半導體裝置的制造方法以及電連接部的處理方法

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專利名稱：半導體裝置的制造方法以及電連接部的處理方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體裝置的制造方法以及電連接部的處理方法
背景技術：
BGA或CSP等半導體封裝的外部端子，一般使用焊球。焊球設置在半導體封裝的內插器的電連接部(突起)上。通常，突起的表面上，形成有電鍍保護膜等氧化防止膜，通過這樣能夠防止突起表面的氧化，提高焊球的置載工序的可靠性。但是，由于這種以往的方法，不但需要增加電鍍保護膜等處理工序，而且在例如使用Ni作為電鍍保護膜的情況下，通過焊錫接合形成既硬且脆的合金層，從而導致外部端子的機械可靠性下降。作為相關文獻，有特開2000—114313號公報。

發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠提高外部端子的可靠性的半導體裝置的制造方法以及電連接部的處理方法。
.本發明的一個方案中，提供一種半導體裝置的制造方法，其特征在于, 包括
(a) 在與半導體基板電導通的電連接部上，設置含酸的料漿；
(b) 通過清洗上述電連接部，從上述電連接部上去除上述料漿；以
及，
(G)在上述電連接部上，借助助焊劑設置導電材料，上述料漿，由與上述助焊劑相同的材料構成。
本發明的另一個方案中，提供一種電連接部的處理方法，其特征在于，包括
(a)在電連接部上設置含酸的料漿；以及，
(b)在借助助焊劑往上述電連接部上設置導電材料之前，通過清洗上述電連接部，將上述料漿從上述電連接部上去除。另外，作為本發明的其他方案，具體如下。
(1) 本發明中的半導體裝置的制造方法，包括
(a) 在與半導體基板電導通的電連接部上，設置含酸的料漿；
(b) 通過清洗上述電連接部，從上述電連接部上去除上述料漿；以
及，
(c) 在上述電連接部上，設置導電材料。
根據本發明，由于能夠通過料漿中含有的酸，將覆蓋在電連接部表面的氧化膜去除，因此提高了之后所進行的設置導電材料的工序的可靠性。另外，由于通過進行料漿的涂布工序以及清洗工序，能夠去除氧化膜，因此與事先形成電鍍保護膜的工序相比，制造工序極為簡單。
(2) 該半導體裝置的制造方法中，可以讓上述導電材料由焊錫構成。
(3) 該半導體裝置的制造方法中，
可以在上述(c)工序中，借助助焊劑在上述電連接部上設置上述焊錫。
(4) 該半導體裝置的制造方法中，
上述(a)工序中所設置的上述料漿，可由與上述(c)工序中所設置的助焊劑相同的材料構成。通過這樣，能夠減少制造工序中所使用的化學物質的數目。
(5) 該半導體裝置的制造方法中，
上述(a)工序中所設置的上述料漿，可由比上述(c)工序中所設置的助焊劑含酸比率大的材料構成。通過這樣，能夠有效地去除電連接部表面的氧化膜。
(6) 該半導體裝置的制造方法中，
上述(a)工序中所設置的上述料漿，可由含有比上述(c)工序中所設置的助焊劑的酸還原能力大的酸的材料構成。通過這樣，能夠有效地去除電連接部表面的氧化膜。
(7) 該半導體裝置的制造方法中，上述(a)以及(b)工序可在大氣或氧氣環境下進行。通過這樣，由于即使在工序中電連接部的表面被氣體所覆蓋的情況下，該氣體也能夠形成為氧化膜，因此能夠通過清洗工序與料漿一并去除。所以，能夠讓電連接部的導電面可靠地暴露出來。.
