用于制造有機發光裝置的方法以及這樣的裝置的制作方法

專利名稱：用于制造有機發光裝置的方法以及這樣的裝置的制作方法
用于制造有機發光裝置的方法以及這樣的裝置
本發明提供了 一種用于制造電子裝置的方法，該方法至少包
括
提供襯底；
在該襯底上提供一區域，該區域必須受保護而免受濕氣(水 蒸汽)和/或氧氣；
才是供至少一個4妾觸部U妾觸，觸點，contact);
提供至少包括第一無機層的封裝層系統，該第一無機層是在 形成該封裝系統時所施加的該封裝系統的第 一個無才幾層，該封裝系 統至少密封該區域以免受濕氣和/或氧氣；
該至少 一 個接觸部從所述密封區域延伸到該襯底的未被封裝 層系統密封的部分。
本發明還涉及一種電子裝置，該電子裝置至少包括
在該4于底上的一區域，該區域必須受保護而免受濕氣和/或氧 至少一個4妄觸部；
至少包括第一無機層的封裝層系統，該第一無機層是在形成 該封裝系統時所施加的封裝系統的第 一個無才幾層，該封裝系統至少 密封該區域以免受濕氣和/或氧氣；
該至少 一個4妄觸部/人所述密封區i或延伸到該邱于底的未一皮封裝 層系統密封的部分。這樣的裝置例如可以是無源以及有源類型的有片幾發光裝置、太 陽能電池、有才幾電子裝置、有才幾太陽能電池或者Si裝置，其區域例 如傳感器區域必須通過封裝層系統來保護以免受濕氣或氧氣。
這樣的方法和裝置從涉及有機發光裝置的WO2006/071106已 知。在該/>開中陳述了下述內容
廣泛的研究已經揭示

圖1 -7所示的現有技術裝置的問題在于， 由于封裝層系統在毗鄰第二側3的堤岸結構(bank structure) 4的 邊玄彖處不封閉(隔離，seal off)發光區，所以出現濕氣和/或氧氣的 入4曼。圖1中示出的細節II和III在圖2和3中圖示，且在圖4中 甚至更詳細地圖示。研究表明，金屬4妄觸部5的邊纟彖5a不平整且 脆弱。這是由接觸部是由多層金屬合金，例如MoCr、 Al、 MoCr 形成的事實所引起，這些層^皮蝕刻以形成4妾觸部5。由于A1蝕刻快 于MoCr ，所以4妄觸部5 一皮底切，這4吏得4妄觸部5的邊纟彖5a脆弱。 金屬石卒片10 (參見圖2、圖5和圖7)可以導致隨后形成的封裝層 結構的損傷。應注意，用于形成陽極線的蝕刻層或者由不同材料制 成的才矣觸部有時也不平整，這可以導致類似的問題。此夕卜，如圖2 至圖5所示，在堤岸結構4的邊緣4a和金屬接觸部5的邊緣5a的 交叉處，形成孔11。孔11不能由封裝層系統有歲文地封閉，并且濕 氣和氧氣將通過孔11入侵到發光區1。
這些問題通過圖8所示的實施方式來解決。在該裝置中，形成 堤岸結構4的光致抗蝕劑層4相對于根據現有技術的裝置中的層被 方文大，即，至這樣的效果，除了待形成的每條陰才及線的4妄觸位置 14(參見圖5和圖6)之外，該光致抗蝕劑層4在毗鄰至少一個第二 側3的接觸部5上方完全地延伸，待形成的相應陰極線與相應接觸 部5之間的電4妻觸通過該4妄觸4立置14來建立。通過該特4正，4妄觸 部5的脆弱的邊緣5a變得平滑并且孔11被覆蓋。因此，隨后沉積 的封裝層結構將更容易一致并且封裝層結構破壞的風險被最小化。封閉側面3是最為重要的，因為濕氣將沿著陰才及分離器9非常迅速 地;參入到發光區l中。這將直4妄導致OLED的損4毛。
應注意，WO2006/071106的圖1-7與本申i青基本上相同并且參 考數字l-14指代相同部件。
本發明涉及相關的問題，但提供了不同的解決方案。該問題是 由下述事實引起的，即，該至少一個4妻觸部具有一種結構或者由一 種材料制成，這使得難以獲得用封裝層系統的完美密封。
