導電性高分子溶液、導電性涂膜、電容器及其制造方法

專利名稱：：導電性高分子溶液、導電性涂膜、電容器及其制造方法
技術領域：
：本發明涉及鋁電解電容器、鉭電解電容器、鈮電解電容器等電容器以及這些電容器的制造方法。而且，本發明還涉及含有7T共輒導電性高分子的導電性高分子溶液以及導電性涂膜。本申請要求2006年2月9日提交的日本專利申請第2006-32174號、2006年3月3日提交的日本專利申請第2006巧8169號、2006年3月16日提交的日本專利申請第2006-72711號、2006年3月20日提交的日本專利申請第2006-76277號、以及2006年7月20日提交的日本專利申請第2006-198114號的優先權，并將其內容結合于此作為參考。
背景技術：
：近年來，伴隨電子設備的數字化，對電子設備中使用的電容器提出了降低高頻區域的阻抗(等效串聯電阻(以下，也稱為ESR))的要求。一直以來，為了應對此要求，使用的是鋁、鉭、鈮等閥金屬的氧化膜作為電介質的所謂功能性電容器(以下，簡稱為電容器)。如專利文獻1所示，此電容器的構造一般包括閥金屬的多孔體構成的陽極、對陽極的表面進行氧化形成的介電層、導電性固體電解質層、以及碳層和銀層等層疊的陰極。作為固體電解質層，使用包含71共軛導電性高分子的導電性膜。作為包含兀共軛導電性高分子導電性膜的形成方法，眾所周知的是，在閥金屬多孔體表面預先形成由錳氧化物構成的導電層后將其作為電極通電聚合的電解聚合法(參照專利文獻2)、以及使用氧化劑聚合構成7C共軛導電性高分子前體的單體的化學氧化聚合法(參照專利文獻3)。作為電解聚合法以及化學氧化聚合法以外的導電性膜形成法，提出了在含有磺基、羧基等的聚陰離子的共存下，通過化學氧化聚合苯胺制備水溶性的聚苯胺，并涂布、干燥此聚苯胺水溶液，形成涂膜的方法(參照專利文獻4)。通過該方法，可以容易地形成高導電性的導電性膜。而且，在電容器中需要高電容量。為達到高電容量，提出了詳細地控制化學氧化聚合的溫度條件，在介電層內充分地形成固體介電層的方法(參照專利文獻5)。此外，為充分防止陽極與固體電解質層間的短路，提出了預先在介電層表面形成聚酰亞胺硅氧烷層，之后，利用氧化聚合法形成導電性高分子層的固體電解質電容器(參照專利文獻6)。專利文獻1:特開2003-37024號公才艮專利文獻2:4爭開昭63-158829號7>才艮專利文獻3:特開昭63-173313號公報專利文獻4:特開平7-105718號7>凈艮專利文獻5:特開平11-74157號7>才艮專利文獻6:特開2005-109079號公才艮
發明內容然而，在專利文獻2中所述的電解聚合法中，不但錳氧化物構成的導電層的形成過程很復雜，而且錳氧化物的導電性低，所以存在所用高導電性的Tl共軛導電性高分子的效果被減弱的問題。而且，專利文獻3中所述的化學氧化聚合法中，聚合時間長且為確保膜厚必須反復進行聚合，不但導電性膜的形成效率低，而且與電解聚合相比導電性也低。如果電容器的導電性低，則會產生等效串聯電阻變高的問題。另外，在專利文獻4中所述的導電性膜的制造方法中，由于含有非導電性聚陰離子，所以得到的導電性膜的導電性低。而且，在形成電容器的固體電解質層時，如果應用了專利文獻2~4中所述的導電性膜的形成方法，會產生電容器的耐電壓性變低的問題。通常，作為提高耐電壓性的方法，公知通過提高陽極氧化電壓而加厚介電層的方法，但是如果加厚介電層，電容器也會變厚，所以不能符合近年來的薄型化的要求。而且，在用專利文獻4中所述的方法得到的聚苯胺水溶液中，由于不能充分:l也防止介電層的腐蝕，所以不能防止介電層的漏出電流的增大。結果，含有作為固體電解質層的專利文獻4中記載的由聚苯胺水溶液形成的導電性涂膜的電容器，等效串聯電阻(ESR)變高，不能滿足近年來的降低阻抗的要求。而且，在專利文獻5中所述的方法中，雖然可以-使電容器的容量變高，但是很多時候會使復雜的化學氧化聚合法變得更加復雜，從工序筒單化、低成本的角度來看，不實用。此外，由于有時會在高溫環境下使用電容器，所以需要耐熱性，但是用專利文獻2~5所述的方法，即使形成了固體電解質層，也很難得到耐熱性高的電容器。另外，在專利文獻6中所述的電容器，雖然聚酰亞胺硅氧烷層的粘著性良好，^f旦是在受到熱壓時，存在不能防止陽4及與固體電解質層間的短路的問題。而且，本發明的發明者們研究了關于此問題的原因后，認為是因為聚酰亞胺硅氧烷層與介電層的熱膨脹系數差異大，在不能跟上聚酰亞胺硅氧烷層的熱膨脹的介電層中產生了缺陷。本發明目的在于提供固體電解質層的導電性良好、ESR低并且耐熱性高的電容器。此外，另一目的在于提供可以簡便地制造ESR低、耐熱性高并且電容量高的電容器的電容器制造方法。而且，本發明的目的還在于提供即使介電層變薄，耐電壓性仍然高的電容器。而且，另一目的在于提供可以簡便地制造即使介電層變薄、耐電壓性仍然高的電容器的電容器制造方法。此外，本發明目的在于提供即使受到熱壓仍可防止陽極與固體電解質層間的短^各的電容器。而且，另一目的在于提供簡〗更地制造這樣的電容器的方法。另夕卜，本發明目的在于提供可以形成導電性高的涂膜、且腐蝕性低的導電性高分子溶液。而且，另一目的在于提供導電性高、腐蝕性低的導電性涂膜。本發明的第一實施方式的電容器的特征在于，電容器具有由閥金屬的多孔體構成的陽極、氧化陽極表面而形成的介電層以及形成于介電層表面上的固體電解質層，其中，固體電解質層含有兀共軛導電性高分子、聚陰離子以及酰胺化合物。在本發明的電容器中，優選酰胺化合物具有一個以上的羥基。在本發明的電容器中，優選固體電解質層還含有離子傳導性高分子。在本發明的電容器中，酰胺化合物可以為下述化學式(1)表示的化合物。丙烷二肝等酸酐與4,4'-二苯醚二胺(才年〉、27$:/)、對苯二胺、間苯二胺、二苯甲酮二胺等二胺等構成的聚酰亞胺。作為聚酰胺，可以是，例如，聚酰胺6、聚酰胺6，6、聚酰胺6,10等。作為聚酯，可以是，例如，聚對苯二曱酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等。當聚陰離子具有取代基時，作為它的取代基，可以是，烷基、羥基、氨基、氰基、苯基、苯酚基、酯基、烷氧基、羧基等。考慮到在溶劑中的溶解性、耐熱性及與樹脂的相容性等，優選為烷基、羥基、苯酚基、酯基。烷基可以提高在極性溶劑或非極性溶劑中的溶解性及分散性、及與樹脂的相容性及分散性等；羥基容易與其它氫原子等形成氫鍵，并且能夠提高在有機溶劑中的溶解性、與樹脂的相容性、分散性、粘著性。另外，氰基及羥基苯基能提高與極性樹脂的相容性、溶解性，而且能才是高耐熱性。在上述取代基之中，優選為烷基、羥基、酯基、氰基。作為所述烷基，可以是，例如，曱基、乙基、丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二碳烷基等鏈狀烷基；環丙基、環戊基、環己基等環烷基。考慮到在有才幾溶劑中的溶解性、在樹脂中的分散性、空間位阻等，更加優選的是為1~12個碳的烷基。作為所述羥基，可以是，直接連接聚陰離子主鏈的羥基，或通過其它官能團連接的羥基。作為其它官能團，可以是，例如，1~7個碳的烷基、27個碳的烯基、酰胺基、酰亞胺基等。羥基在這些官能團的末端或中間取代。其中，從與樹脂的相容性及在有機溶劑中的溶解性來看，更加優選在連接主鏈的16個碳的烷基的末端連才妻的羥基。作為所述酯基，可以是，直接連接聚陰離子主鏈的烷基酯基、芳香族酯基、或通過其它官能團連接的烷基酯基或芳香族酯基。作為所述氰基，可以是，直接連接聚陰離子主鏈的氰基、在連接聚陰離子主鏈的1-7個碳的烷基末端連接的氰基、在連接聚陰離子主鏈的2~7個碳的烯基末端連接的氰基等。作為聚陰離子的陰離子基團，只要是可對兀共軛導電性高分子進行化學氧化摻雜的官能團即可，其中，從制造的容易程度及穩定性的觀點來看，優選為單取代硫酸酯基、單取代磷酸酯基、磷酸基、羧基、磺基等。而且，從官能團對兀共軛導電性高分子的摻雜效果的觀點來看，更加優選的是磺基、單取代硫酸酯基、羧基。作為聚陰離子的具體例子，可以是，聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯石黃酸、聚烯丙基石黃酸、聚丙烯酸乙基石黃酸、聚丙烯酸丁基石黃酸、聚丙烯基磺酸、聚異丁烯基磺酸、聚(2-丙烯酰胺-2-曱基丙磺酸)、聚異戊二烯石黃酸、聚乙烯基羧酸、聚苯乙烯羧酸、聚烯丙基羧酸、聚丙烯基羧酸、聚甲基丙烯基羧酸、聚(2-丙烯酰胺-2-曱基丙烷羧酸)、聚異戊二烯羧酸、聚丙烯酸等。可以是這些均聚物，也可以是它們的兩種以上的共聚物。其中，優選為聚苯乙烯磺酸、聚異戊二烯石黃酸、聚丙烯酸乙基磺酸、聚丙烯酸丁基磺酸。這些聚陰離子能夠使所得到的抗靜電涂料的導電性更高，而且，可以減弱兀共軛導電性高分子的熱分解。聚陰離子的聚合度優選單體單位在10~100,000個的范圍，從溶劑溶解性及導電性來看，更加優選50~10,000個的范圍。固體電解質層13中的聚陰離子相對1摩爾兀共軛導電性高分子的含量優選為0.1~IO摩爾的范圍，更加優選為1~7摩爾的范圍。當聚陰離子的含量低于0.1摩爾時，對兀共軛導電性高分子的摻雜效果會有減弱的趨勢，并會出現導電性不足的情況。而且，在溶劑中的分散性及溶解性降低，難以獲得均勻的分散液。另外，當聚陰離子的含量大于10摩爾時，固體電解質層13a中的兀共輒導電性高分子的含量減少，仍然很難獲得足夠的導電性。而且，導電性溶液中的上述兀共軛導電性高分子與聚陰離子的比例是，相對于100質量份的聚陰離子，優選1~1,000質量份的兀共軛導電性高分子。如果兀共軛導電性高分子小于1質量份，則有導電性不足的趨勢，如果大于l，OOO質量份，則有溶劑溶解性不足的趨勢。<酰胺化合物>酰胺化合物為分子中具有用-CO-NH-(CO部分為雙鍵)表示的酰胺鍵的單分子化合物。即，酰胺化合物可以是，在上述鍵兩個末端具有官能團的化合物、上述鍵的一個末端連接環狀化合物的化合物、上述兩個末端的官能團為氫的尿素以及尿素衍生物等。作為酰胺化合物的具體例子，可以是乙酰胺、丙二酰胺、琥珀酰4要、馬來酰胺、富馬酰胺、苯曱酰胺、萘曱酰胺、鄰苯二曱酰胺、間苯二曱酰胺、對苯二曱酰胺、煙酰胺、異煙酰胺、2-糠酰胺、甲酰胺、N-曱基曱酰胺、丙酰胺、丙炔酰胺、丁酰胺、異丁酰胺、甲基丙烯酰胺、棕櫚酰胺、石更脂酰胺、油酰胺、草酰胺、戊二酰胺、己二酰二胺、肉才圭酰胺、2-羥乙酰胺、乳酰胺、甘油酰胺、酒石酰胺、檸檬酰胺、乙醛酰胺、K、乙酰乙酰胺、二曱基乙酰胺、a-羥基-a-苯基-苯乙酰胺(^y、:^》7^K)、鄰氨基苯曱酰胺、乙二胺四乙酰胺、N-曱基丙烯酰胺、N，N-二曱基氨基丙基丙烯酰胺、異丙基丙烯酰胺、N-羥乙基丙烯酰胺、N-羥丙基丙烯酰胺、N-羥丁基丙烯酰胺、N-羥乙基乙酰胺、N-羥丙基乙酰胺、N-羥丁基乙酰胺、乙酰胺苯曱酸及其衍生物、二乙酰胺、三乙酰胺、二苯甲酰胺、三苯曱酰胺、繞丹寧、脲、l-乙酰-2-石克脲、縮二脲、丁基脲、二丁基脲、1,3-二丁基脲、1，3-二乙基脲及其衍生物。為使固體電解質層13的導電性更高，酰胺化合物優選含一個以上羥基的^b合物。含一個以上羥基的酰胺^b合物可以是以上例子中的N-羥乙基丙烯酰胺、N-羥丙基丙烯酰胺、N-羥丁基丙烯酰胺、N-羥乙基乙酰胺、N-羥丙基乙酰胺、N-羥丁基乙酰胺等。如果具有羥基，則認為由于可以通過氫鍵使兀共軛導電性高分子和/或聚陰離子的相互作用增強，所以導電性進一步提高。而且，從成膜性考慮，優選聚合中具有乙烯基的N-羥乙基丙烯酰胺、N-羥丙基丙烯酰胺、N-羥丁基丙烯酰胺。醜胺^:合斗勿的分子量4尤選46~IO，OOO,更力口優選46~5,000,特另'H尤選46~1,000。酰胺化合物的含量，相對于合計ioo質量i分的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選1~5,000質量份，更加優選50~500質量份。如果酰胺化合物的含量少于l質量份，則有導電性和耐熱性不足的情況。另夕卜，如果酰胺化合物的含量大于5,000質量份，則固體電解質層13中的兀共軛導電性高分子的含量變少，仍然很難獲得充分的導電性。