電路裝置的制作方法

專利名稱：電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置，特別是涉及裝入了由半導(dǎo)體元件等大量電路元件 構(gòu)成的混合集成電路的電路裝置。
背景技術(shù)：
參照圖7說明現(xiàn)有的混合集成電路裝置100的構(gòu)成(參照下記專利文獻(xiàn) 1 )。在矩形的襯底101的表面，經(jīng)由絕緣層102形成導(dǎo)電圖案103,在該導(dǎo)電 圖案103的所希望的部位粘著電路元件，形成規(guī)定的電路。在此，將作為電 路元件的半導(dǎo)體元件105A及片狀元件105B與導(dǎo)電圖案103'連接。引線104 與襯底101的周邊部形成的由導(dǎo)電圖案103構(gòu)成的焊盤109連接，作為外部 端子起作用。密封樹脂108具有將襯底101的表面形成的電路密封的功能。
半導(dǎo)體元件105是例如1安培以上的大電流通過的功率系元件，其發(fā)熱 量非常大。因此，將半導(dǎo)體元件105A載置于導(dǎo)電圖案103上載置的散熱片 110的上部。散熱片110例如由長x寬x厚=iOmm x 10mm x lmm程度的銅 等金屬片構(gòu)成。通過采用散熱片110，能夠?qū)雽?dǎo)體元件105A產(chǎn)生的熱積極 地放出到外部。另外，圖中未圖示，但在表面設(shè)置了多個(gè)電極的LSI作為電 ^各元件配置在襯底101的上面。
專利文獻(xiàn)l:特開平5- 102645號公報(bào)
在上述構(gòu)成的混合集成電路裝置100中，在裝置內(nèi)部，將構(gòu)成混合集成 電路的全部元件配置在襯底101的上面。襯底101由放熱性你良的金屬構(gòu)成， 因此，半導(dǎo)體元件105A等電路元件產(chǎn)生的熱經(jīng)由襯底101良好地放出到外部。
但是，在安裝于襯底101上的電路元件中，也有小信號系的半導(dǎo)體元件 等發(fā)熱極小的元件。這樣的發(fā)熱小的電路元件不需要安裝在由放熱性優(yōu)良的 金屬構(gòu)成的襯底101上。這樣，在電路村底101的上面配置不需要放熱的電 路元件，會存在村底101的上面的實(shí)際的安裝密度低下的問題。
另外，當(dāng)在發(fā)熱量極大的半導(dǎo)體元件105A的附近配置LSI等時(shí)，半導(dǎo)體 元件105產(chǎn)生的熱在熱傳導(dǎo)性優(yōu)良的村底101上傳導(dǎo)，該熱可能將LSI加熱
而致使其特性劣化
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是筌于所述問題而提出的，本發(fā)明的主要目的在于，提供一種 提高了安裝密度的電路裝置。
本發(fā)明提供一種電路裝置，其特征在于，具備電路襯底、所述電路襯 底的上面形成的導(dǎo)電圖案、與所述導(dǎo)電圖案電連接的電路元件、與所述電路 元件電連接并導(dǎo)出向外部的引線，在由所述引線的一部分構(gòu)成的接合部的上 面安裝半導(dǎo)體元件，使所述接合部的下面離開所述電路襯底的上面。
本發(fā)明提供一種電路裝置，其特征在于，具備電路襯底、覆蓋所述電 路襯底的上面的絕緣層、所述絕緣層的上面形成的導(dǎo)電圖案、與所述導(dǎo)電圖 案電連接的電路元件、與所述電路元件電連接并導(dǎo)出向外部的引線，所述電 路元件含有小信號系的半導(dǎo)體元件、和與所述小信號系的半導(dǎo)體元件相比有 大的電流通過的大信號系的半導(dǎo)體元件，所述小信號系的半導(dǎo)體元件由所述 引線的一部分構(gòu)成，且安裝于離開所述絕緣層的接合部的上iS;,所述大信號 系的半導(dǎo)體元件安裝在所述導(dǎo)電圖案或粘著于所述導(dǎo)電圖案上的散熱片上。
根據(jù)本發(fā)明的電路裝置，在由引線的 一部分構(gòu)成的接合部的上面安裝半 導(dǎo)體元件，使該接合部的下面離開電路襯底的上面。由此，可將發(fā)熱量少且 不需要安裝在電路襯底上的半導(dǎo)體元件在裝置內(nèi)部配置于電路襯底的上面以 外的位置，因此，能夠提高裝置整體的安裝密度。
