混合硅太陽電池及其制造方法

專利名稱：混合硅太陽電池及其制造方法
技術領域：
本發明涉及硅太陽電池的領域，具體地，本發明涉及一種使用混 合技術以改進能量轉換效率和降低生產成本制造此太陽電池的方法。
背景技術：
基于p型硅晶片的太陽電池的制備通常為先通過諸如磷等適當摻
雜劑的擴散將晶片的頂表面轉換成n型，從而在光接收側形成淺n型 區(發射極)，隨后通過諸如氫化氮化硅對光接收側進行鈍化，以及通 過對由諸如Al的較重摻雜的p型摻雜劑形成的背面電場迸行背面鈍 化，然后對硅片兩面的電接觸層進行金屬化。
然而，n型Czochralski (CZ)硅晶片相比于通常可利用的摻硼的 p型CZ硅晶片具有顯著的優點。這是因為在標準p型CZ材料中由于 與氧和硼雜質的同時存在，導致缺陷的生成，該缺陷顯著降低了 p型 材料中的少數載流子的壽命。相比而言，沒有明顯氧濃度的硅晶片(這 可以通過非CZ過程例如通過使用浮區法生產的晶片來實現)或沒有明 顯硼濃度的硅晶片(諸如n型或高電阻率的Czochralski晶片)比在太 陽電池的商業化生產中主要使用的標準p型CZ晶片能得到更高的少數 載流子壽命。然而，在商業太陽電池的生產中所使用的大部分現存設 備和/或過程都已被開發設計適用于p型晶片生產而不能用于n型晶片 制作。而太陽電池工業仍必須將n型CZ晶片并入生產過程中。此外， 對于n型晶片，硼摻雜還是制備其p型區(發射極)的主導方法。因 此，僅僅采用n型晶片仍會導致在電池結構中存在同時具有高B和O 濃度的區域。
現有技術提出在晶體硅的光接收表面上生長非晶硅(a-Si)材料層以在界面處形成了異質結來作為一種避免硼摻雜的p型CZ-Si區的方
法。利用此方法，使用n型CZ硅晶片，而不在硅晶片中引入任何的硼 摻雜區，以在整個器件中保持高的少數載流子壽命。
然而，利用此方法，由于異質結構中的非晶硅具有非常低的導電 率，當異質結構用在光接收表面處時，將生成的電流沿平行于電池表 面的方向傳導到位于非晶硅材料之上的金屬接觸是不可行的。如現有 技術中所示必須在非晶硅層上沉積導電氧化物層(如銦錫氧化物)。此 導電氧化物層從非晶硅材料收集生成的電荷并將它傳導到金屬接觸所 在的位置，從而將電流在非晶硅材料中的流動減到最小。然而，導電 氧化物層明顯增加太陽電池的制造成本，同時也因為引入了不合需要 的光吸收以及由于與金屬接觸的界面處的電阻損耗而降低了電池的性 能。傳導氧化物層還導致潛在的耐用性問題，隨著電池的老化，所述 問題會降低電池的性能。這種影響在文獻中已有完整的記載。
光接收表面上的非晶硅層厚度的微小變化也能夠對電池性能有顯 著的影響。例如，如果非晶硅壁最佳厚度稍厚，則在非晶硅材料內將 出現明顯的光吸收，這不能有助于電池的生成電流。這尤其降低了電 池對較短波長的光的響應。另一方面，如果非晶硅比最佳厚度稍小， 則這將導致較差效果的表面鈍化，器件電壓相應降低。非晶硅材料的 最佳厚度恰好在減少短波長響應的一些損失和減少電壓的一些損失這 兩個損失機制之間折衷。

發明內容
根據第一方面，提供一種太陽電池，包括
i) 晶體硅層，其具有前光接收表面和背面；
ii) 非晶半導體層，在所述晶體層背面上與晶體層形成異質結；
iii) 與所述晶體層接觸的第一接觸結構和與所述非晶層接觸的第 二接觸結構。該器件可以形成在硅晶片上或在玻璃或其他合適襯底上的晶體硅 薄膜上。
第二接觸結構與背面上的非晶層接觸并且位于該非晶層上，并且 可以是連續的接觸層或者可以是諸如柵格狀或一組手指狀的間歇結 構。在第二接觸結構與異質結構互相交叉的背面n型自對準金屬化的 情形中，非晶層可以在整個背面上是連續的，或者非晶層和柵格狀/手 指狀的第二接觸以相同的間歇式結構沉積在背面上，從而使金屬接觸 結構與非晶硅層對準。
