專利名稱：用于在集成電路制造中指示方向性的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發明總體上涉及制造集成電路，并且更具體地涉及相對于集成 電路制造中的過程來指示集成電路布局的方向性的方法和裝置。
背景技術：
希望執行不對稱的暈環注入(halo implant)來增加設備的性能。 當存在各種知識產權(IP)模塊時，例如SRAM組件或微處理器核心， 可能需要驗證IP模塊的正確取向，使得如果存在的話將在每個IP模塊 中的正確位置上沿正確的方向或取向執行不對稱的暈環注入。典型地， 通過檢查在數據設計和掩模設計之間的設計數據流程的每個步驟來進 行此驗證。這是一個緩慢而困難的過程，這增加了周期時間。另外， 目前沒有能力在制造過程中驗證取向。
現有結構已出現在掩模和集成電路上，例如對準鍵(其可以是圣 誕樹或仙人掌形狀)和臨界尺寸(CD)條。但是這些現有結構用于尺 寸和覆蓋控制。
因此，存在著在制造過程中驗證取向的需求。另外，當驗證IP模 塊的正確取向時，希望能改進周期時間。
本發明通過實例的方式示出并且不受附圖的限制，其中相同的附 圖標記指示相同的元件。
圖1示出了集成電路的一部分的剖視圖，示出了不對稱的暈環注 入和根據本發明實施例的指示器；圖2示出了沒有指示器的設計布局的一部分；
圖3示出了沒有指示器的掩模布局，該掩模布局可以用來在半導 體上形成圖2的掩模數據的一部分；
圖4示出了具有根據本發明的實施例的指示器的圖3的掩模布局， 示出了不希望的布局；
圖5示出了具有根據本發明的實施例的指示器的圖3的改良掩模 設計，示出了所希望的布局；
圖6-8示出了可以在本發明的不同實施例中使用的指示器；以及
圖9示出了根據本發明的實施例的在集成制造中使用指示器的流 程圖。
技術人員應當理解圖中的元件是為了簡單和清楚而示出的且不 必按比例繪制。例如，圖中某些元件的尺寸可相對于其它元件放大， 以幫助改善對本發明的實施例的理解。
具體實施例方式
圖1示出了集成電路10的剖視圖，該集成電路IO包括根據本發 明的一個實施例的指示器190。集成電路IO包括具有注入方向A的器 件14和具有注入方向B的器件16以及指示器190，它們都形成在半導 體襯底12上。在一個實施例中，注入方向A可以具有第一注入方向并 且注入方向B可以具有第二注入方向。半導體襯底12可以是任何半導 體材料或材料的組合，例如砷化鎵、鍺硅、絕緣體上硅(SOI)(例如， 全耗盡SOI (FDSOI))、硅、單晶硅等以及上述的組合。
在一個實施例中，器件14是NM0S器件并且器件16是PMOS器 件，或者相反。在另一實施例中，器件14和16可以都是NMOS或都 是PMOS，其具有不同的不對稱注入方向。器件14包括柵極絕緣體22、 柵電極24、隔片26、源極區18和漏極區20，其可以使用常規的處理 和材料形成。在優選實施例中，柵極絕緣體22包括二氧化硅、高介電 常數(hi-k)電介質、任何絕緣層或上述的組合。柵電極可以是任何適
6當的材料，例如多晶硅、金屬或上述的組合。隔片26可以是任何絕緣 材料，例如氮化硅。
在一個實施例中，源極區18和漏極區20均包括延伸區域。第一 暈環注入區30或空腔(pocket)注入區30形成在源極區18附近而不 是在漏極區20附近。雖然希望使暈環注入區30在源極區附近以限制 該源極區，但還是不希望使暈環注入區形成在漏極區附近，以防止當 電子從源極遷移到漏極區時減速，并因此避免了降低的器件速度。第 一暈環注入區30在摻雜類型方面與源極區18相反，并且與在柵極絕 緣體22下面的半導體襯底12的區域具有相同的傳導性。在一個實施 例中，器件14、器件16或二者都是不對稱摻雜的器件。在不對稱摻雜 的器件中，區域31是與漏極區20鄰近的區域，其具有與暈環注入區 30相同的傳導性類型，但是暈環注入區30比區域31具有更高的摻雜 濃度。
為形成第一暈環注入區30，執行了不對稱的注入，如箭頭28所示。 在形成源極區18和漏極區20之前執行不對稱的注入。不對稱的注入 以相對于垂直于晶片的軸成一定角度而發生。在一個實施例中，該角 度在大約20-50度之間。