另外，安裝于接合部且離開電路襯底配置的半導(dǎo)體元件與電路襯底熱分 離。因此，安裝于電路襯底上的功率系的其它半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱幾乎不會 傳導(dǎo)給離開電路襯底配置的半導(dǎo)體元件，因此，能夠抑制該半導(dǎo)體元件的熱 引起的特性劣化等。


圖1是表示本發(fā)明的電路裝置的圖，(A)及(B)是立體圖； 圖2是表示本發(fā)明的電路裝置的剖面圖； 圖3是表示本發(fā)明的電路裝置的圖，(A)及(B)是剖面圖； 圖4是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是平面圖，(B)是 平面圖，(C)是剖面圖；置的制造方法的圖，(A)是平面圖，(B)是 剖面圖，(C)是剖面圖6是表示本發(fā)明的電路裝置的制造方法的圖，(A)是剖面圖，(B)是
平面圖7是表示現(xiàn)有的混合集成電路裝置的剖面圖。 標(biāo)記i兌明
10 混合集成電路裝置
11 電路襯底 12絕緣層 13 導(dǎo)電圖案 13A焊盤
14密封樹脂
15A控制元件
15B、 15C 功率元件
15D 片狀元件
16、 16A、 16B 接合材料
17 金屬細(xì)線
18A、 18B 接合部
19 電^各元件
22A上模型
22B 下模型
23模穴
25、 25A、 25B 引線 26散熱片 40引線架 41 外框 46 組件
具體實(shí)施方式
(第一實(shí)施例)
本實(shí)施例中，參照圖1至圖3說明作為電路裝置之一例的混合集成電路
裝置10的構(gòu)造。
參照圖1說明本實(shí)施例的混合集成電路裝置10的構(gòu)成。圖1 (A)是從 斜上方看到的混合集成電路裝置10的立體圖。圖1 (B)是省去了密封整體 的密封樹脂14的混合集成電路裝置10的立體圖。
參照圖1 (A)及圖1 (B)，混合集成電路裝置10中，在電路襯底11的 上面構(gòu)成由導(dǎo)電圖案13及電路元件構(gòu)成的具有規(guī)定功能的混合集成電路。具 體而言，首先將矩形的電路村底11的上面由絕緣層12覆蓋'，并在形成于絕 緣層12的上面的導(dǎo)電圖案13的規(guī)定部位電連接半導(dǎo)體元件及片狀元件等電 路元件。進(jìn)而將形成于電路襯底11的表面的導(dǎo)電圖案13及電路元件由密封 樹脂14覆蓋。另外，引線25自密封樹脂14導(dǎo)出向外部。
電路襯底11是以鋁(Al)及銅(Cu)等金屬為主材料的金屬襯底。電路 襯底11的具體的大小例如為長x寬x高=30mmx 15mm x 1.5mm程度。在采 用由鋁構(gòu)成的襯底作為電路襯底11時(shí)，將電路襯底11的兩主面進(jìn)行氧化鋁 膜處理。
絕緣層12覆蓋電路襯底11的整個(gè)上面而形成。絕緣層12由高充填了例 如60重量％ ~80重量％的AL203等充填物的環(huán)氧樹脂等構(gòu)成。在密封裝置 整體的密封樹脂14中也同樣混入充填物，絕緣層12中充填物的混入量多。 通過混入充填物，降低絕緣層12的熱電阻，因此，能夠?qū)⒆?內(nèi)裝的電路元件 產(chǎn)生的熱經(jīng)由絕緣層12及電路襯底11積極地向外部排出。絕緣層12的具體 的厚度例如為50nm程度。另外，圖中只是電路襯底11的上面由絕緣層12 覆蓋，但電路襯底11的背面也可以由絕緣層12覆蓋。這樣，即使使電路襯 底11的背面自密封樹脂14露出向外部，也能夠?qū)㈦娐芬r底11的背面與外部 絕緣。
導(dǎo)電圖案13由銅等金屬構(gòu)成，按照形成規(guī)定的電路的方式形成于絕緣層 12的表面。另外，在導(dǎo)出引線25的邊形成由導(dǎo)電圖案13構(gòu)成的焊盤13A。 再有，在控制元件15A (接合部18A)的周圍也形成多個(gè)焊盤13A，且將焊 盤13A和控制元件15用金屬細(xì)線17連接。在此圖示單層的導(dǎo)電圖案13，但 也可以在電路襯底11的上面形成經(jīng)由絕緣層層疊的多層導(dǎo)電圖案13。