酰胺化合物優選具有酰亞胺4建的單分子化合物(以下，稱為酰亞胺化合物)，因為它使導電性更高。作為酰亞胺化合物，根據其骨架，可以是鄰苯二曱酰亞胺及鄰苯二甲酰亞胺衍生物、琥珀酰亞胺及琥珀酰亞胺書f生物、苯曱酰亞胺及苯曱酰亞胺書于生物、馬來酰亞胺及馬來酰亞胺書t生物、萘二甲酰亞胺及萘二曱酰亞胺衍生物等。而且，酰亞胺化合物才艮據其兩個末端的官能團類型，可以分為脂肪族酰亞胺、芳香族酰亞胺等，從溶解性的角度考慮，優選脂肪族酰亞胺。而且，脂肪族酰亞胺化合物可以分為分子內石友原子間具有不々包和4定的々包和脂肪力矣酰亞胺4b合物以及分子內石灰原子間具有不々包和4建的不々包和脂肪力矣酰亞胺化合物。飽和脂肪族酰亞胺化合物為用rLco-nh-co-r2表示的化合物。R1、W均為飽和烴。具體而言，可以是環己烷-l,2-二羧基酰亞胺、尿嚢素、海因、巴比妥酸、四氧嘧，定、戊二酰亞胺、^虎珀酰亞胺、5-丁基海因酸、5,5-二甲基海因、l-曱基海因、1，5,5-三甲基海因、5-海因乙酸、n-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基酰亞胺、戊二酰亞胺、氨基脲、a,a-二曱基-6-甲基琥珀酰亞胺、雙[2-(琥珀酰亞胺氧基羰基氧基)乙基]砜、a-曱基-a-丙基琥珀酰亞胺、環己酰亞胺等。不飽和脂肪族酰亞胺化合物為rLco-nh-co-r2表示的化合物，是r1、112中的一個或兩個具有一個以上的不々包和4建的化合物。具體而言，可以是1,3-二丙烯脲、馬來酰亞胺、n-曱基馬來酰亞胺、n-乙基馬來酰亞胺、n-羥基馬來酰亞胺、1,4-雙馬來酰亞胺丁烷、1,6-雙馬來酰亞胺己烷、1，8-雙馬來酰亞胺辛烷、n-羧基庚基馬來酰亞胺等。酰亞胺化合物的分子量優選為60~5,000，更優選70~1,000，特另'J優選80~500。酰胺化合物的含量，相對于合計100質量《分的聚陰離子和兀共舉厄導電性高分子，優選1~10，000質量^p分，更加優選1~5，000質量4分，特別伊乙選50500質量份。如果酰胺化合物的含量少于1質量份，則不能提高導電性和耐熱性。另外，如果酰胺化合物的含量大于10，000質量份，則固體電解質層13中的兀共扼導電性高分子的含量變少，仍然很難獲得充分的導電性。<化學式(1)表示的化合物>由化學式(1)表示的化合物為包含于上述酰胺化合物中的化合物，并且是具有乙烯基以及酰胺4建的化合物(以下，將由化學式(1)表示的化合物特別地稱為具有乙烯基及酰胺4建的化合物。)。化學式(1)中的R1、W分別獨立為氫原子、可被取代的烷基、亞烷基中的任何一種。此處，作為烷基可以是例如曱基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等。作為亞烷基可以是亞乙基、亞丙基、亞丁基等。具體而言，可以是N-乙烯基-乙酰胺、N-乙烯基-丙酰胺、N-乙烯基-丁酰胺、N-乙烯基-異丁酰胺、N-曱基-N-乙烯基-乙酰胺、N-曱基-N-乙烯基-丙酰胺、N-曱基-N-乙烯基-丁酰胺、N-曱基-N-乙烯基-異丁酰胺、N-乙基-N-乙烯基-乙酰胺、N-乙基-N-乙烯基-丙酰胺、N,N-二乙埽基-乙酰胺、N，N-二乙烯基-丙酰胺、N-千基-N-乙烯基-乙酰胺、N-節基-N-乙烯基-丙酰胺、N-(2-丙基)-N-乙烯基-乙酰胺、N-(2-丙基)-N-乙烯基-丙酰胺等。固體電解質層13中具有乙烯基及酰胺鍵的化合物的含量優選15%~60%(質量)。如果具有乙烯基及酰胺鍵的化合物的含量大于15%(質量)，則固體電解質層13的導電性變得更高，電容器10的ESR變得更低，如果具有乙烯基及酰胺鍵的化合物的含量小于60%(質量)，則可含有足夠比例的兀共軛導電性高分子，所以導電性仍變高，電容器的ESR變得更4氐。<離子傳導性高分子>固體電解質層13優選進一步含有離子傳導性高分子，因為它使電容器的耐電壓性提高。離子傳導性高分子是具有含供電子部(親核部)的重復單元，并且在加入有4幾鹽或無才幾鹽后顯示離子傳導性的高分子。作為供電子部，例如，可以是氰基、氨基、酰胺基、酰亞胺基等。另外，酰胺鍵(-NH-CO-)、醚鍵(-O-)也可以作為供電子部。在離子傳導性高分子中，離子傳導性高分子優選為下述化學式(I)表示的高分子，因為它使電容器10的耐電壓性變高。(I)X-(R曙O)n-Y式(I)中，R是一種以上選自以下的基團f又代或未耳又代的亞烷基、取代或未取代的亞烯基、取代或未取代的亞苯基。X是一種以上選自以下的基團氫原子、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基。Y是一種以上選自以下的基團氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的芳基。X、Y被取代基取代時，所述取代基可以是例如烷基、羥基、乙烯基、烷基芳基、丙烯酰基、氨基、酰胺基等。n為2~2,000的整凄史，伊乙選為3~l，OOO的整凄t。長口果n大于2，000，則對離子傳導性高分子與兀共軛導電性高分子的相容性有降低的趨勢，很難形成均勻的基質。作為化學式(I)表示的高分子的具體例子，可以是二乙二醇、三乙二醇、低聚乙二醇、2-[2_(2-氯乙氧基)乙氧基]乙醇、2-(2-氯乙氧基)乙醇、低聚氯代乙二醇、2-[2-(2-溴乙氧基)乙氧基]乙醇、2-(2-溴乙氧基)乙醇、低聚溴代乙二醇、聚乙二醇、縮水甘油醚類、聚乙二醇縮水甘油醚類、聚氧化乙烯、三乙二醇'二曱醚、四乙二醇.二曱醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇.二丁醚、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇、聚環氧丙烷(求U7。口匕。^y、;^才年、乂K)、聚氧乙烯》克基醚、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪酸酰胺等。作為化學式(i)表示的高分子以外的離子傳導性高分子的具體例子，可以是包含具有酰胺鍵的單體單位的聚乙烯基吡咯烷酮、包含具有酰胺基的單體單位的聚丙烯酰胺、聚乙烯基乙酰胺、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酸、聚丙烯腈、聚石風酰胺(求y廿<，$y)、聚乙烯醇等。離子傳導性高分子的含量，相對于合計ioo質量份的兀共軛導電性高分子和聚陰離子，優選l~10，000質量份，更加優選50-1,500質量份。如果離子傳導性高分子的含量小于1質量份，電容器10的耐電壓性不會變高，如果大于10,000質量份，則固體電解質層13的導電性變j氐，并且電容器10的ESR有變高的趨勢。由于固體電解質層13含有離子傳導性高分子，固體電解質層13中的離子傳導性高分子附著或配位于構成介電層12的金屬氧化物，在金屬氧化物表面的一部形成離子傳導性高分子層，從而電容器10的耐電壓性變高。認為是離子傳導性高分子層起到了降低由于電場作用而在電極間移動的電子或離子速度的緩沖體的作用。認為由于降低了電子或離子的移動速度，可以防止它們的碰撞引起的陽極11與陰極14的損傷，所以能夠提高電容器10的耐電壓性。由于降^氐了電子或離子的移動速度，可以防止電子或離子的石並撞引起的陽極11或陰極14的損傷，可以提高電容器10的耐電壓性。考慮通過在對電容器10施加電場時的氧化而^f奮復介電層12的缺陷部位。在本發明中，固體電解質層13中的離子傳導性高分子成為氧化時的氧供給源，所以可以很容易修復介電層12。這一點也被認為是提高電容器10的耐電壓性的原因。<導電促進劑>固體電解質層13優選進一步含有導電促進劑，因為它使導電性更高。此處，導電促進劑與兀共軛導電性高分子或兀共軛導電性高分子的摻雜劑相互作用，提高兀共軛導電性高分子的導電度。作為導電促進劑，為使固體電解質層13的導電性更高，優選一種以上選自以下的化合物含氮芳香族環狀化合物、具有兩個以上羥基的化合物、含有兩個以上羧基的化合物、含有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物、具有磺基以及羧基的芳香族化合物、含有酰胺基的化合物、含有酰亞胺基的化合物、內酰胺化合物、含有縮水甘油基的化合物。含氮芳香族環狀化合物含氮芳香族環狀化合物具有含至少一個以上氮原子的芳香族環，并且芳香族環中的氮原子與芳香環中的其他原子具有共軛關系。為形成共軛關系，氮原子與其他原子形成不飽和鍵。或者，氮原子也可不與其他原子直接形成不飽和鍵，而是與形成了不飽和鍵的其他原子鄰接。這是因為，氮原子上存在的非共用電子能夠與其他的原子間形成的不々包和4建構成偽共扼關系。在含氮芳香族環狀化合物中，優選同時具有與其它原子具有共軛關系的氮原子、以及與形成不飽和鍵的其它原子鄰接的氮原子。這樣的含氮芳香族環狀化合物，例如含有一個氮原子的吡咬類及其衍生物，含有兩個氮原子的咪唑類及其衍生物、嘧啶類及其衍生物、吡溱類及其衍生物、含有三個氮原子的三喚類及其衍生物等。從溶劑的溶解性等考慮，優選吡啶類及其衍生物、咪唑類及其衍生物、嘧。定類及其書f生物。而且，含氮芳香族環狀化合物可以向環上導入或不導入烷基、羥基、羧基、氰基、苯基、苯酚基、酯基、烷氧基、羰基等取代基。而且，支不也可以為多J不。作為吡啶類及其衍生物的具體例子，可以是吡"定、2-曱基吡咬、3-甲基吡啶、4-曱基吡啶、4-乙基吡啶、N-乙烯基吡咬、2，4-二甲基吡啶、2，4,6-三曱基p比咬、3-氰基-5-曱基吡啶、2-吡啶羧酸、6-甲基-2-吡"定羧酸、4-p比"定曱醛、4-氨基吡"定、2,3-二氨基吡咬、2,6-二氨基p比咬、2,6-二氨基-4-甲基吡啶、4-羥基吡啶、4-吡啶曱醇、2，6-二羥基吡啶、2,6-吡啶二曱醇、6-羥基煙酸曱酯、2-羥基-5-吡啶曱醇、6-羥基煙酸乙酯、4-吡咬甲醇、4-吡咬乙醇、2-苯基吡啶、3-曱基壹啉、3-乙基全啉、喹啉醇、2,3-環戊烯并吡，定、2，3-環己烯并吡咬、1，2-二(4-吡啶)乙烷、1,2-二(4-吡咬)丙烷、2-吡，定甲醛、2-吡啶羧酸、2-吡"定腈、2,3-吡。定二羧酸、2，4-吡t定二羧酸、2,5-吡"定二羧酸、2,6-吡啶二羧酸、3-吡啶磺酸等。作為咪哇類及其衍生物的具體例子，可以是咪唑、2-曱基咪唑、2-丙基咪唑、2-十一烷基咪唑(々yf$夕'乂、一少)、2-苯基咪唑、N-曱基咪唑、N-乙烯基咪唑、N-烯丙基咪唑、l-(2-羥乙基)咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二曱基咪唑、l-芐基-2-甲基咪唑、^千基-2-苯基咪唑、l-氰基乙基-2-曱基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-曱基咪峻、2-笨基-4，5-二羥基甲基咪唑、1-乙酰基咪唑、4，5-咪唑二羧酸、4，5-咪唑二羧酸二曱酯、苯并咪峻、2-氨基苯并咪唑、2-氨基苯并咪唑-2-磺酸、2-氨基-l-曱基苯并咪唑、2-羥基苯并咪唑、2-(2-吡咬基)苯并咪唑等。作為嘧咬類及其衍生物的具體例子，可以是2-氨基-4-氯-6-甲基嘧啶、2-氨基-6-氯-4-甲氧基嘧啶、2-氨基-4，6-二氯嘧啶、2-氨基-4，6-二羥基嘧啶、2-氨基-4,6-二甲基嘧啶、2-氨基-4，6-二曱氧基嘧啶、2-氨基嘧啶、2-氨基-4-曱基嘧啶、4,6-二羥基嘧啶、2，4-二羥基嘧，定-5-羧酸、2,4,6-三氨基嗜，定、2,4-二甲氧基嘧啶、2,4,5-三羥基嘧咬、2，4-嘧吱二醇等。作為吡溱類及其衍生物的具體例子，可以是吡嗪、2-曱基吡嗪、2，5-二曱基吡嗪、吡嗪羧酸、2,3-吡嗪二羧酸、5-曱基吡嗪羧酸、吡。秦酰胺、5-甲基吡。秦酰胺、2-氰基吡"秦、氨基吡、秦、3-氨基吡。秦-2-羧酸、2-乙基-3-曱基吡漆、2-乙基-3-曱基吡漆、2，3-二曱基吡。秦、2，3-二乙基吡噢等。作為三溱類及其衍生物的具體例子，可以是1，3，5-三溱、2-氨基-l,3，5-三。