專利名稱：研磨頭及研磨裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種研磨工件的表面時用以保持工件的研磨頭、以及具備此研磨頭的 研磨裝置，特別涉及一種保持工件于橡膠膜的研磨頭、以及具備此研磨頭的研磨裝置。
背景技術：
作為研磨硅芯片等的工件表面的裝置，有分別研磨工件的單面的單面研磨裝置、 以及同時研磨工件的雙面的雙面研磨裝置。一般的單面研磨裝置，例如圖9所示，是由貼附有研磨布94的轉盤(平臺)93、研 磨劑供給裝置96、以及研磨頭92等構成。如此的研磨裝置91中，先以研磨頭92保持工件 W，然后從研磨劑供給機構96供給研磨劑95至研磨布94上，且分別旋轉轉盤93與研磨頭 92，使工件W的表面與研磨布94摩擦地接觸(滑動接觸)，來進行研磨。作為將工件保持于研磨頭的方法，有于平坦的圓盤狀的板上，通過蠟等接著劑來 貼附工件的方法等。另外，作為用以提高工件整體的平坦性的保持方法，有以橡膠膜作為工 件保持部，于該橡膠膜的背面流入空氣等的加壓流體，以均勻的壓力使橡膠膜膨脹，將工件 壓抵向研磨布，亦即，橡膠夾頭方式(例如參照日本專利公開公報特開平5-69310號公報、 特開2005-313313號公報等)。先前的橡膠夾頭方式的研磨頭的構成例模式地表示于圖8 (a)，該研磨頭的周邊部 的擴大圖表示于圖8 (b)。此研磨頭71的重點是由略圓盤狀的中板72、以及嵌合中板72而 固定的橡膠膜73所組成。橡膠膜73通過中板的頂面的周邊部72c、側面部72b、以及底面 部72a的周邊部而被支持。在中板的底面部72a，于周邊部形成突出部72d，用以在與橡膠 膜73之間形成空間部74。在中板72的中央設有連通壓力調整機構75的調整壓力用的貫 通孔76，通過壓力調整機構75供給加壓流體等，來調節空間部74的壓力。另外，亦具有將 中板72向研磨布94方向壓抵的未圖標的壓抵裝置。其它，作為在日本特開2005-313313號公報中所記載的構造的研磨頭，除了對橡 膠膜施加壓力的機構之外，也有設置對中板均勻地施加壓力的機構、或對設于工件保持部 周圍的扣環(retainerring)施加壓力的機構等的情況。使用如此構成的研磨頭，于橡膠膜73的底面部，隔著襯墊77來保持工件W，壓抵中 板使工件W滑動接觸于已貼附在轉盤93的頂面上的研磨布94，來進行研磨。若通過如此的橡膠夾頭方式的研磨頭來研磨工件，則雖可獲得較佳的研磨量均勻 性，然而特別是在外周部分會有發生研磨塌邊等的問題，而有進一步提高研磨量的均勻性 的需求。
發明內容
因此，本發明是有鑒于如此的問題而開發出來，其主要目的是提供一種研磨頭，針 對橡膠夾頭方式的研磨頭，不受中板的剛性、平面度的影響，可對工件整體施加均勻的研磨荷重。
本發明是為解決上述課題而開發出來，提供一種研磨頭，是針對至少由略圓盤狀 的中板、以及覆蓋該中板的至少底面部與側面部的橡膠膜所組成，具有由前述中板與前述 橡膠膜所包圍的空間部，并構成可利用壓力調整機構來改變前述空間部的壓力，于前述橡 膠膜的底面部保持工件的背面，使該工件的表面與貼附在轉盤上的研磨布作滑動接觸來進 行研磨的形態的研磨頭，其特征在于前述中板與前述橡膠膜，于前述中板的至少底面部的 整體，未接觸而具有間隙。若利用如此的研磨頭，該中板與橡膠膜于中板的至少底面部的整體未互相接觸而 具有間隙，來研磨工件，則因中板的底面部與橡膠膜之間具有間隙而不會受到中板的剛性、 平面度的影響，可對工件整體施加均勻的研磨荷重，來研磨工件。其結果，整個工件表面，特 別是于外周部，可維持高平坦性地研磨。此時，中板的底面部與橡膠膜之間的間隙，較佳為不足1mm。如此，若中板的底面部與橡膠膜之間的間隙不足1mm，則可使空間部的壓力更安 定，以此狀態來進行工件的研磨。