具有注入方向B的器件16包括柵極絕緣體36、柵電極38、隔片 40、源極區34和漏極區32，其可以像器件14中的類似區域那樣使用 常規的處理和材料形成。在一個實施例中，源極區34和漏極區32均 包括延伸區域。像器件14那樣，第二暈環注入區44或空腔注入區44 形成在源極區34附近而不是漏極區32附近。在器件14和器件16之 間的差異在于執行了那兩種不同的不對稱暈環注入以形成第一暈環 注入區30和第二暈環注入區44。不同的不對稱暈環注入區具有注入方 向。由箭頭28示出的第一暈環注入在方向A (第一方向)上，并且由 箭頭42示出的第二暈環注入在方向B (第二方向)上。第二暈環注入 也以相對于垂直于晶片的軸成一定的角度發生。在一個實施例中，該角度相對于垂直于晶片的垂線在大約20-50度之間。在一個實施例中， 方向A和B在它們之間具有90度的角。在一個實施例中，方向A和B 彼此不同，這是由于它們處于晶體管的不同側上(即，右或左)，如 在討論圖2之后可以更好地理解的。
從而，在一個實施例中，集成電路IO包括第一器件，該第一器件 包括源極區18、漏極區20和第一注入例如源極暈環注入區30。另外， 集成電路IO包括第二器件，包括源極區34、漏極區32和第二注入， 例如源極暈環注入區44。第一注入方向可以用來形成第一源極暈環注 入，并且與該第一注入方向不同的第二注入方向可以用來形成第二源 極暈環注入。
在一個實施例中，使用一個或多個掩模形成了指示器190，該一個 或多個掩模包括第一方向指示器、功能指示器和第二方向指示器，如 在進一步討論之后可以更好地理解的。在一個實施例中，第一方向指 示器和功能指示器處于注入掩模上，并因此在傾斜的暈環注入42期間 形成注入區200和202，如將要論述的那樣，并且第二方向指示器形成 在柵電極掩模上，并且在一個實施例中在柵電極過程期間形成為元件 204和206。因此，在此實施例中，注入區200和202具有與元件204 和206大致相同的厚度。當形成柵極絕緣體22和36時，可以形成電 介質層191。在隨后的處理期間，當在柵電極(例如，柵電極24和38) 周圍形成隔片時，在元件204和206周圍形成隔片208。
圖2示出了具有IP模塊52、 90、 100和IIO的設計布局。每個IP 模塊包括具有不同方向的四個器件。在一個實施例中，IP模塊只示出
了NMOS器件，這是因為它們都在一個層中被示出。在另一實施例中， IP模塊只示出了 PMOS器件。IP模塊52包括具有注入方向A的器件 54、具有注入方向B的器件56、具有注入方向C的器件58和具有方 向D的器件60。方向A-D都是不同的。具有注入方向A的器件54包括源極區62、漏極區61和柵電極64。 虛線66是源極標記。源極標記66的兩個長邊緣中的一個長邊緣與柵 電極64的邊緣一部分重合，并且另一個長邊緣延伸到源極區62中。 源極標記66使理解并可以接近掩模設計的人能夠知道柵電極64的哪 一側是源極區。類似地，具有注入方向A的器件92、 102和112包括 與具有注入方向A的器件54相同的特征。然而，在示出的實施例中， 相對于彼此地旋轉器件54、 92、 102和112。當這些器件模塊置于布局 的不同區域中時，可能發生相對于彼此的旋轉。在另一實施例中，器 件54、 92、 102和112并不都是相對于彼此地旋轉。在此實施例中， 對于所有的IP模塊52、 90、 100和110來說，N型器件可能需要四個 掩模，并且所有P型器件需要四個掩模。在又一實施例中，器件54、 92、 102和112中的一些相對于彼此地旋轉，而其它器件則不是。
具有注入方向B的器件56包括源極區68、漏極區70、柵電極72 和源極標記74，其均與器件54的相同特征類似。類似地，具有注入方 向B的器件94、 104和114包括與具有注入方向B的器件56相同的特 征。然而，如圖所示，相對于彼此地旋轉器件56、 94、 104和114。
