專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種陣列基板，特別是涉及一種可修復(fù)線缺陷的液 晶顯示用的薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶體管(TFT)控 制液晶分子的取向從而控制透光的強弱來顯示圖像的。 一塊完整的TFT LCD面板通常包括背光模組、偏光片、TFT陣列基板、CF(彩膜)基板、夾 在上下基板之間的液晶分子層以及驅(qū)動電路。TFT陣列基板上的顯示區(qū)域 包含多個子像素區(qū)域，每個子像素區(qū)域一般為兩條柵極掃描線與兩條數(shù)據(jù) 線交叉所形成的矩形或者其它形狀區(qū)域，其內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管以及像素 電極，薄膜晶體管充當開關(guān)元件。
通常，薄膜晶體管陣列基板上依次形成有柵極及與該柵極電氣連接 的柵級掃描線、覆蓋柵電極以及柵極掃描線的柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源 /漏極及與源極電氣連接的數(shù)據(jù)線、鈍化層、像素電極、取向膜。
柵極掃描線與數(shù)據(jù)線主要用來提供影像信號以驅(qū)動像素電極，但是 由于制作時候成膜、微影、刻蝕等制造工藝的影響，柵極掃描線與數(shù)據(jù)線 容易發(fā)生斷路，導(dǎo)致線缺陷，因此，在陣列基板的制造過程中，不能完全 避免柵極線或者數(shù)據(jù)線的斷線引起的顯示不良。為避免LCD面板生產(chǎn)由于
線缺陷而導(dǎo)致的良率下降，需要對線缺陷進行修復(fù)，針對柵極掃描線或者 數(shù)據(jù)線的斷線不良，通常的處理方法是在緊接著的檢査工序中檢出斷線不
良的位置，用激光成膜(Laser CVD)的方法加以#^復(fù)。這種方法存在一些 問題1，發(fā)生斷線不良的位置未被檢出，即漏檢；2,斷線發(fā)生在檢查以 后的工序中，這種斷線無法通過上述方法進行修復(fù)。美國專利 US7019805B2中公開了 一種對數(shù)據(jù)線斷路進行修復(fù)的液晶顯示基板的結(jié) 構(gòu)及其修復(fù)方法，該專利利用柵極層遮光線修復(fù)數(shù)據(jù)線的方法，即在液晶 顯示屏顯示檢查發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線斷線以后，使用激光溶接(Laser Welding)將 斷線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線和遮光線導(dǎo)通，使信號可以繞過斷線位置，從柵極層遮 光線傳到斷線另一側(cè)的數(shù)據(jù)線上。但是，該結(jié)構(gòu)只能修復(fù)發(fā)生在數(shù)據(jù)線上 的斷路，對于發(fā)生在柵極線上的斷線則無法修復(fù)。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種可修復(fù)數(shù)據(jù)線或柵極掃描 線斷路的薄膜晶體管陣列基板。
為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括
多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，柵極 掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域;設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像 素電極；其中所述柵極掃描線上或數(shù)據(jù)線下形成有金屬圖案，所述金屬圖 案與數(shù)據(jù)線金屬層圖案、柵極掃描線金屬層圖案相互隔開。
所述的柵極掃描線及其上面的金屬圖案上形成有接觸孔,柵極掃描線 上還形成有像素電極層金屬圖案。
基于上述構(gòu)思，本實用新型的薄膜晶體管陣列基板，由于在柵極掃描 線上或數(shù)據(jù)線下形成有金屬圖案，克服了現(xiàn)有技術(shù)中只能修復(fù)像素區(qū)間數(shù) 據(jù)線斷路的缺點，不僅可以修復(fù)像素區(qū)間的數(shù)據(jù)線的斷路情況，還可以對
柵極掃描線的斷路進行修復(fù)；可通過在數(shù)據(jù)線下直接保留部分第一金屬層 或在柵極掃描線上保留部分第二金屬層實現(xiàn)具有修復(fù)功能的薄膜晶體管 陣列基板，不增加現(xiàn)有工序，不影響開口率，只要在斷線處的兩側(cè)進行激 光照射焊接即可達到修復(fù)的目的，修復(fù)方便簡單。當所述的柵極掃描線及 其上面的金屬圖案上形成接觸孔,柵極掃描線上形成有像素電極層金屬圖 案時，像素電極層金屬圖案將柵極掃描線及其上面的金屬圖案通過接觸孔
連接，可以減少柵極掃描線上信號傳輸?shù)难舆t(RC Delay )。
為了更進一步了解本實用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本 實用新型的詳細說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，不構(gòu)成對 本實用新型的限制。
圖i是本實用新型實施例一的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實用新型實施例一的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本實用新型實施例二的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是釆用本實用新型實施例一結(jié)構(gòu)對柵極掃描線斷路進行修復(fù)的 示意圖。
附圖標號說明
10:柵極掃描線 11:金屬圖案12、接觸孔
13:像素電極層圖案 14、 15:熔接點
20:數(shù)據(jù)線 21:金屬圖案
30:像素電極
40:薄膜晶體管 41:柵極 42:源極 43:漏極
431:接觸孔具體實施方式
以下結(jié)合附圖及典型實施例對本實用新型作進一步說明。 實施例一
圖1、圖2是本實用新型實施例一的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