用于4妄觸部的MoCr、 Al、 MoCr層結構由于其高導電率及其耐 久性而被使用。第一 MoCr層用于Al在襯底上更好的附著(粘附)。 Al層用于提供低電阻導電率。第二 MoCr層用于保護Al層免受腐 蝕。
其他類型的接觸部可以是多孔的。這樣的接觸部例如可以通過 將包含Al或者Ag的膏料(漿料，paste )印刷在襯底上并且隨后加 熱該膏津+來形成。這是非常節省成本的^^妻觸部和/或4妻觸線施加在 襯底上的方式而無需困難的CVD或PECVD才支術或者蝕刻步驟。
在其^也情況中，4妻觸部可由有才幾材津十形成。當封裝層系統施加 于其上時，這樣的有機材料在多數情況下不適于形成完美密封。這 是因為有機材料會傳輸濕氣、氧氣或者其他這種不期望的物質。
如上所述，該接觸部具有的問題是不能夠與封裝層系統恰當地 密封防止濕氣和氧氣的侵入。
為了解決該問題，才艮據本發明，在此處上文的前言部分中定義 的方法中 該至少一個4妻觸部包#舌分流器(shunt),即斷^各(interruption ),
該斷^各通過導電電橋來4喬才妄；
封裝系統的第 一無機層被施加使得其與導電電橋直接物理接
觸；
該電橋具有一結構和形狀，該結構和形狀能夠被封裝層系統 密封地覆蓋，并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材料制成。
由于封裝系統的第 一無機層與分流器之間的直接物理接觸，以 及特殊導電電橋具有可以被封裝層系統密封地覆蓋且由濕氣和/或 氧氣不能透過的材料制成的結構和形狀，因此避免了水和濕氣侵入 密去j"區i或的問題。
在本發明的另 一詳細描述中，分流器內的電橋可以是透明導電 氧化物例如ITO的層。對于OLED,這才羊的層無"i侖如^f可必須應用(施 加)在發光區內。由于可以4吏分流器的長度4交短，因此相對于Al 而言ITO的更高電阻并不構成問題。另一方面，從工藝觀點來看， 使用ITO作為電橋材料是有利的，因為無論如何均存在應用ITO的 工藝步驟，并且因為ITO致密，因此不能被濕氣和氧氣滲透。此外， ITO與封裝層系統的第一無機層之間的良好附著是可行的。
在一可替換的實施方式中，分流器內的電橋可以是透明導電氧 化物例如ITO的層以及位于該層頂部上的MoCr層。
在又一可替換的實施方式中，分流器內的電橋可以是透明導電 氧化物例如ITO的層以及位于該層頂部上的MoCr層和Al層。
如上所述，該至少一個沖妄觸部可以包括MoCr層、該MoCr層 頂部上的Al層以及該Al層頂部上的MoCr層。在一可替換的實施方式中，該至少一個接觸部可以包括多孔導
電材并+ 。多孑L導電材泮+可以包括通過印刷4支術^皮施加且隨后凈皮加熱 的Al或Ag。
在又一可^^換的實施方式中，該至少一個4妻觸部可以包4舌有才幾 導電材料。
才艮據本發明，上述前言部分的電子裝置的至少 一個接觸部具有 一結構或者由 一材料制成，使得通過封裝層系統難以獲得完美的密 封，
該至少一個4妄觸部包4舌分流器，即斷^各，該斷^各通過導電電 橋來橋接；
該封裝系統的第 一無才幾層#皮施加佳_得其與該導電電橋直4妄物 理接觸；
該電才喬具有一結構和形狀，該結構和形^I犬可以,皮去J"裝層系統 密封地覆蓋并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材料制成。
在一實施方式中，該電子裝置可以是有才幾發光裝置，其包括 沿第一方向延伸的平4于導電線；
與第一導電線電接觸的第一接觸部； 第二^妾觸部；
第一接觸線；
第二接觸線，該第二接觸部具有帶有所述電橋的分流器；
位于該第一導電線的至少部分上以形成發光區的有源層，該 有源層中至少包括發光聚合物；以及