具有注入方向C (第三方向)的器件58包括源極區76、漏極區 78、柵電極80和源極標記，其均與器件54和56的相同特征類似。類 似地，具有注入方向C的器件96、 106和116包括與具有注入方向C 的器件58相同的特征。然而，如圖所示，相對于彼此地旋轉器件58、 96、 106和116。
具有注入方向D (第四方向)的器件60包括源極區86、漏極區 84、柵電極80和源極標記88，其均與器件54、 56和58的相同特征類 似。類似地，具有注入方向D的器件98、 108和118包括與具有注入 方向D的器件60相同的特征。然而，如圖所示，相對于彼此地旋轉器 件60、 98、 108和118。器件54和56具有不同的注入方向，因為由注入方向所形成的不
對稱暈環注入將形成在源極區中，如上面參考圖1所討論的，并且雖
然柵電極64和72在相同的方向上延伸，器件54和56的源極區分別 處于柵電極64和72的相對側。換句話說，為了形成用于器件54和56 的暈環區域，角度注入將處于兩個不同的方向上。
器件58具有與器件54、 56和60不同的注入方向，因為由注入方 向所形成的暈環注入形成在源極區中，如上面參考圖1所討論的，并 且雖然柵電極64和72在相同的方向上延伸，器件54和56的源極區 分別處于柵電極64和72的相對側。換句話說，為了形成用于器件54 的暈環區域，用于器件54的角度注入將處于與用于器件56的角度注 入不同的方向。因此，將使用兩個不同的掩模來使用兩個不同的角度 注入過程。為了形成具有方向A-D的所有器件，可以使用四個掩模。
具有不同注入方向(即注入方向A-D)的器件具有不同的注入方 向，因為如圖1所討論的、在其下面將形成暈環區的源極區彼此都不 平行并且不處于柵電極的彼此相同的一側。例如，雖然因為柵電極64 和72彼此平行，對于具有注入方向A的器件(例如，器件54)和具 有注入方向B的器件(例如，器件56)來說源極區彼此平行，但是該 源極區并不處于柵電極64和72的相同一側上。因此，將使用兩個不 同的掩模來使用用于形成器件54和56的暈環注入區的兩個不同的角 度注入過程。
類似地，因為在兩個器件中使用相同的柵電極80，所以具有注入 方向C的器件(例如，器件58)具有與具有注入方向D的器件(例如， 器件60)平行的源極區，該源極區并不處于與柵電極80的相同一側上。 因此，將使用兩個不同的掩模來使用用于形成器件58和60的暈環注 入區的兩個不同的角度注入過程。
另外，對于每個IP模塊52中的所有四個器件，必須使用不同的注入掩模。相同的掩模不能用來形成用于器件54或56以及器件58或 60的暈環注入，這是因為用于器件54或56的柵電極并不與用于器件 58或60的柵電極平行。因此，必須使用總共四個不同的掩模和注入過 程來形成用于器件54、 56、 58和60的暈環注入區。類似地，對于每 個IP模塊來說，必須使用不同的掩模。
因為在圖2所示出的實施例中，把IP模塊52向右旋轉90度以形 成IP模塊90，然后把IP模塊90向右旋轉90度以形成IP模塊100， 繼而把IP模塊100向右旋轉90度以形成IP模塊110。在一個實施例 中，可以這樣做以嘗試節省半導體晶片上的有效面積(real estate)或 空間。由于IP模塊52包括相同的器件，所以利用相同的注入方向來標 記每個相同的器件。從而，例如，器件54、 92、 102和112都是具有 植入方向A的器件，即使相對于彼此地旋轉了器件54、 92、 102和112。
如圖2中的實施例所示，相對于彼此地旋轉了 IP模塊52、 90、 100 和IIO。在其它實施例(未示出)中，可以相對于彼此地翻轉IP模塊。 例如，如果翻轉IP模塊52,那么在一個IP模塊中器件54可以在器件 56的左邊，并且在所翻轉的IP模塊中器件54可以在器件56的右邊等 等。在其中相對于彼此地翻轉了 IP模塊的實施例中，所使用的指示器 應當檢測翻轉，但是當相對于彼此地旋轉IP模塊時，指示器應當檢測 旋轉。因此，如果IP模塊既被翻轉又被旋轉，那么能夠檢測到旋轉和 翻轉的指示器可能是所想要的。