第一接觸結構可以是諸如柵格狀或一組手指狀的間歇結構，位于 晶體硅層的前光接收表面上，或者在第一接觸結構與異質結構相互交
叉的背面n型自對準金屬化的情形中，如果非晶層在整個背面上連續， 則最初位于非晶層上的第一接觸結構(也位于背面)最終可以與非晶 層隔離。在此情形中，需要對第一接觸進行處理，使得它延伸通過相 隔的非晶層以接觸到晶體硅層的背面。在后者的情形中，第一和第二 接觸結構中的一個將在背面上間隔進行以均能實現晶體區和非晶區的 分布式電接觸。
根據第二方面， 一種在與硅太陽電池體的前光接收表面相對的的 背面上形成異質結的方法，包括
a) 在摻雜的晶體硅層背面上形成相反摻雜的非晶半導體層；
b) 然后形成與上述非晶半導體層接觸的背面接觸；
C)在前表面上需要金屬接觸的位置處形成與晶體硅層相同導電 類型的重摻雜區；
d)形成與上述重摻雜區接觸的金屬接觸；
該方法可以在硅晶片或生長在玻璃或其他合適襯底上的晶體硅薄
膜上進行。優選地，在使用晶片的情形中，摻雜的硅晶片為n型硅晶 片，對該n型硅晶片首先進行去除表面損傷、制絨和清洗。晶片的前 表面優選地用含磷摻雜劑進行PECVD沉積氮化硅層。如此即可在氮化
11硅層之下引入電子累積層。
非晶半導體層優選地是氫化非晶硅、氫化非晶碳化硅或氫化非晶 硅鍺合金。在下文中我們將使用氫化非晶硅作為示例。
第二接觸結構諸如通過濺射鋁，優選地由一層金屬或多層金屬形成。
第一接觸結構優選地由Ni、 Cu或Ag在n型晶體硅晶片或n型晶
體硅薄膜中的重摻雜1!++區上電鍍金屬制成。重摻雜！!++區優選地通過
磷摻雜劑的激光摻雜產生。
優選地，在化學鍍/電鍍金屬接觸之前，比如先經過鎳，然后銅， 然后為浮現銀，用銀替換銅的表面原子這一鍍金屬步驟之前，對11++區 進行清洗。然后優選地，進行金屬燒結(如果在Ni電鍍之后這還未進 行)。
可替選地，在采用硅晶片的情形中，前表面第一接觸結構可以在 背面異質結形成之前形成，在此情形中，需在晶體硅的背面上形成臨 時氧化物層，它在形成異質結的非晶硅層之前會被移除，然后再進行 背面金屬接觸。
在另一可替代方法中，前表面結構通過如下形成
a) 先通過氮化或氧化形成前表面預鈍化層；
b) 再沉積加入磷摻雜劑的n型氫化非晶硅層； C)然后沉積加入可選磷摻雜劑的氮化硅層；
隨后在由上述方法產生的前表面結構上添加如上面所述的第一接 觸結構。
在與異質結結構交叉設置的背面n型自對準金屬化接觸結構異質
12結中，與晶體硅晶片或晶體薄膜接觸的第一接觸結構形成在晶體硅晶 片或晶體薄膜的背面上，并且當非晶層是連續設置時，則通過激光摻 雜透過背面的非晶硅層形成，或者當非晶層是間斷式設置時，則激光 摻雜透過背面非晶硅層中的間隙形成。在背面上形成第一接觸和第二 接觸包括如下步驟
a) 在摻雜的氫化非晶硅層上以開放圖案形成帶有正極匯流條的第 二接觸結構；
b) 通過含有磷摻雜劑的等離子增強化學氣相沉積(PECVD)形成 諸如氮化硅、二氧化硅或碳化硅的前介電層和后介電層，利用掩模板 來使上述正極金屬匯流條暴露；
c) 利用激光摻雜在背面上形成與梳狀金屬涂覆區互相交叉的重 摻雜11++區；
d) 在上述重摻雜11++區上形成第一金屬接觸。
優選地，在這種形式的背面異質結器件中形成電接觸的過程包括
a) 在背面通過濺射諸如鋁的金屬形成第二接觸，以形成帶有正極 匯流條的梳狀圖案的背面接觸；
b) 在背面利用激光摻雜方法形成與上述梳狀金屬區互相交叉設 置的11++區；
c) 對上述11++區進行化學清洗，然后通過化學鍍/電鍍例如先鎳， 然后銅，然后為浮現銀，以用銀替換銅的表面原子這一步驟，以形成 與晶體硅層接觸的第一接觸結構；以及
