專利名稱：固態圖像傳感裝置的半導體基板以及固態圖像傳感裝置和其制造方法
技術領域：
本發明涉及固態圖像傳感裝置的半導體基板以及固態圖像傳感裝置和其制造方法。
背景技術：
固態圖像傳感裝置是通過在由硅單晶制成的半導體基板上形成電路而制造的。在這種情況下，如果重金屬作為雜質被引入到半導體基板中，那么固態圖像傳感裝置的電性能將顯著變壞。
作為將雜質形式的重金屬引入到半導體基板的因素，首先提及的是在半導體基板的制造步驟時的金屬污染，其次是在固態圖像傳感裝置的制造步驟時的重金屬污染。
就前者情況而言，曾經認為當硅單晶的基板上生長外延層(epitaxial layer)時由外延生長爐的組成材料所形成的重金屬顆粒或者基于使用氯型氣體的作為管道材料的金屬的腐蝕所形成的重金屬顆粒造成了污染。近來，試圖通過用具有耐腐蝕性的材料替換外延生長爐的組成材料來改進在外延生長步驟中的金屬污染，但是在外延生長步驟難以完全避免金屬污染。
因此，迄今，通過在半導體基板的內部中形成吸氣層(gettering layer)或者通過使用具有高的重金屬吸氣能力的基板如高濃度硼基板或者類似物來避免在外延生長步驟的金屬污染。
另一方面，在固態圖像傳感裝置的制造步驟的后者情況中，曾經擔心在制造裝置的步驟中的離子注入步驟、擴散步驟和氧化熱處理步驟中的每一步驟時，重金屬污染半導體基板。
為避免在裝置中的活性層的附近的重金屬的污染，通常使用一種固有的吸氣(gettering)方法，其中在半導體基板中形成氧沉淀物，或者一種非固有的吸氣方法，其中吸氣位置如背部損傷(backside damage)或類似情況在半導體基板的背部中形成。
在上述常規的吸氣方法，即固有的吸氣方法中，然而，需要多階段熱處理步驟，以便在半導體基板中預先形成氧沉淀物，使得恐怕提高了制造成本。此外，需要在較高的溫度進行長時間的熱處理，使得恐怕對半導體基板造成新的金屬污染。
在非固有的吸氣方法中，由于在背部中形成了背部損傷或類似情況，在裝置制造步驟從背部形成顆粒，這使得產生了缺點，如形成有缺陷的裝置等等。
考慮到上述問題，專利文獻1提出了一種技術，其中預定劑量的離子如碳被注入硅基板的一個表面中，使得在這種表面上形成了硅的外延層，目的是減少作用于固態圖像傳感裝置的電特性的暗流(darkcurrent)所形成的白色缺陷(white defects)。根據這種技術，相比于使用常規的吸氣方法的外延基板來說，大大降低了固態圖像傳感裝置中的白色缺陷。
如專利文獻2的
段所指出的，在專利文獻1中所述的通過碳離子注入形成吸氣槽(gettering sink)中，當在裝置制造步驟的處理溫度變得過高時，在形成外延層以后，吸氣槽的吸氣效應相反地下降。也就是說，在通過碳離子注入形成的吸氣槽中，存在著吸氣效應的極限。在專利文獻2中所述的技術中，因此，設計以將上限設定為足以通過碳的引入而引起埋入式吸氣槽(buried gettering sink)層的效果的隨后處理溫度。
專利文獻1JP-A-H06-338507
專利文獻2JP-A-2002-353434
發明內容
本發明所要解決的問題
因為吸氣效應在由碳離子注入形成的吸氣槽中是重要的，例如，在形成外延層后在裝置處理溫度方面設定上限，這導致在裝置制造步驟中的限制。
此外，在外延層形成后，由碳離子注入形成的吸氣槽的吸氣效應往往被降低，這難以避免在裝置制造步驟中出現顆粒，使得重要的是使在裝置制造步驟時的吸氣效應令人滿意。
因此，本發明的目的是提供一種固態圖像傳感裝置的半導體基板，如與常規的吸氣方法相比較，特別是通過碳離子注入的吸氣方法，其是低制造成本的并且解決了問題如在裝置制造步驟時的顆粒的出現等等，以及一種有利的其制造方法。
進一步，本發明的另一目的是提供一種高性能固態圖像傳感裝置，其通過在上述半導體基板上形成電路而提供了極好的電特性，以及其有益的制造方法。
解決問題的方式