又，前述中板與前述橡膠膜，較佳是即使于前述中板的側面部的整體亦未接觸而 具有間隙。如此，若中板與橡膠膜，即使于中板的側面部的整體亦未接觸而具有間隙，則因即 使于側面部亦未接觸，可更降低因中板的側面部的剛性、形狀對于橡膠膜的影響，因此，可 更有效地以均勻的研磨荷重壓抵工件的背面，來進行研磨。其結果，可更有效地維持工件的 表面的平坦性，來進行研磨。又，前述橡膠膜中，覆蓋前述中板的側面部的部分的內徑較佳是大于工件的平坦 度保證區域。如此，若橡膠膜中，覆蓋中板的側面部的部分的內徑，大于工件的平坦度保證區 域，則可降低橡膠膜中覆蓋中板的側面部的部分的剛性對于橡膠膜的工件保持面(保持工 件的面)的影響，來進行研磨，可更有效地提高研磨量均勻性，來研磨工件。又，前述橡膠膜可于前述工件保持面具備襯墊，此時，襯墊的直徑較佳是大于工件 的直徑。如此，即使為確實地保持工件于研磨頭，且防止背面的傷痕等的發生而具備襯墊 時，若使襯墊的直徑大于工件，則可降低因襯墊所造成的橡膠膜的膨脹的限制而對工件的 影響，因此，可以更均勻的研磨荷重來壓抵工件。再者，本發明提供一種研磨裝置是在研磨工件的表面時所使用的研磨裝置，其特 征在于至少具備研磨布，貼附于轉盤上；研磨劑供給機構，用以供給研磨劑至該研磨布 上；以及研磨頭，用以保持前述工件，為前述本發明的研磨頭。如此，若利用具備本發明的研磨頭的研磨裝置，來進行工件的研磨，則可對工件整 體施加均勻的研磨荷重，來研磨工件。其結果，整個工件的表面，特別是于外周部，可維持高 平坦性地進行研磨。若利用本發明的研磨頭來進行工件的研磨，則可對工件表面全面施加均勻的壓抵 力來進行研磨。其結果，可提高工件的全面(整個面)的研磨量均勻性，使研磨的工件的表 面平坦性良好。
圖1是表示本發明的研磨頭的第一形式的概略剖面圖，(a)是表示研磨頭整體的 概略剖面圖，(b)是表示周邊部的擴大圖。圖2是表示本發明的研磨頭的第二形式的概略剖面圖，(a)是表示研磨頭整體的 概略剖面圖，(b)是表示周邊部的擴大圖。圖3是表示具備本發明的研磨頭的研磨裝置的一例的概略構成圖。圖4是表示橡膠膜的中的覆蓋中板的側面部的部分(橡膠膜側部)與工件的最外 周部的位置關系的說明圖。圖5是表示在實施例1、2以及比較例中，研磨后的工件的研磨量均勻性的圖表。圖6是表示橡膠膜的中的覆蓋中板的側面部的部分(橡膠膜側部)的內徑改變時 的工件的研磨量均勻性的圖表。圖7是表示襯墊的外徑改變時的工件的研磨量均勻性的圖表。圖8是表示習用的橡膠夾頭方式的研磨頭的構造概略剖面圖，(a)是表示研磨頭 整體的概略剖面圖，(b)是表示周邊部的擴大圖。圖9是表示單面研磨裝置的一例的概略構成圖。圖10是表示本發明的研磨頭具備扣環的情況的一例的概略構成圖。圖11是表示在本發明的研磨頭中的工件、襯墊以及橡膠膜的位置關系的說明圖。
具體實施例方式以下，更詳細地說明本發明。如上所述，通過橡膠夾頭方式的研磨頭來保持工件，研磨工件的表面時，研磨后的 工件的表面平坦性有更高水平的要求，先前，特別是在外周部分中，有發生研磨塌邊等的問 題。為解決如此的問題，本發明者進行了實驗與檢討。其中，本發明者發現以下的情事。亦即，先前，如圖8所示，在中板72的底面部72a， 如有與橡膠膜73接觸處(突出部)72d，則即使是突出部72d與橡膠膜73未接著，工件研磨 中，因加壓流體而成為自由的狀態，在研磨時，當壓抵研磨頭71整體的時候，若將中板向研 磨布94的方向壓抵，則橡膠膜73的工件保持面，會受到中板72的剛性、底面部72a(突出 部72d的底面)的平面度等的影響，造成形狀、壓抵力變成不均勻，使得保持于橡膠膜73的 工件保持面而被研磨后的工件W的形狀惡化。