專利名稱：：在表面上進行結晶化合物圖案化的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種用至少一種結晶化合物圖案化(pattern)基質表面的方法.
背景技術：
：在微電子領域中，常常需要開發比可常規且以最低可能故障率便宜地再生產更小的設備元件。現代數字集成電路基于場效應晶體管(FET),其依賴于電場以控制"通道"在半導體材料中的傳導性。有機場效應晶體管(OFET)容許用于具有大作用區域的集成電路的柔性或不易破損基質的生產。由于OFET能生產復合電路，它們具有大面積潛在應用(例如在像素顯示器的驅動電路中)。生產集成電路(IC)的石印技術為本領域已知的。然而，設備越小，就越難以生產并且因此變得越昂責。此外，在分子尺度半導體的生產中，由于分辨和對準(alignment)施加的石印約束條件，石印方法可能失敗。因此需要通過使用導致原子以所需方式裝配(電子電路自裝配)的驅動力的技術生產IC。已知用于微物體在基質上自裝配的不同方法。第一種技術為流體自裝配，其中使設備單元或"塊體"成型以配合受點或已蝕刻入基質的"孔"。塊體懸浮于介軟在基質上的載體液體中。塊體向受點下落并且借助于流體流動和/或聲振動，自定向落入孔中或從待再循環的基質中除去。此裝配過程后的驅動力為重力。流體自裝配的發展基于毛細力。BenjaminR.Martin、DonnaC.Furnange、ThomasN.Jackson、ThomasE.Mallouk和TheresaS.Mayer在Adv.Funct.Mater.2001,11，381-386中描迷了在水-空氣界面上使用毛細力使組成圖案的片自對準。那些毛細相互作用用于使具有硅片的玻璃片定位。M表面用中心附著微米尺度金對準標記的金毫米尺度邊緣圖案化。用由長鏈烷硫醇形成的自裝配單層使圖案的金部分具有疏水性。滴在表面上的水選擇性潤濕圖案限定的疏水性"區域。當具有互補疏水性/親水性圖案的兩片壓在一起時，這些有限小滴驅動對準。另一種自裝配技術使用圖案化的表面。FengqiuFan和KathleenJ.Stebe在Langmuir，2004，20,3062-3067中描述了通過蒸發4吏膠態粒子在具有圖案疏水性的表面上裝配。為得到化學改性，使用微接觸印刷使涂覆有Au的硅片基質圖案化至疏水性/親水性區域。為制備親水性自裝配單層(SAM)，使用聚(二甲lJi氧烷)(PDMS)印模使HS(CH2)15COOH溶液與金表面接觸。隨后，將基質浸入HS(CH2)nCH3溶液中以覆蓋具有疏水性SAM的其余表面。任選用帶正電荷的脒基團或帶負電荷的硫酸根官能化的膠態苯乙烯粒子在水中分散；然后將含懸浮粒子的滴放在基質表面上以研究它們的吸附行為。US6,887,332Bl教導了一種在其上具有自裝配單層的圖案底層的基質表面上形成薄膜的方法。底層通過用具有能與基質表面互相作用的頭官能團和用于通過微壓印使涂覆表面圖案化和未圖案化的區域化學分化的尾官能團的有機分子種涂覆表面而制備。薄膜通過溶g技術如旋涂或浸漬涂覆沉積在底層上。此文獻沒有教導用包含具體相的懸浮液涂覆底層。另一種自裝配技術使用圖案電荷。根據此方法，將基質的表面圖案化至具有正和/或負電荷的區域。也通it^面改性用電荷官能化的微物體可通過靜電相互作用圖案化至選擇區域。另一種自裝配技術使用圖案地形。描述此方法的關鍵策略為膠態分散體在已用一排模板(例如圓筒形孑L)圖案化的基質上去濕。當此分散體使去濕緩慢時，毛細力導致膠態粒子在模板中的裝配。另一種自裝配技術使用通過外加電場或磁場圖案化物體。預制基質的電或磁接觸。通過加入外部電場或磁場，可將物體對準或放在基質上的某一區域內。根據微流體自裝配技術，含l-D物體的溶液可通過毛細管作用或液體流動裝填微通道。溶劑一蒸發或在液體流動期間，物體可在基質上對準。US6,828,582Bl描迷了包含堆在基質上的門電極、門絕緣膜、源極、漏極、半導體膜和保護膜的薄膜晶體管，其中半導體膜包含有機半導體分子的集合體，在絕緣膜表面上的門電極設計區域內形成的半導體膜的有機半導體分子具有比在此區域外形成的半導體膜更高的定向級。有機半導體膜通過將自裝配單層膜在絕緣膜表面上選擇性配置并然后通過使用絕緣膜的定向級自裝配單層在其上形成半導體膜。具有用氟或氫原子部分封端的碳鏈的防水單層膜用作自裝配單層膜。WO2004/114371A2公開了用于形成自裝配單層，尤其是半導體組分的化合物，其特征在于能與其他類似化合物和/或用于使單層穩定的其他不同化合物7T-7t相互作用的分子基團。WO2005/001952Al公開了一種形成自組織單層，特別是用于形成有機場效應晶體管的層結構的化合物，其特征在于a)至少一個將分子結合在基質上，特別是電極材料的錨基團；b)至少一個電介質基團，和c)至少一個半導電基團。Y.Zhao和J.Fang在Langmuir，2006(在互聯網上^^布的)中描述了一種通過從類脂小管溶液中提取圖案化Au基質而定位和對準1，2-二(二十三-10,12-二炔酰基)-同-丙三基-3-膽堿磷酸(1，2-bis(tricosa-10，12-diynoyl)陽syn陽glycero-3-phosphocholine)自裝配小管的方法。US2004/0061104Al公開了一種制得集成電路(IC)的方法，其中有機半導體微晶充當有機半導體設備的作用通道。該方法包括向基質提供具有位于其上附著位置的預選擇圖案并且能使有機半導體^U曰s附著的表面。此文獻沒有教導使用微接觸印刷("壓印(stamping)")以形成基質表面上的半導體圖案。現有技術圖案化方法具有至少一種如下缺點-高費用(例如流體自裝配技術需要石印或蝕刻以制得基質圖案)-低生產量(尤其是基質地形模板裝配為緩慢過程)-復雜性(例如通過施加電場或磁場圖案化)誦無通用性(例如對于微物體表面性能的高要求；例如流體裝配、靜電自裝配等。通常，不改變它們的性能而4吏有機單晶官能化是有問題的)-在物體間空間和/或物體定向方面很少控制(尤其是通過靜電力自裝配)