d) 進行金屬燒結。
在采用硅晶片的情形中，在形成與硅晶片接觸的背面接觸之后， 在硅晶片的前表面進行含磷摻雜劑的PECVD沉積氫化氮化硅。這會在 氮化硅層之下形成電子累積層。
使用如上所述的激光摻雜方法，通過背面n型自對準金屬化工藝， 在設置于玻璃襯底上的n型晶體硅薄膜上形成含有與異質結結構呈交叉設置的背面n型自對準金屬化接觸結構的太陽電池的制作方法包括:
a) 在玻璃襯底上形成晶體硅薄膜；
b) 在暴露的晶體硅層的背面上生長非晶硅層以形成異質結；
C)通過在背面濺射諸如鋁的金屬形成第二接觸結構，以形成帶有 正極匯流條的梳狀圖案的背面接觸；
d) 用激光摻雜方法在背面上形成與上述梳狀金屬區互相交叉的 n+十區；
e) 在11++區上形成第一接觸結構。
在此情形中，優選地，在生長晶體硅層之前，在玻璃襯底先生長 加入磷摻雜劑的前表面氮化硅層。除此以外，該優選過程與采用摻雜 硅晶片的過程相似。


現在將參照附圖對本發明的實施例進行描述，在附圖中
圖1示意性地示出了具有前表面自對準金屬接觸的背面異質結結
構；
圖2示意性地示出了形成具有前表面自對準金屬化接觸的背面異 質結結構的一種方法中的中間步驟結構圖示；
圖3示意性地示出了一種背面n型自對準金屬化接觸結構與背面 異質結結構呈交叉設置的結構圖示；
圖4示意性地示出了利用激光摻雜通過前表面自對準金屬化形成 接觸結構的具有低溫介質層的異質結太陽電池結構的示意圖5示意性地示出了一種在玻璃基板上的n型晶體硅薄膜上形成 與異質結結構呈交叉設置的背面n型自對準金屬化接觸結構的太陽電 池結構示意圖。
具體實施例方式
參照附圖，示出了采用背面異質結構的太陽電池的若干實施例。在這些實施例中，異質結位于背面，避免了當異質結位于光接收 (前)面上時需要使用導電氧化層來實現橫向傳導，以及降低了器件 性能對于異質結構內的非晶硅層的厚度靈敏性的影響。在此處所述的 實施例中，光首先通過晶體硅區域，基本避免了短波長光通過非晶硅 層的情形。這也有助于實現金屬在非晶硅層的整個背面上的利用，因 此避免了使用導電氧化層來傳導平行于電池表面的方向的電流。
然而，在背面異質結的使用增加了在光接收表面附近產生的載流 子的行進距離，因為這些載流子必須行進到位于背面的收集結。因此， 優選使用高電阻率和高質量的晶片(無論該結構設計用于n型晶片還
是p型晶片)或者將晶體區制造為薄膜或兩者兼之。如果使用n型晶 片，則對其前表面需要針對n型材料的接觸圖案(否則在背面與異質 結的接觸互相交叉)，由此金屬接觸下面的重摻雜是有必要的，以便最 小化接觸電阻，并且最小化金屬/硅界面對器件暗電流的影響。在沉積 異質結所需的非晶硅材料之前，為避免晶片表面或晶片材料的品質下 降，應避免使用高溫熱處理。在沉積氫化非晶硅之后，隨后的器件處 理也應與現存的結構兼容以避免異質結退化或表面鈍化質量的下降。
對于高電阻率晶片，在沒有單獨的相同極性的前表面擴散的情況 下，將多數載流子從晶片體內傳導到n型金屬(第一)接觸(諸如前 表面金屬接觸)是一個挑戰，在此情形中，所述單獨的相同極性的前 表面擴散與背面上的異質結的使用不兼容。由于來自非晶硅中的氫的 損失或者乃至諸如通過在所需溫度下的結晶而對非晶硅材料的損害， 所以在背面異質結形成之后，不能使用傳統的前表面擴散；另一方面， 形成背面異質結前，傳統的前表面擴散也是不可行的，這是因為熱處 理過程會對背面帶來影響以及相關操作期間也會在背面產生問題，諸 如產生缺陷、表面變粗糙、表面污染、表面氧化或不合需要的摻雜劑 或其他雜質擴散進入表面。采用任何的當前商用電池技術(諸如絲網 印刷的太陽電池、埋入式接觸的太陽電池、點接觸太陽電池等)進行 金屬接觸方案通常不能實現上述全部內容，主要由于它們需要借助高溫熱處理過程，要么是與必要的擴散過程結合，或者是與另外的金屬 接觸的燒結結合。