秦、3-氨基-l，2,4-三嗪、2,4-二氨基-6-苯基-1，3，5-三嗪、2,4，6畫三氨基畫1，3，5-三漆、2，4，6-三(三氟曱基)-1，3，5-三嗪、2,4,6畫三畫2畫吡咬-l,3,5-三。秦、3-(2-p比，定)-5,6-雙(4-苯石黃酸)-1,2,4-三。秦二鈉、3-(2-吡啶)-5,6-二苯基-l，2,4-三。秦、3-(2-吡啶)-5，6-二苯基-l,2，4-三嗪一p，p，-二磺酸二鈉、2-羥基-4,6-二氯-l，3,5-三噢等。氮原子上容易配位或結合取代基或質子。當氮原子上配位或結合取代基或質子時，氮原子上有帶陽離子電荷的傾向。此處，由于氮原子與其它原子具有共專厄關系，所以由氮原子上配位或結合取4戈基或質子而產生的陽離子電荷向含氮芳香族環中擴散，以穩定的形態存在。所以，含氮芳香族環狀化合物可以在氮原子上引入取代基，形成含氮芳香力臭環狀化合物陽離子。而且，該陽離子還可與陰離子組合形成鹽。雖然是鹽，但也可以發揮與非陽離子的含氮芳香族環狀化合物同樣的效果。氫原子、烷基、羥基、羧基、氰基、苯基、苯酚基、酯基、烷氧基、羰基等。可以導入之前所述種類的取代基。含氮芳香族環狀化合物的含量，相對于1摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，優選為0.1~IOO摩爾的范圍，更力口優選0.5-30摩爾的范圍，從固體電解質層13(導電性涂膜)的物質性質以及導電性的角度考慮，特別優選1~IO摩爾的范圍。如果含氮芳香族環狀化合物的含有率小于0.1摩爾，則含氮芳香族環狀化合物與聚陰離子以及共軛性導電高分子之間的相互作用有減d、的趨勢，并且會出現導電性不足。而且，含氮芳香族環狀化合物大于IOO摩爾時，則共軛導電性高分子的含量減少，仍很難得到充分的導電性，會有固體電解質層13的物質性質改變的情況。具有二個以上羥基的化合物作為具有二個以上羥基的化合物，例如，可以是乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、甘油、二甘油、D-葡萄糖、D-葡萄糖醇、異戊二醇、二羥曱基丙酸、丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1，9-壬二醇、新戊二醇、三羥曱基乙烷、三羥曱基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、硫二甘醇、葡萄糖、聚乙二醇、聚丙二醇、酒石酸、D-葡萄糖二酸、戊烯二酸等多元脂肪醇；聚乙烯醇、纖維素、多糖、糖醇等高分子醇；1,4-二羥基苯、1,3-二羥基苯、2,3-二羥基-1-十五烷基苯、2,4-二羥基-苯乙酮、2，5-二羥基-苯乙酮、2,4-二羥基-二苯甲酮、2,6-二羥基-二苯曱酮、3,4-二羥基-二苯曱酮、3，5-二羥基-二苯甲酮、2,4，-二羥基-二苯基砜、2，2，，5,5，-四羥基-二苯基砜、3，3，，5,5，-四甲基-4,4，-二羥基二苯基砜、龍膽酸及其鹽、2，3-二羥基苯曱酸、2,4-二羥基苯甲酸、2，5-二羥基苯曱酸、2,6-二羥基苯曱酸、3,5-二羥基苯曱酸、1，4-二羥基磺酸及其鹽類、4,5-羥基苯-1，3-二磺酸及其鹽類、1,5-二羥基萘、1，6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、2，7-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1，5-二羥基萘-2,6-二羧酸、1,6-二羥基萘-2，5-二羧酸、1，5-二羥基萘曱酸、1，4-二羥基-2-萘曱酸苯酯、4,5-二羥基萘-2,7-二磺酸及其鹽類、1,8-二羥基-3,6-萘二磺酸及其鹽類、6，7-二羥基-2-萘磺酸及其鹽類、1，2,3-三羥基苯(焦酚)、1，2,4-三羥基苯、5-曱基-l,2,3-三羥基苯、5-乙基-l,2,3-三羥基苯、5-丙基-l，2，3-三羥基苯、三羥基苯甲酸、三羥基苯乙酮、三羥基二苯曱酮、三羥基苯曱醛、三羥基蒽醌、2,4,6-三羥基苯、四羥基-對苯醌、四羥基蒽醌、沒食子酸甲酯、沒食子酸乙酯、氫醌石黃酸鉀等的芳香族化合物。具有二個以上羥基的化合物的含量，相對于l摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，優選為0.05~50摩爾的范圍，更加優選0.3~IO摩爾的范圍。如果具有二個以上羥基的4匕合物的含量，相對于1摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，小于0.05摩爾，則有導電性及耐熱性的不足的可能。而且，如果具有二個以上羥基的化合物的含量，相對于1摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，大于50摩爾，則固體電解質層13(導電性涂膜)中的兀共軛導電性高分子的含量減少，仍4艮難得到充分的導電性，會有固體電解質層13的物質性質改變的情況。作為導電促進劑，當含有具有二個以上羥基的化合物時，基于以下理由，可以進一步提高固體電解質層13(導電性涂膜)的導電性以及熱穩定性。即，由于固體電解質層13(導電性高分子溶液)中的兀共軛導電性高分子處于高度氧化的狀態，所以很容易因為熱等使它的一部分氧化劣化。所以，認為產生自由基并且由于自由基連鎖反應而不斷劣化。不過，可以推測出，具有二個以上羥基的化合物，通過利用羥基捕獲自由基，阻斷自由基連鎖反應，抑制劣化的進行，從而提高導電性以及熱穩定性。具有二個以上羧基的化合物作為具有二個以上羧基的化合物，可以是馬來酸、富馬酸、衣康酸、4寧康酸、丙二酸、1,4-己二酸、琥珀酸、酒石酸、己二酸、D-葡糖二酸、戊烯二酸、檸檬酸等脂肪族羧酸類化合物，鄰苯二曱酸、對苯二曱酸、間苯二曱酸、四氫鄰苯二曱酸酐、5-磺基間苯二甲酸、5-羥基間苯二曱酸、曱基四氫鄰苯二甲酸肝、4，4'-氧雙鄰苯二曱酸、聯苯四甲酸二酐、苯酮四羧酸二酐、萘二羧酸、偏笨三酸、均苯四曱酸等在芳環上至少結合一個以上羧基的芳香族羧酸類化合物；二甘醇酸、4,4'-氧二丁酸、亞石克基二乙酸、亞硫基二丁酸、亞氨基二乙酸、亞氨基丁酸等。具有二個以上羧基的化合物的含量，相對于l摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，優選為0.1-30摩爾的范圍，更加優選0.3-10摩爾的范圍。如果具有二個以上羧基的化合物的含量，相對于l摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，小于0.1摩爾，則有導電性及耐熱性的不足的可能。而且，如果具有二個以上羧基的化合物的含量，相對于1摩爾的聚陰離子的陰離子基團單位，大于30摩爾，則固體電解質層13(導電性涂膜)中的兀共軛導電性高分子的含量減少，仍很難得到充分的導電性，會有固體電解質層13的物質性質改變的情況。具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物作為具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物，可以是酒石酸、甘油酸、二羥曱基丁酸、二羥曱基丙酸、D-葡糖二酸、戊烯二酸等。具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物的含量，相對于合計100質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選1-5,000質量4分，更加優選50500質量f分。如果具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物的含量少于l質量份，則有導電性及耐熱性的不足的可能。而且，如果具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物的含量大于5,000質量份，則固體電解質層13(導電性涂膜)中的兀共軛導電性高分子的含量變少，仍然很難獲得充分的導電性。具有磺基及羧基的芳香族化合物作為具有磺基及羧基的芳香族化合物，是苯、萘等芳香族環被磺基及羧基取代得到的化合物，例如，可以是2-磺基苯曱酸及其鹽類、3-磺基苯甲酸及其鹽類、3，5-二磺基苯甲酸、4-磺基鄰苯二曱酸以及鹽類、5-磺基間苯二曱酸及其鹽類、5-磺基間苯二曱酸、5-磺基間苯二曱酸二曱酯及其鹽類、2-磺基對苯二曱酸及其鹽類、5-磺基水楊酸及其鹽類、4-磺基萘-l,8-二羧酸、4-磺基萘-2，7-二羧酸、5-磺基萘-l，4-二羧酸、3-羥基-4-(2-羥基-4-磺基-1-萘基偶氮基)萘-2-羧酸等。具有磺基及羧基的芳香族化合物的含量，相對于合計100質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選10~io，ooo質量份，更加優選50~5,000質量份。如果具有磺基及羧基的芳香族化合物的添加量少于所述下限值，則降低通過添加具有磺基及羧基的芳香族化合物而產生的效果，所以不優選。而且，如果超過所述上限值，會造成由兀共軛導電性高分子的濃度下降而引起的導電性降低，所以不〗尤選。內酰胺4b合物內酰胺化合物為氨基羧酸的分子內環狀酰胺，并且環的一部分為-CO-NR-(R為氫原子或任意的取代基)的化合物。而且，環的一個以上的石友原子可以是不々包和的或纟皮雜原子置才奐。作為內酰胺化合物，例如，可以是4-戊內酰胺(^<乂夕/-4-，夕夕厶)、4-戊內酰胺(^y夕y，夕夕厶)-5-甲基-2』比咯烷酮、5-甲基-2-吡咯烷酮、6-己內酰胺(八年廿/-6-，夕夕厶)、6-己內酰胺(八年廿y，夕夕厶)等。內酰胺化合物的含量，相對于合計IOO質量份的聚陰離子和兀共專厄導電寸生高分子，優選10~10,000質量份，更力H"尤選50~5,000質量份。如果內酰胺化合物的添加量少于所述下限值，則降低內酰胺化合物添加產生的效果，所以不優選。而且，如果超過所述上限值，會造成由兀共軛導電性高分子的濃度下降而引起的導電性降低，所以不〗尤選。具有縮水甘油基的化合物作為具有縮水甘油基的化合物，例如，可以是乙基縮水甘油醚、丁基縮水甘油醚、叔丁基縮水甘油醚、烯丙基縮水甘油醚、芐基縮水甘油醚、縮水甘油基苯醚、雙酚A、二縮7K甘油醚、丙烯酸縮水甘油醚、甲基丙烯酸縮水甘油醚等的縮水甘油醚類化合物。具有縮水甘油基的化合物的含量，相對于合計IOO質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選10~10,000質量份，更加優選50~5,000質量份。如果具有縮水甘油基的化合物的添加量少于所述下限值，則降4氐通過添加具有縮水甘油基的化合物而產生的效果，所以不優選。而且，如果超過所述上限值，會造成由兀共輒導電性高分子的濃度下降而引起的導電性降低，所以不優選。(石威性化合物)作為石咸性化合物，可以使用公知的無枳^咸化合物或有枳^威化合物。作為無才幾石咸化合物，例如，可以是氬氧4匕鈉、氫氧化鐘、氫氧化鈣、氨等。作為有機堿化合物，可使用含氮芳香族環狀化合物(芳香族胺)、脂肪力矣胺、金屬醇鹽等。作為含氮芳香族環狀化合物，可以是上述的化合物。作為脂肪族胺化合物，例如，可以是乙胺、正辛胺、二乙胺、二異丁胺、曱基乙胺、三曱胺、三乙胺、烯丙胺、2-乙基氨基乙醇、2,2，-亞氨基二乙醇、N-乙基乙二胺等。作為金屬醇鹽，例如，可以是:i者如曱醇鈉、乙醇鈉等鈉醇鹽、鉀醇鹽、釣醇鹽等。在^5咸性化合物中，優選含氮芳香族環狀化合物。因為含氮芳香族環狀化合物不4又可以防止聚陰離子脫摻雜，還可以進一步4是高導電性。利用堿性化合物，將導電性高分子溶液的pH值(25°C)優選調節至3~13,更加優選調節至5~11。如果導電性高分子溶液的pH虧直在3以上，則腐蝕性降低。然而，如果pH超過13,則有兀共軛導電性高分子的導電性降低的趨勢，所以不優選。有機溶劑而且，當有一部分有才幾溶劑也殘留于固體電解質層13中時，具有導電促進劑的作用。