專利名稱：圖像傳感器及其制備方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件，以及尤其涉及一種圖像傳感器及其制備方法。
背景技術：
圖像傳感器，其為將光學圖像轉換為電信號的半導體器件，廣泛分為電 荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補型金屬氧化物硅(CMOS)圖像傳感 器(CIS)。在單位像素中形成光電二極管和MOS晶體管，CMOS圖像傳感器通過以切換方式相繼探測在每個單位像素中的電信號。CMOS圖像傳感器可劃分為接收光信號并將其轉換為電信號的光電二極 管區域和處理電信號的晶體管區域。CMOS圖像傳感器為光電二極管和晶體管水平設置在半導體襯底上的結構。利用平面的CMOS圖像傳感器，光電二極管和晶體管鄰近形成以在水平 方向上在襯底上彼此鄰近。因此，需要額外的區域，以形成光電二極管。因 而，存在降低填充因子和限定分辨率可能性的問題。同樣，利用平面CMOS圖像傳感器，存在實現工藝優化用于同時制造光 電二極管和晶體管的難題。換句話說，在快速晶體管工藝中，對于低表面電 阻需要淺結，但是該淺結可能對于光電二極管是不適當的。同樣，利用平面圖像傳感器，可將額外的片上功能添加到圖像傳感器。 然后，應該增加或降低單位像素的尺寸，以保持圖像傳感器的靈敏性。然而，其具有當單位像素的光電二極管增加時，圖像傳感器的分辨率降5低的問題。同樣，當光電二極管的面積減小時，圖像傳感器的靈敏性也降低。 發明內容本發明的一個目的是提供一種能夠提供晶體管電路和光電二極管的新集 成的圖像傳感器及其制造方法。本發明的另一個目的是提供一種能夠同時提高分辨率和靈敏度的圖像傳 感器及其制造方法。本發明的另一個目的是提供一種提高后續工藝步驟同時采用垂直光電二 極管的圖像傳感器及其制造方法。為了實現上述目的，本發明提供了一種圖像傳感器，包括具有像素區 和外圍電路區的半導體襯底；具有形成在半導體襯底上的金屬引線和焊盤的 層間介電層；選擇性地形成在金屬引線上的下電極；形成在像素區的層間介 電層上的光電二極管；以及形成在光電二極管上的上電極。同時，為了實現上述目的，本發明提供了一種根據本發明的圖像傳感器 的制造方法，包括步驟在半導體襯底上形成像素區和外圍電路區；在半導 體襯底上形成具有金屬引線和焊盤的層間介電層；在金屬引線上選擇性地形 成下電極；在像素區的層間介電層上形成光電二極管；以及在光電二極管上 形成上電極。
附圖，其包括用于提供對本發明的進一步解釋并結合入本申請且作為本 申請的一部分，示出了本發明的實施方式并與說明書一起用于解釋本發明的 原理。在附圖中圖1至圖12是根據本發明的第一實施方式的圖像傳感器的工藝橫截面視圖；圖13至圖21是根據本發明的第二實施方式的圖像傳感器的工藝橫截面 視圖。
具體實施方式
在以下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明的實施方式的圖像傳感器及其制造方法。在實施方式的描述中，當任何元件描述為在每一層"之上或上方"時， 其包括元件直接或間接形成于具有插入其它層的每一層之上或上方的所有情 形。在附圖中，每層的厚度和尺寸都是夸大或忽略了，并為了簡便示意性示 出且便于解釋。同樣，附圖沒有按比例繪制且擴大了特定部件以更好地示出 及解釋本發明。[第一實施方式]圖12是示出根據本發明的第一實施方式的圖像傳感器的橫截面視圖。根據本發明實施方式的圖像傳感器包含具有像素區A和外圍電路區B的 半導體襯底10;具有金屬引線30和31以及形成與半導體襯底10上的焊盤 32的層間介電層20;選擇性形成于金屬引線30和31上的下電極40;形成 于像素區A的層間介電層20上的光電二極管71;形成于光電二極管71上的 上電極81;以及形成于上電極81上的鈍化層91。光電二極管71由本征層51和導電層61形成。上電極81可僅形成于光 電二極管71的上表面上。鈍化層91可配置有分別暴露上電極81和外圍區域 B上的下電極40的第一開口孔92和第二開口孔93。連接到上電極81的上引線110可形成于具有第一開口孔92和第二開口 孔93的鈍化層91上。