參照圖1，上述的非晶硅/晶體硅異質結構17在電池的背面處使用， 而自對準的化學鍍(或電鍍)前表面金屬化接觸IO形成在重摻雜區13
上，該重摻雜區13通過使用如由Wenham和Green在US專利6429037
中所述的激光摻雜形成。然而，因為它必須與用于將多數載流子從它 們的生成點傳導到金屬所在的位置的技術結合使用，所以這樣做可能 是不夠的。諸如目前實際上在所有商業制造的太陽電池中使用的傳統 擴散過程與本發明中的背面異質結設計不兼容，目前已有三個可兼容 的可選方案(目前未在商業制造的電池中使用)經確定足以提供所必 須的多數載流子傳導。
在第一可選方案中，如Wenham等在澳大利亞臨時申請 No.AU2005926552禾口 2005926662 "Low area screen printed metal contact structure and method"(通過參引結合于此)中描述的，激光摻 雜的透明導體能夠用于將電流傳導到自對準的金屬接觸，其中優選地， 此透明導體與金屬接觸線正交分布。在此結構中，所有用于透明導體 和自對準金屬化接觸的激光摻雜都能在單一過程中進行，只要針對透
明導體使用不同的激光條件，由此疊置介電層和/或抗反射涂層和/或擴 散源不會被明顯損壞，因此仍能夠在隨后的電鍍過程對硅表面起掩模 作用。可替選地，透明導體也能在介電層/抗反射層/表面鈍化層沉積之 前形成，從而使它們的表面在用激光摻雜來形成自對準金屬化接觸后 的鍍金屬過程中受到保護。
在第二可選方案中，可以在表面利用靜電效應，例如刻意引入顯 著能級的電荷(如果使用n型晶片則為正電荷，如果使用p型晶片則 為負電荷)到表面介電層中，從而在該表面處產生累積層，以增強多 數載流子向金屬接觸或透明導體的位置的傳導。例如，將高能級的原 子氫引入富硅的氮化硅層能夠實現此結果。其他的元素也能夠將正電荷加入此介電層中。如果引入的適當，則這些靜電效應與介電層一起 能提供非常高效的表面鈍化。可替選地，具有適當寬帶隙和適當摻雜 的半導體材料也能被用來在表面附近造成能帶彎曲，產生累積層，以 此改善n型晶片的橫向傳導率。與此等同的方法也可用于p型晶片，
其中空穴積聚到表面，改善了多數載流子的橫向傳導率，在此情形中， 多數載流子為空穴。摻雜氫化非晶硅就是與背面異質結兼容的寬帶隙 半導體材料之一。在此材料中，釋放的原子氫可以與硅懸掛鍵在界面 處結合以消除中間隙態，從而增強了表面鈍化效果。此外，通過諸如 氮或氧的某些元素的擴散，晶體硅襯底的子表面區可以轉換成介電層， 從而將硅懸掛鍵移離原始的晶體硅表面并將由于沒有完全清洗遺留的 表面污染物導致的任何負面影響減到最小。
在第三可選方案中，通過使用快速熱處理(RTP)或激光摻雜來
實現整個前表面的大面積擴散也能起到效果，這些熱效應將不會使背 面的異質結退化。此技術能夠與自對準金屬化方案一起用于背面異質 結構，在此，前表面快速熱處理或激光擴散在激光摻雜形成與鍍金屬 接觸的重摻雜區之前進行。在此方案中，能夠將同一掾雜劑源用在前 表面擴散和自對準金屬化和/或透明導體的激光摻雜中。例如，磷源能 夠加入氮化硅抗反射涂層，然后作為前表面擴散、透明導體和自對準 金屬化的磷源。
在使用電阻率在l-5Q-cm的中等電阻率的n型晶片的情形中，晶
片本身的方塊電阻率足以避免對上述用于增強晶片中的多數載流子的 橫向傳導率以促進第一金屬接觸的收集的方法的需求。這些晶片有足