(8) 該半導體裝置的制造方法中，上述料漿的酸可以是有機酸。
(9) 該半導體裝置的制造方法中，上述料漿的酸可以是無機酸。
(10) 該半導體裝置的制造方法中，上述半導體基板，可置載于內插器中；上述電連接部，可為形成在內插器中的突起。
(11) 該半導體裝置的制造方法中，上述電連接部，是形成在上述半導體基板上的電極焊盤a
(12) 該半導體裝置的制造方法中，上述半導體基板上，可形成有樹脂層；上述電連接部，可為形成在上述樹脂層上的突起。
(13) 該半導體裝置的制造方法中，多個上述電連接部，可被排列成多行多列；
可將上述(a)以及(b)工序，對位于上述多行多列的外側端部的電連接部進行。
(14) 該半導體裝置的制造方法中，
可將上述(a)以及(b)工序，對位于上述多行多列的外側的角部的電連接部進行。通過這樣，被排列的多個電連接部的多行多列中的角部，最容易被施加應力。
(15) 該半導體裝置的制造方法中，
上述多個電連接部，可被在圍著給定區域的區域中排列成多行多列；可將上述(a)以及(b)工序，對最接近上述給定區域的內側的端部
進行。通過這樣，由于不會例如因電鍍保護膜造成機械可靠性的降低，因
此如果對容易施加應力的電連接部進行，會非常有效。
(16) 本發明中的電連接部的處理方法，包括
(a) 在電連接部上設置含酸的料漿；以及，
(b) 在往上述電連接部上設置導電材料之前，通過清洗上述電連接部，將上述料漿從上述電連接部上去除。
根據本發明，由于能夠通過料漿中含有的酸，將覆蓋在電連接部表面上的氧化膜去除，因此提高了之后所進行的設置導電材料的工序的可靠性。另外，由于通過進行料漿的涂布工序以及清洗工序，能夠去除氧化膜，因此與事先形成電鍍保護膜的工序相比，制造工序極為簡單。
(17) 該電連接部的處理方法中，
上述(a)以及(b)工序可以在大氣或氧氣環境下進行。通過這樣，由于即使在工序中電連接部的表面被氣體所覆蓋的情況下，該氣體也能夠形成為氧化膜，因此能夠通過清洗工序與料漿一并去除。所以能夠讓電連接部的導電面可靠地暴露出來。
(18) 該電連接部的處理方法中，上述料漿的酸可以是有機酸。
(19) 該電連接部的處理方法中，上述料漿的酸可以是無機酸。
(20) 該電連接部的處理方法中，上述電連接部可形成在母板上
上述(b)工序之后，可將電子部件焊接在上述母板的上述電連接部

圖l為說明本發明的第l實施方式的圖。圖2為說明本發明的第1實施方式的圖。圖3為說明本發明的第1實施方式的圖。圖4為說明本發明的第1實施方式的圖。
圖5為說明本發明的第1實施方式的變形例的圖。圖6為說明本發明的第2實施方式的圖。圖7為說明本發明的第2實施方式的圖。圖8為說明本發明的第2實施方式的變形例的圖。
圖9為說明本發明的第3實施方式的圖。
圖10為說明本發明的第3實施方式的圖。
圖11為說明本發明的第3實施方式的圖。
圖12為說明本發明的第4實施方式的圖。
圖13為說明本發明的第4實施方式的圖。
圖14為說明本發明的第5實施方式的圖。
圖15為說明本發明的第5實施方式的圖。
圖中IO—內插器，14一電連接部，20—半導體芯片(半導體基板)， 54 —料漿，56 —助焊劑，58 —焊錫，60 —外部端子，62 —給定區域，120 —半導體基板，124—電極焊盤，160—外部端子，220 —半導體基板，224 一電極焊盤，320—半導體基板，324—電極焊盤，328 —樹脂層，332—電連接部，360—外部端子，410 —母板，412—電連接部。
具體實施例方式
下面對照附圖對本發明的實施方式進行說明。 (第l實施方式)
圖1 圖4為表示應用本發明的第1實施方式中的半導體裝置的制造方法的圖。該半導體裝置的制造方法，包括電連接部的處理方法。
本實施方式中，準備內插器(interposer) 10。內插器10中置載有半導體芯片(半導體基板)20。即，本實施方式中，準備好將半導體芯片20封裝化得到的半導體封裝40。
內插器IO，是用來置載半導體芯片20的布線基板。內插器10為半導體封裝40的一部分。內插器10可以是有機類的樹脂基板(例如環氧基板、聚酰亞胺基板)，也可以是無機類基板(例如玻璃基板、陶瓷基板)，或是有機類無機類的復合構造基板(例如玻璃環氧基板)。
內插器10中，其雙面上形成有由導電性材料構成電連接部12、 14。電連接部12、 14,例如可為布線圖形的突起(land)，由金屬(例如Cu)形成。另外，內插器10的表面上設有保護膜(例如阻焊劑)16。保護膜16避開電連接部12、 14，將布線圖形的其他部分保護起來。例如，保護膜16避幵電連接部14 (或電連接部12)的中央部，覆蓋其外周端部來設置。