濾色片120和保護層130可形成于上電極81上。例如， 鈍化層91可由氧化膜和氮化膜的任意一種形成。例如，連接到上電極81的 上引線110可由諸如鋁的金屬材料形成。在以下文中，將參照圖1至圖12描述根據實施方式制造圖像傳感器的方法。參照圖1，具有金屬引線30和31的層間介電層20形成于其上形成CMOS 電路(未示出)的半導體襯底10上。盡管沒有示出，但是半導體襯底10與限定有源區域和場區的器件絕緣層 一起形成，并且像素區A和外圍電路區B可形成于有源區域上。單位像素形成于像素區A上并且外圍電路單元形成于外圍電路區B上以 通過相繼檢測每個單位像素的電信號而實現圖像。CMOS電路，其由連接如以下所述的光電二極管的用于將所接收光線的光電荷轉換成電信號的傳送晶體管(未示出)、重置晶體管(未示出)、驅 動晶體管(未示出)、選擇晶體管(未示出)等構成，可在形成于顯示區域 A上的單位像素中形成。
層間介電層20和用于與電源線或信號線連接的金屬引線30及31形成于 其上形成CMOS電路的半導體襯底10的上部分上。層間介電層20可由多層 形成。穿過層間介電層20的金屬引線30和31可以復數形成。例如，層間介 電層20可由氧化膜形成。同樣，金屬引線30和31可由多種導電材料形成， 包括金屬、合金或硅化物，目卩，鋁、銅、鈷或鎢等。金屬引線30和31在每 個單元排列形成以將CMOS電路連接到光電二極管70。另外，當形成金屬 引線30和31時，連接到外圍電路區B的焊盤32可形成。在層間介電層20 上形成連接到半導體襯底10的CMOS電路的金屬引線30和31以及焊盤32 之后，金屬引線30可在光電二極管70的每個單位像素構圖。因此，光電二 極管70形成于具有金屬引線30和31的層間介電層20上，從而光電二極管 70電連接到金屬引線30和31。
參照圖2和圖3，在形成光電二極管70之前，下電極40可形成于金屬 引線30和31上。例如，下電極40可由金屬形成，諸如Cr、 Ti、 TiW和Ta。 當然，下電極40不能形成。在層間介電層20上形成鉻(Cr)層之后，下電 極40可通過光刻工藝僅形成于金屬引線30和31的上部分上。光電二極管 70形成于具有金屬引線30和31以及焊盤32的層間介電層20上。光電二極 管70形成于層間介電層70的上部分上，以接收從外部入射的光線并將其轉 化成電形式且以電形式存儲。在本發明的實施方式中，作為光電二極管，使 用IP二極管。在金屬、本征非晶硅和p型非晶硅結合的結構中形成二極管。 根據將從外部入射的光線轉化成電形式的效率和總電荷容量確定光電二極管 的性能。現有的光電二極管產生電荷并在P-N、 N-P、 N-P-N、 P-N-P等異質
結中所產生的耗盡區中存儲電荷。然而，IP二極管為具有為純半導體的本征 非晶硅的結構的光電二極管，在p型硅和金屬之間的結合。當在p型非晶硅 和金屬之間形成的所有本征非晶硅為耗盡區時，IP 二極管具有產生并存儲電 荷的優點。在實施方式中，IP二極管用作光電二極管并且二極管的結構可以 P-I-N、 N-I-P、 I-P等的結構形成。特別地，在本發明的實施方式中，例如， 使用具有[-P結構的P-I-N 二極管并且本征非晶硅稱為本征層以及p型非晶硅稱為導電層。
將參照圖4描述使用IP 二極管形成光電二極管70的方法。 本征層50形成于介電層20上。本征層50可起在實施方式中采用的I-P 二極管的I層的作用。本征層50可使用本征非晶硅形成。本征層50可以化 學氣相沉積CVD的形式，特別是以等離子體增強CVD (PECVD)等的方式 形成。例如，本征層50可通過PECVD使用硅烷氣體(SiH4)等由非晶硅形 成。這里，可形成厚度是導電層60厚度的約10到1000倍的本征層50。這 是因為本征層50的厚度變厚，所以P-I-N二極管的耗盡區增加，使其能存儲 并產生大量光電荷。在形成本祉層50之前，n-型導電層可形成，然而，在本 實施方式中省略了其描述。導電層60形成于其上形成本征層50的半導體襯 底10上。導電層60起在本實施方式中采用的I-P二極管的P層的作用。換 句話說，導電層60可以為P-型導電層，但是不限于此。例如，導電層60可 使用P摻雜的非晶硅形成，但是不限于此。導電層60可通過CVD尤其是 PECVD的方式由P摻雜的非晶硅形成，例如，通過將硅垸氣體(SiH4)與諸 如BH3或B2H6的氣體混合等。由本征層50和導電層60形成的光電二極管 70與在像素區A中的CMOS電路垂直集成，從而光電二極管70的填充因子 可以接近100%。