根據圖2的布局數據，創建掩模。用于每種注入的掩模是所創建 的一些掩模。由于對于這些NMOS器件來說存在四種不同的注入過程， 所以需要四個掩模。(如果PMOS器件也具有四個不同的注入方向， 那么可能也需要四個附加的注入過程，使得總共有八個注入過程和掩 模。在一個實施例中，可以創建設計規則來限制柵電極的方向，使得 它必須垂直或水平延伸，但不是既不垂直又不水平。在此實施例中， 注入過程和掩模的數目被減半，使得對于NMOS和PMOS器件來說，只需要四個注入過程和掩模)。在圖3中示出了一種掩模布局。
在圖3中示出的掩模布局是用于具有方向A的器件的掩模布局。
該掩模具有分別用于器件54、 92、 102和112的開口 120、 122、 124 和126。當査看在圖3中示出的掩模布局時，不存在用于確定將在哪個 方向上執行注入的信息。在圖2所示出的布局數據中，可以使用源極 標記來確定注入方向在哪。因此，存在用某種方式來檢查并監視對于 圖3中的掩模來說哪個方向是注入方向的需求。
可以把指示器添加到圖3的掩模上，使得當通過檢查或査看所述 掩模時可以確定注入方向的角度。在一個實施例中，利用人眼在視覺 上進行檢査或查看。在另一實施例中，經由基于顯微鏡學(光學或電 子)的計量工具或計算機來進行檢査或查看。指示器并非用來對準兩 個或多個層，這由現有技術的光刻對準符號來進行。而是，指示器確 定在相同層內的取向或對準。在一個實施例中，指示器對取向或方向 進行編碼。如果它是以不管指示器被如何旋轉或翻轉都允許檢測取向 的方式是不對稱的，那么可以使用任何形狀或符號。從而，指示器不 是在所有方向上都是對稱的，但是可以在至少一個方向上是對稱的， 或者在所有方向上都是不對稱的。在一個實施例中，指示器相對于方 向A、 B、 C或D具有不對稱性。
如圖4所示，添加了指示器。在一個實施例中，指示器128包括 第一方向指示器136、功能指示器138和第二方向指示器140。在圖4 所示的實施例中，第一方向指示器136是帽型，功能指示器138包括 字母，例如用于源極的"SR"，并且第二方向指示器140包括下述線， 所述線可以用來在使用設計規則檢査板面來檢查布局以確定指示器的 方向時擴大規模(upsizing)。
雖然示出為帽子，第一方向指示器136可以是任何適當的形狀。 第一方向指示器136使諸如制造過程中的操作者的人能夠確定不對稱的注入將發生在哪個方向。在圖4示出的實施例中，帽子的頂部(即， 與相對部分相比更窄的帽子的部分)指向注入的方向。因此，在圖4
中，指示器136指向上，指示器130指向右，指示器132指向下，并 且指示器134指向左。對于相同的不對稱的注入過程來說，因為每個 指示器136、 130、 132和134均指向不同的方向，所以易于確定模塊 52、 90、 IOO和IIO沒有正確地對準。如果它們正確地對準了，那么指 示器136、 130、 132和134將都指向相同的方向。從而，必須旋轉四 個模塊52、 90、 100和110中的三個，使得所有的第一方向指示器136 均指向相同的方向。在一個實施例中，第一方向指示器136位于設計 布局、注入掩模中，并且在注入過程期間被注入到晶片上。在一個實 施例中，第一方向指示器136只是在掩模(例如，注入掩模)上。
在一個實施例中(未示出)，如果帽子用于第一方向指示器136， 那么該帽子可以如圖4所示地繪制為用于方向A，并且除了帽子可以 相對于在圖4中示出的帽子顛倒之外，用于方向B的指示器可以相同。 換句話說，帽子的頂部可以最遠離用于方向A的功能指示器138，并 且帽子的頂部可以最接近用于方向B的功能指示器138，或者相反。
功能指示器138是關于正在指示的事物的指示器。在圖4所示的 實施例中，使用"SR"來標示"源極"。在另一實施例中，可以使用 "SRC"來標示源極。然而，與"SRC"相比可能更想要"SR"，這 是因為"SR"允許指示器136為正方形并且在襯底上占據更少的空間。 另外，任何其它適當的字母、字母組合、符號等或上述的組合可以用 作功能指示器138。在一個實施例中，功能指示器在設計布局中形成在 注入掩模和柵電極的掩模上，并且在柵電極形成期間在晶片上作為注 入而形成。從而，功能指示器138可以是與柵電極相同的材料，其可 以是多晶硅、金屬等或上述的組合。盡管第一方向指示器136和功能 指示器138的注入區可能不易通過人類的肉眼在視覺上檢測，但是可 以通過其它手段來檢測它們，例如使用顯微鏡(例如SEM (掃描電子 顯微鏡))。如先前所討論的，第二方向指示器140可以用來檢査對設計規則 的違背；可以使用任何適當的方法來這樣做。在一個實施例中，第二