內插器10可以是單層基板，也可以是多層基板。總之各個電連接部12、 14彼此電導通。電連接部12、 14的相互的電連接，可以用過孔來實現。
半導體芯片20，具有集成電路22以及與其電連接的電極焊盤(例如A1 焊盤(pad) ) 24。電極焊盤24, —般位于半導體芯片20的端部(例如相面對的2邊或4邊)。另外，半導體芯片20的電極焊盤24側的表面上，設有鈍化膜28。
半導體芯片20,置載于內插器10中的電連接部12側的面上。通過這樣，電連接部14與半導體芯片20電導通。半導體芯片20的置載形態，可以是將電極焊盤24的形成面面向內插器10—側的面朝下型，也可以是與其相反的面朝上型。在面朝下型的情況下，通常在電極焊盤24上設置有突起(例如 Au突起)。這種情況下，半導體芯片20 (詳細的說是突起)與內插器IO (詳細的說是電連接部12)這二者之間的電連接，能夠通過各向異性導電材料30來實現。各向異性導電材料30,可以是薄膜(ACF)或料漿(ACP) 中的任意一種。各向異性導電材料30,具有粘合劑以及分散在該粘合劑中的多個導電粒子，導電粒子介于突起與電連接部12之間，通過這樣來實現二者間的電連接。或者，作為面朝下型的其他電連接方式，還可以應用借助導電樹脂料漿實現的連接、金屬接合(例如Au—Au接合、Au—Sn接合或焊錫接合)、以及借助絕緣樹脂的收縮力的方式。另外，在金屬接合的情況下，可以在半導體芯片20與內插器10之間，填充底層材料(樹脂)。另外，在面朝上型的情況下，通常二者間的電連接用引線實現，并且整體被樹脂密封。
本實施方式中，如圖2 (A) 圖4所示，在上述內插器10的電連接部 14上形成外部端子60。首先，如圖2 (A) 圖2 (C)所示，對電連接部的處理方法進行說明。
如圖2(A)所示，在電連接部14的表面上覆蓋氧化膜15。該氧化膜15，因自然氧化、半導體芯片20的置載工序的加熱、或內插器10的干燥工序的加熱等而形成，這一點是公知的。
首先，在電連接部14中設置料漿(paste) 54 (參照圖2 (B))。料漿 54含有酸。料槳54的酸可以是無機酸或有機酸。無機酸可以使用鹵化氫水溶液。作為無機酸的具體例子，例如有氫溴酸(HBr)、鹽酸(HC1)、
硫酸(H2S04)、硝酸(HN03)、磷酸(H3P04)等。作為有機酸的具體例子，例如有羧酸(RCOOH)。由于無機酸與有機酸相比，還原能力較大，因此如果使用含無機酸的料漿54，則能夠有效地去除氧化膜15。另外，由于無機酸中的鹽酸、硫酸，還原能力格外強(例如比氫溴酸強)，因此
更加優選。
料漿54可以是助焊劑(flux)。這種情況下，料漿54可以含有樹脂、活性劑、溶劑、觸變劑。作為樹脂，可以使用水溶性樹脂或松香類樹脂。助焊劑的組成中只要含酸即可，沒有特別的限定。例如，作為助焊劑的組成，可以用給定比率混合脂肪族乙二醇醚、變性硬化蓖麻油、甘油、有機酸、有機胺的鹵鹽、以及焊錫粉末來得到。
料漿54，可以由與后述的粘焊錫用的助焊劑56 (參照圖3 (A))相同的材料構成。這樣一來，能夠減少制造工序中所使用的化學物質的數目。或者，料漿54也可以由含酸率比粘焊錫用的助焊劑^大的材料構成。另外，料漿54,還可以由含有比粘焊錫用的助焊劑56的酸還原能力大的酸的材料構成。通過這樣，能夠有效地去除電連接部14的表面的氧化膜15。
設置料漿54的方法，如圖2 (A)所示，可以應用針頭轉寫方式，其通過針頭50轉寫液滴52。作為其他的方式，還可以使用印刷方式(例如絲網印刷方式).、噴墨方式、借助分配器實現的涂布方式等。設置料漿54的區域，只要是包含內插器10中的電連接部14的區域即可，例如圖2(B)所示，可以分為各個電連接部14的多個區域來設置。
如圖2 (B)所示，設置了料漿54之后，放置給定時間，直到作為電連接部14的材料的金屬的還原反應結束。例如，在電連接部14的材料是銅、并設置含有氫溴酸的料漿54的情況下，發生以下的化學反應。
CuO (氧化銅)十2HBr(氫溴酸)一CuBr2 (溴化銅)+H20 (水)
為了促進上述化學反應，可以進行加熱。或者，為了防止料漿54中含有的酸揮發，也可以不加熱而在常溫下放置。通過防止酸的揮發，能夠可靠地保證上述化學反應的發生。
之后，如圖2 (C)所示，通過清洗電連接部14,從電連接部14上去除料漿54。這樣，能夠將覆蓋在電連接部14的表面上的氧化膜15，與料漿54 一并去除。目卩，能夠讓電連接部14的導電面可靠地暴露出來。.