第二平行導電線，該第二平行導電線沿與第一方向交叉的第 二方向延伸并且與第二4妻觸部電^妄觸。在許多情況中，襯底i殳置有連接器用于將OLED連接至控制芯 片。第一^^觸線和第二4妻觸線可以分別在連4妄器與第一和第二4妄觸 部之間形成連接。然而，還可能的是，不〗又接觸線存在于連接器與 第一和第二接觸部之間，而且控制電子設備應用于連接器與第一和 第二4妻觸部之間的坤于底。
在上文定義的OLED中，除了第二4妻觸部，該第一4妾觸部也可 具有帶有所述電橋的分流器。
在電子裝置的可替換的實施方式中，該電子裝置可以是必須保 護以免受濕氣和/或氧氣或其4也氣體的太陽能電池、有才幾電子裝置、 有才幾太陽能電池、Si裝置；其中傳感器區域必須受保護以免受濕氣、 氧氣或其他氣體的傳感器裝置等。
如在WO2006/071106中所描述的，水和濕氣4曼入OLED，更具 體而言無源類型OLED的發光區，最可能沿第二導電線的方向發 生，即從發光區的第二側。這是因為第二導電線在大多數情況下形 成在所謂的陰極分離器之間，該陰極分離器提供遮蔽結構用于被施 加以形成第二導電線的導電層。通過沿著那些陰極分離器的毛細效 應來促進水和濕氣4曼入發光區。
當然，對于有源類型的OLED,也必須防止濕氣和氧氣的4曼入， 并且即使在沒有陰極分離器的情況下，也存在顯著的這種侵入的危險。
每個第二接觸部內的分流器提供沿著第二側的區域，該區域沒 有碎片、不規則和第二接觸部內的底切部分。封裝系統的第一無機 層(其確實良好地阻擋水、濕氣和氧氣)是沿著與每個第二接觸部 的分流器直纟妄物理4妻觸的發光區的第二側并位于與襯底直4妄4妻觸 的第二接觸部之間。測試表明，通過這樣的構造獲得一種完美的封裝。這可能是因為，第一無4幾層不受到石卒片、不失見則和/或第二4妄觸 部內的底切部分損傷的事實。氧氣、濕氣和/或水的侵入降低到對于
OLED耐久性所必需的最小值。
相對于WO2006/071106中描述的4支術方案，OLED的^H"底可以 更小，同時維持相同尺度的發光區。這是因為發光區周圍的邊界寬 度更小，因為4是供^象素隔室的i是岸結構無需如WO2006/071106中 的情況那樣全部在接觸部上方完全地延伸。
此外，可以選才奪該分流器中仍存在的導電層，使得提供第一無 機層與導電層之間非常良好的附著。
盡管不易受到水、濕氣和氧氣侵入，但是通過提供一種方法和 OLED，發光區的第一側也可以更好地受j呆護以免受水、濕氣和/或 氧氣的侵入，其中根據本發明另一詳細描述，第一接觸部包括也帶 有所述電橋的分流器。
每個第一接觸部內的分流器提供沿著第一側的區域，該區域沒 有碎片、不規則和第一接觸部內的底切部分。封裝系統的第一無機 層(其確實良好地阻擋水、濕氣和氧氣)是沿著與每個第一接觸部 的分流器直接物理接觸的發光區的第 一側，并且位于與襯底直接接 觸的第一接觸部之間。通過這種構造獲得一種完美的封裝，這可能 是因為這樣的事實，即，第一無機層并不受到碎片、不規則或第一 接觸部內的底切部分的損傷。氧氣、濕氣或水的侵入降低至對于 OLED耐久性所必需的最小〃值。
出于與上述相同的原因，相對于在WO2006/071106中描述的 技術方案，OLED的襯底可以更小，同時維持相同尺度的發光區。 此外，可以選擇分流器內仍存在的導電層，使得提供第一無機層與 導電層之間非常良好的附著。在本發明的實施方式中，第 一和/或第二接觸部可具有由與第一 導電線相同的材津+的底層以及位于該底層頂部上的導電層結構構 成的結構。
從工藝效率的觀點來看，這是有利的，因為第一導電線的材料 無論如何都必須被施加，使得用于施加這些第一導電線的工藝步驟 也可以用于形成第一和/或第二4妻觸部的底層。