特別是，先在橡膠膜73的工件保持面的外側配置扣環(retainer ring)，并以該 扣環來保持工件W的邊緣部的構造的研磨頭的情況，由于工件W是被保持于橡膠膜73的底 面部的幾乎至最外周部為止，因此，橡膠膜73與形成于中板的底面部72a的周邊部的突出 部72d的接觸部所造成的影響甚大。又，即使工件W并不是如前述般地位于橡膠膜73與中 板的突出72d的接觸部的正下方，而是被保持于更內側的情況，在橡膠膜73的工件保持面， 因橡膠膜73與中板的突出部72d的接觸部的存在，而對壓力分布等多少造成影響。而且，本發明者檢討用以解決如此的問題點的對策。其結果發現，先前，一般認為 將加壓流體導入空間部時，為維持橡膠膜的形狀安定，在中板72的周邊部必須設有突出部 72d的構造，以支持橡膠膜73，但是實際上并不需要如此的構造。亦即發現，作成使中板的
5底面部的整體不與橡膠膜接觸，而通過于其的間設置間隙，即可解決上述問題，另外，即使 作成如此的構造，亦可維持橡膠膜的形狀安定，而完成本發明。以下一面參照圖面一面具體地說明本發明的研磨頭與研磨裝置，但本發明不限定 于此。圖1是表示本發明的研磨頭的一例(第一形式)。此研磨頭11具備略圓盤狀的中 板12、以及覆蓋中板12的至少底面部12a與側面部12b的橡膠膜(彈性膜)13。橡膠膜13于中板的頂面的周邊部12c固定于中板12。當要將橡膠膜固定在中板 的頂面的周邊部12c時，例如，只要利用接著劑等接著，并利用背板18且使用挾持螺絲等來 加以固定即可。此時，中板12，至少其底面部12a的整體并沒有與橡膠膜13接觸而具有間 隙14a。為準備如此的形狀的橡膠膜13，可采用習知方法成型橡膠膜。橡膠膜13的厚度并 無特別限定，可選擇對應適當情況的厚度，例如可為約1mm厚。如此，在中板12與橡膠膜13之間，至少在中板的底面部12a與橡膠膜13之間形 成空間部14。進而，設有用以調節此空間部14內的壓力的壓力調整機構15。通過從設于 中板12的貫通孔16供給加壓流體等，來調節空間部74的壓力。另外，如圖2(a)的整體的概略剖面圖、圖2(b)的擴大圖所表示的本發明的研磨頭 的第二形式所示，研磨頭31，較佳是作成其中板的側面部12b的整體亦沒有與橡膠膜13接 觸而具有間隙14b。此時，橡膠膜13僅接觸中板的頂面的周邊部12c而固定。此時，亦可采 用習知方法來成型橡膠膜。又，即使并不是如圖2所示地中板的側面部12b的整體沒有與橡膠膜13接觸且具 有間隙14b，而是在中板的側面部12b與橡膠膜13之間沒有間隙，兩者接觸的情況，亦以未 將兩者通過接著等固定為較佳。另外，亦可于橡膠膜13的工件保持面貼設襯墊17，以更確實地保持工件W。襯墊 17包含水分貼附工件W，保持工件W于橡膠膜13的工件保持面。襯墊17例如可為發泡聚 氨酯制者。設置如此的襯墊17并使其含水，可通過包含于襯墊17的水的表面張力，確實地 保持工件W。又，研磨頭11、31具備壓抵中板12 (或者研磨頭11、31整體)(未圖標)的裝置。利用如此構成的研磨頭11、31，通過未圖示的中板壓抵裝置，將中板12向貼附于 轉盤21上的研磨布22的方向壓抵，使工件W與研磨布22作滑動接觸，來研磨工件表面。此 中板壓抵裝置，較佳是以均勻的壓力壓抵中板整個面。又，如圖10所示的上述第一形式(研磨頭11)的情況的一例，研磨頭11、31可具 備扣環19，其沿著橡膠膜13的底面部的外周部，能與橡膠膜13的工件保持面連動、或是獨 立地壓抵研磨布22。該扣環19可構成例如具有其內側，用以保持工件W的邊緣部的導環 19a ；以及配置于該導環19a的外側，用以修整研磨布22的修整環19b。中板的底面部12a與橡膠膜13之間的間隙14a的距離，以中板的底面部12a與橡 膠膜13于研磨中不會接觸的充分的距離為較佳，但上限以不足1mm為較佳。若將此距離設 為不足1mm，則可更容易地控制空間部14的壓力，使其安定且全面均勻。又，圖2所示的上 述第二形式的情況下，中板的底面部12a與橡膠膜13之間的間隙14a的距離亦為相同規 定，但中板的側面部12b與橡膠膜13之間的間隙14b的距離并無特別限定。但以不使橡膠 膜13的形狀成為不安定的距離為較佳。例如約2mm以下為較佳。