夠高的少數載流子壽命，只要晶片厚度不厚于200微米，則與所提供 的背面異質結器件設計兼容。
實現背面異質結結構的實施示例。
1.形成背面異質結，隨后通過激光摻雜形成前表面自對準金屬化 接觸(參照圖1)包括如下步驟
17a) 對n型硅晶片14去除表面損傷、制絨和清洗；
b) 在晶片背面上沉積一個p型氫化非晶硅層15;
c) 在前表面利用PECVD沉積含有磷摻雜劑的氮化硅11，以此在
氮化硅層11之下引入電子累積層12;
d) 濺射諸如鋁的金屬16，形成背面(第二)接觸；
e) 在前表面上需要金屬接觸的位置利用激光摻雜產生11++區13;
f) 化學清洗11++區13，再化學鍍/電鍍金屬10，諸如先鍍鎳，然后 鍍銅，然后鍍浮現銀，用銀替換銅的表面原子；
g) 金屬燒結(如果在鎳電鍍之后這還未進行)
2. 通過激光摻雜形成前表面自對準金屬化接觸(參照圖2)然后形
成背面異質結包括如下步驟
a) 對n型硅晶片14進行去除表面損傷、制絨和清洗；
b) 在背面上生長臨時保護層，如用PECVD生長氧化硅18;
c) 如上述示例1中那樣，在前表面利用PECVD沉積含有磷摻雜 劑的氮化硅11，在氮化硅層11之下引入了電子累積層12;
d) 在前表面上需要金屬接觸的位置用激光摻雜產生0++區13;
e) 然后除去背面保護層18 (見圖2)并清洗背面；
f) 然后在晶片背面上沉積p型氫化非晶硅層15;
g) 然后在背面濺射諸如鋁的金屬16，形成背面(第二)接觸；
h) 化學清洗!1++區13，再化學鍍/電鍍金屬10，諸如先鍍鎳，然后 鍍銅，然后鍍浮現銀，用銀替換銅的表面原子；
i) 金屬燒結(如果在鎳電鍍之后這還未進行)
3. 通過激光摻雜形成與背面異質結構互相交叉的背面n型自對準 金屬化接觸(參照圖3)包括如下步驟
a) 對n型硅晶片34進行去除表面損傷、制絨和清洗；
b) 然后在晶片背面上沉積(連續的或以梳狀間歇圖案的)p型氫 化非晶硅層35;
c) 在非晶硅層35上濺射諸如鋁的金屬36，形成帶有正極匯流條的梳狀間歇圖案的背面接觸；
d) 在前表面和背面利用PECVD沉積含磷摻雜劑的氮化硅層31; 其中，在背面沉積氮化硅時，利用掩模使正極金屬匯流條暴露；
e) 在背面上用激光摻雜產生11++區33，與梳狀金屬涂覆區36互相 交叉設置；
f) 化學清洗11++區33,再化學鍍/電鍍金屬30，諸如先鍍鎳，然后 鍍銅，然后鍍浮現銀，用銀替換銅的表面原子；
g) 金屬燒結(如果在Ni電鍍之后這還未進行)
4. 形成背面異質結結構，隨后利用激光摻雜和低溫介電層形成前 表面自對準金屬化接觸(參照圖4)，包括如下步驟
a) 對n型硅晶片44進行去除表面損傷、制絨和清洗；
b) 在晶片背面上沉積p型氫化非晶硅層45;
c) 濺射諸如鋁的金屬46形成背面接觸；
d) 通過氮化或氧化形成前表面預鈍化層47;
e) 在前表面沉積含有磷摻雜劑的n型氫化非晶硅層48;
f) 在前表面沉積含有磷摻雜劑的低溫氮化硅41層；
g) 在前表面上需要金屬接觸的位置用激光摻雜產生11++區43;
h) 化學清洗11++區43,再化學鍍/電鍍金屬40，諸如先鍍鎳，然后 鍍銅，然后鍍浮現銀，用銀替換銅的表面原子；
i) 金屬燒結(如果在Ni電鍍之后這還未進行)
5. 在玻璃基板上的薄膜n型晶體硅上的背面利用激光摻雜形成背 面n型自對準金屬化接觸，與背面異質結結構相互交叉設置(參照圖5)， 包括以下步驟
a) 在玻璃襯底59上用PECVD沉積含有磷摻雜劑氮化硅層51，；
b) 在玻璃襯底上的氮化硅層51上生長n型薄膜晶體硅層54;
c) 然后在薄膜晶體硅層的背面上沉積p型氫化非晶硅層55;