發明內容在第一方面中，本發明提供一種用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟使能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(Cl)和/或能與基質表面結合并能防止結晶化合物結合的至少一種化合物(C2)沉積在基質表面上。第一個實施方案為用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕(indentations)的表面限定壓痕圖案的印模(stamp)，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使得所述化合物(Cl)沉積在基質上，(d)除去所迷壓印表面以提供基質表面上的結合點圖案，(e)將結晶化合物施涂在基質表面以使至少一部分施涂的晶體能與至少一部分基質表面上結合點結合。第二個實施方案為用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并且防止至少一種結晶化合物結合的至少一種化合物(C2)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使所述化合物(C2)沉積在基質上，(d)除去所述壓印表面以在基質表面上提供防止結晶化合物結合的點圖案，(e)將結晶化合物施涂在基質表面以使至少一部分施涂的晶體能與至少一部分未用(C2)覆蓋的基質表面結合。步驟(d)中得到的基質的自由表面區域可保持未改性或涂覆例如用能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)。在本發明另一方面中，提供一種生產包含有機場效應晶體管圖案的基質的方法，其中每一個晶體管包含-位于基質上的有機半導體(S)微晶；-定位以控制通道部分微晶傳導性的門結構；和-位于通道部分相反端的傳導源和漏極，其中微晶的定位包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并能結合至少一種有機半導體化合物(S)的至少一種化合物(C1)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使得所述化合物(Cl)沉積在基質上，(d)除去所述壓印表面以在基質表面上提供結合點的圖案，(e)將有機半導體化合物(S)施涂在基質表面以使至少一部分施涂的微晶能與至少一部分基質表面上結合點結合。在第二個實施方案中，微晶的定位包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并且防止至少一種有機半導體化合物(S)結合的至少一種化合物(C2)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使所述化合物(C2)沉積在基質上，(d)除去所述壓印表面以在基質表面上提供防止結晶化合物結合的點圖案，(e)將多種有機半導體化合物(S)的微晶施涂在基質表面以使至少一都分施涂的微晶能與至少一部分未用(C2)覆蓋的基質表面結合。步驟(d)中得到的基質的自由表面區域可保持未改性或例如用能與基質表面結合并結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)涂覆。附圖簡述圖1顯示在用十六烷^5克醇圖案化的Au基質上的銅酞菁(CuPc)晶體；晶體使用水作為懸浮介質施涂。圖2顯示Au基質上的CuPc晶體；晶體使用水/甲醇作為懸浮介質施涂。圖3顯示Au基質上的CuPc晶體；晶體通過旋涂施涂。圖4顯示Au基質上的CuPc晶體；晶體通過滴管吸液(pipetting)施涂。圖5顯示Au基質上的紅熒烯(2-10pm)單晶；晶體使用7JC作為懸浮介質施涂。圖6顯示用十六烷^Sl醇圖案化的NH3+CT基質上的CuPc晶體。圖7a和圖7b顯示具有不同種類圖案的基質上的CuPc晶體。圖8顯示用十六烷硫醇和3-巰基-l-丙烷磺酸的鈉鹽圖案化的Au基質上的針狀CuPc晶體。圖9a和圖9b顯示通過(雙(叔丁基)苯基并漆吩苯)晶體自裝配得到的OFET的晶體管性能。圖10a和圖10b顯示通過(雙(叔丁基)苯基并噻吩苯)晶體自裝配得到的OFET圖案化晶體。發明詳述就本發明應用而言，術語"結合"應廣義理解。這分別涵蓋化合物(C1)和/或化合物(C2)與基質表面之間的每一種相互結合作用和化合物(Cl)與結晶化合物之間的每一種相互結合作用。相互結合作用的類型包括化學鍵(共價鍵)、離子鍵的形成、配位相互作用、范德華(vanderWaals)相互作用(例如偶極偶極相互作用)等及其組合。在一個優選實施方案中，至少一種化合物(C1)、基質表面和結晶化合物之間的相互結合作用為附著相互作用。適合的化合物(C2)為比未處理基質或如果存在的話(C1)具有更低的結晶化合物親合力的化合物。如果基質僅涂覆有至少一種化合物(C1)，則關鍵重要的是(C2)和基質與結晶化合物相互結合作用的強度充分不同使得結晶化合物基本上沉積在未用(C2)圖案化的基質區域上。如果基質涂覆有至少一種化合物(C1)和至少一種化合物(C2),則關鍵重要的是(C1)和(C2)與結晶化合物的相互結合作用強度充分不同使得結晶化合物基本上沉積在用(Cl)圖案化的基質區域上。在優選實施方案中，(C2)與結晶化合物之間的相互作用為相互推斥作用。就本發明應用而言，術語"相互推斥作用"應廣義理解并且涵蓋防止結晶化合物在用化合物(C2)圖案化的基質區域上沉積的每一種相互作用。廣泛的結晶化合物適用于本發明。原則上可使用在室溫下形成固體結晶相的任何導電、不導電或半導電材料。優選至少一種有機半導體化合物(S)的微晶用作結晶化合物。因此，本發明提供一種使用至少一個自裝配步驟用至少一種有機半導體化合物圖案化基質表面的方法。方法包括向基質提供具有位于其上的預選擇圖案結合點的表面。結合點能結合半導體化合物(S)的微晶。因此，本發明提供一種導致預先制備的微晶通過"自裝配"而自身裝配成微電子設備的方法。通過微型印刷制備附著點的預選擇圖案，方法能在基質上產生精細圖案的設備，尤其是OFET，其中設備的作用通道為預成形的孩i晶。