作為可以成為導電促進劑的有機溶劑，例如，可以是N-曱基-2-p比咯烷酮、N，N-二曱基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺、二曱亞石風、六亞曱基石粦三酰胺(八年廿乂于k:/爾7沐》卜K)、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基曱酰胺、N-乙烯基乙酰胺等4及性溶劑；曱酚、苯酚、二曱苯酚等酚類；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1,3-丁二醇、1，4-丁二醇、甘油、二甘油、D-葡萄津唐、D-葡萄糖醇、異戊二醇、丁二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇、1，9-壬二醇、新戊二醇等多元脂肪醇；碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等石友酸酯化合物；二噁烷、二乙醚等醚化合物；二烷醚、丙二醇二烷醚、聚乙二醇二烷醚、聚丙二醇二烷醚等鏈狀醚類；3-曱基-2-噁唑烷酮等雜環化合物；乙腈、戊二腈、曱氧基乙腈、丙腈、千腈等腈化合物等。這些溶劑可以單獨使用，也可以使用它們的兩種以的〉'昆合物。有機溶劑的含量，相對于合計IOO質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選10-IOO，OOO質量份，更加優選50~10,000質量份。這樣的導電促進劑，通過與聚陰離子和兀共軛導電性高分子之間形成氫4定，或者通過這些化合物間的相互作用，能夠4吏兀共專厄導電性高分子間相互靠近。認為作為其結果，兀共軛導電性高分子間的導電現象的跳躍所需的能量變小，所以整體的電阻變小，進一步4是高導電性。<珪烷偶聯劑>硅烷偶聯劑為下述化學式(I)表示的化合物。化學式(I)X3-Si-Y式(I)中，X為烷氧基或鹵素原子。作為烷氧基，可以是曱氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等。作為鹵素原子，可以是氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。Y是一種以上選自以下的基團取代或未取代的乙烯基、環氧基、苯乙烯基、曱基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、氨基、脲基、氯丙基、巰基、硫醚基、異氰酸基等。作為硅烷偶聯劑的具體例子，可以是乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、2-(3，4-環氧己基)乙基三曱氧硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基曱基二乙氧硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧硅烷、對苯乙烯三甲氧硅烷、3-曱基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧硅烷、3-曱基丙烯酰氧基丙基三甲氧硅烷、3-曱基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧硅烷、3-曱基丙烯酰氧基丙基三乙氧硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三曱氧硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基曱基二曱氧硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三乙氧硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三曱氧硅烷、3-氨丙基三曱氧硅烷、3-氨丙基三乙氧硅烷、3-三乙氧硅烷基-N-(l，3-二曱基(^乂工于》)-丁烯基)丙胺、N-苯基-3-氨丙基三曱氧硅烷、N-(乙烯芐基)-2-氨乙基-3-氨丙基三曱氧硅烷的鹽酸鹽、3-脲丙基三乙氧硅烷、3-氯丙基三曱氧硅烷、3-巰丙基甲基二曱氧硅烷、3-巰丙基三曱氧硅烷、雙(三乙氧石圭丙基)四石克醚、3-異氰酸基丙基三乙氧娃烷等。硅烷偶聯劑的含量，相對于合計IOO質量份的聚陰離子和兀共輒導電性高分子，優選1~10,000質量份，更加優選50~1,500質量份。如果硅烷偶聯劑的含量相對于合計100質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，少于1質量份，則不能提高耐電壓性，如果超過10，000質量份，導電性降低，ESR升高。<摻雜劑>為了使兀共軛導電性高分子的導電性進一步提高，固體電解質層13(導電性高分子溶液)也可以含有聚陰離子以外的其他摻雜劑。作為其他摻雜劑，可以使用卣化物、路易斯酸、質子酸、堿土金屬、季銨鹽化合物，具體可以是諸如有機羧酸、有機磺酸等有才幾酸、有才幾氰化物、富勒烯、氫化富勒烯、氫氧化富勒烯、羧酸化富勒烯、^黃酸化富勒烯等。摻雜劑化合物的含量，相對于IOO摩爾份的兀共軛導電性高分子，<尤選10~IO，OOO摩爾份，更力口l尤選30~3,000摩爾<分。長口果摻雜劑化合物的添加量少于上述下限值，則會降低添加摻雜劑化合物所產生的效果，所以不優選。而且，如果超過上述上限值，則會引起由于兀共軛導電性高分子濃度的降低而導致的導電性降低，所以不優選。作為有機酸，可以是烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、烷基萘二磺酸、萘石黃酸曱醛縮聚物、三聚氰胺石黃酸曱醛縮聚物、萘二石黃酸、萘三磺酸、二萘甲烷二磺酸、蒽醌磺酸、蒽醌二磺酸、蒽磺酸、芘磺酸等有枳^黃酸化合物，乙酸、草酸、苯甲酸、鄰笨二曱酸、馬來酸、富馬酸、丙二酸等有機羧酸化合物。而且，也可以使用它們的金屬鹽。作為有才幾氰化物，可以4吏用在共輒4建上有兩個以上氰基的化合物。可以是四氰基乙烯、四氰基氧乙烯、四氰基苯、二氯二氰基苯醌(DDQ)、四氰代二曱基苯醌、四氰基氮雜萘等。<粘結劑樹脂〉固體電解質層13(導電性高分子溶液)中，為調整成膜性、膜強度等，也可含有粘結劑樹脂。作為粘結劑樹脂，并不限定于可與兀共軛導電性高分子或聚陰離子相容或者混合分散的樹脂，也可以是熱固性樹脂，也可以是熱可塑性樹脂。例如，可以是聚對苯二曱酸乙二酯、聚對苯二曱酸丁二酯、聚萘二曱酸乙二酯等聚酯；聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺等聚酰亞胺；聚酰胺6、聚酰胺6，6、聚酰胺12、聚酰胺ll等聚酰胺；聚偏氟乙烯、聚氟乙烯、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氯三氟乙烯等含氟樹脂；聚乙烯醇、聚乙烯醚、聚乙烯丁縮醛、聚乙酸乙烯酯、聚氯乙烯等乙烯基樹脂；環氧樹脂；二曱苯樹脂；芳香族聚酰胺樹脂；聚氨酯；聚脲；三聚氰胺樹脂；苯酚樹脂；聚醚；丙烯酸樹脂及它們的共聚物等。粘結劑樹脂的含量，相對于合計IOO質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選1~50,000質量4分，更加優選10~l，OOO質量份。如果粘結劑樹脂的添加量少于上述下限值，則會降低添加粘結劑樹脂所產生的效果，所以不優選。而且，如果超過上述上限值，則會引起由于兀共軛導電性高分子濃度的降低而導致的導電性降低，所以不優選。而且，代替所述粘結劑樹脂，可以在導電性高分子溶液中含有形成粘結劑樹脂的前體化合物或單體。通過前體化合物或單體的聚合，可以形成粘結劑樹脂。(陰極)陰極14可以是例如由碳、4艮、鋁等層構成的。當陰極14由碳、銀、鋁等構成時，可以由含有碳、銀等導電體的導電性糊劑形成。而且，當陰才及14由鋁構成時，是由鋁箔所構成。在電容器10中，介電層12與固體電解質層13之間，根據需要，可以-沒置分隔膜。以上i兌明的構成電容器10的固體電解質層13,由于含有酰胺化合物，所以導電性高。因此，可以降低電容器10的ESR。而且，認為當酰胺化合物具有乙烯基以及酰胺鍵時，使得固體電解質層13中具有乙烯基以及酰胺4建的化合物與聚陰離子中的陰離子基團的容易發生相互作用，由于此相互作用，可以使聚陰離子間相互靠近。因此，通過摻雜可以-使吸附在聚陰離子上的兀共軛導電性高分子也彼此靠近。認為作為其結果，使兀共軛導電性高分子彼此間的導電現象的跳躍所需的能量變小，導電性變高。因此，通過固體電解質層13的導電性提高，能夠減小電容器的ESR。而且，可以認為由于兀共軛導電性高分子間靠近，提高了耐熱性。當電容器10的固體電解質層13中含有硅烷偶聯劑時，可以使固體電解質層13牢固地結合于介電層12。其結果是，介電層12不容易產生缺陷，即使介電層12變薄，也可以提高電容器10的耐電壓性。另外，由于固體電解質層13中含有導電促進劑，所以無"i侖是否含有無導電性的聚陰離子以及硅烷偶聯劑，導電性都高，并且電容器10的ESR低到可實用的程度。而且，確保電容器IO有充分的靜電容量。而且，當電容器10的介電層12與固體電解質層13之間，設有含低熱膨脹聚合物并與介電層12間的熱膨脹系數差很小的中間層16時，在電容器制造等時候受到熱壓之際，中間層16與介電層12幾乎同等地膨脹。因此，即使受到熱壓，中間層16也很難產生缺陷，可以防止陽才及ll與固體電解質層13之間的短路。(導電性高分子溶液的制造方法)接下來，對導電性高分子溶液的制造方法的一例進行說明。此例的導電性高分子溶液的制造方法中，首先，在溶劑中，在存在聚陰離子的情況下，對形成兀共軛導電性高分子的前體單體進行化學氧化聚合，形成復合了7T共軛導電性高分子及聚陰離子的復合體。接下來，在含復合體的溶液中，添加導電促進劑以及堿性化合物，得到導電性高分子溶液。導電促進劑及4^性化合物的添加順序不分先后。而且，也可以在之后追加溶劑。上述導電性高分子溶液中含有的導電促進劑，通過與聚陰離子和TT共軛導電性高分子間形成氫4建或者利用這些化合物間的相互作用，使兀共軛導電性高分子間相互靠近。認為作為其結果，兀共軛導電性高分子間的導電現象的跳躍所需的能量變小，所以整體的電阻變小，提高了導電性。而且，上述導電性高分子溶液含有石咸性化合物，所以降低了酸性，因此可以降低腐蝕性。<導電性涂膜>本發明的導電性涂膜是涂布、干燥上述導電性高分子溶液而形成的。作為導電性高分子;容液的涂布方法，例如，可以是涂布、浸涂、噴涂等^^知的方法。作為高分子溶液涂布的一皮涂布物，例如，可以是玻璃板、塑料膜、金屬層、金屬氧化層等。作為涂布導電性高分子溶液后的干燥方法，例如，可以是在室溫下風千、熱風干燥爐、遠紅外線爐等干燥方法。從涂膜形成效率的角度考慮，優選熱風干燥爐、遠紅外線爐等方法。利用這樣的干燥方法，除去導電高分子溶液中的蒸發成分，從而得到導電性涂膜。以上說明的導電性涂膜，是通過涂布、干燥上述的導電性高分子溶液而形成的，所以導電性高，且腐蝕性低。<電容器的制造方法>接下來，針對電容器10的制造方法進行說明。在本發明的一種實施方式例子的電容器10的制造方法中，首先，使導電性高分子溶液涂布并附著于具有陽極11以及氧化陽極11的表面而形成的氧化力荑的介電層12的電容器中間體的介電層12側的表面上。此時使用的導電性高分子溶液，包含作為必要成分的兀共軛導電性高分子、聚陰離子、酰胺化合物或者導電促進劑和石圭烷偶l關劑、以及-容劑。另外，在本發明的其4也實施方式的電容器10的制造方法中，在介電層12的表面，涂布低熱膨脹聚合物溶液，形成中間層16，在中間層16表面涂布導電性高分子溶液，形成固體電解質層13。在形成中間層16的步驟中使用的低熱膨脹聚合物溶液是在溶劑中溶解得到的包含上述低熱膨脹聚合物的溶液。低熱膨脹聚合物溶液的濃度優選0.01%~5%(質量)，更加優選0.01%~0.5%(質量)。