方向指示器140的一個側邊緣被展開第一預定距離，在一個實施例中 其等于從第二方向指示器140的所展開的邊緣和第一方向指示器136 的最遠邊緣之間的距離。在展開之后，測量由第一方向指示器136、功 能指示器138和展開的第二方向指示器140所覆蓋的區域。只有當所 述區域滿足預定值時才沒有違背設計規則，這在當展開第二方向指示 器140使得它覆蓋第一方向指示器136和功能指示器138時出現。為 了使用此方法，形狀功能指示器138和第二方向指示器140應當處于 相同的掩模層中，使得當第二方向指示器140的正確邊緣展開所需的 距離時，它覆蓋所有的功能指示器138并且然后由所展開的形狀來確 定總區域。此方法使得在檢査設計規則時能夠確定指示器的方向。可 以使用用于設計規則檢査的任何常規或適當的軟件。例如，可以使用 以下設計規則檢查軟件由總部在加利福尼亞的San Jose的Cadence Systems發售的Assura ;由總部在俄勒岡州的Wilsonville的Mentor Graphics⑧發售的Calibre ;或由總部在加利福尼亞的Mountainview的 Synopsys⑧發售的HerculesTM。
在一個實施例中，第二方向指示器140在設計布局中形成在柵極 電極掩模上，并且在柵電極形成期間形成在晶片上。從而，第二方向 指示器140可以是與柵電極相同的材料。如果功能指示器138和第二 方向指示器140由與柵電極相同的材料形成，那么可以容易地檢測這 些指示器，例如由制造車間的操作者在視覺上檢測。在一個實施例中， 第二方向指示器140只形成在掩模上。
圖4中的指示器沒有適當地對準，因為對于每個IP模塊52、 90、 110和100來說，功能指示器138或第一方向指示器140沒有面向相同 的方向。從而，需要旋轉至少一個IP模塊52、 90、 110和100，直到 所有的功能指示器138面向相同的方向或者所有的第一方向指示器140面向相同的方向。
在圖5中，適當地對準指示器，使得對于具有相同方向的每個器 件(例如，具有方向A的所有器件等)來說注入將發生在正確的方向
上。因為適當地對準指示器，所以IP模塊52、 90、 100和110以及開 口 120、 122、 124和136也適當地對準了。指示器適當地對準了，因 為對于每個IP模塊52、 90、 110和100來說，所有功能指示器138和 第一方向指示器140均取向在相同的方向上。當適當地對準指示器時， 具有不同方向(例如，方向A、 B、 C和D)的器件可以或可以不相對 于彼此地旋轉，但是具有相同方向的每個器件(例如，具有方向A的 所有器件或具有方向B的所有器件等)并不相對于具有相同方向的其 它器件旋轉(例如，器件53、 92、 102和112彼此不相互旋轉)。
圖6-8示出了可以使用的其它指示器的一些實例。然而，可以使 用任何適當的指示器，包括功能指示器138和第一方向指示器136或 第二方向指示器140，或二者。在一些實施例中，不同類型的指示器(例 如，第一方向指示器136和第二方向指示器140)可以與另一類型的指 示器相同，或者總體指示器或一個指示器可以是另一類型的指示器或 總體指示器的一部分。另外，可能存在指示器的一個以上的可能特征， 該指示器可以充當一個不同類型的指示器(例如，第二方向指示器)。 例如，在圖5中示出的指示器包括兩個可能的第二方向指示器，并且 第一方向指示器136與功能指示器138相同。在圖6中示出的指示器 就像在圖4中示出的第一指示器136的帽子。從而，在圖6中示出的 指示器可以是獨立的指示器或與其它指示器相組合。類似地，帽子的 底部(例如，帽子的最長直線邊緣)可以是第二功能指示器138，這是 因為它不必是整個形狀并且例如可以是形狀的邊緣。諸如在圖6和8 中示出的那些在一個方向上對稱的指示器對于檢測旋轉很有用指示 器。諸如在圖7中示出的指示器的指示器在各個方向上是不對稱的， 并且對指示器件布局的旋轉和翻轉很有用。