有利地，在本發明方法中，固體半導體粒子在液體介質中的懸浮液可用于將有機半導體(S)的微晶施涂于基質表面。微晶在基質上自裝配之后的驅動力，即分子彼此和基質表面的局部相互結合作用為原子規^莫。使用本發明方法，不需要使用石印方法以將OFET定位于有機半導體設備上。另外，不需要使用微印技術以將半導體微晶施涂于基質上。本發明方法還優選不使用外部驅動力或場，例如DC場、AC場、磁場等。本發明另一方面涉及具有一排OFET的基質。每個OFET包括獨立的有機半導體微晶、門結構和位于微晶通道部分相反端的傳導源和漏極。微晶位于基質上并且通過微晶材料的連續路徑不與其他晶體管微晶連接，即不同OFET微晶相互獨立。門結構定位以控制微晶通道部分的傳導性。本發明方法具有如下優點a)此方法可通常用于圖案化不同材料的物體而不管它們的大小、表面性能和形態。b)此方法能夠高生產量，作為關鍵步驟(壓印和旋涂或浸涂)為高生產量方法。C)此方法簡單并且具有成本效益(不需要復雜設計并且有價值的晶體懸浮液可再使用)。d)此方法容許高收率，如它容許可達100。/。用晶體覆蓋的圖案。e)晶體定向的潛在控制(例如通過選擇具有適當形狀的圖案、具有適當尺寸的晶體，和/或通過控制孩史晶懸浮液的流動方向)，可實現晶體對準。f)此方法能降低污染，如水或含大量水的液體介質可用于將晶體分散。容許用至少一種化合物(C1)圖案化其表面的任何材料可用作基質。優選的基質選自適于生產半導體設備的材料。適合的基質例如包括金屬(優選周期表8、9、10或11族的金屬，例如Au、Ag、Cu)，氧化材料(如玻璃、石英、陶瓷、Si02)，半導體(例如摻雜Si、摻雜Ge)，金屬合金(例如基于Au、Ag、Cu等)，半導體合金，聚合物(例如聚氯乙烯、聚烯烴如聚乙烯和聚丙烯、聚酯、氟聚合物、聚酰胺、聚氨酯、聚烷基(曱基)丙烯酸酯、聚苯乙烯及其混合物和復合材料)，無機固體(例如氯化銨)及其組合。基質取決于所需應用的要求可以為具有曲線或平面幾何形狀的柔性或不可彎曲的固體基質。通常的半導體設備的基質包含基體(例如石英或聚合物基體)和任選介電頂層(例如Si02)。^^質還通常包括電極，如通常位于基質上(例如沉積在介電頂層的不導電表面上)的OFET的漏極和源極。基質也可包括通常位于介電頂層以下的OFET的傳導性門電極(即門極電介質(gatedielectric))。根據具體實施方案，漏極和源極部分沉積在有機半導體孩吏晶上而不僅沉積在基質上。當然，基質可含通常用于半導體設備或IC，例如絕緣體、抵抗性結構、電容性結構、金屬軌道等的其他組分。化合物(C1)通常包含能與基質表面相互作用的至少一種官能團以及能與半導體化合物相互作用的至少一種官能團。能與基質表面相互作用的官能團可以與能與半導體化合物相互作用的官能團相同。作為選擇，化合物(Cl)可包含兩種不同種類官能團，一種用于與基質相互作用，另一種用于與(s)相互作用。在下面，術語"烴基"包含烷基、環烷基、雜環烷基、芳基、雜芳基及其組合。在下面，表述"烷基"包含直鏈和支化烷基。這些基團優選直鏈或支化d-C2。烷基，更優選d-d2烷基，特別優選CVC8烷基，最優選d-C4烷基。烷基的實例尤其是甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、2-丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二曱基丙基、l，l-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、l-乙基丙基、正己基、2-己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基、1，2-二甲基丁基、1,3-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基、l，l-二甲基丁基、2，2-二甲基丁基、3，3-二甲基丁基、1，1，2-三甲基丙基、1，2，2-三甲基丙基、l-乙基丁基、2-乙基丁基、l-乙基-2-甲基丙基、正庚基、2-庚基、3-庚基、2-乙基戊基、l-丙基丁基、正辛基、2-乙基己基、2-丙基庚基、壬基、癸基。適合的長鏈Q-C30烷基或C8-C3o鏈烯基為直鏈和支化烷基或鏈烯基、(亞)辛基、(亞)壬基、(亞)癸基、(亞)十一烷基、(亞)十二烷基、(亞)十三烷基、(亞)十四烷基、(亞)十五烷基、(亞)十六烷基、(亞)十七烷基、(亞)十八烷基和(亞)十九烷基等。表述"烷基"和"亞烷基"還包括可通常帶有l、2、3、4或5個取代基，優選l、2或3個取代基，特別優選1個取代基的取代烷基，取代基選自環烷基、芳基、雜芳基、卣素、羥基、硫醇基、NE^2、NE、2e"、COOH、羧酸根、-S03H和磺酸根。"環烷基"優選Cs-Cs環烷基，例如環戊基、環己基、環庚基或環辛基。就本發明而言，術語"雜環烷基"包括通常具有4-7，優選5或6個環原子的飽和、脂環族基團，其中l或2個環碳原子由選自元素氧、氮和硫的雜原子代替并且可任選被取代，其中在取代的情況下，這些雜脂環族基團可帶有l、2或3，優選1或2，特別優選l個選自烷基、芳基、COORa、COO-M+和NEiE2，優選烷基的取代基。可提到的雜脂環族基團的實例為吡咯烷基、哌咬基、2,2，6，6-四甲基哌咬基、咪唑烷基、吡唑烷基、嗜、唑烷基、嗎啉基(morpholidinyl)、噻唑烷基、異噻唑烷基、異哺、唑烷基、哌溱基、四氫塞吩基、四氫呋喃基、四氫吡喃基和二噍、烷基。"芳基"包括未取代和取代芳基并且優選苯基、甲苯基、二曱苯基、2，4，6-三甲苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、并四苯基，尤其是苯基、甲苯基、二曱苯基或2，4，6-三曱苯基。"雜芳基"優選吡咯基、吡唑基、咪峻基、吲咮基、啼喳基、吡咬基、喹啉基、吖梵基、噠漆基、嘧咬基或吡嚷基。基團NE^2優選N，N-二甲基^feJ^、N，N-二乙基^J^、N，N-二丙基氨基、N，N-二異丙基氨基、N，N-二正丁基氨基、N，N-二叔丁基氨基、N，N-二環己基氨基或N,N-二苯基氨基。