上電極80形成于其上形成光電二極管70的半導體襯底10的上部分上。 上電極80可由具有良好透光性和高導電透明電極形成。例如，上電極80可 由銦錫氧化物(ITO)、鎘錫氧化物(CTO)和Zn02的任意之一形成。
參照圖5，對形成于層間介電層20上的光電二極管70和上電極80進行 構圖，從而由本征層51和導電層61形成的光電二極管71和上電極81僅形 成在像素區A上。
通過光刻工藝，光電二極管71和上電極81僅形成在像素區A上。然后， 去除在外圍電路區B上的本征層50、導電層60和上電極80，從而暴露層間 介電層20和金屬引線30、 31或下電極40。
參照圖6，鈍化層90形成于具有上電極81的層間介電層20上。例如， 鈍化層90可由氧化膜(Si02)或氮化膜(SiN)形成。
特別地，在鈍化層90形成中，作為鈍化層90的氧化膜和氮化膜可形成 以通過PECVD工藝的方式層疊形成。同樣，在形成鈍化層90之后，可在
9H2氣氛下在200到40(TC的溫度下執行熱處理。在H2下執行熱處理的原因在 于H2離子擴散到半導體襯底10的CMOS電路區域中以改進圖像傳感器的屬 性。同樣，由于鈍化層90形成為圍繞光電二極管71的側部區域，所以其阻 擋入射到光電二極管71的側部部分的光線，從而可阻擋串擾和噪音產生。
參照圖7，選擇性蝕刻鈍化層90，從而暴露像素區A的上電極81和外 圍電路區B的下電極40。
上電極81和下電極40的暴露工藝同時執行，以通過光刻工藝選擇性蝕 刻鈍化層90形成暴露上電極81的表面的第一開口孔92和暴露下電極40的 表面的第二開口孔93。特別地，第一開口孔92形成在像素區A上形成的上 電極81的上表面的邊緣區域處。
參照圖8，上引線層100形成于其上形成第一和第二開口孔92和93的 鈍化層91上。上引線層100通過第一和第二開口孔92和93電連接到像素區 A的上電極81和外圍電路區B的下電極40。例如，上引線層100可由鋁形 成。
參照圖9，連接到上電極81的上引線110形成于鈍化層91的第一和第 二開口孔92和93上。例如，形成上引線110以形成覆蓋對于第一和第二開 口孔92和93的區域的光刻膠圖案(未示出)。并且，當使用光刻膠圖案作 為蝕刻掩模對下部的上引線層100進行蝕刻時，形成上引線110，其電連接 到像素區A的上電極81和與外圍電路區B的金屬引線連接的下電極40。
上引線110從與第一開口孔92 —塊形成的鈍化層91到與第二開口孔93 一塊形成的鈍化層91延伸形成。因此，上引線110分別電連接到像素區A 的上電極81和外圍電路區B的下電極40。同樣，上引線110形成以選擇性 暴露在像素區A上的部分鈍化層91以及選擇性暴露在外圍電路區B的部分 鈍化層91。因此，在其沒有形成上引線110的鈍化層91上執行以下描述的 濾色片形成工藝和焊盤開口工藝。同樣，由于上引線110從與第一開口孔92 一塊形成的鈍化層91到從與第二開口孔93 —塊形成的鈍化層91延伸形成， 所以其形成以覆蓋光電二極管71的側部區域。因此，入射到光電二極管71 側部的光線以上引線110的方式受到阻擋，從而阻擋了圖像傳感器中串擾和 噪音的產生。
參照圖10，暴露在外圍電路區B上形成的焊盤32。當在用于打開焊盤32的工藝中，在具有對應焊盤32的區域中的開口部 分的光刻膠圖案(未示出)形成于鈍化層91并且隨后使用光刻膠圖案作為蝕 刻掩模蝕刻鈍化層91和層間介電層20，從而形成焊盤開口孔25，以暴露焊 盤32。參照圖ll，濾色片120形成于在像素區A上暴露的鈍化層91上。濾色 片120可通過依靠圖案掩模曝光并顯影濾色片層形成。例如，濾色片120由 三個濾色片形成，以實現彩色圖像。由于構成濾色片120的材料，使用染色 的光刻膠并且每個單位像素形成---個濾色片120以從入射光線分離顏色。每 個濾色片120代表不同的顏色并且濾色片由三種顏色諸如紅、綠和藍或紅紫 色、青色和黃色形成，從而鄰近的濾色片由彼此輕微重疊以具有臺階。