專利名稱：發光二極管金屬電極的制造裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種有關發光二極管(LED)的金屬電極的制作技術， 特別是關于一種無須采用光阻蝕刻或光阻浮離(photoresist lift-off)技術的發 光二極管金屬電極的制造裝置。
背景技術：
發光二極管為一種具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的 電流，即可發出光亮的光電組件。由于發光二極管的發光現象不是通過加熱 或放電發光，而是屬于冷性發光，所以組件壽命長、耗電量小、反應速度快、 體積小、適合量產，具有高可靠度，且容易配合應用上的需要制成極小或數 組式的組件，符合輕薄短小、功能強、可靠性高的產品趨勢，使得發光二極 管的適用范圍頗廣。
一般發光二極管的制造方法，是先制作出iii-v化合物芯片之后，再于
m-v化合物芯片上制作金屬電極，然后進行切割以形成發光二極管晶粒，最 后進行封裝作業，即可完成發光二極管的制作。現有技術在發光二極管金屬 電極的制作方法，大致分為兩種，第一種方法是先在m-v化合物芯片表面鍍 上一層金屬膜，然后利用微影蝕刻技術形成一圖案化光阻層，并以該圖案化
光阻層為罩幕，蝕刻該金屬膜，進而完成金屬電極的制作；另一種方法則是
在iii-v化合物芯片上先涂布一層光阻并進行微影成像后，鍍上一層金屬膜， 再進行光阻浮離制程，使金屬成像完成金屬電極的制作。
不管是以上述何種方法制作金屬電極，現有技術都需要利用微影蝕刻制 程才能完成電極點的制作，但是就微影蝕刻技術而言，其制程相當煩瑣且復 雜，在制作上并具有較高的難度。
實用新型內容
本實用新型需要解決的問題是提供一種發光二極管金屬電極的制造裝 置，以解決現有技術中需要利用微影蝕刻制程才能完成電極點的制作，但是 就微影蝕刻技術而言，其制程相當煩瑣且復雜，在制作上并具有較高的難度。
本實用新型的主要目的是提供一種發光二極管金屬電極的制造裝置，在 不使用光阻蝕刻或光阻浮離微影制程的情形下，利用該制造裝置制作出發光 二極管的金屬電極。
本實用新型的另一目的是在提供一種發光二極管金屬電極的制造裝置， 具有制程簡單、快速，并可大幅降低金屬電極制造成本的優點。
為達到上述目的，本實用新型提供一種發光二極管金屬電極制造裝置， 是裝設在一反應室中的蒸鍍盤上，此制造裝置包括一用以承載芯片的載具，
并在載具底部設置一磁性組件；另有一磁性光罩設置在芯片上，使磁性組件 吸附該磁性光革，并同時將該芯片固定在載具上，以作為后續金屬蒸鍍制程 之用。
與現有技術相比，本實用新型具有以下優點
本實用新型無須使用已知微影蝕刻或光阻浮離微影制程，即可制作出發 光二極管的金屬電極，因此具有制程簡單、快速及制造成本低等優點。
本實用新型是在不使用光阻蝕刻或光阻浮離微影制程的情形下，利用該 制造裝置制作出發光二極管的金屬電極，以解決現有技術中利用微影蝕刻制 程所存在的缺點。
附困說明
圖1是利用本實用新型制作發光二極管金屬電極的流程示意圖； 圖2是本實用新型于制作發光二極管金屬電極所使用的制造裝置的構造 示意圖3是圖2的局部構造的放大示意圖。
圖號說明 10制造裝置 12蒸鍍盤14載具
18 芯片
22磁性光罩
26蒸發金屬源
16容置槽 20》茲性組件 24接觸窗
28金屬電極
具體實施方式
本實用新型提出 一種發光二極管金屬電極的制造裝置，是在不使用光阻 蝕刻或光阻浮離微影制程的情形下，利用特殊設計的栽具，配合磁性組件及 磁性光軍貼設于芯片表面，以直接進行金屬慰莫，進而完成金屬電極的制作。
圖1為利用本實用新型制作發光二極管金屬電極的流程示意圖，首先如 步驟S10所示，提供蟲芯片，并在進行鍍膜前，利用清洗劑進行芯片的清洗， 以清除芯片表面的氧化物、污染物以及金屬離子；且該清洗劑是由辟L酸、雙 氧水、氨水、磷酸及鹽酸等無機藥水的至少其中之一與水進行配比混合所組成。