上述料漿54的涂布工序以及清洗工序，可在大氣或氧氣環境下進行。由于通過這樣，即使在工序中電連接部14的表面上覆蓋有某種氣體的情況下，該氣體也被形成為氧化膜，因此能夠通過清洗工序與料漿54—并去除。從而，能夠將電連接部14的導電面可靠地暴露出來。另外，上述料漿的涂布工序以及清洗工序，可以對多個電連接部14的全體進行。
接下來，在電連接部14上設置導電材料。在使用焊錫作為導電材料的情況下，如圖3 (A)以及圖3 (B)所示，可以在電連接部14上借助助焊劑56設置焊錫58。焊錫58可以作為固體的焊球置載在電連接部14上。粘焊錫用的助焊劑56，用來提高焊錫58的浸潤性并且防止完成后的外部端子60 的表面的氧化，可以在設置焊錫58之前事先設置在電連接部14上。焊錫58，例如包含有錫(Sn)。
之后，如圖4所示，經過回流工序，在電連接部14上形成外部端子60。之后，通過清洗，將殘存在外部端子60上的助焊劑56去除。
在多個內插器10的集合體中進行以上工序的情況下，進行個別切斷從而得到內插器1(K這樣，就能夠制造出圖4所示的半導體裝置1。
根據本實施方式中的半導體裝置的制造方法，由于能夠通過料漿54中含有的酸，將覆蓋在電連接部14的表面上的氧化膜15去除，因此可以提高之后進行的設置焊錫58的工序的可靠性。詳細的說，即使不形成電鍍保護膜，也能夠防止電連接部14的氧化，從而能夠防止因電鍍保護膜形成的硬且脆的合金層，防止外部端子的機械可靠性的降低。另外，通過防止電連接部14的表面的氧化，能夠可靠地實現焊錫與電連接部14的電導通。另外, 由于通過進行料漿54的涂布工序以及清洗工序，能夠去除氧化膜15，因此與事先形成電鍍保護膜的工序相比，制造工序極為簡單。
接下來，對本實施方式的變形例進行說明。圖5為外部端子形成工序之前的內插器的俯視圖。本變形例中，對多個電連接部14的一部分，進行上述料漿54的涂布工序以及清洗工序。
如圖5所示，多個電連接部14,分別在內插器10上排列成多行多列。例如多個電連接部14的排列形態可以是矩形。而且，本變形例中，對多個電連接部14中容易施加應力的位置，進行上述的料漿54的涂布工序以及清洗工序。可對其他的電連接部14，為了防止氧化而形成電鍍保護膜。這樣
一來，能夠提高容易施加應力的部分的機械強度，同時還能發揮形成電鍍保護膜的優點(例如提高溫度循環可靠性)。另外，這里的應力，包括因
內插器10或半導體芯片20的膨脹或收縮而施加的應力。
例如，可以對位于多行多列的外側的端部(包括最外側)上的電連接部14a (僅)，或對位于多行多列的外側的角部上的電連接部14b (僅)，進行料漿54的涂布工序以及清洗工序。
另外，如圖5所示，在多個電連接部14在圍著給定區域62 (例如半導體芯片置載區域)的區域中排列成多行多列的情況下，可以對位于最接近給定區域62的內側的端部(包括最內側)上的電連接部14c (僅)，或對給定區域62的角部所對應的電連接部14d (僅)，進行料漿54的涂布工序以及清洗工序。另外，可對電連接部14a(或電連接部14b)與電連接部14c (或電連接部14d)，一起進行料漿54的涂布工序以及清洗工序。
另外，本變形例中所使用的半導體裝置，可以是扇入型、扇出型或扇入扇出型中的任意一種。多個電連接部14，如果是扇入型則只設置在半導體芯片20的置載區域的內側，如果是扇出型則只設置在半導體芯片20的置載區域的外側，如果是扇入扇出型則設置在半導體芯片20的置載區域的內側以及外側。
通過本變形例，由于例如不會因電鍍保護膜造成機械可靠性的降低，因此如果對容易施加應力的電連接部14a 14d進行，則很有效果。 (第2實施方式)