參照圖1，薄膜晶體管陣列基板包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描 線10;多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線20,柵極掃描線10和數(shù)據(jù)線20交 叉形成像素區(qū)域；像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置薄膜晶體管40和像素電極30,柵極掃 描線IO上形成有金屬圖案11,薄膜晶體管40由柵極41、源極42和漏極 43構(gòu)成，柵極41與柵極掃描線10電連接，漏極43與數(shù)據(jù)線20電連接， 源極42通過接觸孔41和像素電極30連接，柵極41、柵極掃描線10形 成在第一金屬層(Ml)上，源極42、漏極43、數(shù)據(jù)線20形成在第二金屬 層(M2)上，Ml、 M2可為導(dǎo)電性能良好的Al、 Ta或Cr金屬層，兩層之間 有SiNx絕緣層隔開，源極42和漏極43對稱重疊沉積在柵極41兩側(cè)，非 晶Si層位于柵極41和源、漏極42、 43之間；ITO (氧化銦錫)像素電極 層沉積在最上層，與源/漏極金屬層之間通過SiNx保護層絕緣。像素電極 30通過接觸孔431與漏極43電氣連接。
金屬圖案11形成在與數(shù)據(jù)線20同一金屬層(第二金屬層)上，金屬 圖案11的材料與數(shù)據(jù)線20的材料相同，且金屬圖案11與M2層形成的其 它金屬層圖案相互隔開、即與數(shù)據(jù)線20、源極42、漏極43相互隔開不至 于造成短路。在形成源/漏極42、 43金屬圖案的同時，保留柵極掃描線10上部分源/漏金屬層金屬圖案11，例如該部分金屬圖案ll為長方形，
所述金屬圖案11跟源極42、漏極43以及數(shù)據(jù)線20相互分離，并且所述 金屬圖案11跟其它源/漏金屬層金屬圖案的距離足夠大(比如10um以上) 而不至于跟其它源/漏金屬層金屬圖案發(fā)生短路，即可實現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的薄 膜晶體管陣列基板。
參照圖2，所述柵極掃描線IO及其上面的金屬圖案11上形成有接觸 孔13，柵極掃描線IO上還形成有像素電極層圖案13。圖案13將柵極掃 描線IO及其上面的金屬圖案11通過接觸孔12連接，可以減少柵極掃描 線10上信號傳輸?shù)难舆t。
圖4是采用本實用新型實施例一結(jié)構(gòu)對柵極掃描線斷路進行修復(fù)的 示意圖。
參照圖4，當柵極掃描線10在A-B處發(fā)生短路時，可以從陣列基板 的背面(液晶盒的外面)在熔接點C、 P兩個位置進行激光溶接，通過金 屬圖案11將斷線兩側(cè)的柵極掃描線10金屬導(dǎo)通，從而可以對柵極掃描線 斷線進行修復(fù)。
實施例二
圖3是本實用新型實施例二的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 參照圖3，與實施例一提供的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)不同的是， 本實施例中的數(shù)據(jù)線20下形成有金屬圖案21，金屬圖案21形成在與柵極 掃描線IO相同的層上,金屬圖案21的材料與柵極掃描線10的材料相同。 在制造陣列基板的流程中，在圖案化第一金屬層時，保留數(shù)據(jù)線"對應(yīng) 位置的金屬圖案21，且該金屬圖案21與同層的其它金屬圖案如柵極41、
柵極掃描線10相互隔開。
當數(shù)據(jù)線20上發(fā)生斷路時，可以從陣列基板的背面(液晶盒的外面) 在斷線的兩側(cè)進行激光溶接，通過金屬圖案21將斷線兩側(cè)的柵極掃描線
io金屬導(dǎo)通，從而可以對數(shù)據(jù)線斷線進行修復(fù)。
綜上所述，由于本實用新型的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)線20下和柵 極掃描線IO上形成有金屬圖案21或11，可以克服傳統(tǒng)技術(shù)中的缺點， 既可修復(fù)像素區(qū)間的數(shù)據(jù)線20的斷路情況，也可修復(fù)柵極掃描線10的斷 路情況，在不增加現(xiàn)有制造工序的情況下就可實現(xiàn)該結(jié)構(gòu)，而且修復(fù)方便 簡單。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；其特征在于所述柵極掃描線上或數(shù)據(jù)線下形成有金屬圖案，所述金屬圖案與數(shù)據(jù)線金屬層圖案、柵極掃描線金屬層圖案相互隔開。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述的柵極掃描線及 其上面的金屬圖案上形成有接觸孔，柵極掃描線上還形成有像素電極層圖 案。 '
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于所述的柵極掃描 線上的金屬圖案形成在與數(shù)據(jù)線相同的層上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于所述的金屬圖案的材 料與數(shù)據(jù)線的材料相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述的數(shù)據(jù)線下的金 屬圖案形成在與柵極掃描線相同的層上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于所述的金屬圖案的材 料與柵極掃描線的材料相同。
專利摘要本實用新型公開了一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條沿第一方向延伸的柵極掃描線；多條沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)線，柵極掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域；設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素電極；其中所述柵極掃描線上或數(shù)據(jù)線下形成有金屬圖案，所述金屬圖案與數(shù)據(jù)線金屬層圖案、柵極掃描線金屬層圖案相互隔開；該薄膜晶體管陣列基板可以修復(fù)像素區(qū)間的數(shù)據(jù)線或柵極掃描線的斷路情況，且修復(fù)簡單方便。
文檔編號H01L27/12GK201069774SQ20072007335
公開日2008年6月4日 申請日期2007年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月7日
發(fā)明者田廣彥 申請人:上海廣電光電子有限公司