作為涂布低熱膨脹聚合物溶液的方法，例如，可以是涂布、浸漬、噴涂等公知的方法。作為干燥方法可以是熱風干燥等公知的方法。溶劑無特殊限定，例如，可以是水和/或有機溶劑。從進一步提高所得的導電性涂膜的導電性角度考慮，優選由水、有機溶劑構成。即，以下的有機溶劑也可以使導電性提高。作為有機溶劑，例如，可以是N-曱基-2-吡咯烷酮、N,N-二曱基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺、二曱亞石風、六亞曱基磷三酰胺、N-乙烯基p比咯烷酮、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基乙酰胺等極性溶劑；曱酚、苯酚、二甲苯酚等酚類；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1，3-丁二醇、1,4-丁二醇、甘油、二甘油、D-葡萄糖、D-葡萄糖醇、異戊二醇、丁二醇、1,5-戊二醇、1，6-己二醇、1，9-壬二醇、新戊二醇等多元脂肪醇；丙酮、曱乙酮等酮類；己烷、苯、甲苯等烴類；曱酸、乙酸等羧酸；石友酸乙烯酯、石灰酸丙烯酯等石友酸酯化合物；二噁烷、二乙醚、三乙二醇.二甲醚、四乙二醇.二曱醚、二乙二醇.二甲醚、二乙二醇.二乙醚、二乙二醇.二丁醚等醚化合物；二烷醚、丙二醇二烷醚、聚乙二醇二烷醚、聚丙二醇二烷醚等鏈狀醚類；3-曱基-2-噁唑烷酮等雜環化合物；乙腈、戊二腈、曱氧基乙腈、丙腈、芐腈等腈化合物等。這些溶劑可以單獨使用，也可以<吏用它們的兩種以上的混合物。其中，從工序的簡便性考慮，優選低沸點的醇類溶劑以及對環境負擔小的水。此夕卜，溶劑優選由水以及在O.lMpa壓力下具有100。C以上沸點的有機溶劑的混合溶劑，因為尤其提高導電性并且干燥速度容易控制。作為在O.lMPa壓力下具有100。C以上沸點的有才幾溶劑，可以是上述示例中的N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二曱基曱酰胺、N,N-二曱基乙酰胺、二曱亞石風、六亞甲基磷三酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、N國乙烯基甲酰胺、N-乙烯基乙酰胺等極性溶劑；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、1，3-丁二醇、1,4-丁二醇、甘油、二甘油、D-葡萄糖、D-葡萄糖醇、異戊二醇、丁二醇、1,5-戊二醇、1，6-己二醇、1,9-壬二醇、新戊二醇等多元脂肪醇等。這些溶劑可以單獨4吏用，也可以^使用它們的兩種以上的混合物。有才幾溶劑的含量，相對于合計100質量份的聚陰離子和兀共軛導電性高分子，優選1~10,000質量份，更加優選50~3,000質量份。在導電性高分子溶液中，4艮據需要，為改善導電性高分子溶液的涂布性、穩定性、與基材的粘著性、固體電解質層13(導電性涂膜)的性質等，也可以添加其它添加劑。添加劑只要能與兀共輒導電性高分子及聚陰離子混合即可，沒有特別的限制，例如，可以使用表面活性劑、消泡劑、偶聯劑、抗氧化劑等。作為表面活性劑，可以是羧酸鹽、磺酸鹽、硫酸酯鹽、磷酸酯鹽等陰離子表面活性劑；胺鹽、季銨鹽等陽離子表面活性劑；羧基甜菜堿、氨基羧酸鹽、咪唑啉甜菜堿等兩性表面活性劑；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯甘油脂肪酸酯、乙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪酸酰胺等非表面活性劑等。作為消泡劑，可以是硅酮樹脂、聚二曱基硅氧烷、有機硅樹脂等。作為偶聯劑，可以是具有乙烯基、氨基、環氧基、曱基丙烯酰基等的硅烷偶聯劑等。作為抗氧化劑，可以是酚系抗氧化劑、胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、糖類、維生素類等。導電性高分子溶液在25。C時的pH優選3~13，特別優選5~11。^果導電性高分子;容'液的pH在3以上，則可以防止導電4生高分子溶液造成的介電層12的腐蝕。^f旦是如果大于13，則有降^f氐兀共軛導電性高分子的導電性的趨勢，所以不優選。為^f吏導電'l"生高分子〉容、液的pH在3~13范圍內，可以添加石威寸生化合物。作為石咸性化合物，可以-使用7>知的無才幾石咸化合物和有才幾石咸化合物。作為無機石威化合物，例如，可以是氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氨等。作為有機堿性化合物，可是使用含氮芳香族環狀化合物(芳香族胺)、脂肪族胺、金屬醇鹽等。作為含氮芳香族環狀化合物，可以是上述的化合物。作為脂肪族胺化合物，例如，可以是二曱胺、二乙胺等脂肪族胺；。米唑、2-曱基。米唑、l-羥乙基。米唑、2,6-吡口定二曱醇、曱酸等芳香族胺化合物；曱醇鈉、乙醇鈉等鈉醇鹽、鉀醇鹽、鈣醇鹽等金屬醇鹽等。而且，作為調節pH至313的方法，可以是將導電性高分子〉容液中的酸酯4匕或酰胺4匕的方法。為得到導電性高分子溶液，例如，首先在聚陰離子存在下，向溶劑中添加形成兀共軛導電性高分子的前體單體。接下來，添加氧化劑，使前體單體聚合，之后除去剩余的氧化劑和前體單體，從而配制含有復合了兀共軛導電性高分子及聚陰離子的復合體的溶液。作為此時使用的前體單體，例如，可以是吡咯類及其衍生物、噻吩類及其衍生物、苯胺類及其衍生物等。46作為氧化劑，只要是能使所述前體單體氧化而得到兀共軛導電性高分子的氧化劑即可，例如，可以是過二碌tJ交銨(過硫酸銨)、過二》克酸鈉(過硫酸鈉)、過二-危酸鉀(過斬u酸鉀)等過二硫酸鹽；氯化鐵、硫酸鐵、硝酸鐵、氯化銅等過渡金屬化合物；三氟化硼、氯化鋁等金屬卣化物；氧化銀、氧化銫等金屬氧化物；過氧化氫、臭氧等過氧化物；過氧化苯甲酰等有機過氧化物；以及氧等。作為溶劑，可以是與在低熱膨脹聚合物溶液中使用的溶劑相同的溶劑。接下來，在含有復合體的溶劑中，添加酰胺化合物或導電促進劑以及硅烷偶聯劑，根據需要，還可添加離子傳導性高分子、堿性化合物等任意成分，乂人而得到導電性高分子溶液。作為使導電性高分子溶液附著于介電層12的表面的方法，例如，可以是'凃布、菱漬、噴涂等7>^口的方法。接下來，干燥附著于介電層12的導電性高分子溶液，形成固體電解質層13。作為干燥方法，可以是室溫干燥、熱風干燥、遠紅外線干燥等7>知的方法。在固體電解質層13中，兀共軛導電性高分子多形成粒徑為1~500nm的粒子。其結果是，兀共軛導電性高分子不能到達電容器中間體的介電層12的表面的細微空隙的最深處，4艮難發揮電容量。所以形成固體電解質層13后，優選才艮才居需要以電解液浸透的方式補充電容量。作為電解液只要導電性高即可，沒有特別的限定，將公知的電解質溶解于7>知的溶劑中而得到。作為電解液中的溶劑，例如，可以是乙二醇、二乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、甘油等醇類-容劑；，丁內酯、y-戊內酯、S-戊內酯等內酯類溶劑；N-曱基曱酰胺、N,N-二曱基曱酰胺、N-曱基乙酰胺、N-曱基吡咯烷酮等酰胺類溶劑；乙腈、3-曱氧基丙腈等腈類溶劑；水等。作為電解質，可以是以己二酸、戊二酸、琥珀酸、苯曱酸、間苯二甲酸、鄰苯二曱酸、對苯二曱酸、馬來酸、甲苯酸、庚酸、丙二酸、曱酸、1,6-癸烷二羧酸、5，6-癸烷二羧酸等癸烷二羧酸，1,7-辛烷二羧酸等辛烷二羧酸、壬二酸、癸二酸等有一幾酸；或者，硼酸、硼酸與多元醇得到的硼酸多元醇配合物；以及以石粦S交、碳酸、硅酸等無機酸等作為陰離子成分，并以伯胺(曱胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺等)、仲胺(二曱胺、二乙胺、二丙胺、甲基乙胺、二苯胺等)、#又胺(三曱胺、三乙胺、三丙胺、三苯胺、1,8-二氮雜二環(5.4.0)-十一碳烯-7等)、四烷基銨(四曱基銨、四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨、曱基三乙基銨、二曱基二乙基銨等)等作為陽離子成分的電解質。接下來，在固體電解質層13上涂布碳糊、4艮糊等，形成陰極14，乂人而纟尋到電容器10。上述的電容器10的制造方法是使含有兀共軛導電性高分子的導電性高分子溶液附著于介電層12上，干燥附著的導電性高分子溶液，形成固體電解質層13的方法，所以可以簡便地浸透進為細微空隙的介電層12的內部。所以，可以簡便地發揮高的電容量。而且，在利用具有酰胺化合物的導電性高分子溶液形成固體電解質層13時，固體電解質層13的導電性高，并且可以降低電容器IO的ESR。而且，固體電解質層13的耐熱性高，也可以^是高電容器10的耐熱寸生。另一方面，當導電性高分子溶液含有硅烷偶聯劑時，可以使涂布導電性高分子溶液的介電層12與由導電性高分子溶液形成的固體電解質層13牢固地結合，其結果是，即使介電層12變薄，也可以提高電容器10的耐電壓性。另夕卜，此制造方法不是在介電層12上利用電解聚合法或化學氧化聚合法形成固體電解質層13的方法，并且導電性高分子溶液含有導電促進劑，所以可以提高固體電解質層13的導電性，并且可以使電容器10的ESR降低至可實用的程度。而且，可以充分確^呆電容器10的靜電容量。在以上"i兌明的電容器10的制造方法中，在介電層12的表面涂布j氐熱膨月長聚合物溶液，形成中間層16，在該中間層16上形成固體電解質層13，所以可以抑制由熱壓引起的陽極11與固體電解質層13的短路，可以4吏不良率下降。而且，通過涂布、干燥含有預先聚合的兀共軛導電性高分子的導電性高分子溶液，形成固體電解質層13，所以工序簡單，適合大量生產，并且成本低。另外，本發明的電容器及其制造方法，并不限定于上述實施方式的例子。例如，如圖3所示，本發明的電容器可以根據需要在介電層12與陰極14之間設置隔膜15。作為在介電層12與陰極14間設置有隔膜15的電容器，可以是巻繞型電容器。作為隔膜15,例如，可以是含聚乙烯醇、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚偏氟乙烯等的薄片(含無紡布)、玻璃纖維的無紡布等。隔月莫15的密度j尤選0.1~lg/cm3的范圍，更力口優選0.2—0.8g/cm3的范圍。在設置有隔膜15時，可以使用這樣的方法，使隔膜15含浸于碳糊或4艮糊中，/人而形成陰才及14。而且，在本發明的電容器中，根據需要可以使用電解液。如果與電解液并用，可以更加簡便地提高電容量。作為電解液只要能導電度高即可，無特殊限定，可以將公知的電解質溶解于公知的溶劑中而得到。作為電解液用溶劑，例如，可以是乙二醇、二乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、甘油等醇類溶劑；y-丁內酯、y-戊內酯、S-戊內酯等內酯類溶劑；N-曱基曱酰胺、N，N-二曱基曱酰胺、N-曱基乙酰胺、N-曱基吡咯烷酮等酰胺類溶劑；乙腈、3-甲氧基丙腈等腈類溶劑；水等。作為電解質，可以是以己二酸、戊二酸、琥珀酸、苯甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、對苯二曱酸、馬來酸、曱苯酸、庚酸、丙二酸、曱酸、1,6-癸烷二羧酸、5,6-癸烷二羧酸等癸烷二羧酸，1，7-辛烷二歡酸等辛烷二羧酸、壬二酸、癸二酸等有一幾酸；或者，硼酸、硼酸與多元醇得到的硼酸多元醇配合物；以及以石粦酸、多友酸、石圭酸等無才幾酸等作為陰離子成分，并以伯胺(曱胺、乙胺、丙胺、丁胺、乙二胺等)、仲胺(二甲胺、二乙胺、二丙胺、曱基乙胺、二苯胺等)、叔胺(三曱胺、三乙胺、三丙胺、三苯胺、1,8-二氮雜二環(5.4.0)-十一碳烯-7等)、四烷基銨(四曱基銨、四乙基銨、四丙基銨、四丁基銨、甲基三乙基銨、二曱基二乙基銨等)等作為陽離子成分的電解質。而且，將固體電解質層作為陰極使用時，不一定要再另外設置陰極。此時，通過本發明，不但可以防止陽極的損壞，還可以提高耐電壓寸生。