圖6 圖8為表示本發明的第2實施方式中的半導體裝置的制造方法的圖。
本實施方式中，準備半導體基板120(參照圖6)，并對半導體基板120 的電極焊盤(電連接部)124,實施第l實施方式中所說明的料漿的涂布工序以及清洗工序，形成外部端子160 (參照圖7)。外部端子160由導電材料構成，例如可由焊錫或金(Au)等形成。在以晶片狀態進行本工序的情況下，準備出半導體晶片作為半導體基板120。半導體晶片，被在外部端子160的形成工序完成之后切斷，以便得到多個獨立的半導體芯片。
半導體基板120，具有集成電路122以及與其電連接的電極焊盤(Al 焊盤)124。電極焊盤124，一般位于半導體晶片的各個半導體芯片所對應
的區域的端部(例如相面對的2邊或4邊)。另外，半導體基板120的電極焊盤124側的表面上，設有鈍化膜128。
如圖8所示，作為本實施方式的變形例，準備出在包含集成電路222的區域中設有電極焊盤224的半導體基板220,并對該半導體基板220的電極焊盤224實施上述料漿的涂布工序以及清洗工序。多個電極焊盤224，被在集成電路222上(詳細的說在鈍化膜126上)排列成多行多列。
根據本變形例，由于電極焊盤224設置在集成電路222上，因此要求能耐應力的構造，而通過使用本變形例，能夠滿足該要求。
另外，本變形例還能夠應用于第l實施方式的變形例中。即，可以只對多個電極焊盤224中容易施加機械應力的位置，實施上述料漿的涂布工序以及清洗工序。
(第3實施方式)
圖9 圖11為本發明的第3實施方式中的半導體裝置的制造方法。圖IO 為圖9的X—X線剖面圖。
本實施方式中，準備出半導體基板320,其被在所謂晶片級中實施過再配置布線(參照圖IO),并對半導體基板320的電連接部(例如突起) 332,實施第l實施方式中所說明的料漿的涂布工序以及清洗工序，形成外部端子360 (參照圖ll)。外部端子360由導電材料構成，例如可由焊錫或金(Au)等形成。在以晶片狀態進行本工序的情況下，準備出半導體晶片作為半導體基板320。半導體晶片被在外部端子360的形成工序完成之后切斷，以便得到多個獨立的半導體芯片。
半導體基板320,具有集成電路322以及與其電連接的電極焊盤(Al 焊盤)324。電極焊盤324, —般位于半導體晶片的各個半導體芯片所對應的區域的端部(例如相面對的2邊或4邊)。另外，半導體基板320的電極焊盤324側的表面上，設有鈍化膜326。
半導體基板320中，在集成電路322側的面上形成有樹脂層328。樹脂層32S,是后述的布線層330的電連接部332的基底層。樹脂層328，例如形成得比多個電極焊盤324的排列區域更靠內側。作為樹脂層328的材料，例如有聚酰亞胺樹脂、硅變性聚酰亞胺樹脂、環氧樹脂、硅變性環氧樹脂、苯并環丁烯(BCB; benzocyclobutene)、聚苯并惡唑(PBO; polybenzoxazole) 等。
半導體基板320上，形成有與電極焊盤324電連接的布線層330。布線層330,形成為從電極焊盤324到樹脂層328上，具有形成在樹脂層328上的電連接部(例如突起)332。布線層330，可通過層積例如銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉤化鈦(TiW)、金(Au)、鋁(Al)、釩化鎳(NiV)、鴿(W)中的任意一種或多種來形成。另外，多個電連接部332，被在樹脂層328上排列為多行多列。
另外，半導體基板320上設有樹脂層334,其將布線層330的一部分覆蓋起來。樹脂層334，避幵布線層330的電連接部332 (的至少中央部)形成。樹脂層334,可以是阻焊劑。.