d) 然后濺射諸如鋁的金屬56，形成帶有正極匯流條的梳狀圖案的 背面接觸；e) 利用掩模使正極金屬匯流條暴露出來并在背面用PECVD沉積 含有磷摻雜劑的氮化硅61。加入足夠的磷摻雜劑，以在隨后的激光摻 雜中使n型摻雜劑蓋過p型摻雜劑從而產生自對準第一金屬接觸所需
的11++區；
f) 用激光摻雜在背面產生11++區53，并與梳狀金屬涂覆區56互相 交叉分布；
g) 化學清洗11++區53，隨后化學鍍/電鍍金屬50，諸如先鍍鎳，然 后鍍銅，然后鍍浮現銀，用銀替換銅的表面原子；
h) 金屬燒結(如果在Ni電鍍之后這還未進行)
總之，上文所述的是基于晶體硅的太陽電池，該太陽電池具有位 于背面的用于實現光生電子空穴對分離的非晶硅異質結以及在晶體硅 材料內形成用于多數載流子傳導的激光摻雜局部區域。
一些實施例中利用雜質擴散機制引入包含與晶片相同極性的摻雜 劑的前(光接收側)鈍化結構，以產生與較輕摻雜晶片的界面，該界 面在鈍化介電膜沉積到硅前表面之前向內移動到體硅內。
其他實施例中利用雜質擴散機制引入加入包含如氮或氧摻雜劑的 前(光接收側)鈍化結構，以產生與摻雜晶片的界面，該界面在沉積 氫化非晶硅鈍化層之前向內移動到體硅內，隨后鈍化例如氮化硅的低 溫介電層。
一些實施例還通過在硅前表面局部區域進行激光摻雜引入局部前 電極，同時破壞上面的介質鈍化層或非晶硅層，以便暴露出激光摻雜 后的硅表面，然后在此暴露區域利用自對準金屬化形成金屬接觸，同 時未破環的鈍化層遮掩了光接收表面的其余部分避免形成金屬接觸。
實施例中也可以使用一層或多層金屬直接沉積在所述非晶硅膜 上，作為后電極。
20在替代的結構中， 一些實施例可以在背面上加入互相交叉的正/負 電極結構，該電極結構通過在圖案化的后電極上進行激光摻雜及隨后 進行的金屬化來制成。
在一些實施例中，前接觸也可以采用通過激光摻雜與上述的前金 屬化方案相結合而形成的透明導體，該透明導體與金屬接觸線垂直或 成一定角度，從而使透明導體與第一金屬接觸之下的重摻雜區相交。
需理解的是，在不偏離如廣泛描述的本發明的實施例的精神或范 圍的情況下，本領域中的技術人員對本發明進行諸多變形和/或修改皆 為本發明的保護范圍。這些實施例僅為示例性而非用以限制本發明。
權利要求
1.一種太陽電池，包括i)晶體硅層，其具有前光接收表面和背面；ii)非晶半導體層，在所述晶體硅層的背面與所述晶體硅層形成異質結；iii)與所述晶體硅層接觸的第一接觸結構以及與所述非晶層接觸的第二接觸結構。
2. 如權利要求1中所述的太陽電池，其中，所述第二接觸結構與所述背面上的非晶層接觸并位于所述非晶層上。
3. 如權利要求1或2中所述的太陽電池，其中， 所述非晶層在整個背面上連續。
4. 如權利要求3中所述的太陽電池，其中， 所述第二接觸結構包括接觸材料形成的連續接觸層。
5. 如權利要求3中所述的太陽電池，其中， 所述第二接觸結構包括接觸材料形成的柵格狀結構。
6. 如權利要求2中所述的太陽電池，其中，所述第二接觸結構包括接觸材料形成的間歇結構，且與所述非晶 層對準，其中所述非晶層與所述接觸材料的間歇結構以相同的圖案布置。
7. 如權利要求1到6中的任一項所述的太陽電池，其中， 所述第一接觸結構與所述非晶層和所述第二接觸結構隔離，且在若干彼此間隔的位置上延伸穿過所述非晶層和所述第二接觸結構以接觸所述晶體硅層的背面。
8. 如權利要求7中所述的太陽電池，其中，所述第二接觸結構包括接觸材料形成的一組相互連結的手指狀結構。
9. 如權利要求8中所述的太陽電池，其中，所述第一接觸結構包括與所述異質結和所述第二接觸結構互相交 叉設置的背面n型自對準金屬化接觸。
10. 如權利要求1到6中的任一項所述的太陽電池，其中， 所述第一接觸結構包括位于所述晶體硅層的所述前光接收表面上的間歇結構。