卣素為氟、氯、溴或碘。在第一個優選實施方案中，化合物(C1)通過共價相互作用與基質表面和/或結晶化合物(尤其是(S))結合。根據此實施方案，化合物(C1)包含至少一種能與基質和/或結晶化合物的互補官能團反應的官能團。在本發明上下文中，"互補官能團"意指能在共^^鍵的形成下相互反應的一對官能團。優選互補官能團在縮合或加合反應中相互反應。適于共價相互作用的官能團優選選自羥基、伯和仲"^、硫醇、羧酸、羧酸酯、羧酰胺、羧酸酐、磺酸、磺酸酯、異氰酸酯、嵌段異氰酸酯、氨基甲酸乙酯、脲、醚和環氧基團。適于反應的對的實例為一方面具有活性氫原子的化合物，例如選自含醇、伯和仲胺和硫醇基團的化合物，以及另一方面具有對其呈反應性的基團例如選自羧酸、羧酸酯、羧酰胺、羧酸酐、異氰酸酯、M甲酸乙酯、脲、醇、醚和環氧基團的的化合物。適合的對的其他實例為一方面含環氧基團，另一方面含羧脧基團的化合物。對的官能團攜帶化合物(C1)和基質或結晶化合物通常為不關鍵的。表1舉例說明適合的互補官能團對。表l:互補官能團<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>*在水的存在下產生的共價鍵優選選自酯鍵、酰胺鍵、磺酰胺鍵、亞氨基鍵、脒基鍵、氨基甲酸乙酯鍵、脲鍵、硫代M曱酸乙酯鍵、硫脲鍵、硫化物鍵、磺酰鍵、醚鍵和氨基鍵。適合的官能團還有可自由基聚合oc雙鍵，其除上述(曱基)丙烯酸酯基團外，還包含乙烯醚和乙烯酯基團.在第二個優選實施方案中，化合物(C1)通過離子相互作用與基質表面和/或結晶化合物(尤其是(S))結合。根據此實施方案，化合物(C1)包含至少一種能與基質表面和/或化合物(s)離子相互作用的官能團。在第三個優選實施方案中，化合物(C1)通過偶極相互作用如范德華力與基質表面和結晶化合物(尤其是(s))結合。(C1)與基質之間和/或(C1)與結晶化合物之間的相互作用優選有吸引力的親水-親水相互作用或有吸引力的疏水-疏水相互作用。親水-親水相互作用和疏水-疏水相互作用可尤其包含離子對或氫鍵的形成并可涉及其他范德華力。親水性或疏水性通過與水的親合力測定。主要親水性的化合物或材料表面具有與水和通常與其他親水化合物或材料表面的高水平相互作用，而主要疏水性的化合物或材料不由水和含水液體潤濕或僅輕微潤濕。評估基質表面的親水/疏水性能的適合措施為測量各自表面上水的接觸角。根據通常定義，"疏水表面"為其上水的接觸角為>90。的表面。"親水表面"為其上與水的接觸角為的<90。的表面。用親水基團改性的化合物或材料表面具有比未改性化合物或材料更小的接觸角。用疏水基團改性的化合物或材料表面具有比未改性化合物或材料更大的接觸角。適于化合物(C1)(以及(C2)和/或(S))的親水基團為選自潛離子、離子和非離子親水基團的那些。離化或離子基團優選羧i^團、磺g團、含氮基團(胺)、羧酸酯基團、磺酸酯基團和/或季銨化或質子化的含氮基團。適合的非離子親水基團例如為聚氧化烯基團。適于化合物(C1)(以及(C2)和/或(S))的疏水基團為選自上述烴基的那些。這些優選可任選取代的烷基、鏈烯基、環烷基或芳基，例如由l、2、3、4、5或多于5個氟原子取代。化合物(C1)的其他適合官能團還有能配位金屬離子，可形成在基質和/或(S)上的額外配位鍵的配體基團。適合作為配體的官能團例如為羧酸基團、羥基、M、SH基團、肟基團、搭基團、酮基團和雜環基團如吡啶、會淋、咪唑或S惡唑。為了用過多官能團改性基質表面，可將它用酸或堿活化。另外，可將基質表面通過氧化、用電子束輻射或通過等離子體處理而活化。另外，可將包含官能團的物質通過化學蒸氣沉積法(CVD)而施涂于基質表面。適于與基質相互作用的官能團包括-硅烷、膦酸、羧酸和異羥肟酸適合的包含硅烷基團的化合物(C1)為烷基三氯珪烷，例如正(十八烷基)三氯硅烷(OTS);具有三烷氧基硅烷基團的化合物，例如三烷氧基氨基烷M烷如三乙liJ^J^丙M烷和N[(3-三乙氧基甲硅烷基)丙基]乙二胺；三烷氧基烷基-3-縮7jc甘油基醚硅烷如三乙氧基丙基-3-縮水甘油基醚硅烷；三烷氧基烯丙基硅烷如烯丙基甲氧基珪烷；三烷氧基(異氰酸根合烷基)硅烷；三烷氧基甲硅烷基(甲基)丙烯酰氧基烷烴和三烷氧基甲硅烷基(甲基)丙烯酰胺基烷烴，例如l-三乙氧基甲硅烷基-3-丙烯酰氧基丙烷。(這些基團優選用于與金屬氧化物表面如二氧化硅、氧化鋁、氧化銦鋅、氧化銦錫和氧化鎳結合)，-含官能團，尤其是石危醇的胺、膦和>^危。(這些基團優選用于與金屬基質如金、銀、鈀、鉑和銅，和半導體表面如硅和砷化鎵結合。)在優選實施方案中，化合物(C1)選自CVC3o烷l^克醇，尤其是十六烷硫醇。這些化合物能將有機半導體化合物(S)微晶施涂于更疏水基質如Au(7K接觸角65。)，以及更親水基質如NH4C1(7JC接觸角49。)的表面.在另一個優選實施方案中，化合物(C1)選自巰基羧酸、巰基磺酸及其堿金屬鹽或銨鹽。這些化合物的實例為巰基乙酸、3-巰基丙酸、巰基琥珀酸、3-巰基-l-丙烷磺酸及其堿金屬鹽或銨鹽，例如鈉或鉀鹽。這些化合物適于更疏水基質表面的親7K化。在另一個優選實施方案中，化合物(C1)選自烷基三氯硅烷，尤其是正(十八烷基)三氯硅烷(OTS)。這些化合物能將有機半導體化合物(S)微晶施涂于更疏7jC基質如SiO2(水接觸角〉100。)的表面上。除或作為使所述化合物(Cl)沉積在基質上的選擇，可偵羞質與至少一種能與基質表面結合以及與有機半導體化合物(S)相互作用以防止(S)沉積在未用化合物(Cl)圖案化的基質區域上的至少一種化合物(C2)接觸。根據第一個實施方案，化合物(C2)可選自上述化合物(C1)。具體化合物充當(C1)還是(C2)取決于與結晶化合物相互作用的強度。關鍵重要的是(C1)和(C2)與(S)的相互結合作用的強度充分不同使得(S)基本上沉積在用(Cl)圖案化的基質區域上。根據另一個實施方案，化合物(C2)選自具有與(S)親水-疏水互相推斥作用的化合物。適于與某些化合物(S)相互推斥作用的官能團為烴基和(部分或完全)卣化的烴基。