如圖11所示，在對半導體基板320的電連接部332形成了外部端子360 之后，為了加固外部端子360的根部，可以在避開外部端子360的上端部的區域上再設置樹脂層336。
另外，本實施方式還能夠應用于第l實施方式的變形例中。即，可以只對多個電連接部332中容易施加機械應力的位置，實施上述料漿的涂布工序以及清洗工序。 (第4實施方式)
圖12以及圖13為表示本發明的第4實施方式中的電連接部的處理方法的圖。
本實施方式中，對形成在母板410上的電連接部(例如突起)412，實施第l實施方式中所說明的料漿的涂布工序以及清洗工序。母板410中，避開電連接部412，設有保護膜(例如阻焊劑)414。
母板410是用來置載多個電子部件的基板，作為其例子可以列舉出剛性基板、撓性基板、撓性剛性基板、或裝配基板。作為電子部件可以列舉出半導體裝置、光器件、電阻器、電容器、線圈、振蕩器、濾波器、溫度傳感器、熱敏電阻、變阻器、旋鈕或熔絲等。例如，在料漿的涂布工序以及清洗工序結束之后，將例如半導體裝置作為電子部件焊接在母板 410的電連接部412上(參照圖13)。 (第5實施方式)
作為本發明的第5實施方式中的電子機器，圖14中示出了筆記本型個
人計算機.000，圖15中示出了移動電話2000。本實施方式中的電子機器，內置有通過上述任意一個實施方式制造的半導體裝置。
本發明并不僅限于上述實施方式，還能夠進行各種變形。例如，本發明包括與實施方式中所說明的構成實質上相同的構成(例如功能、方法以及結果相同的構成，或目的與結果相同的構成)。另外，本發明還包括替換了用實施方式說明的構成中的非本質部分所得到的構成。另外，本發明還包括起到與實施方式中所說明的構成相同的作用效果的構成，或能夠實現相同目的的構成。另外，本發明還包括在實施方式中所說明的構成中添加了公知技術后所得到的構成。
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括(a)在與半導體基板電導通的電連接部上，設置含酸的料漿；(b)通過清洗上述電連接部，從上述電連接部上去除上述料漿；以及，(c)在上述電連接部上，借助助焊劑設置導電材料，上述料漿，由與上述助焊劑相同的材料構成。
2. 如權利要求l所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述(a)以及(b)工序，在大氣或氧氣環境下進行。
3. 如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于-上述料漿的酸是有機酸。
4. 如權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述料漿的酸是無機酸。
5. 如權利要求1 4的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述半導體基板，置載于內插器中；上述電連接部，是形成在內插器中的突起。
6. 如權利要求1 4的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述電連接部，是形成在上述半導體基板上的電極焊盤。
7. 如權利要求1 4的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于上述半導體基板上，形成有樹脂層；上述電連接部，是形成在上述樹脂層上的突起。
8. 如權利要求1 7的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于多個上述電連接部，被在圍著給定區域的區域中排列成多行多列；將上述U)以及(b)工序，對位于包圍上述給定區域的上述區域的、最接近上述給定區域的內側的端部的上述電連接部進行。
9. 一種電連接部的處理方法，其特征在于，包括(a) 在電連接部上設置含酸的料漿；以及，(b) 在借助助焊劑往上述電連接部上設置導電材料之前，通過清洗上述電連接部，將上述料漿從上述電連接部上去除。
10. 如權利要求9所述的電連接部的處理方法，其特征在于-上述(a)以及(b)工序，在大氣或氧氣環境下進行。
11. 如權利要求9或10所述的電連接部的處理方法，其特征在于上述料漿的酸是有機酸。
12. 如權利要求9或10所述的電連接部的處理方法，其特征在于上述料漿的酸是無機酸。
13. 如權利要求9 12的任一項所述的電連接部的處理方法，其特征在于上述電連接部形成在母板上；上述(b)工序之后，將電子部件焊接在上述母板的上述電連接部上。
全文摘要
本發明提供一種能夠提高外部端子的可靠性的半導體裝置的制造方法以及電連接部的處理方法。半導體裝置的制造方法包括(a)在與半導體基板(20)電導通的電連接部(14)上，設置含酸的料漿(54)；(b)通過清洗電連接部(14)，從電連接部(14)上去除料漿(54)；以及，(c)在電連接部(14)上借助助焊劑設置導電材料，上述料漿由與上述助焊劑相同的材料構成。
文檔編號H01L21/60GK101179039SQ20071018602
公開日2008年5月14日申請日期2006年1月19日優先權日2005年1月19日
發明者中山浩久, 佐藤史郎, 莊司正宣, 野坂仁志申請人:精工愛普生株式會社

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