11. 如權利要求10中所述的太陽電池，其中， 所述第一接觸結構包括位于所述晶體硅層的所述前光接收表面上的柵格狀結構。
12. 如權利要求10中所述的太陽電池，其中， 所述第一接觸結構包括位于所述晶體硅層的所述前光接收表面上的一組手指狀結構。
13. 如權利要求1到12中的任一項所述的太陽電池，其中， 所述晶體硅層包括硅晶片。
14. 如權利要求1到13中的任一項所述的太陽電池，其中， 所述晶體硅層包括位于玻璃襯底上的晶體硅薄膜。
15. —種在與硅太陽電池基體的前表面或光接收表面相對的背面 上形成異質結的方法，包括a) 在摻雜的晶體硅層的背面上形成相反摻雜的非晶半導體層；b) 形成背面接觸，以與所述非晶半導體層接觸；C)在所述晶體硅層的表面上需要金屬接觸的位置處形成與所述 晶體硅層相同導電類型的重摻雜區；d)形成與所述重慘雜區接觸的金屬接觸。
16. 如權利要求15所述的方法，其中，所述非晶半導體層是氫化非晶硅、氫化非晶碳化硅或氫化非晶硅 鍺合金。
17. 如權利要求15或16所述的方法，其中，所述第二接觸通過應用一層或多層金屬形成。
18. 如權利要求17所述的方法，其中，所述第二接觸通過將鋁濺射在所述非晶半導體層上形成。
19. 如權利要求15到18中的任一項所述的方法，其中， 所述第一接觸結構通過將一種或多種金屬鍍在n型晶體硅層中的重摻雜11++區上形成。
20. 如權利要求19所述的方法，其中，所述重摻雜11++區通過器件表面層中的磷摻雜劑源的激光摻雜產生。
21. 如權利要求19或20所述的方法，其中， 所述電鍍金屬選自Ni、 Cu或Ag。
22. 如權利要求19到21中的任一項所述的方法，其中， 在將金屬化學鍍或電鍍在所述第一接觸結構上之前，對所述n++區進行清洗。
23. 如權利要求22所述的方法，其中先鍍鎳層，后鍍銅層，然后 鍍浮現銀，利用銀替換銅的表面原子。
24. 如權利要求23所述的方法，其中， 在鍍金屬之后，對所述金屬進行燒結。
25. 如權利要求15到24中的任一項所述的方法，其中， 所述第一接觸結構形成在所述背面上并與所述異質結構互相交叉設置。
26. 如權利要求25所述的方法，其中，所述第一接觸是穿過背面非晶硅層和覆蓋在所述非晶硅層背面上 用作摻雜劑源的絕緣層通過對所述11++區進行激光摻雜形成。
27. 如權利要求25所述的方法，其中，所述第一接觸是穿過用作摻雜劑源的絕緣層以及背面非晶硅層的間隙對所述!1++區進行激光摻雜形成。
28. 如權利要求26或27所述的方法，其中， 第一接觸金屬化通過在所述11++區的形成期間在所述絕緣層上形成的開口與所述11++區自對準。
29. 如權利要求25到28中的任一項所述的方法，其中， 在所述背面上形成所述第一接觸和所述第二接觸還包括e) 以開放圖案在所述摻雜的氫化非晶硅層上形成具有正極匯流 條的所述第二接觸結構；f) 通過等離子增強化學氣相沉積(PECVD)形成前介電層和后介 電層，加入磷慘雜劑，通過掩模來使所述正極匯流條暴露；g) 通過激光摻雜形成與所述第二接觸結構互相交叉設置的11++區；h) 在所述11++區上形成金屬接觸。
30. 如權利要求29所述的方法，其中，所述后介電層被形成為一層或多層的氮化硅、氧化硅或碳化硅。
31. 如權利要求25到30中的任一項所述的方法，其中， 形成所述接觸結構的過程進一步包括i) 在所述背面上通過金屬濺射形成所述第二接觸結構，以形成具 有正極匯流條的梳狀圖案的所述背面接觸；j)使用激光摻雜在所述背面上形成與梳狀金屬涂覆區互相交叉設 置的11++區；k)化學清洗所述11++區，隨后化學鍍/電鍍金屬，以形成與所述晶 體硅晶片接觸的所述第一接觸結構；以及 1)燒結所述金屬。