烴或卣化烴可以為純脂族或芳族的，或可具有脂族和芳族基團的組合。囟化烴可帶有1個或大于1個(例如2、3、4、5或大于5個)如下囟素基團氟、氯、溴、碘或其組合。優選部分或完全卣化的烴為部分或完全氟化的烴或氯氟碳。烴或囟化烴可任選帶有除卣素外的其他取代基。如前所述，在第一個實施方案中，本發明提供一種用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟使能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)沉積在基質表面上。才艮據此實施方案，優選至少90重量％，更優選至少95重量％，尤其是至少99重量。/。結合在基質表面上的結晶化合物與用(Cl)圖案化的表面區域結合(并且不與未圖案化的基質區域或如果存在的話用(C2)涂覆的基質區域結合)。第二個實施方案為一種用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟使能與基質表面結合并防止結晶化合物結合的至少一種化合物(C2)沉積在基質表面上。根據此實施方案，優選至少卯重量％，更優選至少95重量％，尤其是至少99重量％結合在基質表面上的結晶化合物與未用(C2)圖案化的表面區域結合(即與未圖案化的基質區域或如果存在的話用(Cl)涂覆的基質區域結合)。有用的有機半導體化合物(S)原則上為本領域技術人員已知的那些。這些包括并苯如蒽、并四苯、并五苯和取代的并苯。優選的并苯為紅熒烯(5，6，11，12-四苯基并四苯)。在本發明中用作有機半導體的取代并苯化合物優選包含選自給電子取代基(例如烷基、烷氧基、酯、羧酸根或硫代烷氧基)、吸電子取代基(例如卣素、硝基或氰基)及其組合的至少一個取代基。有用的取代并五苯例如為2，9-二烷基并五苯和2，10-二烷基并五苯，其中烷基具有1-12個碳原子，2,10-二烷氡基并五苯和1，4，8，11-四烷氧基并五苯。適合的取代并五苯描述于美國出版的申請號2003/0100779和美國專利號6,864,396中。其他有用有機半導體的實例包括二萘嵌苯、富勒烯(fullerene)、肽菁、低聚瘞吩及其取代衍生物。適合的低聚漆吩為四聯瘞吩，五聯逸吩，六聯漆吩，a，co-二(CrC8)烷基低聚瘞吩，例如a，co-二己基四聯嚷吩、a，w-二己基五聯噻吩和a，co-二己基六聯噻吩，聚(烷基瘞吩)如聚(3-己基瘞吩)，雙(二噻吩并噻汾)，雙噻吩蒽和二烷基雙噻吩蒽如二己基雙噻吩蒽，亞苯基-瘞吩(P-T)低聚物及其衍生物，尤其是a,a)-烷基取代的亞苯基-瘞吩低聚物如叔丁基-P-T-T-P-叔丁基低聚物。其他有用的有機半導體的實例包括聚乙炔、聚亞噢吩基亞乙烯(poly仇ienylenevinylene)、C60。尤其優選銅(II)酞菁和紅熒烯。就與(C1)相互結合作用和/或與(C2)相互推斥作用而言，半導體(S)可經受反應以引入能夠這種相互作用的官能團。適于共價、離子鍵、范德華、配位和其他相互作用的官能團為上述組分(C2)的基團。這些基團可例如通過與能夠縮合反應或加成反應的(S)的官能團反應而引入化合物(S)和選自帶有至少一個與(S)那些基團互補的官能團的至少一種化合物中，其中化合物還帶有至少一個能與(C1)和/或(C2)相互作用的官能團。在許多情況下，由于能與基質表面和(S)相互作用的化合物(C1)和任選(C2)易于得到，不需要使半導體(S)經受官能化。如此，例如上述CVC30烷基硫醇(C1)，和尤其是十六烷疏醇能吸引帶有烴基，例如芳族環或烷基鏈的化合物(S)。根據本發明，有機半導體化合物(S)以微晶形式使用。就本發明而言，術語"孩史晶"指最大尺寸為5毫米的小單晶。典型微晶的最大尺寸為lmm或更小，優選具有更小尺寸(常常小于500jim，尤其是小于200ftm，例如0.01-150nm，優選0.05-100nm)，j吏得這種孩吏晶可在基質上形成精細圖案。這里各個微晶具有單晶體疇(domain)，但疇可包括一種或多種裂縫，條件是裂縫不將微晶分成多于1個晶體疇。所述微晶的粒度和結晶性能(christallographic)可通過直接X射線分析測定。半導體化合物(S)的粒子可以為規則或不規則形狀。例如粒子可以以球形或視覺上球形或針的形式存在。優選有機半導體(S)以長/寬比(L/W)為至少1.05，更優選至少1.5，尤其是至少3的粒子形式使用。在有機場效應晶體管(OFET)中，由單個有機半導體晶體制得的通道將通常具有比由多晶體有機半導體制得的通道更大的遷移率。高遷移率由單一晶體通道不具有晶界這一事實產生。晶界降低由多晶體有機半導體膜制得的OFET通道的傳導性和遷移率。例如尺寸為約l-10微米或更大的有機半導體微晶易于得到。這種有機半導體微晶可通過R.A.Laudise等在"Physicalvaporgrowthoforganicsemiconductors"JournalofCrystalGrowth187(1998)，第449-454頁和"Physicalvaporgrowthofcentimeter-sizedcrystalsofa-hexathiophene"JournalofCrystalGrowth182(1997)，第416-427頁描述的方法制得。在此將Laudise等的這些文章全部內容引入作為參考。Laudise等描述的方法包括使惰性氣體通過保持在足夠高以使有機半導體蒸發的溫度下的有機半導體基質。Laudise等描述的方法還包括將由有機半導體飽和的氣體冷卻以導致有機半導，晶自然冷凝。這種有機半導體孩i晶也為市售的。例如BASFCorporationof3000ContinentalDrive-North,MountOlive,N.J.07828-1234銷售為有機半導體的顏料微晶。一種這種孩炎晶由銅酞菁形成。有機半導體微晶的易得性能構成具有高質量通道的OFET。在本發明方法的步驟a)中，提供一種具有包括多種壓痕的表面限定在其中形成的壓痕圖案的印模，其中所i^痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案。