制成第 一導電線以及第 一和/或第二4妄觸部的底層的材津+可以
是導電透明氧化物，諸如ITO。
第一無才幾層與導電透明氧化物具有非常良好的附著。此外，可
以施加導電透明氧化物例如ITO (銦錫氧化物)，其具有非常平滑 的上表面，且沒有不規則、碎片、底切區域等。結果，提供一種非 常良好的發光區的封裝。
第一和/或第二4妄觸部的位于底層頂部上的導電層結構可以由 MoCr層、Al層和MoCr層構成。這才羊的導電層結構具有〗氐電阻并 且是耐久的。
在本發明的實施方式中，在所述第一和/或第二4妻觸部的分流器 的位置處不存在位于底層頂部上的導電層結構。
在本發明的另一實施方式中，在所述第一和/或第二接觸部的分 流器的位置處，不存在位于底層頂部上的導電層結構的MoCr上層。
在本發明的又一 實施方式中，在所述第 一和/或第二接觸部的分 流器的位置處，不存在MoCr上層和Al層。
根據本發明的另 一詳細描述，每一第 一和/或第二接觸部內的分 流器可以通過在形成分流器的區域內除去第 一和/或第二接觸部的至少一個上層來形成。可^齊4奐地，也可以在形成分流器的區域內不 施加第 一和/或第二4妄觸部的至少 一個上層。
該除去可以通過例如濕法或干法(等離子體)蝕刻的蝕刻來完成。
去于裝系統可以包4舌有才幾和無才幾層的堆疊(stack )。所施加的堆 疊的第一層可以是第一無才幾層。然而，也可以在施加第一無才幾層之 前，施加第一有才幾層。在這種情況下，有沖幾層不應^隻蓋^妾觸部的分 流器部分。實際上，第一無才幾層應與i殳置有這種分流器的4妻觸部的 分流器直4妻物理-接觸。
在第 一 無機層之后施加的封裝系統的層可以在比第 一 無機層 更大的區域上延伸，使得第 一無才幾層完全-皮封裝系統的后續層的至 少一個所覆蓋。因此環境與發光區之間阻擋的數目增加，從而降低 濕氣、水和/或氧氣4曼入至發光區的風險。
在本發明的另 一 詳細描述中，封裝系統的第 一 無機層具有 一 周 纟彖(circumferential edge )，該周》彖在^妄觸部的分流器的^f立置處與至 少每個第二接觸部直接物理接觸，并且可選地在接觸部的分流器的 位置處與每個第一接觸部直接物理接觸。
這樣的構造提供了將發光區周圍的邊界寬度降低至最小值的 可能性。
第一無才幾層可以由選自由Al、 Si或Ge與N、 O或C的所有紐— 合組成的組的材料，例如SiN、 SiOx、 GeN等構成。通常，可以施 加隔絕濕氣和氧氣的 <壬 <可陶乾層。為了提供高的制造效率，第 一和第二接觸部可以以相同的工藝 步艱《形成。
出于相同原因，第一4妄觸線可以以與第一4妾觸部相同的工藝步 驟形成，并且第二4妄觸線可以以與第二4妻觸部相同的工藝步驟形 成。將清楚的是，接觸線可以僅由導電層結構構成，而在至少第二 接觸部內不存在底層。在接觸線內，導電層結構可以僅包括一層或
多層，例如MoCr、 Al和MoCr的結構。
本發明還包括 使用才艮據本發明的方法獲得的OLED。
將通過實際實施方式并參考附圖對本發明進行進一步闡述，其
中
圖1示出了現有技術OLED(有機發光裝置)的示意性頂視圖2示出了圖1的細節II;
圖3示出了圖1的細節III;
圖4示出了圖3的細節IV;
圖5示出了圖1的細節V;
圖6示出了圖5的截面VI-VI;
圖7示出了圖5的截面VII-VII;
圖8示出了根據本發明的OLED的實施方式的頂視圖9示出了如圖5所示的相應細節，然而現在是根據本發明的 實施方式；
圖IO示出了在圖9的線X-X上的截面； 圖11示出了在圖9的線XI-XI上的截面；圖12示出了另一實施方式的在圖8的線XI-XI上的相應截面；
以及
圖13示出了又一實施方式的在圖8的線XI-XI上的相應截面。