參照圖12，保護層130形成以補充濾色片120的臺階并保護濾色片120 的表面。例如，保護層130可由低溫氧化膜(LTO)或光刻膠膜形成。或者， 保護膜130不能形成。在以下文中，可額外地執行微透鏡工藝。在本發明的第一實施方式中，在IP結構中的光電二極管形成于半導體襯 底上以提供晶體管電路和光電二極管的垂直集成，從而填充因子可接近 100%。同樣，鈍化層形成于光電二極管的上部分上，以保護光電二極管的表 面。另外，在形成鈍化層之后，H2離子通過在H2氣氛下熱處理而擴散到CMOS 電路區域中，使其能改進圖像傳感器的光學屬性。同樣，上引線形成于光電 二極管的上電極上和外圍電路區上的下電極上，使得可從外部施加電信號。 同樣，上引線形成為圍繞光電二極管的側部區域，從而防止來自外部的光線 從光電二極管的側部入射，從而防止圖像傳感器中的串擾和噪音。[第二實施方式]圖21是根據本發明的第二實施方式的截面圖。根據本發明的實施方式的圖像傳感器包含具有像素區A和外圍電路區B 的半導體襯底10;具有金屬引線30和31以及形成與半導體襯底10上的焊 盤32的層間介電層20;選擇性形成于金屬引線30和31上的下電極140;形 成于像素區A的層間介電層20上的光電二極管171;形成于光電二極管171 上的上電極181;以及形成于上電極181上的鈍化層191。光電二極管171可由第一導電層145、本征層151和第二導電層161形成。濾色片200和保護層210可形成于鈍化層191上。上電極181可在光電 二極管171和在外圍電路區B中具有金屬引線31的層間介電層20上形成。 鈍化層191可形成為圍繞上電極181的上部分。例如，鈍化層191可由氧化 膜和氮化膜的任意一種形成。在以下文中，將參照圖13至圖21描述一種用于根據本發明的第二實施 方式的圖像傳感器的方法。參照圖13，具有金屬引線30和31的層間介電層20形成于其上形成像 素區A和外圍電路區B的半導體襯底10。在形成層間介電層20、金屬引線 30和31、焊盤32和形成于半導體襯底10上的下電極140的工藝與以上所述 的實施方式相同，因此，將省略其描述。特別地，在第二實施方式中，下電 極140僅形成于在像素區域A的金屬引線30上。參照圖14，光電二極管170形成于層間介電層20上。光電二極管170 可由第一導電層145、本征層150和第二導電層160形成。第一導電層145 形成為圍繞形成于像素區A的下電極40。第一導電層145可起P-I-N 二極管 的N層的作用。也就是，第一導電層145可以為N型導電層，但是不限于此。 第一導電層145可使用n摻雜的非晶硅形成，但是不限于此。換句話說，第 一導電層145可由a-Si: H、 a-SiGe: H、 a陽SiC、 a-SiN: H、 a-SiO: H等通 過將鍺、碳、氮或氧等添加到非晶硅中形成。第一導電層145可由化學氣相沉積CVD形成，特別地是通過PECVD形 成。例如，通過將PH3、 P2H5等與硅烷氣體(SiH4)并將其在大約100到400 。C下通過PECVD沉積，第一導電層145可由n摻雜的非晶硅形成。第一導 電層145形成以圍繞下電極140，從而其僅形成于每個單元顯示分離的金屬 引線30的上部分上，使其能每一單位像素分離光電二極管170。本征層150 形成于其上形成第一導電層145的層間介電層20上。本征層150與在第一實 施方式中采用的本征層50相同，因此，將省略其描述。第二導電層160形成于其上形成本征層150的層間介電層20上。第二導 電層160與在第一實施方式中采用的導電層60相同，因此，省略其描述。通 過光刻工藝構圖以上形成的第一導電層145、本征層150和第二導電層160。 然后，由第一導電層145、本征層151和第二導電層161形成的光電二極管 171僅形成于像素區A上。在光電二極管171中，通過光刻工藝去除在外圍電路區B中的第一導電層145、本征層150和第二導電層160，從而光電二極管171僅形成于像素區 A上。然后，暴露外圍電路區B的層間介電層20和金屬引線31。參照圖16,上電極180形成在已經形成有光電二極管171的層間介電 層20上。