用于本發明的印模為本領域已知并且為市售的。通常，這些印模可通過將聚合材料鑄入具有所需圖案的模具上而產生。對于形成印模所選擇的具體材料對于本發明而言不關鍵，但應滿足某種物理性質。在優選實施方案中，印模為彈性的。取決于具體聚合物和印模所需的可成形性程度，適用于制造印模的聚合材料可具有線性或支化骨架，并且可以為交聯或非交聯的。各種彈性聚合材料適于這種制造，尤其是通常類的硅酮聚合物、環氧聚合物和丙烯酸酯聚合物的聚合物。適用作印模的硅酮彈性體的實例包括由包括氯硅烷如甲基氯硅烷、乙基氯硅烷和苯基氯硅烷等的前體形成的那些。特別優選的硅酮彈性體為聚二曱基眭氧烷(PDMS)。典型硅酮聚合物包括在商標RTV下由GEAdvancedMaterials和在商標Sylgard，特別是Sylgard182、Sylgard184和Sylgard186下由DowChemicalCompany,Midland,Mich.出售的那些。印模包括具有各種由其上壓痕限定的特征的壓印表面。印模的形式和尺寸取決于待在基質上形成的電子設備的性質(例如分子大小晶體管、連接線等)。因此，壓印表面可包括具有各種橫向尺寸的特征。基質上的不同圖案可通過本發明方法得到。限定壓印圖案的印模的正視圖可具有相同或不同形式。優選壓痕均勻并且為例如具有3、4、5、6、7、8、9、10、11或12個角的多邊形形式。優選壓痕為矩形、橢圓形或圓形。每個壓痕的最小尺寸可以為至少50nm，優選至少lOOnm，更優選至少500nm。每個壓痕的最大尺寸可以為至多5mm，優選至多lmm，更優選至多500jim。通常壓痕為10-100nm正方形、5-100nm線和10-100nm點的形式。兩個相鄰壓痕之間的距離優選至少50nm，更優選至少100nm，尤其是至少500nm。適于形成印模的方法為光解方法。例如可將面罩定位于印才莫表面與照射源之間，并將表面通過面罩照射預定時間期間。部分表面可通過這種照射降解，一除去這種降解部分就形式表面上的壓痕。根據此方法，各種圖案可以根據各種可得面罩非常便利地在印模中形成。另外，光解方法可以與包括在模具表面上使可硬化流體硬化的上述方法組合使用。例如可石更化流體可以與模具表面接觸并且使其硬化以形成具有預定壓印表面的印模。另外，預定壓印表面可通過面罩照射以產生壓印表面上的其他特征。+艮據此方法，光致抗蝕劑可用作印模材料本身。可使用上述光解方法圖案4t的特別類型聚合物、光圖案化的優選波長和光解時間的長度為本領域已知的。用作印模面罩的模具表面可包含可理想地用作用于在基質表面上圖案化半導體的印模形成的模板的任何形態特征。例如，微電子設備如IC可用作模板。模具表面可根據各種途徑形成。根據一種，模具表面由材料如金屬微型機械形成。根據另一種，模具表面通過如下石印形成提供基質，使材料膜沉積在基質上，用抗蝕劑(resist)涂覆材料的曝露表面，根據預定圖案照射抗蝕劑，從材料表面上除去照射部分，使材料表面與選擇以與其化學反應和選擇以對于抗蝕劑化學惰性的反應物接觸使得預定圖案的材料部分降解，除去降解部分，和除去抗蝕劑以揭開根據預定圖案形成的材料部分以形成模具表面。根據另一種形成模具表面的方法，可提供基質并用抗蝕劑涂覆。隨后，可將抗蝕劑部分根據預定圖案照射。然后可將照射的抗蝕劑部分從基質上除去以曝露根據預定圖案的基質表面部分，以及可使基質與電鍍試劑接觸使得鍍上根據預定圖案的曝露部分。然后，可將抗蝕劑除去以揭開根據由基質的電鍍部分接界的預定圖案的曝露基質部分以形成模具表面。在本發明方法的步驟b)中，將壓印表面用至少一種化合物(C1)或(C2)涂覆(即壓印用至少一種化合物Cl或C2"墨印(ink)")。印才莫可用將吸附于印模中的包含化合物(C1)或(C2)的溶液墨印。因此，墨印可例如通過如下方式進行使印模與用油墨弄濕的材料(即紙、海綿)接觸，將油墨直接倒在印模上，將油墨用適合的施涂設備(例如棉簽、刷、噴霧器、注射器等)施涂在印模上，或將印模表面浸入包含化合物(C1)或(C2)的溶液中。可使化合物在印模上干燥或可以吹干。在本發明方法步驟c)中，使至少一部分基質表面與壓印表面接觸以使化合物(C1)或(C2)沉積在基質上。然后使墨印的印模與官能化的聚合物表面接觸足以使化合物(C1)或(C2)轉移至基質表面上的時間長度。當然，壓印過程所需的時間期間將隨化合物(C1)和(C2),使用的印模和基質材料而變化。本領域技術人員將能確定適合的時間量。例如使壓印表面與基質表面接觸約1秒至5分鐘(例如5-60秒)的時間期間通常足以進行充分轉移，但如果需要或合適的話，接觸可保持更長或更短的時間期間。在本發明方法步驟d)中，將壓印表面除去以提供基質表面上的結合點圖案。這些結合點能通過上述機理結合有機半導體化合物(S)的微晶。在本發明一個實施方案，基質可以壓印多于一次以例如產生基質表面上的不同類型的結合點。不同種結合點的存在可用于構成復合電路。例如不同種結合點可以用不同化合物(C1)改性；因此，不同半導體(S)可結合在基質上。通過本發明第一個實施方案方法的步驟d)中得到的其上具有結合點圖案的基質可任選與至少一種如上定義的化合物(C2)接觸。化合物(C2)通常用于覆蓋不帶有結合點的那些基質區域。由于化合物(C2)通常顯示與由化合物(C1)形成的結合點相互推斥作用并且不能代替或覆蓋結合點，它們可通過^^質表面與至少一種化合物(C2)在適合溶劑中的溶液接觸而施涂。在足以將(C2)結合在基質表面上的時間跨度以后，將溶液優選通過用溶劑沖洗而從J^質上除去。當然，基質的限定區域也可使用本發明圖案化才支術用至少一種化合物(C2)圖案化。才艮據本發明第二個實施方案方法在步驟d)中得到的防止結晶化合物結合的在表面上具有點圖案的基質可任選與至少一種化合物(Cl)接觸以使結晶化合物沉積在未用化合物(C2)圖案化的基質區域上。如上所述，化合物(C"通常顯示與化合物(C1)的相互推斥作用并且化合物(C1)通常不能代替或覆蓋已用(C2)覆蓋的點。因此，(Cl)可通常通過使基質表面與至少一種化合物(C1)在適合溶劑中的溶液接觸而施涂于這些基質上。在足以將(C1)結合在基質表面上的時間跨度以后，將溶液優選通過用溶劑沖洗而從基質上除去。