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如上所述地構成研磨頭11、31時，工件W可通過空間部14的壓力來調節橡膠膜13 的形狀與壓力分布，因中板的底面部12a與橡膠膜13未接觸，所以中板的剛性、形狀等的影 響不會傳達至橡膠膜13，可利用均勻的研磨壓力來研磨工件W。又，如上述第二形式，若研磨頭31是構成使中板的側面部12b不會接觸橡膠膜13 時，則不僅可以防止前述中板的底面部12a對于橡膠膜13的影響，亦可防止側面部12c對 于橡膠膜13的影響。本發明中，將工件W保持于橡膠膜13的底面部的略全面時，例如，用以保持工件W 的邊緣部的扣環19，被配設于橡膠膜13的工件保持面的外側，工件W被保持于橡膠膜13的 底面部的略全面時，如先前，因中板的底面部12a與橡膠膜13之間無接觸部而使提高研磨 量均勻性的效果特別高。但是，本發明并不限定于此，即使工件的外徑位于較橡膠膜13的 外周部內側地保持時，亦可完全消除先前的因中板的底面部12a與橡膠膜13之間具有接觸 部而造成對于橡膠膜13的工件保持面所產生的壓力分布的影響，所以與先前相較更提高 研磨量均勻性。但是，雖然中板的底面部12a的剛性、形狀對于橡膠膜13的工件保持面的影響，可 通過本發明完全消除，但以橡膠膜13的底面部整體保持時，例如，用以保持工件W的邊緣部 的扣環19被配設于橡膠膜13的工件保持面的外側，工件W被保持于橡膠環13的底面部的 略整體時，橡膠膜13中由于覆蓋中板的側面部12b的部分(以下有時稱的為橡膠膜側部) 的剛性所造成對于橡膠膜13的工件保持面的影響會殘留。此橡膠膜側部的剛性的影響，與 中板12的影響相較之下，顯得輕微，但為更提高工件W的研磨量均勻性，以盡量降低其影響 為較佳。關于用以降低橡膠膜側部的影響的研磨頭，其周邊部的擴大圖表示于圖4。(a)是 上述第一形式，(b)是上述第二形式的情況。如圖4(a)、(b)所示，橡膠膜13中覆蓋中板的 側面部12b的部分(橡膠膜側部)13b，以大于工件W的外徑為較佳。但是，例如用以保持工 件W的邊緣部的扣環，被配設于橡膠膜13的工件保持面的外側，而工件W則被保持于橡膠 膜13的底面部的略整體時，亦有預先決定扣環的大小，橡膠膜側部13b的內徑難以大于工 件W的外徑的情況。此時，橡膠膜側部13b的內徑如至少大于工件的平坦度保證區域即可。工件的平坦度保證區域是工件全面之中，保證預定的平坦度的領域，其取決于規 格，例如，直徑300mm的單晶硅芯片的情況，通常為最外周約1 2mm除外的領域。對于工件W，利用如此地設計配設中板12、橡膠膜13，可降低橡膠膜側部13b的剛 性對于橡膠膜13的工件保持面的影響來進行研磨，可更提高研磨量均勻性地研磨工件W。另外，如上所述，為了將工件W保持于橡膠膜13的工件保持面，而貼設襯墊17于 橡膠膜13的底面，但如圖11所示，襯墊17的直徑以大于工件W的直徑為較佳。又，圖11 (a) 是上述第一形式、圖11(b)是上述第二形式的情況。如此，可降低于襯墊17與橡膠膜13的 接著界面所產生的因襯墊17限制橡膠膜13本身的膨脹而對于研磨壓力、研磨形狀造成的 影響。但是，當然地，襯墊17的直徑必須等于或小于要貼設襯墊17的橡膠膜13的底面 部。特別是，用以保持工件W的邊緣部的扣環，被配設于橡膠膜13的工件保持面的外側，工 件W保持于橡膠膜13的底面部的略整體時，襯墊的大小無法增大成橡膠膜13的大小。