實施例以下才艮據實施例，對本發明進行詳細地-說明。另外，以下實施例中pH為在25'C時測定的值。C實施例1)(1)導電性高分子溶液的配制將14.2g(O.lmol)的3,4-亞乙二氧基"塞吩與將27.5g(0.15mol)的聚苯乙烯石黃酸(分子量約150,000)溶解于2000ml的離子交換水中得到的溶液在20。C下進行混合。將這樣得到的混合溶液保持在20。C，一邊攪拌，一邊加入溶解于200ml離子交換:水中的29.64g((U3mo1)過石克酸銨與8.0g(0.02mol)硫酸鐵的氧化催化劑溶液，并攪拌3小時使其反應。對所得反應液進行滲析，除去未反應的單體、氧化劑、氧化催化劑，得到含約1.5%(質量)的聚苯乙烯磺酸摻雜聚(3，4-亞乙二氧基p塞吩)的溶液(以下稱為復合體溶液)。然后，在100g復合體溶液中，一邊攪拌，一邊加入1.8g的5%(質量)的氨7K,之后加入6.0g的N-羥乙基丙烯酰胺，得到導電性高分子溶液。(2)電容器的制造在蝕刻的鋁箔(陽極箔)上連接陽極導線端子后，在己二酸銨10%(質量)水溶液中施加100V的電壓，化學轉化(氧化處理)，在鋁箔表面形成介電層，得到電容器中間體。接下來，將焊接了陰極導線端子的對置的鋁陰極箔通過夾在中間的纖維素制隔膜，層疊到電容器中間體的陽極箔上，將其巻繞得到電容器元件。在減壓條件下，將此電容器元件浸漬于通過(1)配制的導電性高分子溶液后，反復進行5次在120。C的熱風干燥機中進行的干燥的工序，每次10分鐘，從而在電容器中間體的介電層側的表面上形成固體電解質層。接下來，用封口橡膠將形成了固體電解質層的電容器元件封固在鋁制的容器中，制造出電容器。使用LCZ測量儀2345(工7工7回路設計:/口、乂夕社制造)，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的等效串聯電阻(ESR)的初期^直。而且，用如下方法測定電容器的耐電壓值。向兩電纟及施加直流電壓，以0.2V/秒的速度升壓，測定電流達到0.4A時的電壓，將此電壓作為耐電壓值。將其測定結果顯示于表1。<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>(實施例2)除在實施例1的100g復合體溶液中，將在攪拌下加入的6.0gN-羥乙基丙烯酰胺替換為6.0gN-羥乙基乙酰胺之外，與實施例1同樣地制造電容器。然后與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表l。(實施例3)除在實施例1的100g復合體溶液中，一邊攪拌一邊加入1.8g的5%(質量)的氨水后，加入4.5g聚乙二醇400(數均分子量400)，加入4.5gN-羥乙基丙烯酰胺之外，與實施例1同樣地配制導電高分子溶液。用此導電性高分子溶液與實施例1同樣地制造電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表1。(實施例4)除在實施例1的100g復合體溶液中，一邊4覺4半一邊加入1.8g的5%(質量)的氨水后，加入4.5g聚乙二醇1000(數均分子量1000),加入4.5gN-羥乙基丙烯酰胺之外，與實施例l同才羊地配制導電高分子溶液。使用此導電性高分子溶液，與實施例1同樣地制造了電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表l。(實施例5)除在實施例1的100g復合體溶液中，一邊攪拌一邊加入1.5g的l-羥乙基口米唾后，力。入4.5g聚乙二醇400,加入4.5gN-羥乙基丙烯酰胺之外，與實施例1同樣地配制導電高分子溶液。使用此導電性高分子溶液，與實施例1同樣地制造了電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表1。(實施例6)除在實施例1的100g復合體溶液中，一邊攪拌一邊加入1.8g的5%(質量)的氨水后，加入4.5g聚乙二醇1000，力口入6.0gN-羥乙基乙酰胺之外，與實施例1同樣地配制導電高分子溶液。使用此導電性高分子溶液，與實施例1同樣地制造了電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表1。(比較例1)在實施例1中的復合體溶液中未加入酰胺化合物，并將其作為導電性高分子溶液使用，除此之外與實施例1同樣地制造電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表1。(t匕豐交侈寸2)除在實施例1的lOOg復合體溶液中，加入1.8g的5%(質量)的氨水后，未加入酰胺化合物之外，與實施例1同樣地制造了電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表1。(比較例3)除在實施例1的lOOg復合體溶液中，加入1.8g的5%(質量)的氨7K后，加入2.5g三羥基苯，未加入酰胺化合物之外，與實施例1同樣地制造了電容器。然后，與實施例1同樣地測量了靜電容量、ESR、耐電壓值。其測定結果顯示于表l。具有含兀共軛導電性高分子、聚陰離子以及酰胺化合物的固體電解質層的實施例1-6的電容器，ESR低。而且，也可以充分確保靜電容量。而且，含有離子傳導性高分子的實施例3-6的電容器，耐電壓性高。具有含兀共軛導電性高分子以及聚陰離子，但不含酰胺化合物的固體電解質層的比較例1~3的電容器，ESR高。(實施例7)(1)導電性高分子溶液的配制將14.2g(O.lmol)的3，4-亞乙二氧基噢吩與將27.5g(0.15mol)的聚苯乙烯磺酸溶解于2000ml的離子交換水中得到的溶液進行混合。將此混合溶液〗呆持在2crc，一邊^覺拌，一邊纟爰'隄加入溶解于200ml離子交才奐水中的29.64g(0.13mol)過石危酸銨與8.0g(0.02mol)硫酸鐵的氧化催化劑溶液，并攪拌3小時使其反應。對所得反應液進行滲析，除去未反應的單體、氧化劑、得到含約1.5%(質量)的藍色聚苯乙烯磺酸摻雜聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)的溶液。將此作為復合體溶液。然后，在10g復合體溶液中，使4.00g的N-曱基-N-乙烯基乙酰胺均勻地分散，得到導電性高分子溶液(1)。將此導電性高分子溶液(1)涂布于玻璃板上，4吏其在12(TC的熱風干燥才幾中干燥，形成厚2pm的導電性涂膜。然后，用口一P7夕(三菱化學制造)測定此導電性涂膜的導電度。其結果顯示于表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>(2)電容器的制造在蝕刻的鋁箔(陽極箔)上連接陽極導線端子后，在乙二酸銨10%(質量)水溶液中施加10V的電壓，化學轉化(氧化處理)，在鋁箔表面形成介電層，得到電容器中間體。接下來，將焊接了陰極導線端子的對置的鋁陰極箔通過夾在中間的纖維素制隔膜，層疊到電容器中間體的陽極箔上，將其巻繞得到電容器元件。將此電容器元件浸漬于導電性高分子溶液(1)后，在120。C的熱風干燥機中干燥，從而在電容器中間體的介電層側的表面上形成固體電解質層。接下來，在鋁制的容器中，填充固體電解質層形成的電容器元件以及作為電解液的己二酸氫銨20%(質量)-乙二醇80%(質量)溶液，用封口橡膠封固，制造出電容器。使用LCZ測量儀2345(工只工7回路設計:/口、乂夕社制造)，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的等效串聯電阻(ESR)的初期值、125。C的環境下放置500小時后的ESR。其測定結果顯示于表2中。(實施例8)除在10g復合體溶液中使7.00g的N-曱基-N-乙烯基乙酰胺均勻地分散，配制成導電性高分子溶液(2),并使用此導電性高分子溶液(2)之外，與實施例7同樣地制造電容器。然后，與實施例1同樣地進行評價。評價結果顯示于表2。(實施例9)除在10g復合體溶液中4吏10.00g的N-曱基-N-乙烯基乙酰胺均勻地分散，配制成導電性高分子溶液(3)，并使用此導電性高分子溶液(3)之外，與實施例7同樣地制造電容器。然后，與實施例1同樣地進行評價。評價結果顯示于表2。(實施例10)除在10g復合體溶液中使0.12g的N-曱基-N-乙烯基乙酰胺均勻地分散，配制成導電性高分子溶液(4),并^f吏用此導電性高分子溶液(4)之外，與實施例7同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表2。(實施例11)除在10g復合體溶液中使50.00g的N-曱基-N-乙烯基乙酰胺均勻地分散，配制成導電性高分子溶液(5)，并使用此導電性高分子溶液(5)之外，與實施例7同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表2。(t匕4交侈'J4)除將10g復合體溶液作為導電性高分子溶液使用之外，與實施例1同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表2。(實施例12)除未填充制造實施例7的電容器時的電解液之外，與實施例7同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>(實施例13)除代替導電性高分子溶液(1)使用導電性高分子溶液(2)外，與實施例6同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。(實施例14)除代替導電性高分子溶液(1)使用導電性高分子溶液(3)外，與實施例12同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。(實施例15)除代替導電性高分子溶液(1)使用導電性高分子溶液(4)夕卜，與實施例12同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。(實施例16)除代替導電性高分子溶液(1)使用導電性高分子溶液(5)外，與實施例12同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。(比較例5)除將復合體溶液10g作為導電性高分子溶液z使用之外，與實施例12同樣地制造電容器。然后，與實施例7同樣地進行評價。評價結果顯示于表3。具有含兀共軛導電性高分子、聚陰離子、乙烯基以及酰胺鍵的化合物的固體電解質層的實施例7~16的電容器，ESR低。特別是即使力口熱后仍可抑制ESR的上升。而且，在實施例7~16中，由于使導電性高分子溶液滲透至介電層中，所以靜電容量也高。具有包含兀共軛導電性高分子以及聚陰離子，但不包含具有乙烯基以及酰胺鍵的化合物的固體電解質層的比較例4、5的電容器中，ESR高。(實施例17)(1)導電性高分子溶液的配制將14.2g(O.lmol)的3,4-亞乙二氧基噻吩與將27.5g(O.15mol)的聚苯乙烯石黃酸(分子量約150,000)溶解于2，000ml的離子交換水中得到的溶液在20。C下進4亍混合。將這樣得到的混合溶液保持在20°C，一邊攪拌，一邊加入溶解于200ml離子交換:水中的29.64g(0.13mol)過碌^酸銨與8.0g(0.02mol)硫酸鐵的氧化催化劑溶液，并攪拌3小時使其反應。對所得反應液進行滲析，除去未反應的單體、氧化劑、氧化催化劑，得到含約1.5%(質量)的聚苯乙烯^t酸摻雜聚(3，4-亞乙二氧基遙吩)的溶液(以下稱為復合體溶液)。然后，在lOOg復合體溶液中，一邊攪拌，一邊加入0.36g的25%(質量)的氨水，之后加入為導電促進劑的6.0g的聚乙二醇200(數均分子量200)、0.5g為硅烷偶聯劑的3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧石圭烷，得到pH8.5的導電性高分子溶液。