導(dǎo)電圖案13通過將設(shè)于絕緣層12上面的厚度50jam 100nm程度的薄 的導(dǎo)電膜構(gòu)圖而形成。因此，導(dǎo)電圖案13的寬度可縮窄形成為50jum 100 pm程度。另夕卜，導(dǎo)電圖案13彼此離開的距離也可以縮窄形成為50jum 100
iam程度。因此，即使控制元件15A為具有數(shù)百個(gè)電極的元件，也能夠在控 制元件15A的周圍形成對應(yīng)于電極數(shù)量的焊盤13A。另外，利用微細(xì)形成的 導(dǎo)電圖案13也可以在電路襯底11的表面形成復(fù)雜的電路。
作為與導(dǎo)電圖案13電連接的電路元件，可全部采用有源元件及無源元件。 具體而言，可采用晶體管、LSI芯片、二極管、片狀電阻、片狀電容、電感、 熱敏電阻、天線、振蕩器等作為電路元件。再有，樹脂密封型封裝等也可以 作為電路元件固定于導(dǎo)電圖案13。
參照圖1 (B)，在電路村底11的上面配置有作為電路元件的控制元件 15A、功率元件15B、 15C及片狀元件15D。
控制元件15A是在表面形成有規(guī)定的電路的半導(dǎo)體元件(小信號系的半 導(dǎo)體元件)，其向功率元件15B的控制電極供給電信號(控制信號)。控制元 件15A例如是不到1安培的電流流過的半導(dǎo)體元件，發(fā)熱量極小，例如不會 成為IOO度以上的高溫。因此，也可以將控制元件15A直接載置于襯底11的 上面，但該情況下，不能活用電路村底11的放熱性優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于 控制元件15A的發(fā)熱量少，故也可以從電路襯底11的上面離開而內(nèi)裝于裝置 中。由此，在本實(shí)施例中，將控制元件15A載置于引線25A的接合部18A的 上面，使接合部18A的下面從電路襯底11的上面離開。該構(gòu)成的詳細(xì)說明參 照圖2后述。另外，作為控制元件15A,可采用使IC、 LSI、晶體管、電極向 上面露出配置的半導(dǎo)體內(nèi)裝樹脂密封型封裝。
功率元件15B、 15C是例如1安培以上的大電流通過主電極的元件(大 信號系的半導(dǎo)體元件)，由控制元件15A控制其動作。具體而言，可采用 MOSFET( Metal — Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )、 IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor), IC (Integrated Circuit )、雙極型晶體管等作為功率元 件15B。在此，功率元件15B載置于由引線25B的一部分構(gòu)成的接合部18B 的上面。該事項(xiàng)的詳細(xì)情況下述。
另外，功率元件15C安裝于上述構(gòu)成的散熱片26的上面。在此，功率元 件15C也可以直接固定于絕緣層12的上面配置的島狀的導(dǎo)電圖案13上。
密封樹脂14利用使用熱硬性樹脂的傳遞膜模制或使用熱塑性樹脂的注入 膜模制形成。在此，由密封樹脂14密封導(dǎo)電圖案13、電路元件、金屬細(xì)線 17等。另外，也含有電路襯底1的背面的電路元件11整體也可以由密封樹 脂14密封，且也可以使電路村底ll的背面自密封樹脂14露出。再有，為提高熱傳導(dǎo)性等而在密封樹脂14中混入氧化硅等充填物，例如由混入了 10% ~
20%程度的充填物的熱硬性樹脂構(gòu)成密封樹脂14。在此，考慮使熱電阻降低 時(shí)，最好使密封樹脂14中含有大量的充填物，但為防止樹脂密封的工序中的 空隙的出現(xiàn)，而以能夠確保密封樹脂14的流動性為一定程度以上的范圍決定
充填物的混入量。