例 如，作為工件W，當研磨直徑300mm的芯片的時，扣環的內徑約為302mm，橡膠膜13的底面部的直徑若設為至301. 5mm為止，則襯墊的直徑為301. 5mm以下。然而，即使是少量，通過使襯墊17的直徑大于工件W的直徑，則可更有效地提高工件W的研磨量均勻性。圖3是表示具備上述研磨頭11的研磨裝置61的概略。此研磨裝置61，除了研磨 頭11之外，具備貼附于轉盤21上的研磨布22、及供給研磨劑65至研磨布22上的研磨劑 供給機構66。利用此研磨裝置61研磨工件W時，首先，將工件W保持于橡膠膜13。又，當襯墊 被貼設于橡膠膜13上的情況，是將工件W貼附于含水的襯墊17上，以橡膠膜13保持工件 W的背面。另外，扣環配設于橡膠膜13的周圍時，工件W的邊緣部是以扣環保持。然后，從研磨劑供給機構66供給研磨劑65至研磨布22上，且一邊使研磨頭11與 轉盤21分別往預定的方向旋轉，一邊使工件W與研磨布22作滑動接觸。于是，保持于橡膠 膜13的工件W，相對于轉盤21上的研磨布22，能夠一邊旋轉一邊以預定的壓抵力壓抵，來 研磨工件W的表面。如利用具備如此的研磨頭11的研磨裝置61來進行工件W的研磨，可通過空間部 14的壓力來調節橡膠膜13的形狀與壓力分布，因中板的底面部12a與橡膠膜13未接觸，中 板的剛性、形狀等的影響不會傳達至橡膠膜13，能以均勻的研磨壓力來研磨工件W。另夕卜，即使以圖3中的研磨頭11作為圖2所示的研磨頭31，亦可獲得相同的效果。以下說明本發明的實施例與比較例。(實施例1)如下所述地制作圖1所示的構成的研磨頭11。于外徑298mm的中板12，嵌入厚度1mm、其底面部的外徑為300mm的橡膠膜13，并 以背板18夾持，利用螺絲固定，中板的底面部12a與橡膠膜13的間的間隙14a為0. 5mm。 又，于橡膠膜13的底面部，貼設直徑298mm的襯墊17，于橡膠膜13的周圍配設內徑302mm 的扣環。利用具備如上所述的研磨頭11的研磨裝置，如下所述地，進行直徑300mm、厚度 775 ym的單晶硅芯片的工件W的研磨。又，使用的單晶硅芯片，其雙面預先施以一次研磨， 邊緣部亦已施以研磨。另外，轉盤21使用直徑800mm者，研磨布22使用通常使用者。研磨時，使用研磨劑中含有硅酸膠(colloidal silica)的堿性溶液，研磨頭11與 轉盤21分別以42rpm、44rpm旋轉。工件W的研磨荷重(壓抵力)，是以空間部14的壓力成 為28、29、30kPa的方式，各研磨荷重下分別進行研磨二片。研磨時間設為80秒。對于如此地進行研磨后的工件W，評價其研磨量均勻性。又，研磨量均勻性是以平 坦測試器，對于平面內的研磨前后的工件的厚度，測定于最外周部2mm寬以外的領域的平 坦度保證區域，取得研磨量的差量而求取，以研磨量均勻性(％)=(平面內的最大研磨 量-平面內的最小研磨量)/平面內的平均研磨量的數式表示。此結果，所得工件的研磨量均勻性表示于圖5中。可獲得約25 30%的研磨量均 勻性，研磨量均勻性良好。(實施例2)以圖2所示的研磨頭31，與實施例1相同地實施，但中板12是采用外徑296mm者， 中板的側面部12b與橡膠膜13之間的間隙14b是制作成1mm。
利用此研磨頭31，與實施例1相同地進行單晶硅芯片的研磨。此結果，所得工件的研磨量均勻性表示于圖5中。可獲得約15 25%的研磨量均 勻性，較實施例1更提高了研磨量均勻性。(比較例)利用圖8所示的習用的研磨頭71，與實施例1相同地進行單晶硅芯片的研磨。此結果，所得工件的研磨量均勻性表示于圖5中。研磨量均勻性有離散不均，約為 50 80%，較實施例1、2更為惡化。依以上的結果，具有本發明的研磨頭的構造的實施例1、2的情況，與習用研磨頭 的情況相較，提高了工件的研磨量均勻性，明確地獲得本發明的效果。