圖1-7所示的已知OLED具有有第一側2和第二側3的發光區 1。 OLED包括來自例如玻璃、透明塑料等的襯底S (參見圖7)。 在發光區1內，在第一側2之間延伸的平行陽極線15設置在襯底 上。陽^J戔15優選由導電透明氧化物例如ITO制成。此外，襯底 i殳置有沿著發光區1的第一側2的第一4妾觸部6。第二4妾觸部5沿 著發光區1的第二側3設置。此外，連接器部件7設置在襯底上。 第一接觸部6通過4妻觸線17連4妄至連4妻器部件7。第二接觸部5通 過接觸線18連接至連接器部件7。在使用時，OLED將連接至控制 芯片，該控制芯片連接至連接器部件7。發光區被像素隔室8設置 于其中的光致抗蝕劑層4所覆蓋。光致抗蝕劑層4在現有沖支術中標 示為"堤岸結構"。在發光區1內，陰極分離器9(參見圖3、圖5 和圖6)設置在堤岸結構4上。陰極分離器9可以由相對較厚的光
1的第二側3之間延伸的陰極分離器9。陰極分離器9提供掩蔽結 構，本身已知的是，此掩蔽結構使將沉積在其上的導電層斷路。因 此，形成在發光區1的第二側3之間延伸的平行陰極線16。陰極線 16覆蓋堤岸結構4內的像素隔室8。在形成陰極線16之前，像素 隔室8填充有例如PPV的發光材料(LEP)并且填充有例如PEDT的 空穴注入層(HIL)，該空穴注入層提高發光效果，這些材料在本領域 中是已知的。HIL和LEP的施加可以通過噴墨印刷來完成。
在沉積HIL、 LEP和陰才及線之后，發光區1通過包括無才幾和有 機層的堆疊的封裝層系統來封閉。廣泛研究表明，圖l-7所示的現有技術裝置的問題在于，由于封裝層系統在毗鄰第二側3的堤岸結構4的邊緣處不封閉發光區的
事實，發生濕氣和/或氧氣的侵入。圖i所示的細節n和m描述于
圖2和圖3中，并且甚至更詳細地描述于圖4中。研究表明，金屬第二接觸部5的邊緣5a不平整且脆弱。這由下述事實引起，接觸部是由多層金屬合金，例如MoCr、 Al、 MoCr形成，這些層凈皮蝕刻掉以形成接觸部5。由于Al蝕刻快于MoCr,因此接觸部5^皮底切，這使得接觸部5的邊緣5a脆弱。金屬碎片10 (參見圖2、圖5和圖7)可以導致后續形成的封裝層結構的損壞。應注意到，用于形成陽極線的蝕刻層或者由不同材料制成的接觸部有時也不平整，這可以導致相似的問題。此外，如圖2-5所示，在i是岸結構4的邊》彖4a與金屬4妄觸部5的邊緣5a的交叉處，形成孔11。孑L 11不能由封裝層系統有效地封閉，并且濕氣和氧氣將通過孔11侵入到發光區1。
下述描述涉及本發明的一個實施方式。多個其他實施方式也是可行的。
圖8示出了本發明實施方式的頂視圖，其中第一接觸部6和第二才妻觸部5各自i殳置有分流器19,即斷^各，該斷3各通過導電電橋來才喬才妄。由有才幾和無才幾層的堆疊構成的封裝系統的第一無才幾層20覆蓋發光區1。第一無才幾層20與第一和第二4妻觸部6、 5的每一個的分流器19直接物理接觸。更具體而言，第一無機層20的周緣20a與4妄觸部5、 6的分流器19直接物理4妄觸。應注意到，第一接觸部6內的分流器是可選的。分流器19的電橋具有一結構和形狀，該結構和形狀可以一皮封裝層系統密封地覆蓋并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材料制成。
圖9示出了如圖5所示的相應細節，然而現在是根據圖8所示的本發明的實施方式。第二接觸部5上的分流器19用斜陰影示出。機層20在該圖中從周緣20a向左延伸。圖9示出了截面，其中X-X的截面示于圖10中，而XI-XI的截面示于圖11-13中，這些截面各自描述本發明的不同實施方式。