本發明人已經進行了各種有關避免重金屬對半導體基板的污染而不提高制造成本的手段的研究。作為對通過碳離子注入的吸氣方法的檢驗的結果，顯示出通過碳離子注入的吸氣作用主要取決于通過經高能量的離子注入造成的硅晶格的無序(應變)而沉淀出的氧化物，并且這種晶格無序集中在窄的離子注入區，以及圍繞氧化物的應變容易在例如裝置制造步驟的高溫熱處理中得到釋放，由此，在裝置的熱處理步驟中吸氣效應特別差。
現在，詳細地檢驗了參與吸氣槽形成的碳在硅基板中的作用，結果發現，碳以取代硅(silicon-substituing)的形式固溶于硅晶格中，而不是通過離子注入而強行引入碳，并且涉及錯位(dislocation)的碳-氧型沉淀物(碳氧化物復合材料)以高密度在例如裝置制造步驟中從被取代的碳(substituted carbon)中引出，并且這種碳-氧型沉淀物提供了高的吸氣效應。此外，已經發現，這種被取代的碳首先通過以固溶液狀態包括到硅單晶中而被引入，結果，完成了本發明。
即，本發明的內容如下。
(1)一種固態圖像傳感裝置的半導體基板，其特征為硅基板包含濃度為1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧。
(2)根據第(1)點的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中硅的外延層存在于硅基板上。
(3)根據第(2)點的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中氧化硅層存在于外延層上。
(4)根據第(3)點的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中氮化硅層存在于氧化物薄膜上。
(5)制造固態圖像傳感裝置的半導體基板的方法，其特征在于在制造單晶硅基板中，先前包括硅晶體，其中碳的固溶濃度為1×1016-1×1017原子/cm3，氧的固溶濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3。
(6)根據第(5)點的制造固態圖像傳感裝置的半導體基板的方法，其中通過使用CZ(Czochralski)方法(柴式法)或MCZ(施加磁場的Czochralski晶體生長)方法來制造單晶硅基板。
(7)一種固態圖像傳感裝置，其包括硅基板和在其上形成的埋入型光電二極管，其特征在于尺寸不小于10nm的碳氧化物型沉淀物以1×106-1×108沉淀物/cm2的密度存在于硅基板中。
此外，本文中所用的術語“尺寸”是指在硅基板的剖面(section)所觀察的TEM圖像中在其厚度方向上沉淀物的對角線長度，并且表示為視場(observed field)中的沉淀物的平均值。
(7)一種制造固態圖像傳感裝置的方法，其特征在于形成裝置所需的層在硅基板上形成，所述硅基板包含在硅單晶中的1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧，然后對所述層進行熱處理，而促進氧沉淀反應，由此在硅基板中形成通過碳-氧型沉淀物的吸氣槽。
(8)根據第(7)點的制造固態圖像傳感裝置的方法，其中所述熱處理是在所述裝置的制造過程中的熱處理。
(9)根據第(7)或(8)點的制造固態圖像傳感裝置的方法，其中在熱處理步驟時以1×106-1×108沉淀物/cm2的密度來沉淀尺寸不小于10nm的碳-氧型沉淀物。
本發明的效果
在用于本發明的固態圖像傳感裝置的半導體基板中，具有高吸氣能力的碳-氧型沉淀物能夠通過將固溶碳包括到CZ晶體或MCZ晶體中并且在將裝置安裝(mounting)于半導體基板上的制造步驟中利用熱處理步驟而形成。
因此，吸氣槽可以恰好在埋入的光電二極管之下以硅基板的完全厚度形成，使得特別抑制了在裝置制造步驟時的重金屬的擴散，從而避免了在裝置中的缺陷的出現，因此有可能以低成本提供具有良好電特性的高質量固態圖像傳感裝置。