15圖7示出了可能的指示器的另一實例，其是具有指向一個方向的 手指和指向另一方向的拇指150的手。整個指示器可以是功能指示器
138。從而，整個手(具有所示出的姿勢或另一姿勢)可以用來標示不 對稱注入的方向。如果手具有在圖6中示出的姿勢，那么指向的手指 可以是第一指示器136。可能希望省略拇指，因為該拇指包括大約45 度的角，其很難在晶片上精確地形成。如果存在的話，袖口 (或其一 部分(例如邊緣))可以用作第二方向指示器140，或者袖口上的正方 形(或其一部分)也可以用作第二方向指示器，該袖口上的正方形可 以標示袖口的鏈扣或紐扣。
圖8示出了可能的指示器的又一實例，該指示器是箭頭。所示出 的箭頭具有大約45度的角，并因此可能是不想要的。如果想要的話， 可以使用沒有45度角的箭頭作為替代。在圖8中示出的整個指示器可 以是功能指示器138,并且頂部三角形部分可以是第一指示器136。底 部矩形部分(或其一部分)可以用作第二方向指示器140。
盡管在圖中示出的指示器垂直于紙張的底部(或至少相對于頁面 處于90或0度的倍數)，但是指示器可以傾斜。例如，圖8中的箭頭 可以傾斜任意角度，例如17度。然而，由于當它形成時會在晶片上占 據額外的空間并且因為指示器的邊緣可能處于一定角度上可能更難于 形成，這種情況是不想要的。
圖9示出了用于在集成電路制造過程中實施諸如在附圖中示出的 那些指示器的流程圖。流程起始于300，并且在步驟302中選擇布局方 向并且放置一個或多個方向指示器。接下來，在步驟304，在設計布局 中組合諸如在圖2-4中示出的那些IP模塊(例如，IP模塊52、 90、 100 和110)。在組合IP模塊之后，在步驟306開始對設計布局進行設計 規則檢查。在設計規則檢查期間，其可以利用如先前所討論的任何適 當的軟件來執行，在判定菱形塊308中檢查取向指示器以觀察是否它 們都指示相同的方向。在一個實施例中，檢查指示器的取向以觀察它們是否指向正確的方向。如先前所討論的，這可以使用諸如展開第二 方向指示器140的任何適當的方法來確定，并且確定所展開的第二方 向指示器140和整個指示器本身的區域。如果所述區域等于預定區域， 那么指示器指向正確的方向。如果對于每個指示器來說，所有區域均
相等，那么指示器都指示相同的方向。如果判定菱形塊308的回答為 否，那么在步驟310旋轉至少一個IP模塊并且重復判定菱形塊308以 査看取向指示器是否都指示相同的方向。 一旦取向指示器都指示相同 的方向，那么在步驟312完成對設計布局的設計規則檢査。雖然沒有 討論，不過在設計規則檢查期間可以執行其它的判定和步驟。
在完成設計規則檢査之后，在步驟314開始掩模平面規劃。在掩 模平面規劃期間，在步驟316使用多個設計布局和劃線柵格來形成標 線字段(reticle field)。劃線柵格放置在多個設計布局之間，這是因為 每個設計布局會是一小片。在形成標線字段之后，如在判定菱形塊318 中所描述的，確定用于多個設計布局和劃線柵格的取向指示器是否指 示相同的方向。在一個實施例中，通過使用任何適當的方法檢査第二 方向指示器140來確定取向，例如關于設計規則檢查所描述的方法。
如果取向指示器并不指示相同的取向，那么在步驟320旋轉多個 設計規則布局或劃線柵格中的至少一個。接下來，重復判定菱形塊318 以確定用于多個設計布局和劃線柵格的取向指示器是否指示相同的方 向。
一旦取向指示器指示相同的取向，那么在步驟322完成掩模平面 規劃。本領域技術人員認識到，雖然并未描述，但在掩模平面規劃期 間可以執行附加的步驟。
在完成掩模平面規劃之后，在324步驟中使用常規的處理來使用 的掩模平面規劃，以制作掩模。 一旦制作了掩模，在步驟326就開始 IC(集成電路)的制造以形成IC。在IC的制造期間，在步驟328中確定基于取向指示器的方向性的注入方向。在一個實施例中，使用第一