上電極180能夠有具有良好透光性和高導電性的透明電極形成。例如， 上電極180能夠由銦錫氧化物(ITO)、鎘銦氧化物(CTO)和Zn02中任意之一形成。參照圖17，通過蝕刻上電極180，上電極181僅形成在光電二極管171 和外圍電路區B的金屬引線31上。通過光刻工藝上電極181形成在光電二 極管171的上部和側部并且在具有外圍電路區B的金屬引線31的層間介電 層20上。然后，暴露出與外圍電路區B的焊盤32相對應的層間介電層20 的上表面。通過上電極181能夠向光電二極管171和外圍電路區B的金屬引 線31施加電信號。參照圖18，鈍化層190形成在具有上電極181的層間介電層20上。例 如，鈍化層190能夠通過PECVD由氧化膜(Si02)或氮化膜(SiN)形成。 同時，在形成鈍化層190之后，在H2環境下，在200至400T的溫度下進 行熱處理。然后，H2離子擴散進CMOS電路區以提高圖像傳感器的特性。 同時，由于鈍化層190形成為圍繞光電二極管170的側部區域，它阻擋光入 射至光電二極管170的側部，從而防止串擾和噪聲的產生。參照圖19，暴露出形成在外圍電路區B上的焊盤32。當在開口工藝中， 具有在對應焊盤32的區域中的開口部分的光刻膠圖案(未示出)形成在鈍化 層190上，然后使用光刻膠圖案作為蝕刻掩模蝕刻鈍化層90和層間介電層 20，從而形成焊盤開口孔27，從而暴露出焊盤32。參照圖20，在像素區A中的鈍化層191上形成濾色片200。每個單位像 素的--個濾色片200形成為對入射光進行分色。參照圖21，保護層210形成為以補充濾色片200的臺階并且保護濾色片 200的表面。例如，保護層210能夠由低溫氧化膜(LTP)或者光刻膠膜形 成。或者，不形成保護膜210。下面附加執行微透鏡工藝。在實施方式中，P-I-N結構的光電二極管形成在半導體襯底上以提供晶體管電路和光電二極管的垂直集成，從而填充因數能夠達到100%。因此， 鈍化層形成在光電二極管的上部以保護光電二極管的表面。此外，在形成鈍化層的工藝中，H2離子擴散入CMOS電路區，從而可以提高圖像傳感器的 光學特性。同時，導電的上電極形成至光電二極管和外圍電路區的金屬引線 上，從而能夠向像素區和外圍電路區施加電信號。表示本發明的優選實施方式的詳細說明和具體實施例僅用于說明而不是 用于限制。在不脫離本發明精神的情況下在本發明范圍內可以有許多變形和 修改并且本發明包括所有這些修改和變形。圖像傳感器及其制造方法提供了一種晶體管電路和光電二極管的垂直集 成。同時，通過晶體管電路和光電二極管的垂直集成能夠實現100%的填充 因子。此外，與現有技術相比，在相同的像素尺寸中通過垂直集成能夠實現 更高的靈敏度。另外，在每個單位像素內在不降低靈敏度的情況下，能夠實 現更復雜的電路。而且，采用垂直光電二極管，但是阻擋入射到光電二極管 側表面的光，從而防止像素間的串擾，并且可以圖像傳感器的可靠性。同時， 在實施光電二極管的單位像素內，在單位像素中的光電二極管的表面區域增 加，從而可以提高光的靈敏性。同時，鈍化膜形成在光電二極管的上表，可 以阻擋光，同時提高晶體管區域的光學特性。
權利要求
1、一種圖像傳感器，包括半導體襯底，具有像素區和外圍電路區；層間介電層，具有形成在所述半導體襯底上的金屬引線和焊盤；下電極，選擇性地形成在所述金屬引線上；光電二極管，形成在所述像素區的所述層間介電層上；以及上電極，形成在所述光電二極管上。
2、 根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器進 一步包括形成在所述上電極上的鈍化層。
3、 根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述鈍化層配有第一開口孔和第二開口孔，所述第一開口孔和第二開口孔分別暴露出上電極和外 圍電路區上的下電極。
4、 根據權利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括形成在所述 鈍化層的所述第一開口孔和所述第二開口孔上的上引線，所述上引線連接至所 述像素區的上電極。