圖1是舉例說明本發明的固態圖像傳感裝置的半導體基板以及進一步的固態圖像傳感裝置的制造程序的示意圖。
圖2是顯示在硅基板中固溶碳的濃度和碳-氧型沉淀物的數目之間的關系的曲線圖。
圖3是顯示在硅基板中固溶碳的濃度和碳-氧型沉淀物的尺寸之間的關系的曲線圖。
圖4是顯示在硅基板中固溶碳的濃度、固溶氧的濃度和碳-氧型沉淀物的尺寸之間的關系的曲線圖。
圖5是舉例說明固態圖像傳感裝置的制造程序的示意圖。
附圖標記的說明
1硅基板 2外延層 3半導體基板 4氧化硅層 5氮化硅層 6固態圖像傳感裝置 實施本發明的最佳方式
接下來，將參照附圖詳細描述根據本發明的半導體基板。
圖1舉例說明根據本發明的固態圖像傳感裝置的半導體基板的制造方法的示意圖。在所舉例說明的實施方案中，作為硅晶體的原材料的堆積的多晶硅(polysilicon)首先，例如，被放置在石英坩堝中，進一步將適當量的石墨粉末施加到多晶硅表面上，然后例如根據Czochralski方法(CZ方法)制備添加有碳的CZ晶體。
此外，CZ晶體是包括根據Czochralski方法制備的施加磁場的CZ晶體在內的晶體的稱呼術語(address term)。
此刻，在原材料的階段添加碳并且由添加碳的原材料制備硅單晶，由此獲得了含固溶狀態的碳的硅基板1(參見圖1(a))。這樣獲得的硅基板1重要的是包含濃度為1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧。
首先，包括固溶狀態的碳的理由應歸于如下的事實碳以硅取代的形式(in the form of substituting with silicon)被引入硅晶格中。也就是說，因為碳的原子半徑小于硅原子的原子半徑，當碳配位在取代位置中時，晶體的應力場是壓縮應力場并且填隙式的(interstitial)氧和雜質往往被容易地捕捉。因此，具有包括錯位的氧的沉淀物，例如在裝置制造步驟，以高密度，容易地由取代-位置的碳形成，由此高吸氣效應可以被給予硅基板1。
需要將所添加的固溶碳的濃度控制到1×1016-1×1017原子/cm3。當固溶碳的濃度小于1×1016原子/cm3時，促進碳-氧型沉淀物的形成是不積極的(not active)，使得不能獲得高密度的碳-氧型沉淀物的形成。
通過改變硅基板中的固溶碳的濃度對碳-氧型沉淀物的數目所測量的結果示于圖2中。此外，通過傅里葉變換紅外吸收分光光度法(FT-IR)進行固溶碳的濃度的測量。此外，碳-氧型沉淀物數目的測量是通過在硅基板的剖面在其厚度方向上觀察TEM圖像而進行的。如圖2所示，當固溶碳的濃度小于1×1016原子/cm3時，碳-氧型沉淀物的形成極度下降。
另一方面，當它超過1×1017原子/cm3時，促進了碳-氧型沉淀物的形成，從而獲得了高密度的碳-氧型沉淀物，但是抑制了沉淀物的尺寸，并由此圍繞沉淀物的應變強烈地傾向于被削弱。因此，應變的效果變差，捕捉雜質的效果降低。
通過改變硅基板中的固溶碳的濃度對碳-氧型沉淀物的尺寸所測量的結果示于圖3中。此外，通過在硅基板的剖面在其厚度方向上觀察TEM圖像以便確定沉淀物的對角線而測量了碳-氧型沉淀物的尺寸，并且由所測量的值的平均值表示。
如圖3所示，當固溶碳的濃度超過1×1017原子/cm3時，碳-氧型沉淀物的尺寸變得非常小。
進一步，需要將硅基板1中的固溶氧的濃度控制到1.4×1018-1.6×1018原子/cm3。當固溶氧的濃度小于1.4×1018原子/cm3時，碳-氧型沉淀物的形成未被促進，并且因此沒有獲得上述高密度的碳-氧型沉淀物。
另一方面，當它超過1.6×1018原子/cm3時，降低了氧沉淀物的尺寸，并且在沉淀物與基質(matrix)的硅原子的界面處的應變效果被減弱(mitigated)，因此恐怕降低了通過應變的吸氣效應。