方向指示器136。接下來，在步驟330，使用由取向指示器所確定的注 入方向來執行注入。此后，在步驟332完成IC的制造以形成IC。技術 人員認識到可以在執行步驟328和330以形成IC之后和之前執行為技 術人員所知的附加步驟。在形成IC之后，在步驟334中把它們分離繼 而且然后該過程在步驟336結束。
在優選實施例中，指示器用來來標示不對稱的注入。然而，如果 想要的話，指示器可以用于其它功能，例如標示襯底的晶格取向。有 時使用雙取向襯底。例如，襯底可以具有在對P溝道器件有用的一個 區域內帶有<110>晶格的半導體材料和在對N溝道器件有用的另一區 域內帶有<100>晶格的半導體材料。在此實施例中，可以在用來形成有 源層圖案的掩模上形成指示器。此外，可以使用上面討論的任何指示 器。然而，可能希望對圖4中示出的指示器進行修改，例如利用"DS"、 "SO" 、 "SB"或任何其它的字母或符號來替換"SR"，該字母或符 號可能希望用來指示雙襯底取向(DSO)。
至此應當理解，已經提供了一種用于在集成電路的制造過程中使 用指示器的方法。描述了一種可在視覺上辨別的指示器，其可以形成 為集成電路的一部分。可在視覺上辨別的指示器指示集成電路的無法 在視覺上辨別的特性的方向性，例如根據目測檢査來指示注入的方向、 晶格取向等以及上述的組合。從而在一個實施例中，使用第一指示器 來執行與方向相關的過程，例如傾斜角注入，以確定無法在視覺上辨 別的特性的方向性。在一個實施例中，指示器用來在集成電路的制造 期間辨別無法在視覺上辨別的特性。在一個實施例中，可在視覺上辨 別的指示器包括在集成電路的設計期間使用的第一部分和在集成電路 的制造期間使用的第二部分。可以在設計規則驗證期間使用第一部分。 第二部分可以包括功能指示器和方向指示器。
指示器可以存在于如圖4所示的IP模塊中或者還可以被放在設計布局、掩模中的其它任何地方，或者放在晶片上，例如放在劃線中。 指示器可以在視覺上被識別并且借助操作者用肉眼來進行物理驗證。 指示器包括取向信息并且出現在晶片和掩模上。另外，指示器可以在 單層中可視。可以在設計規則檢查中使用指示器。此外，指示器可以 被制造環境中的工作人員容易地理解，例如操作者或技術人員。另外， 指示器通過避免在設計布局和掩模之間檢查設計日期流程中的每個步 驟的需要來改進周期時間并且降低復雜度。
因為用于實施本發明的裝置在很大程度上由本領域技術人員所知 的電子部件和電路組成，為了理解并懂得本發明的基礎原理并且為了 不被本發明的教導所困惑或分散注意力，將不以比上面所示的必要考 慮更大的程度來說明電路細節。
在前述的說明中，已經參考具體實施例描述了本發明。然而，一 個本領域普通技術人員應當理解在不偏離如以下權利要求所闡明的本 發明范圍的情況下，可以進行各種修改和變化。例如，可以使用任何 適當的指示器；指示器不限于在附圖中示出的實施例。
因此，說明書和附圖應當被認為是說明性的而非是限制性的意義， 并且所有的這種修改旨在包括在本發明的范圍內。
雖然已經針對具體的傳導性類型或電勢極性來描述本發明，技術 人員應當理解可以使傳導性類型和電勢極性反向。
此外，如果存在的話，說明書和權利要求中的術語"正面"、"背 面"、"頂部"、"底部"、"在上"、"在下"等，用于描述性目 的而不必用于描述永久性的相對位置。應當理解，在適當的環境下如 此使用的術語是可互換的，例如使得在此描述的本發明的實施例能夠 以不同于那些在此所示或描述的其它取向來操作。針對具體實施例上面已經描述了益處、其它優點和問題的解決辦 法。然而，可能導致任何益處、優點或解決辦法出現或使其更加顯著 的益處、優點、問題的解決辦法和任何元件(一個或多個)不應當被 解釋為任何或所有權利要求的關鍵性、所要求的或必需的特征或元件。 如在此所用的，術語"包括"、"包括著"或其任何其它的變化旨在 覆蓋非排他性的包括，使得包括元素列表的過程、方法、物品或裝置 不僅包括那些元素，而且還可以包括沒有明確列出或為這種過程、方 法、物品或裝置所固有的其它元素。如在此所用的，術語"一"或"一 種"被限定為一個或一個以上。
如在此所用的，術語"多個"被限定為兩個或兩個以上。如在此 所用的，術語"另一個"被限定為至少是第二個或更多。