5、 根據權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述上引線延伸形成以連接所述像素區的上電極至所述外圍電路區的下電極。
6、 根據權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述上引線形成為圍繞所述光電二極管的外部區域。
7、 根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括 形成在所述上電極上的濾色片；以及 形成在所述濾色片上的保護膜。
8、 根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管包括形成在所述像素區的所述層間介電層上的本征層；以及 形成在所述本征層上的導電層。
9、 根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管包括形成在所述像素區的所述層間介電層上的第一導電層；形成在所述第一導電層上的本征層；以及 形成在所述本征層上的第二導電層。
10、 根據權利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一導電層具 有圍繞所述像素區的下電極的結構。
11、 根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述上電極形成在 所述光電極二極管上和具有所述外圍電路區的所述金屬引線的所述層間介電 層上。
12、 根據權利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述上電極形成 為圍繞所述光電二極管的上部和側表面。
13、 根據權利要求l所述的圖像傳感器，其特征在于，所述鈍化層由氧化 膜和氮化膜至少之一形成。
14、 一種圖像傳感器的制造方法，包括步驟 在半導體襯底上形成像素區和外圍電路區； 在所述半導體襯底上形成具有金屬引線和焊盤的層間介電層； 在所述金屬弓I線上選擇性地形成下電極； 在所述像素區的所述層間介電層上形成光電二極管；以及 在所述光電二極管上形成上電極。
15、 根據權利要求14所述的方法，其特征在于，還包括 在所述上電極和所述層間介電層上形成鈍化層；形成暴露出所述鈍化層上的部分上電極的第一開口孔和暴露出在外圍電 路區中鈍化層上的下電極的第二開口孔；以及在所述鈍化層的所述第一開口孔和所述第二開口孔上形成上引線。
16、 根據權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括 在除所述像素區的上引線之外的鈍化層上形成濾色片；以及 在所述濾色片上形成保護層。
17、 根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述鈍化層由氧化膜和 氮化膜至少之一形成。
18、 根據權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括對所述鈍化層執 行熱處理工藝。
19、 根據權利要求18所述的方法，其特征在于，所述鈍化層的熱處理工藝是在H2環境在200至250°C下執行的。
20、根據權利要求M所述的方法，其特征在于，還包括在所述上電極和 所述外圍電路區的所述層間介電層的上部上形成鈍化層。
全文摘要
本發明涉及一種圖像傳感器及其制造方法。一種圖像傳感器，包括具有像素區和外圍電路區的半導體襯底；具有形成在半導體襯底上的金屬引線和焊盤的層間介電層；選擇性地形成在金屬引線上的下電極；形成在像素區的層間介電層上的光電二極管；以及形成在光電二極管上的上電極。因此，本發明能夠提供晶體管和光電二管的填充因子接近100％的垂直集成方法，提供比現有技術更高的靈敏度，在不降低各單位像素的靈敏度的情況下實現更復雜的電路，通過防止像素之間的串擾等提高圖像傳感器的可靠性，通過增加在單位像素中的光電二極管的表面面積而提高光靈敏性的光學特性。
文檔編號H01L21/70GK101325206SQ20071030834
公開日2008年12月17日 申請日期2007年12月29日 優先權日2007年6月12日
發明者李玟炯 申請人:東部高科股份有限公司