因為碳-氧型沉淀物的密度牽扯到固態圖像傳感裝置中的白色缺陷的出現，因此對于與白色缺陷的數目成比例的光電二極管結(function)的漏電流檢驗了硅基板1中的固溶碳的濃度和固溶氧的濃度之間的關系。結果示于圖4中。
此外，光電二極管結的漏電流是如下產生的。首先，硅基板用SC-1清洗液(NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5)清洗，然后用SC-2清洗液(HCl∶H2O2∶H2O＝1∶1∶5)清洗。接下來，晶片在1100℃進行濕式氧化達110分鐘而在晶片的表面上形成600nm厚的場(field)氧化硅層。其后，通過光刻法對氧化硅層進行圖案化而形成擴散窗，并且使用三氯氧化磷(POCl3)通過固體層擴散在其上形成n+層。在這種情況下，磷擴散的條件是PSG(含磷硅酸鹽玻璃)薄膜通過在900℃蝕刻20分鐘而被除去并且在1000℃進行熱擴散60分鐘。n+層具有約2μm的擴散深度和1×1019/cm3的濃度。在形成接觸孔后，通過濺射(sputtering)以500nm的厚度在其上沉積含鋁的1.5質量％的硅。在圖案化電極后，在N2氣氛中在450℃進行退火處理，并且最后從背面除去氧化物薄膜。使用連接面積1.8mm2的圖案。
借助于HP4140(pA)儀通過向所述結施加電壓而測量在這樣獲得的硅基板的pn結處的漏電流。在這種情況下，其設計用于通過由HP4141B(電流電壓源)向保護環施加偏壓而抑制p-型表面逆轉(surfaceinversion)。作為陰極保護環，使用偏壓-20V。在硅基板(晶片)的20個位置處進行測量，其平均值是漏電流。
如圖4所示，當固溶碳的濃度為1×1016-1×1017原子/cm3時，pn結處的漏電流降低。進一步地，注意到固溶氧的濃度，當固溶氧的濃度小于1.4×1018原子/cm3并且變為1.3×1018原子/cm3時，證實了即使在任何固溶碳的濃度，在pn結處的漏電流很大程度上(largely)降低。以類似的方式，甚至在圖2和3中也看出了固溶氧的濃度的這種趨勢。
另一方面，當固溶氧的濃度超過1.6×1018原子/cm3，或者當其變為1.7×1018原子/cm3，超過1.6×1018原子/cm3，如圖3所示，碳-氧型沉淀物的尺寸降低。這種尺寸的降低導致了在基質的硅原子和沉淀物之間的界面處的應變效果的降低，使得恐怕降低了通過應變的吸氣效應。
接下來，對硅基板1——添加碳的CZ晶體——進行RCA清洗，使用例如SC1和SC2的結合，使得在基板的表面鏡像(surfacemirroring)后生長出外延層。其后，將基板置于外延生長爐中以便生長出具有預定厚度的外延層2(參見圖1(b))。
此外，各種CVD方法(化學氣相沉積方法)可被用于外延層2的生長。
此刻，外延層2的厚度優選為2-9μm，考慮到改進固態圖像傳感裝置的光譜響應特性的話。
在氧化硅層4和進一步的氮化硅層5在外延層2上形成后，如果必要的話，將具有上述外延層2的半導體基板3提供給以下的裝置制造步驟。在這個步驟，埋入型光電二極管在外延層2中形成從而獲得固態圖像傳感裝置6。
此外，氧化硅層4和氮化硅層5的厚度，優選地，在氧化硅層4中為50-100nm，在氮化硅層5(具體的說，固態圖像傳感裝置中的多晶硅柵極(gate)薄膜5)中為1.0-2.0μm，從設計電荷轉移晶體管的工作電壓中的限制出發。
提供給裝置制造步驟的半導體基板3中的硅基板1是包含固溶碳的CZ晶體，但是通過在外延生長中的熱處理使在晶體生長中形成的氧沉淀核(oxygen precipitating nucleus)或氧沉淀物收縮(shrunk)，使得所實現的氧沉淀物在半導體基板3階段不存在于硅基板1中。
因此，為確保吸氣槽吸氣重金屬，需要使基板在外延層生長后進行低溫熱處理，優選地，約600℃-700℃的低溫熱處理，使得從取代-位置的碳中分離出碳-氧型沉淀物7(參見圖1(c))。