如在此所用的，術語"耦合"被限定為連接，不過不必是直接連 接，也不必是機械連接。
權利要求
1. 一種集成電路，包括可在視覺上辨別的指示器，該指示器被形成為所述集成電路的一部分，以指示所述集成電路的無法在視覺上辨別的特性的方向性。
2. 如權利要求1所述的集成電路，進一步包括包括源極和漏極的第一器件，其中所述第一器件的所述源極包括 第一注入；以及包括源極和漏極的第二器件，其中所述第二器件的所述源極包括 第二注入，其中用來形成所述第一注入的第一注入方向不同于用來形成所述 第二注入的第二注入方向。
3. 如權利要求l所述的集成電路，其中所述無法在視覺上辨別的 特性包括注入的注入方向。
4. 如權利要求3所述的集成電路，其中所述注入包括暈環注入。
5. 如權利要求l所述的集成電路，其中所述無法在視覺上辨別的 特性包括晶格取向。
6. 如權利要求l所述的集成電路，其中在所述集成電路的制造期 間辨別所述無法在視覺上辨別的特性。
7. 如權利要求1所述的集成電路，其中所述可在視覺上辨別的指 示器包括在所述集成電路的設計期間使用的第一部分；以及 在所述集成電路的制造期間使用的第二部分。
8. 如權利要求7所述的集成電路，其中在設計規則驗證過程期間 使用了所述可在視覺上辨別的指示器的所述第一部分。
9. 如權利要求7所述的集成電路，其中所述可在視覺上辨別的指示器的所述第二部分包括功能指示器和方向指示器。
10. —種使用至少一個注入所形成的集成電路，所述集成電路包括可在視覺上辨別的指示器，該指示器根據目測檢查來指示所述至 少一個注入的方向。
11. 如權利要求io所述的集成電路，其中所述至少一個注入包括用于源極區的暈環注入。
12. 如權利要求IO所述的集成電路，其中所述可在視覺上辨別的指示器包括在所述集成電路的設計期間使用的第一部分；以及 在所述集成電路的制造期間使用的第二部分。
13. 如權利要求12所述的集成電路，其中所述可在視覺上辨別的 指示器的所述第二部分包括功能指示器和方向指示器。
14. 一種集成電路，包括至少一個指示器，用于指示源極暈環注入的注入方向；以及 不對稱摻雜的器件，包括源極區和漏極區，其中所述源極區包括源極暈環注入區，并且其中所述不對稱摻雜的器件的所述源極暈環注入區具有比鄰近所述漏極區的區域高的摻雜濃度，其中鄰近所述漏極區的區域具有與所述源極暈環注入區相同的傳導性類型。
15. —種用于在集成電路的制造中指示方向性的方法，所述方法包括在所述集成電路的第一模塊內形成第一指示器，以指示所述第一 模塊的無法在視覺上辨別的特性的方向性；并且使用所述第一指示器執行與方向相關的過程，以確定所述第一模 塊的所述無法在視覺上辨別的特性的所述方向性。
16. 如權利要求15所述的方法，其中所述與方向相關的過程包括 注入。
17. 如權利要求15所述的方法，其中所述第一指示器指示晶格取向。
18. 如權利要求15所述的方法，進一步包括在所述集成電路的第二模塊內形成第二指示器，以指示所述第二模塊的所述無法在視覺上辨別的特性的方向性；確定所述第一指示器和所述第二指示器是否指示相同的方向性；以及如果所述第一指示器和所述第二指示器沒有指示所述相同的方向 性，那么旋轉所述集成電路的所述第二個至少一個模塊。
19. 如權利要求18所述的方法，其中所述旋轉所述集成電路的所 述第二模塊是在對所述集成電路進行設計規則檢査期間執行的。
20. 如權利要求18所述的方法，其中所述旋轉所述集成電路的所 述第二模塊是在對所述集成電路進行掩模平面規劃期間執行的。
全文摘要
一種集成電路(10)，包括可在視覺上辨別的指示器(128，130，132或134)，該指示器(128，130，132或134)形成為集成電路的一部分，以指示集成電路的無法在視覺上辨別的特性的方向性。
文檔編號H01L23/544GK101438405SQ200780006671
公開日2009年5月20日 申請日期2007年1月9日 優先權日2006年2月23日
發明者唐納德·E·斯梅爾策, 梅于爾·D·施羅夫, 愛德華·O·特拉維斯, 特拉西·L·史密斯 申請人:飛思卡爾半導體公司