圖IO的截面示出了在第二4妻觸部5和導電透明氧化物例如ITO的底層21的位置處的襯底S。在底層21頂部上的是導電層結構。在該實施方式中，導電層結構包括MoCr層22、 Al層23和MoCr層24。由于Al蝕刻快于MoCr的事實，層23可具有底切側邊緣。在截面X-X處，存在封裝系統的第一無機層20。在層20的頂部上，可以存在圖10中未說明的各種其他封裝層。因此，可以提供后續無才幾和有才幾層的堆疊以形成封裝系統。
為了提供更好的封裝，分流器19已經設置在至少每個第二接觸部5上并且可選地也設置在第一接觸部6上。
圖11示出了本發明第一實施方式的在圖9的線XI-XI上的截面。在該實施方式中，整個導電層結構不存在于底層21的頂部上，例如^皮除去，或者可替換地沒有#1施加。底層21平滑且不具有底切部分。結果，底層21頂部上的第一無機層20與周圍襯底S的附著非常良好，由此防止濕氣、水和/或氧氣的侵入。
圖12示出了本發明的第二實施方式，其中不存在上MoCr層24和A1層23。這種實施方式也是可行的，因為底切部分不存在，并且碎片或其他不規則的存在顯著減少。
圖13示出了本發明的第三實施方式，其中僅上MoCr層24不存在。對于該實施方式，存在與圖12的實施方式相同的可行性原因。在所描述的實施方式中，第一無機層20的周緣20a與每個接觸部5和6的分流器19直4妄物理4妻觸。然而，下述也是可能的，第一無機層20覆蓋較大區域，例如由離開發光區1的接觸部5、 6的端部定義的區域，或者除了連接器7以外的整個襯底表面。
還清楚的是，其他材料可用于接觸部5和/或6的底層21頂部上的導電結構，以及與導電透明氧化物不同的材料可用于接觸部的底層21。要點在于，第一無4幾層20在分流器處施加于其頂部上的層是平滑的，沒有不規則、底切部分等，由此提供發光區的良好封裝，并且由此才是供濕氣或氧氣不能滲透的阻擋。
在所附沖又利要求的范圍內的各種改進是可能的。該方法也可以提供完全不同類型的電子裝置，例如
有源矩陣類型而不是無源矩陣類型的OLED;
太陽能電池；
有機電子裝置；
有才幾太陽能電-也；
Si-裝置，其一區域必須受保護以免受濕氣或氣體。
通常，該裝置具有一區域，該區域必須通過封裝層系統與環境封閉，并且該區域具有從該裝置的封閉區域延伸到未封閉部分的接觸部，由于制成^妾觸部的才才并牛或者由于^妾觸部的結構和/或形爿大，如果不釆取如本發明提出的特別措施，則接觸部將會引起濕氣或氣體侵入該區域。
權利要求
1.一種用于制造電子裝置的方法，至少包括提供襯底；在所述襯底上提供一區域，所述區域必須受保護以免受濕氣和/或氧氣；提供至少一個接觸部；提供至少包括第一無機層的封裝層系統，所述第一無機層是在形成所述封裝系統時所施加的所述封裝系統的第一個無機層，所述封裝系統至少密封所述區域以免受濕氣和/或氧氣；所述至少一個接觸部從所述密封區域延伸至所述襯底的未被所述封裝層系統密封的部分，所述接觸部具有一結構或者由一材料制成，使得經由所述封裝層系統難以獲得完美的密封，所述至少一個接觸部包括分流器，即斷路，所述斷路通過導電電橋來橋接；所述封裝系統的所述第一無機層被施加使得其與所述導電電橋直接物理接觸；所述電橋具有一結構和形狀，所述結構和形狀可以被所述封裝層系統密封地覆蓋并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材料制成。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述分流器內的所述電橋 為透明導電氧化物如ITO的層。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述分流器內的所述電橋為透明導電氧化物如ITO的層以及位于所述層頂部上的MoCr層。
4. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述分流器內的所述電橋為透明導電氧化物如ITO的層以及位于所述層頂部上的MoCr層和Al層。
5. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個接觸部包括MoCr層、在所述MoCr層頂部上的Al層以及在所述Al層頂部上的MoCr層。
6. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述至少一個接觸部包括多孔導電材料或者有機導電材料。
7. 根據權利要求6所述的方法，其中，所述多孔導電材料為通過印刷才支術—皮施加并且隨后一皮加熱的Al或Ag。
8. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，為了制造有機發光裝置，所述方法至少還包括形成沿第一方向延伸的第一平行導電線；形成與所述第 一導電線電接觸的第 一接觸部；形成第二4妻觸部；形成第一接觸線；形成第二4妄觸線；在所述第 一導電線的至少部分上提供有源層以形成發光區，所述有源層中至少包括發光聚合物；以及形成第二平行導電線，所述第二平行導電線沿與所述第 一方向交叉的第二方向延伸并且與所述第二^妄觸部電^妻觸；所述第二接觸部具有帶有所述電橋的分流器。
9. 根據權利要求8所述的方法，所述第一接觸部也具有帶有所述電橋的分流器。
10. 根據權利要求8或9所述的方法，其中，所述第一和/或所述 第二4妄觸部具有由與所述第 一導電線相同材料的底層以及位 于所述底層頂部上的導電層結構構成的結構。
11. 根據權利要求10所述的方法，其中，制成所述第一導電線以 及所述第 一 和/或所述第二接觸部的所述底層的材料是導電透 明氧4b物，^。ITO。
12. 4艮據權利要求10或11所述的方法，其中，所述第一和/或第 二4妄觸部的位于所述底層頂部上的所述導電層結構由MoCr 層、Al層和MoCr層構成。
13. 才艮據4又利要求10-12中任一項所述的方法，其中，在所述第一 和/或第二 4妾觸部的所述分流器的位置處，不存在位于所述底 層頂部上的所述導電層結構。
14. 才艮據權利要求12所述的方法，其中，在所述第一和/或第二接 觸部的所述分流器的位置處，不存在MoCr上層。
15. 才艮據權利要求12所述的方法，其中，在所述第一和/或第二4妻 觸部的所述分流器的^立置處，不存在MoCr上層和Al層。
16. 根據權利要求1所述的方法，其中，接觸部內的所述分流器通過在形成所述分流器的區域內除去所述4妾觸部的至少 一個所述上層來形成。
17. 根據權利要求16所述的方法，其中，所述除去通過蝕刻，例如濕法或千法蝕刻來完成。
18. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述封裝系統包括有機和無機層的堆疊。
19. 才艮據一又利要求18所述的方法，其中，在所述第一無才幾層之后施加的所述封裝系統的層在比所述第 一無才/L層更大的區域上延伸，使得所述第 一 無機層完全被所述封裝系統的后續層的至少一個所覆蓋。
20. 根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述封裝系統的所述第一無機層具有一周緣，所述周緣在所述接觸部的所述分流器的位置處與每個沖妄觸部直4妻物理4妄觸。
21. 根據至少權利要求2所述的方法，其中，所述封裝系統的所述第 一 無才幾層具有 一 周纟彖，所述周纟彖在所述4妄觸部的所述分流器的位置處與每個4妄觸部直4妄物理4妻觸。