在裝置制造步驟中或者在制造固態圖像傳感裝置的一般步驟中，其最初階段通常包括約600℃-700℃的熱處理步驟，使得有可能經裝置制造步驟通過使用含固溶碳的半導體基板3作為固態圖像傳感裝置的基板而使得碳-氧型沉淀物生長和形成。
在本發明中，“碳-氧型沉淀物”是指含碳的碳-氧復合材料(簇)的沉淀物。
通過使用含固溶碳的半導體基板3經裝置制造步驟的最初階段，在整個硅基板1上自然地分離出碳-氧型沉淀物，使得在裝置制造步驟具有相抗于金屬污染的高吸氣能力的吸氣槽可以恰好在外延層之下在硅基板1的全部厚度上形成。因此，在接近于外延層的區域中的吸氣可以被實現。
為了實現這種吸氣，碳-氧型沉淀物重要的是具有不小于10nm的尺寸并且以1×106-1×108沉淀物/cm2的密度存在于硅基板中。
當碳-氧型沉淀物的尺寸不小于10nm時，通過利用在基質的硅原子和氧沉淀物之間的界面處形成的應變效果，增加了捕捉(吸氣)晶格間的雜質(例如重金屬等等)的概率。
此外，尺寸不小于10nm的碳-氧型沉淀物的密度為1×106-1×108沉淀物/cm2，因為捕捉(吸氣)硅晶體中的重金屬取決于基質的硅原子和氧沉淀物之間的界面處形成的應變和界面狀態密度(體密度)。
此外，作為以上的裝置制造步驟，可以采取固態圖像傳感裝置的一般制造步驟。對于CCD裝置來說，這種步驟的實例示于圖2中，但是其不特別限于圖5。
在裝置制造步驟中，首先提供了半導體基板3，其中n-型外延層2在圖5(b)中所示的硅基板1上形成，如圖5(a)中所示，然后在外延層2的預定位置形成第一p-型井區域11，如圖5(b)中所示。其后，如圖5(c)所示，柵極絕緣薄膜12在表面上形成，而n-型和p-型雜質通過離子注入有選擇地注入第一p-型井區域11的內部而分別形成構成縱向轉移電阻器(vertical transfer resistor)的n-型轉移通道區域13、p-型通道中止區域14和第二p-型井區域15。
然后，如圖5(d)所示，轉移電極16在柵極絕緣薄膜12的表面上在預定位置形成。其后，如圖5(e)所示，n-型和p-型雜質有選擇地注入n-型轉移通道區域13和第二p-型井區域15之間，從而形成包括p-型正電荷存儲區域17和n-型雜質擴散區域18的層合物的光電二極管19。
進一步，如圖5(f)所示，在表面上形成中間層絕緣薄膜20，然后在除恰好在光電二極管19之上的部分以外的中間層絕緣薄膜20的表面上形成光屏薄膜21，由此可以制造固態圖像傳感裝置10。
在上述裝置制造步驟，通常，在例如形成柵極氧化物薄膜、分離元件和形成多晶硅柵極電極中，進行約600-1000℃的熱處理。在這種熱處理中，可以嘗試碳-氧型沉淀物7的上述沉淀，其可以在后面的步驟中作為吸氣槽。
實施例
作為硅晶體的原材料的堆積的多晶硅被放置在石英坩堝中，將適當量的石墨粉末施加到多晶硅表面上，然后根據Czochralski方法(CZ方法)制備添加有碳的CZ晶體。從CZ晶體作為晶片切掉的硅基板中的固溶碳和固溶氧的濃度示于表1中。然后，采用旋涂方法，使這樣獲得的硅基板進行表面污染(污染物Fe、Cu、Ni，污染濃度1×1013原子/cm2)，并且進一步使其在相當于固態圖像傳感裝置的制造中的熱處理的溫度條件下進行熱處理。
對于硅基板的吸氣能力，通過原子分光光度法測量硅基板表面上的金屬的污染濃度，根據以下公式確定吸氣效率。
計算 吸氣效率＝(熱處理后的表面污染濃度)/(初始表面污染濃度)×100(％)
表1中還顯示了作為吸氣效率的結果 不小于90％◎， 小于90％但不小于80％○， 小于80％但不小于50％△，和 小于50％×， 由此應當理解本發明的半導體基板在固態圖像傳感裝置的制造步驟對重金屬的污染具有充足的耐受性。
[表1]
然后，如圖1(b)所示，使硅基板1的表面進行鏡面拋光，用SC-1和SC-2的結合進行RCA-清洗，然后被放入外延生長爐中，從而通過CVD方法形成厚度4.5μm的外延層2。此外，通過使用SiHCl3(三氯硅烷)和SiH4(單硅烷)作為啟動氣體來進行CVD方法。