當然，基質的限定區域也可使用施涂(C2)的圖案化技術用至少一種化合物(C1)圖案化。優選，在步驟e)中，固體半導體粒子在液體介質中的懸浮液用于將有機半導體化合物(S)的多種微晶施涂于基質表面上。優選半導體化合物(S)在25"C/1013毫巴下在液體介質中的溶解度為不大于10g/1，更優選不大于5g/1，尤其是不大于lg/1。液體介質優選選自水和水與至少一種水溶混性有機溶劑的混合物。水與至少一種水溶混性有機溶劑的混合物優選含不大于20重量％有機溶劑。適合的水溶混性有機溶劑為C3-C4酮如丙酮和甲基乙基酮，環狀醚如二7悉烷和四氫呋喃，d-C4鏈烷醇如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、叔丁醇，多元醇及其單-和二曱基醚如乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲基醚、二乙二醇、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇二曱基醚、甘油，CVC3腈如乙腈和丙腈，二曱亞砜，二曱基甲酰胺，甲酰胺，乙酰胺，二曱基乙酰胺，丁內酯，2-吡咯烷酮和N-甲基吡咯烷酮。優選作為液體介質的為水與至少一種d-C4鏈烷醇的混合物。用于步驟e)中的半導體粒子的懸浮液可包含至少一種表面活性劑以穩定半導體粒子。表面活性劑優選非離子表面活性劑。然而，離子表面活性劑如陰離子乳化劑、陰離子保護膠體、陽離子乳化劑、陽離子保護膠體和兩性離子(甜菜堿)乳化劑也適合。在優選實施方案中，不使用表面活性劑。懸浮液的固體含量通常為0.001-20重量％,尤其是0.1-10重量％。就將有機半導體化合物微晶施涂于基質上而言，可使用溶液基技術如滴管吸液、旋涂或浸漬涂覆，即浸涂。在滴管吸液的情況下，將半導^^吏晶懸浮液逐滴加入圖案化基質中。在旋涂的情況下，將圖案化基質充滿半導體微晶懸浮液并然后旋轉以偵羞質與懸浮液親密接觸。在浸漬涂覆(浸涂)的情況下，將圖案化基質優選在懸浮液攪拌下浸入含半導體微晶的懸浮液中，并且然后從懸浮液中取出。在所有這些情況下，液體介質優選在施涂以后通過用溶劑沖洗而^質中除去。優選溶劑相應于用于微晶施涂的懸浮液的液體介質。其后，通常通過自然蒸發將溶劑除去。蒸發速率可通過一種或多種本領域已知方法如熱、降壓、通風等促進。現在本發明將基于附圖和如下實施例更詳細地描述。實施例通用程序將顏料單晶通過輕微搖動而*在水中。具有親7jc/疏水區的基質可通過如下tt接觸印刷方法圖案化具有不同圖案的PDMS印才莫通過將PDMS前體和交聯劑(重量比約10:1，來自DowChemical的Silguard184)倒在Si面罩上并使它們在65。C下固化8小時而制得。然后將得到的PDMS印模通過用Q-tip吸取(swiping)幾mM溶液(例如硫醇或硅烷)而用物質(C1)墨印并然后通過氣流干燥。基質表面可通過與PDMS印才臭接觸約20秒并然后用溶劑沖洗并在空氣中干燥而圖案化。未與印模接觸的區域可通過浸泡在lmM不同分子(C2)溶液中約30分鐘，其后用溶劑沖洗并在空氣中干燥而任選反填充。半導體化合物(S)晶體可通過滴管吸液、浸涂或旋涂而從晶體懸浮液中圖案化在基質上。實施例1:將銅酞菁(CuPc)晶體從使用水作為懸浮液介質且晶體濃度為2mg/ml的懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的Au基質(100^imx100jtm正方形;上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為10分鐘。產生的圖案顯示于圖l中。實施例2:將銅酞菁(CuPc)晶體從使用3:1的水:甲醇混合物作為懸浮液介質且晶體濃度為2mg/ml的懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的Au基質(10(Himx100|nm正方形)上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為20分鐘。產生的圖案顯示于圖2中。實施例3:將銅酞菁(CuPc)晶體從使用水作為懸浮液介質且晶體濃度為10mg/ml的懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的Au基質(100jimxl00jim正方形)上。晶體通過以500rpm(3秒)和然后2000rpm(20秒)旋涂施涂。產生的圖案顯示于圖3中，實施例4:將銅酞奮(CuPc)晶體從使用7jC作為懸浮液介質且具有0.2mg/ml較低晶體濃度的懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的Au基質(100pmx100fim正方形)上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為20分鐘。產生的圖案顯示于圖4中。實施例5:將紅熒烯晶體從晶體懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的An基質(lOOpmx100jim正方形)上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為10分鐘。產生的圖案顯示于圖5中。實施例6:將CuPc晶體從使用7jc作為懸浮液介質且晶體濃度為2mg/ml的懸浮液中施涂在用十六烷硫醇圖案化的NH3+Cr基質(100iwnxlOOjim正方形)上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為5分鐘。產生的圖案顯示于圖6中。實施例7:晶體以不同圖案施涂在基質上將CuPc晶體施涂于具有50pm未改性Au條和50nm用十六烷石危醇圖案化的條的Au基質上(晶體濃度2mg/ml;溶劑水；圖案化時間加分鐘)。圖7a顯示用十六烷^L醇蝕刻膝露Au以后的Au基質。