(實施例3)與上述實施例2相同地，采用直徑300mm的單晶硅芯片作為工件W，但采用其橡膠 膜13b的內徑于296. 9 299. 5mm的范圍變化制作的研磨頭31，研磨荷重為30kPa，分別進 行一片工件的研磨。又，因橡膠膜的厚度為1mm，橡膠膜側部的外徑與橡膠膜的底面部的外 徑為298. 9 301. 5mm。另外，工件W的平坦度保證區域，于工件最外周部寬1mm除外時為 直徑298mm，于工件最外周部寬2mm除外時為直徑296mm。此結果，所得工件的研磨量均勻性表示于圖6中。由此可見橡膠膜側部13b的內 徑越大，有越提高研磨量均勻性的傾向。(實施例4)與上述實施例2相同地，采用直徑300mm的單晶硅芯片作為工件W，但橡膠膜13b 的內徑為299. 5mm、研磨荷重為30kPa，并使襯墊17的外徑于298 300. 4mm的范圍內變化， 分別進行一片工件的研磨。此結果，所得工件的研磨量均勻性表示于圖7中。襯墊17的外徑大于工件W的直 徑300mm時，更提高了研磨量均勻性。本發明并非被限定于上述實施形態者，上述實施形態僅為例示，凡是具有和本發 明的權利要求所記載的技術思想實質相同的構成，可達到同樣的作用效果者，皆包含在本 發明的技術范圍中。例如，本發明的研磨頭不限定于圖1、圖2所示的形式，例如，只要中板的底面部的 整體與橡膠膜未接觸，亦可適當地設計其它的研磨頭的形狀等。另外，研磨裝置的構成亦不限定于圖3所示者，例如，可為具備多個本發明的研磨 頭的研磨裝置。
權利要求
一種研磨頭，是針對至少由略圓盤狀的中板、以及覆蓋該中板的至少底面部與側面部的橡膠膜所組成，具有由前述中板與前述橡膠膜所包圍的空間部，并構成可利用壓力調整機構來改變前述空間部的壓力，于前述橡膠膜的底面部保持工件的背面，使該工件的表面與貼附在轉盤上的研磨布作滑動接觸來進行研磨的形態的研磨頭，其特征在于前述中板與前述橡膠膜，于前述中板的至少底面部的整體未接觸而具有間隙。
2.如權利要求1所述的研磨頭，其中前述中板的底面部與橡膠膜之間的間隙不足1mm。
3.如權利要求1或2所述的研磨頭，其中前述中板與前述橡膠膜即使在前述中板的側 面部的整體亦未接觸而具有間隙。
4.如權利要求1至3中任一項所述的研磨頭，其中前述橡膠膜中，覆蓋前述中板的側面 部的部分的內徑大于前述工件的平坦度保證區域。
5.如權利要求1至4中任一項所述的研磨頭，其中前述橡膠膜在保持前述工件的面具 備襯墊。
6.如權利要求5所述的研磨頭，其中前述襯墊的直徑大于前述工件的直徑。
7.一種研磨裝置，是在研磨工件的表面時所使用的研磨裝置，其特征在于至少具備研磨布，貼附于轉盤上；研磨劑供給機構，用以供給研磨劑至該研磨布上；以及研磨頭，用以保持前述工件，為權利要求1至6中任一項所述的研磨頭。
全文摘要
本發明是一種研磨頭(11)，是針對至少由略圓盤狀的中板(12)、以及覆蓋該中板的至少底面部與側面部的橡膠膜(13)所組成，具有由前述中板與前述橡膠膜所包圍的空間部(14)，并構成可利用壓力調整機構(15)來改變前述空間部的壓力，于前述橡膠膜的底面部保持工件(W)的背面，使該工件的表面與貼附在轉盤上的研磨布(22)作滑動接觸來進行研磨的形態的研磨頭，其中前述中板與前述橡膠膜，于前述中板的至少底面部的整體，未接觸而具有間隙(14a)。以此，提供一種研磨頭等，于橡膠夾頭方式的研磨頭中，可不受中板的剛性、平面度的影響，而對工件整體施加均勻的研磨荷重。
文檔編號H01L21/304GK101827685SQ20078010116
公開日2010年9月8日 申請日期2007年11月20日 優先權日2007年11月20日
發明者北川幸司, 岸田敬實, 桝村壽, 森田幸治, 荒川悟 申請人:信越半導體股份有限公司;不二越機械工業株式會社