(2)電容器的制造在蝕刻的鋁蕩(陽極箔)上連接陽極導線端子后，在己二酸銨10%(質量)水溶液中施加IOOV的電壓，化學轉化(氧化處理)，在鋁箔表面形成介電層，得到電容器中間體。接下來，將焊接了陰極導線端子的對置的鋁陰極箔通過夾在中間的纖維素制隔膜，層疊到電容器中間體的陽極箔上，將其巻繞得到電容器元件。在減壓條件下，將此電容器元件浸漬于通過(1)配制的導電性高分子溶液后，反復進行3次在120。C的熱風干燥機中進行的干燥工序，每次10分鐘，從而在電容器中間體的介電層側的表面上形成固體電解質層。接下來，用封口橡膠將形成了固體電解質層的電容器元件封固在鋁制的容器中，制造出電容器。使用LCZ測量儀2345(工7工7回路設計:/口、乂夕社制造)，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的等效串聯:電阻(ESR)的^7期Y直。而且，用如下方法測定電容器的耐電壓4直。向兩電4及施加直流電壓，以0.2V/秒的速度升壓，測定電流達到0.4A時的電壓，將此電壓作為耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage62</column></row><table>(實施例18)除了在實施例17的100g復合體溶液中，用5.0g二曱亞砜代替6.0g的聚乙二醇200,作為導電促進劑加入之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例19)除向實施例17的100g復合體溶液中，加入0.4g。米唑、0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧硅烷之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例20)除將0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧硅烷用0.6g的3-曱基丙烯酰氧基丙基三曱氧硅烷(乂夕夕u口y年、乂7°口匕v^卜y>卜年、乂、乂，y)代替之外，與實施例19同樣地制造電容器。然后，與實施例17同才羊;也測定靜電容量、ESR、耐電壓j直。將這些測定結果顯示于表4。(實施例21)除向實施例17的100g復合體溶液中，加入0.4g口米唑、0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧硅烷以及3.6g的二曱亞砜之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例22)除將0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧硅烷用0.6g的3-曱基丙烯酰氧基丙基三甲氧硅烷代替之外，與實施例21同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例23)除向實施例17的100g復合體溶液中，加入0.4g咪唑、0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧硅烷以及3.6g聚乙二醇400之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例24)除將0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧硅烷用0,6g的3-曱基丙烯酰氧基丙基三曱氧硅烷代替之外，與實施例23同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(實施例25)除將0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧硅烷用0.6g的N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三曱氧硅烷(N-(2-7$/工于》)-3-7$乂7°口匕°/^卜y卜年、乂、乂，>0替代之外，與實施例23同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(t匕4交侈'J6)除將實施例17的復合體溶液作為導電性高分子溶液-使用外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(比較例7)除向實施例17的100g復合體溶液中加入0.36g的25%(質量)氨水、6.0g聚乙二醇200,未加入3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧硅烷之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(比較例8)除向實施例17的lOOg復合體溶液中加入0.36g的25%(質量)氨水、5.0g的二曱亞石風，未加入3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧硅烷之外，與實施例17同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(比較例9)除未加入0.6g的3-曱基丙烯酰氧基丙基三曱氧硅烷之外，與實施例19同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓j直。將這些測定結果顯示于表4。(比較例10)除未加入0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧石圭烷之外，與實施例21同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓值。將這些測定結果顯示于表4。(比較例11)除未加入0.6g的3-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧硅烷之外，與實施例23同樣地制造電容器。然后，與實施例17同樣地測定靜電容量、ESR、耐電壓<直。將這些測定結果顯示于表4。具有含兀共軛導電性高分子、聚陰離子、導電促進劑以及硅烷偶聯劑的固體電解質層的實施例17~25的電容器，耐電壓性高。而且，實施例17-25的電容器，將ESR降至可實用的程度，確保充分的靜電容量。相反，具有不含硅烷偶聯劑的固體電解質層的比較例6~11的電容器，耐電壓性低。(實施例26)(1)導電性高分子溶液的配制將14.2g的3,4-亞乙二氧基噻吩與將36.7g的聚苯乙烯磺酸溶解于2000ml的離子交換水中得到的溶液在20。C下進行混合。將這樣得到的混合溶液保持在20。C,一邊攪拌，一邊緩慢加入溶解于200ml離子交換水中的29.64g過硫酸銨與8.0g石克酸鐵的氧化催化劑溶液，并攪拌3小時使其反應。在所得到的反應液中加入2000ml的離子交換7jc,4吏用超濾法去除大約2000ml的溶液。將該纟喿作重復進行三次。然后，向所得溶液中加入200ml稀釋為10%(質量)的石危酸和2000ml的離子交換水，使用超濾法去除大約2000ml的溶液，向其中加入2000ml的離子交換水，用超濾法去除大約2000ml的溶液。將該操作重復進行三次。接著，在所得的溶液中加入2000ml的離子交換水，使用超濾法去除大約2000ml的溶液。將該，喿作重復進行5次，得到含有大約1.5%(質量)的藍色聚苯乙烯磺酸摻雜聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)(PSS-PEDOT)的聚合4勿溶液。向得到的100g聚合物溶液中加入2.79g的咪唑，-使其均勻地分散，得到導電性高分子溶液。(2)含有^f氐熱膨力長聚合物溶液的配制lg為水系聚氨酯的kf、yD-6300(大日精化工業制造、30%(質量)、30°C~120。C的平均熱膨脹系凄fc280ppm廠C)中力口入299g的離子交換水，/人而配制出300g0.1%(質量)的低熱膨脹聚合物溶液A。(3)電容器的制造在蝕刻的鋁箔(陽極箔)上連接陽極導線端子后，在己二酸銨10%(質量)水溶液中，化學轉化(氧化處理)，在鋁箔表面形成介電層，得到電容器中間體。接下來，將焊接了陰極導線端子的對置的鋁陰極箔層疊在電容器中間體的陽極箔上，將其巻繞得到電容器元件。在前述操作時，將隔膜夾在在電容器中間體的陽極箔與陰極箔之間。將此電容器元件浸漬于通過(2)配制的低熱膨脹聚合物溶液A后，在120。C的熱風干燥機中干燥，使在陽極箔的介電層與陰極箔之間形成中間層。然后，將形成了中間層的電容器元件浸漬于通過(1)配制的導電性高分子溶液后，在12(TC的熱風干燥才幾中千燥，/人而在電容器中間體的介電層側的表面上形成固體電解質層。接下來，在鋁制的容器中，填充固體電解質層形成的電容器元件以及為電解液的己二酸氫銨20%(質量)-乙二醇80%(質量)溶液，用封口橡膠封固，從而制造出電容器。(實施例27)配制了含有0.1%(質量)水溶性聚酯(7°，7〕一卜Z-561,互應化學工業制造，在30°C~120。C的平均熱膨脹系數65ppm廠C)的低熱膨脹聚合物溶液B。之外，與實施例26(3)同樣地制造電容器。(實施例28)配制含有0.1%(質量)的可溶于溶劑的聚酰亞胺(4,4，-氧雙鄰苯二曱酸酐及2，4-甲苯二胺的共聚物、在30°C~12(TC的平均熱膨脹系數25ppm廠C)的低熱膨脹聚合物溶液C。然后，除用低熱膨脹聚合物溶液C代替低熱膨脹聚合物溶液A之外，與實施例26(3)同樣地制造電容器。(比較例12)在實施例26的電容器的制造中，除未形成中間層之外，與實施例26同樣地制造了電容器。(比較例13)在實施例26的電容器的制造中，未形成中間層，而且將電容器元件浸漬于在2000ml離子交換水中溶解了14.2g的3，4-亞乙二氧基噻吩及98.5g的對甲苯磺酸鐵(III)的溶液，利用化學氧化聚合形成固體電解質層，除此之外與實施例26同樣地制造了電容器。<評價>測定所得的電容器的耐電壓值、120Hz下的靜電容量、100Hz下的等^f介串聯電阻(ESR)。其測定結果顯示于表5。另夕卜，用以下方法測定耐電壓4直。即，向所4尋電容器的兩電才及施加直流電壓，以0.2V/秒的速度升壓，測定電流達到0.4A時的電壓，將此電壓作為耐電壓值。120Hz下的靜電容量、100kHz下的等效串聯電阻(ESR)是使用LCZ測量4義2345(工7工7回路設計7、'口y夕卒土制造)測定的。<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>具有中間層的實施例26-28的電容器的耐電壓值高，不具有中間層的比4交例12、13的電容器的耐電壓值〗氐。而且，利用化學氧化聚合形成固體電解質層的比較例13的電容器生產率低。(實施例29)(1)導電性高分子溶液的配制將14.2g(O.lmol)的3,4-亞乙二氧基蓉吩與將27.5g(0.15mo1)的聚苯乙烯石黃酸(分子量約150,000)溶解于2000ml的離子交換水中得到的溶液在2(TC下進行混合。將這樣得到的混合溶液保持在20。C，一邊攪拌，一邊加入溶解于200ml離子交換水中的29.64g(0.13mol)過硫酸銨與8.0g(0.02mol)硫酸鐵的氧化催化劑溶液，并攪拌3小時使其反應。對所得反應液進4亍滲析，除去未反應的單體、氧化劑、氧化催化劑，得到含約1.5%(質量)的聚苯乙烯磺酸摻雜聚(3,4-亞乙二氧基蓬吩)的溶液(以下稱為復合體溶液)。然后，在100g復合體溶液中，使2.5g的l-(2-羥乙基)咪唑溶液，再加入6.0g二乙二醇，得到pH8.3的導電性高分子溶液。為評價兀共軛導電性高分子的性能，在玻璃上涂布得到的導電性高分子溶液，在12(TC的熱風干燥才幾中干燥，形成厚2iam的導電性涂膜，用口^7夕(三菱化學制造)測定導電度。其結果顯示于表6。