圖7b顯示圖案化在圖7a所示基質上的CuPc晶體。實施例8:晶體對準將金基質用3-巰基-l-丙烷磺酸的鈉鹽圖案化以在基質表面上設計親水/疏水線，最大尺寸為50pm和106pm之間的針狀CuPc晶體可通過水流對準于具有20nmSO3-Na+/20|nmHDT圖案的基質上。晶體與用3-巰基-1-丙烷磺酸的鈉鹽改性的區域結合。在此實施例中，晶體懸浮液的流動方向平行于表面條。也可將晶體對準在基質的親水區而不控制流動方向，但是,如果控制流動方向，則得到最好結果。實施例9:有機場效應晶體管的生產使用高度摻雜Si作為門電極和熱生長二氧化硅(300nm)作為介電層制備基質。將具有4vi/m通道長度的接觸墊石印圖案化在基質上。首先將基質用UV/臭氧處理30分鐘，然后浸泡在lmM使用甲苯作為溶劑的正(十八烷基)三氯珪烷溶液中15分鐘。在用甲苯沖洗以后，隨后將基質在電爐上在IOOX:烘烤2分鐘。然后將基質浸泡在lmM3-巰基-l-丙烷磺酸(鈉鹽)在乙醇中的溶液中20分鐘，然后用乙醇沖洗幾次。為通過自裝配生產OFET，將tPTTPt(雙(叔丁基)苯基并噻吩苯)晶體由使用7jc作為懸浮基質且晶體濃度為2mg/ml的懸浮液中施涂在基質上。晶體通過滴管吸液施涂，圖案化時間為20分鐘。得到的晶體管的特征曲線顯示于圖9a和9b中。產生的圖案顯示于圖10a和10b中。權利要求1.一種用至少一種結晶化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟:使能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)和/或能與基質表面結合并能防止結晶化合物結合的至少一種化合物(C2)沉積在基質表面上。2.權利要求l的方法，其包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并能結合至少一種結晶化合物的至少一種化合物(C1)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使所述化合物(C1)沉積在基質上，(d)除去所迷壓印表面以在基質表面上提供結合點的圖案，(e)將結晶化合物施涂在基質表面以使至少一部分施涂的晶體能與至少一部分基質表面上的結合點結合。3.權利要求1的方法，其包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并且防止結晶化合物結合的至少一種化合物(C2)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使所述化合物(C2)沉積在基質上，(d)除去所述壓印表面以在基質表面上提供防止結晶化合物結合的點圖案，(e)將結晶化合物施涂在基質表面以使至少一部分施涂的晶體能與至少一部分未用(C2)覆蓋的基質表面結合。4.權利要求l-3中任一項的方法，其中所述結晶化合物由至少一種有機半導體化合物(S)的多種微晶組成。5.權利要求4的方法，其中所述有機半導體(S)以最大尺寸為5毫米或更小，優選lmm或更小，尤其是500pm或更小的粒子形式使用。6.權利要求4或5的方法，其中所述有機半導體(S)以長/寬比為至少1.05，優選至少1.5,更優選至少3的粒子形式使用。7.權利要求2的方法，其中使步驟d)中得到的具有結合點圖案的碁質與至少一種化合物(C2)接觸以防止結晶化合物在未用化合物(C1)圖案化的基質區域上沉積。8.權利要求7的方法，其中所述化合物(C2)包含烴基，優選氟化烴基。9.權利要求3的方法，其中使步驟d)中得到的具有防止結晶化合物結合的表面上點圖案的基質與至少一種化合物(C1)接觸以使得結晶化合物在未用化合物(C2)圖案化的基質區域上沉積。10.前述權利要求中任一項的方法，其中固體半導體粒子在液體介質中的懸浮液用于將有機半導體(S)的微晶施涂在基質表面上。11.權利要求10的方法，其中在25X3/1013毫巴下所述半導體在液體介質中的溶解度為不大于10g/l。12.權利要求10或11的方法，其中液體介質選自水和水與至少一種水溶混性有機溶劑的混合物。13.前述權利要求中任一項的方法，其中結晶化合物的施涂通過滴管吸取、浸涂或旋涂進行。14.前述權利要求中任一項的方法，其中至少卯重量％，優選至少95重量％，尤其是至少99重量。/。結合在基質表面上的結晶化合物與用(Cl)圖案化的表面區域結合。15.前述權利要求中任一項的方法，其中至少90重量％，優選至少95重量％，尤其是至少99重量。/。結合在基質表面上的結晶化合物與未用(C2)圖案化的表面區域結合。16.—種生產包含有機場效應晶體管圖案的基質的方法，其中每一個晶體管包含-位于所述基質上的有機半導體(S)的微晶；-定位以控制通道部分微晶傳導性的門結構；和-位于通道部分相反端的傳導源和漏極，其中微晶的定位包括用至少一種如權利要求1-15中任一項定義的結晶化合物圖案化基質表面。17.權利要求16的方法，其中有機場效應晶體管圖案包含包括位于基質上的門電極的門結構。18.權利要求16或17的方法，其中有機場效應晶體管圖案包含位于基質上的傳導源極和/或漏極。全文摘要本發明涉及一種用至少一種有機半導體化合物圖案化基質表面的方法，其包括如下步驟(a)提供具有包括多種在其中形成的壓痕的表面限定壓痕圖案的印模，其中所述壓痕與壓印表面鄰接并且限定壓印圖案，(b)用能與基質表面結合并且結合至少一種有機半導體化合物(S)的至少一種化合物(C1)涂覆所述壓印表面，(c)使至少一部分基質表面與所述壓印表面接觸以使得所述化合物(C1)沉積在基質上，(d)除去所述壓印表面以在基質表面上提供結合點的圖案，(e)將多種有機半導體化合物(S)的微晶施涂在基質表面以使至少一部分施涂的微晶能與基質表面上的至少一部分結合點結合。文檔編號H01L51/05GK101385155SQ200780005714公開日2009年3月11日申請日期2007年2月14日優先權日2006年2月15日發明者F·里希特,M·高梅,P·埃爾克,S·劉,Z·包申請人:巴斯夫歐洲公司;利蘭斯坦福青年大學托管委員會