層的第一主面中進行第一導電類型雜質離子注入，并通過推結形成場限環、截止環和單胞陣列三者各自的笫一導電類型滲雜區；j)于第一主面形成第三氧化硅層；k)選擇性的掩蔽和刻蝕笫三氣化M，形成單胞陣列的接觸孔和截止環的接觸孔；l)于笫三氧化珪層表面形成金屬層；m)選擇性的掩蔽和刻蝕金屬層.5、根據權利要求4所述功率MOS場效應管的制造方法，其特征在于所述步驟k)中，接觸孔深度刻蝕至第一導電類型摻雜區下表面以下的位置.全文摘要一種帶有多晶硅場板的功率MOS場效應管及其制造方法，其特征在于對MOS場效應管有源區外圍的終端保護結構進行了以下幾方面改進1.將單胞陣列的邊緣單胞外圍的P<sup>-</sup>阱直接作為場限環；2.將場限環P<sup>-</sup>區、截止環P<sup>-</sup>區和單胞陣列的P<sup>-</sup>阱作為同一制造層，由P型摻雜同時形成；3.省去原來由場氧，將場板結構改由柵氧化硅層與多晶硅組成；4.將場板中的多晶硅作為P型雜質離子注入的阻擋層直接形成場限環P<sup>-</sup>區，截止環P<sup>-</sup>區及單胞的P<sup>-</sup>阱；5.在P型摻雜之后直接進行N型摻雜，使得場限環P<sup>-</sup>區、截止環P<sup>-</sup>區和單胞陣列的P<sup>-</sup>阱三者上部均帶N<sup>+</sup>區。本發明節省了有源區光刻版，場限環光刻版及源區注入三層光刻板，在保證產品性能的前提下，減少了光刻次數，大大降低制造成本，可適用于大批量低成本制造功率MOS場效應管。文檔編號H01L27/085GK101271898SQ20081001998公開日2008年9月24日申請日期2008年3月18日優先權日2008年3月18日發明者魯張,朱袁正申請人:蘇州硅能半導體科技股份有限公司