22. 根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一無機層由選自由Al、 Si或Ge與N、 O或C的所有組合組成的組中的材料，例如SiN、 SiOx、 GeN等構成。
23. 根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一和所述第二接觸部以相同的工藝步艱《形成。
24. 才艮據^又利要求8所述的方法，其中，所述第一接觸線以與所述 第 一接觸部相同的工藝步驟形成。
25. 才艮據斗又利要求8所述的方法，其中，所述第二接觸線以與所述 第二4妾觸部相同的工藝步驟形成。
26. —種電子裝置，至少包括在所述4十底上的 一 區i或，所述區i或必須受4呆護以免受濕 氣和/或氧氣；至少一個^妾觸4p;至少包括第一無機層的封裝層系統，所述第一無機層是 在形成封裝系統時所施加的所述封裝系統的第 一個無才幾層，所 述封裝系統至少密封所述區域以免受濕氣和/或氧氣；所述至少 一 個4妄觸部/人所述密佳'于區i或延伸至所述4于底的 未被所述封裝層系統密封的部分，所述接觸部具有 一結構或者 由一材料制成，使得經由所述封裝層系統難以獲得完美的密 封，所述至少一個4妻觸部包4舌分流器，即斷^各，所述斷^各通 過導電電橋來橋接；所述封裝系統的所述第 一 無才幾層被施加使得其與所述導 電電纟喬直4妻物理-接觸；所述電才喬具有 一 結構和形爿犬，所述結構和形狀可以 一皮所 述封裝層系統密封地覆蓋并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材 料制成。6
27. 根據權利要求26所述的電子裝置，其中，所述裝置是有機發光裝置，所述有機發光裝置包括沿第 一方向延伸的平4亍導電線；與所述第 一導電線電4妻觸的第一"^姿觸部；第二接觸部；第一4妄觸線；第二接觸線，所述第二接觸部具有帶有所述電橋的分流器；層，所述有源層中至少包括發光聚合物；以及第二平行導電線，所述第二平行導電線沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸并且與所述第二接觸部電接觸。
28. 根據權利要求27所述的有機發光裝置，其中，所述第一接觸部還具有帶有所述電橋的分流器。
29. 利用根據權利要求1-25中任一項所述的方法獲得的有機發光裝置。
30. 根據權利要求26-29中任一項所述的電子裝置，其中，所述襯底對于濕氣和氧氣是不滲透的。
31. 才艮據;〖又利要求30所述的電子裝置，其中，為了^f吏所述襯底對于濕氣和氧氣是不滲透的，而為所述襯底^殳置包括一個或多個層的纟余層。
全文摘要
一種電子裝置，至少包括襯底(5)；在該襯底上的一區域(1)，該區域必須受保護以免受濕氣和/或氧氣；至少一個接觸部(5，6)；至少包括第一無機層(20)的封裝層系統，至少一個接觸部從所述密封區域延伸至襯底的未被封裝層系統密封的部分，該接觸部包括分流器(19)，即斷路，該斷路通過導電電橋來橋接；封裝系統的第一無機層被施加使得其與導電電橋直接物理接觸；該電橋具有一結構和形狀，該結構和形狀可以被封裝層系統密封地覆蓋并且由濕氣和/或氧氣不能透過的材料制成。本發明還提供了一種用于制造這樣的裝置的方法。
文檔編號H01L27/32GK101681998SQ200780053034
公開日2010年3月24日 申請日期2007年3月20日 優先權日2007年3月20日
發明者呂迪格·蘭格, 巴斯·揚·埃米爾·范倫斯 申請人:Otb太陽能有限公司