32. 如權利要求31所述的方法，其中， 所述第二接觸結構的金屬是鋁。
33. 如權利要求31所述的方法，其中，所述第一接觸結構的金屬鍍包括先鍍鎳，后鍍銅，然后鍍浮現銀， 以利用銀替換銅的表面原子。
34. 如權利要求25到33中的任一項所述的方法，其中， 所述硅層包括摻雜的硅晶片。
35. 如權利要求34所述的方法，其中，在形成經由所述11++區到所述硅晶片的背面第一接觸結構之后，對 所述硅晶片的所述前表面進行PECVD沉積氫化氮化硅，同時加入磷摻 雜劑。
36. 如權利要求15到24中的任一項所述的方法，其中， 所述硅層包括摻雜的硅晶片。
37. 如權利要求34、 35或36所述的方法，其中， 所述摻雜的硅層是n型硅晶片，在形成所述異質結之前對所述硅晶片進行去除表面損傷、制絨和清洗。
38. 如權利要求34、 35、 36或37所述的方法，進一步包括在所 述晶片的前表面設置介電層。
39. 如權利要求38所述的方法，其中，該前介電層被形成為一層或多層的氮化硅、氧化硅或碳化硅。
40. 如權利要求38或39所述的方法，其中， 所述介電層是通過加入磷摻雜劑的PECVD沉積形成。
41. 如權利要求40所述的方法，其中， 形成所述介電層以在所述氮化硅層之下引入電子累積層。
42. 如權利要求34到41中的任一項所述的方法，其中， 通過如下步驟形成前表面結構m)通過氮化或氧化形成前表面預鈍化層；n)形成前表面n型氫化非晶硅沉積并加入磷摻雜劑；o)形成前表面氮化硅沉積，可選地，加入磷摻雜劑。
43. 如權利要求34到42中的任一項所述的方法，其中， 在背面異質結形成之前，所述第一接觸結構形成在所述前表面上，并且氧化層暫時形成在所述晶體硅的背面上，且所述氧化層在形成所 述背面異質結的非晶硅層以及隨后的所述第二接觸結構的背面金屬接 觸之前被移除。
44. 如權利要求15到33中的任一項所述的方法，其中， 所述晶體層包括位于玻璃襯底上的n型晶體硅薄膜，并且所述方法包括a)在玻璃襯底上形成晶體硅薄膜；C)形成非晶硅層，與所述晶體薄膜層暴露的背面形成異質結；d) 在所述背面通過濺射金屬形成所述第二接觸結構，以形成具有正極匯流條的梳狀圖案的所述背面接觸；e) 在所述背面上利用激光摻雜產生11++區，所述11++區與所述梳狀金屬涂覆區互相交叉分布；f) 在所述11++區上形成第一金屬接觸。
45. 如權利要求44所述的方法，其中， 用以形成所述第二接觸結構的金屬是鋁。
46. 如權利要求45所述的方法，其中，在應用所述晶體硅層之前，在所述玻璃襯底上生成前表面氮化硅層。
全文摘要
本發明提供一種太陽電池，在該太陽電池中，非晶半導體層(15)位于晶體硅結構的背面上以形成異質結。第一接觸結構與晶體層(14)接觸，而第二接觸結構與非晶半導體層(15)接觸。本發明還提供一種形成異質結太陽電池的方法，在該方法中，摻雜的非晶半導體層(15)形成在相反摻雜的晶體硅層(14)上，與該晶體硅層(14)形成背面異質結。隨后形成背面接觸(16)，與非晶半導體層(15)接觸，并且在需要與晶體硅層(14)形成金屬接觸的位置處形成與晶體硅層(14)相同傳導類型的重摻雜區(13)，以便于與隨后形成的金屬接觸(10)接觸。
文檔編號H01L31/042GK101632180SQ200780051088
公開日2010年1月20日 申請日期2007年2月8日 優先權日2007年2月8日
發明者施正榮, 王體虎 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司