在說明步驟S12之前，先說明本實用新型所使用的制造裝置，同時參考 圖2所示，此制造裝置10是裝設在一反應室中的蒸鍍盤12上，且該蒸鍍盤 12上是同時設置有多個制造裝置10 (圖中未示)，每一制造裝置10包括一載 具14，由鋁合金材質所構成，在栽具14上設有一容置槽16,提供承栽一芯 片18之用；并在該容置槽16下方且位于該載具14底部是設有一磁性組件20, 其材質通常為鋁鐵硼磁鐵、釤鈷磁鐵或氧化磁鐵等具磁性物質。
另有一磁性光罩22,為 一具有磁性的不銹鋼軟性薄膜，且厚度是介于10 ~ 300微米之間，較佳為50微米，在磁性光罩22上則設有多個接觸窗24,以 作為形成金屬電極之用，此磁性光革22是貼設在該芯片18上，以利用載具 14底部的磁性組件20吸附住磁性光罩22,進而將芯片18穩定固定在載具14 的容置槽16內而不會輕易脫落。此外，在反應室中是設有一蒸發金屬源26， 是以近乎于垂直角度(90。)入射至該芯片18上。
然后，如步驟S12所示，將芯片18置于上述的載具14中，且于芯片18 上設置一磁性光罩22，使栽具14底部的磁性組件20吸附住該磁性光革22，進而將芯片18確實固定在栽具14上，使芯片18能夠固定在蒸鍍盤12上。 接著以該磁性光革22為革幕，如步驟S14所示，進行金屬蒸鍍，利用熱蒸鍍 或電子槍蒸鍍方式等濺鍍方式，使未被金屬磁性光罩22覆蓋的芯片18表面， 即接觸窗24所在的位置直接形成有金屬電極28，同時參考圖3所示；其中， 在此金屬蒸鍍步驟所使用的金屬是選自金、金鈹、金鍺、金鋅、鎳、鋅、銀、 鈦、鋁、銦及柏所組成的群組。
完成金屬電極28的步驟后，即可如步驟S16所示將該i茲性光罩22移除， 并將芯片18移離該載具14;然后進行熱處理，是將芯片18置于300 1000。C 的爐管中靜置5~50分鐘，使芯片18表面和金屬電極形成奧姆接觸，如此， 即可在芯片制作出完整的金屬電極。
由于本實用新型所使用的蒸發金屬源是以近乎于垂直角度而入射至芯片
上，因此可在芯片形成相當均勻且平整的金屬電極。而使蒸發金屬源以近乎 于垂直角度入射至芯片的方式除了將反應室加長加寬之外，也可將蒸鍍盤的 彎曲弧度變小(近乎直線)，以便使蒸發金屬源能夠以近乎于垂直的角度入射 至芯片上。
因此，本實用新型是在不使用光阻蝕刻或光阻浮離微影制程的情形下， 利用該制造裝置制作出發光二極管的金屬電極，因此具有制程簡單、快速， 并可大幅降低金屬電極制造成本的優點，以解決現有技術中利用微影蝕刻制 程所存在的缺點。
以上公開的僅為實用新型的幾個具體實施例，但是，本實用新型并非局 限于此，任何本領域的技術人員能思之的變化都應落入本實用新的保護范圍。
權利要求1、一種發光二極管金屬電極的制造裝置，其特征在于，裝設在一反應室中的蒸鍍盤上，所述制造裝置包括一載具，上方可供承載一芯片；一磁性組件，位于所述載具底部；以及一磁性光罩，設置在所述芯片上，以利用所述載具底部的磁性組件吸附所述磁性光罩，并同時將所述芯片固定在載具上。
2、 如權利要求l所述發光二極管金屬電極的制造裝置，其特征在于，所 述磁性光罩為一具有磁性的不銹鋼軟性薄膜。
3、 如權利要求l所述發光二極管金屬電極的制造裝置，其特征在于，所 述磁性光罩的厚度介于10 ~ 300微米之間。
專利摘要本實用新型公開了一種發光二極管金屬電極的制造裝置，是裝設在一反應室中的蒸鍍盤上，包括一載具可承載芯片，并在載具底部設置一磁性組件；在芯片上方設置一磁性光罩，使磁性組件吸附磁性光罩，并同時將芯片固定在載具上，以進行金屬蒸鍍，進而在芯片完成金屬電極的制作。本實用新型無須使用現有微影蝕刻或光阻浮離微影制程，即可制作出發光二極管的金屬電極，因此具有制程簡單、快速及制造成本低等優點。
文檔編號H01L33/00GK201060877SQ200720142918
公開日2008年5月14日 申請日期2007年4月18日 優先權日2007年4月18日
發明者余佳駿, 曾淑靖, 李欣儀, 江守權, 盛約瑟 申請人:曜富科技股份有限公司