<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table>(2)電容器的制造在蝕刻的鋁箔(陽極箔)上連接陽極導線端子后，在己二酸銨10%(質量)水溶液中施加100V的電壓，化學轉化(氧化處理)，在鋁箔表面形成介電層，得到電容器中間體。接下來，將焊接了陰極導線端子的對置鋁陰極箔通過夾在中間的纖維素制隔膜，層疊到電容器中間體的陽極箔上，將其巻繞得到電容器元件。在減壓條件下，將此電容器元件浸漬于通過(1)配制的導電性高分子溶液后，反復進行3次在120。C的熱風干燥機中進行的干燥工序，每次10分鐘，從而在電容器中間體的介電層側的表面上形成固體電解質層。接下來，用封口橡膠將形成了固體電解質層的電容器元件封固在鋁制的容器中，制造出電容器。使用LCZ測量4義2345(工只工7回路設計:/口、乂夕社制造)，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的等效串聯電阻(ESR)的初期值、在105°C1000小時后的ESR值。其結果顯示于表6。(實施例30)除在100g通過實施侈'j29的(1)4尋至iJ的復合體〉容-液中，力口入為堿性化合物的0.36g的25%(質量)氨水后，并加入為導電促進劑的4.5g石克二甘醇之夕卜，與實施例29同樣地得到pH8.4的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例31)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入0.36g的25%(質量)氨水后，并加入2.5g沒食子酸甲酯之外，與實施例29同樣地得到pH8.2的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例32)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入4.5g酒石酸，并加入為石威性4匕合物的二乙胺之外，與實施例29同樣地得到pH7.5的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例33)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入2.0g咪哇和3.0g二乙二醇二甲醚之外，與實施例29同樣地得到pH8.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例34)除在100g通過實施例29的(1)-得到的復合體;容液中，加入0.36g的25。/。(質量)氨水和3.0g四乙二醇.二曱醚之外，與實施例29同樣地得到pH8.6的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其結果顯示于表6。(實施例35)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入2.5g的l-(2-羥乙基咪唑)和3.0g乙二醇二縮水甘油醚之外，與實施例29同樣地得到pH8.3的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例36)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入0.36g的25。/c)(質量)氨水和6.0g的丙烯酸縮水甘油醚之外，與實施例29同樣地得到pH8.5的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例37)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入2.5g的l-(2-羥乙基咪唑)和4.5g的N，N-二曱基丙烯酰胺之外，與實施例29同樣地得到pH8.3的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例38)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入0.30g的25%(質量)氨水和5g馬來酰亞胺之外，與實施例29同樣地得到pH8.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例39)除在100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入0.30g的25%(質量)氨水和3.0g四乙二醇■二曱醚及5g的N,N畫二曱基乙酰胺外，與實施例29同樣地得到pH8.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(實施例40)除在lOOg通過實施侈'29的(1)4尋到的復合體溶液中，力口入2.5g的乙烯基咪哇和5.0g的N國乙烯基吡咯烷酮及4.0g丙歸酸縮水甘油醚之外，與實施例29同辨-i也得到pH8.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(比較例14)除在實施例29的(1)中，未向復合體溶液中加入二乙二醇之外，與實施例29同樣地得到pH2.0的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(比較例15)向100g通過實施例29的(1)得到的復合體溶液中，加入0.36g的25%(質量)氨水，得到調節至pH8.6的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(比較例16)向lOOg通過實施4列29的(1)4尋到的復合體溶液中，力口入6.0g乙二醇，得到pH2.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。(比較例17)向100g通過實施侈'J29的(1)4尋到的復合體溶液中，力口入7.5gN-曱基吡咯烷酮，得到pH2.1的導電性高分子溶液。然后，與實施例29同樣地形成導電性涂膜，測定導電度。而且，與實施例29同樣地制造電容器，對制得的電容器測定120Hz下的靜電容量、100kHz下的ESR的初期值、105°C1000小時后的ESR值。其測定結果顯示于表6。涂布含有兀共軛導電性分子、聚陰離子、導電促進劑、堿性化合物以及溶劑的導電性高分子溶液，所形成的實施例29~40的導電性涂膜的導電度(導電性)高。而且，將實施例29~40的導電性涂膜作為固體電解質層使用的電容器，靜電容量高，ESR低。未加入導電促進劑的比較例15的導電性涂膜導電度低。而且，比較例15的將導電性涂膜作為固體電解質層使用的電容器，ESR高。而且，未加入堿性化合物的比較例16、17的導電性涂膜，雖然導電度高，但是靜電容量低，并且ESR高。權利要求1.一種電容器，其特征在于，具有由閥金屬構成的陽極、通過氧化陽極的表面而形成的介電層以及形成于介電層表面上的固體電解質層，其中，所述固體電解質層含有π共軛導電性高分子、聚陰離子以及酰胺化合物。2.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述酰胺化合物具有一個以上的羥基。3.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，所述酰胺化合物為下述化學式(1)表示的化合物[化學式1]其中，r1、ie分別獨立地為氫原子、可被取代的烷基、亞烷基中的任何一種。4.根據權利要求3所述的電容器，其特征在于，在所述固體電解質層中，由化學式(1)表示的化合物的質量百分比含量為15%-60%。5.—種電容器，其特征在于，具有由閥金屬構成的陽極、通過氧4b陽才及的表面而形成的介電層以及形成于介電層表面上的固體電解質層，其中，所述固體電解質層含有7T共扼導電性高分子、聚陰離子、導電促進劑以及硅烷偶聯劑。6.根據權利要求5所述的電容器，其特征在于，所述導電促進劑是選自由以下化合物構成的組中的一種以上的化合物含氮芳香力矣環狀化合物、具有兩個以上羥基的化合物、具有兩個以上羧基的化合物、具有一個以上羥基以及一個以上羧基的4匕合物、具有酰胺基的化合物、具有酰亞胺基的化合物、內酰胺化合物、和具有縮水甘油基的化合物。7.—種電容器，其特征在于，具有由閥金屬構成的陽極、通過氧化陽極的表面而形成的介電層以及形成于介電層的陽極對側的固體電解質層，其中，所述固體電解質層含有兀共軛導電性高分子，所述介電層與所述固體電解質層之間設有中間層，所述中間層含有在30°C~120。C的平均熱膨脹系數為300ppm/。C以下的低熱膨脹聚合物。8.;^艮據;K利要求1~7中任一項所述的電容器，其中，所述固體電解質層還含有離子傳導性高分子。9.一種電容器制造方法，其特征在于，包括以下步驟使含有兀共軛導電性高分子、聚陰離子、酰胺化合物以及溶劑的導電性高分子溶液附著于通過氧化由閥金屬構成的陽才及的表面而形成的介電層的表面；以及干燥附著于介電層表面的導電性高分子溶液。10.根據權利要求9所述的電容器制造方法，其特征在于，所述酰胺化合物為下述化學式(1)表示的化合物[化學式1]0其中，r1、le分別獨立地為氫原子、可^皮耳又代的烷基、亞烷基中的<壬4可一種。11.一種電容器制造方法，其特征在于，包括以下步驟使含有兀共軛導電性高分子、聚陰離子、導電促進劑、硅烷偶聯劑以及溶劑的導電高分子溶液附著于通過氧化由閥金屬構成的陽纟及的表面而形成的介電層的表面；以及干燥附著于介電層表面的導電性高分子溶液。12.根據權利要求9~11中任一項所述的電容器制造方法，其特征在于，所述導電性高分子溶液在25。C時的pH為3~13。13.—種電容器制造方法，其特征在于，包括以下步驟在通過氧化由閥金屬構成的陽極的表面而形成的介電層的表面涂布低熱膨脹聚合物溶液，形成中間層，所述聚合物溶液通過將在30。C~120。C的平均熱膨脹系數為300ppm廠C以下的低熱膨脹聚合物溶解于溶劑而得到；在中間層表面涂布導電高分子溶液，形成固體電解質層，所述高分子溶液通過將兀共軛導電性聚合物以及聚陰離子溶解于溶劑而得到。14.一種導電性高分子溶液，其特征在于，包含兀共軛導電性高分子、聚陰離子、導電促進劑、堿性化合物以及溶劑。15.根據權利要求14所述的導電性高分子溶液，其特征在于，所述導電促進劑是選自由以下化合物構成的組中的一種以上的化合物含氮芳香族環狀化合物、具有兩個以上羥基的化合物、具有兩個以上羧基的化合物、具有一個以上羥基以及一個以上羧基的化合物、具有酰胺基的化合物、具有酰亞胺基的化合物、內酰胺化合物、和具有縮水甘油基的化合物。16.根據權利要求14或15所述的導電性高分子溶液，其特征在于，所述^5咸性化合物為含氮芳香族環狀化合物。17.根據權利要求14~16中任一項所述的導電性高分子溶液，其特征在于，所述溶劑為水和在O.lMPa壓力下具有IOO'C以上沸點的有機溶劑的混合溶劑。18.—種導電性涂膜，其特征在于，通過涂布并干燥權利要求14~17中4壬一項所述的導電性高分子溶液而形成。19.一種電容器，其特征在于，具有由閥金屬構成的陽4及、通過氧體電解質層，其中，所述固體電解質層由權利要求18所述的導電性涂膜構成。20.—種電容器制造方法，其特征在于，包括以下步驟在通過氧化由閥金屬構成的陽極的表面而形成的介電層的表面涂布權利要求14-17中任一項所述的導電性高分子溶液，形成固體電解質層。全文摘要本發明的目的在于提供一種固體電解質層的導電性良好、ESR低、而且耐熱性及耐電壓高的電容器。本發明的電容器(10)包括由閥金屬構成的陽極(11)、通過氧化陽極(11)的表面而形成的介電層(12)、形成于介電層(12)表面上的固體電解質層(13)，其中，固體電解質層(13)含有π共軛導電性高分子、聚陰離子以及酰胺化合物。文檔編號H01B1/20GK101379138SQ20078000498公開日2009年3月4日申請日期2007年2月8日優先權日2006年2月9日發明者吉田一義,寧太陸,政廣泰,松林總,根岸滿明,阿部利香申請人:信越聚合物株式會社