根據圖5中所示的程序，通過在如此形成的具有外延層2的半導體基板3上制備CMOS裝置而制造固態圖像傳感裝置。在形成柵極氧化物薄膜(在裝置制造步驟(圖5(c))時)的步驟中，研究經700℃的熱處理的硅基板1中的碳-氧型沉淀物的數目和尺寸。結果示于表2-6中。
對于這樣獲得的固態圖像傳感裝置，研究了PN結二極管的暗、反向、漏電流。在表2-6中還顯示了作為漏電流的結果 小于80任意單位(arb.Unit)◎， 不小于80任意單位但是小于130任意單位○， 不小于130任意單位但是小于160任意單位△，和 不小于160任意單位×， 由此應當理解的是使用根據本發明的半導體基板在固體像傳感器中抑制了漏電流。
[表2] 固溶氧的濃度1×1013(原子/cm3)
[表3] 固溶氧的濃度1×1014(原子/cm3)
[表4] 固溶氧的濃度1×1015(原子/cm3)
[表5] 固溶氧的濃度1×1016(原子/cm3)
[表6] 固溶氧的濃度1×1017(原子/cm3)
權利要求
1.一種固態圖像傳感裝置的半導體基板，其特征在于硅基板包含濃度為1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧。
2.根據權利要求1的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中硅的外延層位于硅基板上。
3.根據權利要求2的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中氧化物薄膜存在于外延層上。
4.根據權利要求3的固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中氮化硅薄膜存在于氧化硅薄膜上。
5.制造固態圖像傳感裝置的半導體基板的方法，其特征在于在制造單晶硅基板中，先前包括硅晶體，其中碳的固溶濃度為1×1016-1×1017原子/cm3，氧的固溶濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3。
6.根據權利要求5的制造固態圖像傳感裝置的半導體基板的方法，其中通過使用CZ(Czochralski)方法或MCZ(施加磁場的Czochralski晶體生長)方法來制造單晶硅基板。
7.一種固態圖像傳感裝置，其包括硅基板和在其上形成的埋入型光電二極管，其特征在于尺寸不小于10nm的碳氧化物型沉淀物以1×106-1×108沉淀物/cm2的密度存在于硅基板中。
8.一種制造固態圖像傳感裝置的方法，其特征在于形成裝置所需的層在硅基板上形成，所述硅基板包含在硅單晶中的1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧，然后對所述層進行熱處理，而促進氧沉淀反應，由此在硅基板中形成通過碳-氧型沉淀物的吸氣槽。
9.根據權利要求7的制造固態圖像傳感裝置的方法，其中所述熱處理是在所述裝置的制造過程中的熱處理。
10.根據權利要求7或8的制造固態圖像傳感裝置的方法，其中在熱處理步驟時以1×106-1×108沉淀物/cm2的密度來沉淀尺寸不小于10nm的碳-氧型沉淀物。
全文摘要
提供一種固態圖像傳感裝置的半導體基板，其中制造成本低于通過碳離子注入的吸氣方法的制造成本并解決了如在裝置制造步驟時出現顆粒等問題。硅基板包含濃度為1×1016-1×1017原子/cm3的固溶碳和濃度為1.4×1018-1.6×1018原子/cm3的固溶氧。
文檔編號H01L21/322GK101351890SQ20078000105
公開日2009年1月21日 申請日期2007年9月7日 優先權日2006年9月7日
發明者栗田一成 申請人:勝高股份有限公司