引線25的一端與電路襯底11上的焊盤13A電連接，另一端自密封樹脂 14導(dǎo)出向外部。即，引線25經(jīng)由形成于電路襯底11上面的導(dǎo)電圖案13與電 路元件電連接。引線25由以銅(Cu)、鋁(Al)或Fe-M的合金等為主成分 的金屬構(gòu)成。在此，在沿電路襯底ll對置的兩個(gè)側(cè)邊設(shè)置的焊盤13A上連接 引線25。但是，也可以沿電路襯底11的一個(gè)側(cè)邊或四個(gè)側(cè)邊設(shè)置焊盤13A， 在該焊盤13A上連接引線25。
另外，為防止金屬露出的電路襯底11的側(cè)面和引線25短路，引線25構(gòu) 成為彎曲的鳴翼形狀。即，在引線25的中途，在電路襯底11的外周端部的 更內(nèi)側(cè)區(qū)域設(shè)置朝向上方傾斜的傾斜部，其它部分的引線25相對于電路襯底 11的上面平行延伸。
另夕卜，與電路襯底11的上面離開配置的引線25A也可以為不設(shè)置傾斜部 的直線形狀。
本實(shí)施例中，在引線25A的局部設(shè)置接合部18A，并使該接合部18A的 背面從電路襯底11的上面離開。另夕卜，在4秦合部18A的上面還安裝有控制元 件15A。由此，可在接合部18A下方的區(qū)域配置電路元件及導(dǎo)電圖案13，從 而可使裝置整體的安裝密度上升。再有，可將控制元件15A自電路襯底11熱 分離，從而可防止控制元件15A受到其它電路元件產(chǎn)生的熱的不良影響。
接合部18A為按照可安裝控制元件15A的方式將引線25A的端部形成為 島狀的部位。該接合部18'A的平面的大小既可以與安裝的控制元件15A相同， 也可以大或小。接合部18A配置于電路襯底11的上方。
在接合部18A周圍的電路襯底11的上面配置多個(gè)由導(dǎo)電圖案13構(gòu)成的 焊盤13A。而且，配置于控制元件15A上面的電極經(jīng)由金屬細(xì)線17與焊盤 13A電連才妄。
其次，說明安裝功率元件15B的引線25B的接合部18B的構(gòu)成。接合部 18B由引線25A的一部分構(gòu)成，通過將接合部18B的背面粘貼在電^各襯底11 的上面，將引線25A粘著在電路襯底11上。接合部18B的平面的大小與載
置于上面的功率元件15B為相同程度。
引線25B通過對厚度0.5mm程度的金屬板進(jìn)行蝕刻加工或沖壓加工而形 成。因此，與形成于電路襯底ll上面的導(dǎo)電圖案13相比，引線25A厚地形 成。因此，由引線25A的一部分構(gòu)成的接合部18B也厚地形成，作為散熱片 起作用，從而有助于提高功率元件15B產(chǎn)生的熱的放熱。在此，功率元件15B 產(chǎn)生的熱經(jīng)由接合部18B、絕緣層12及電路襯底11良好地排出向外部。
功率元件15B經(jīng)由焊錫等導(dǎo)電性接合材料粘著于引線25B的接合部18B 的上面。因此，功率元件15B的背面電極不經(jīng)由電路襯底11上的導(dǎo)電圖案 13直接與引線25B連接。因此，為確保大的電流容量，不需要在電路襯底ll 的表面形成寬度寬的導(dǎo)電圖案13，因此，可作成小型的電路襯底11。另外， 引線25A的剖面大到例如長x寬0.5mm x 0.5mm程度，從而能夠充分確保電 流容量。
再有，形成于功率元件15B的上面的電極經(jīng)由金屬細(xì)線17與電路襯底 11上的焊盤13A連接。在需要電流電容時(shí)，使用直徑為150jam程度以上的 粗線作為金屬細(xì)線17。
參照圖2的剖面圖"i兌明安裝控制元件15A的部位的構(gòu)成。如上所述，在 由引線25A的一部分構(gòu)成的接合部18A的上面，經(jīng)由焊錫等接合材料16接 合控制元件15A。另外，接合部18A的下面從電路村底11的上面離開。在此， 作為使接合部18A的下面從電路襯底11的上面離開的構(gòu)造，考慮兩個(gè)構(gòu)造。 一個(gè)是，如圖所示，使接合部18A浮起到電路村底11的上面的更上方的構(gòu)造， 另一個(gè)是按照覆蓋電路襯底11的導(dǎo)電圖案13的方式形成樹脂皮膜，并在該 樹脂皮膜上面配置接合部18A的構(gòu)造。
利用上述構(gòu)成，可在對應(yīng)于接合部18A的下方的區(qū)域的電路襯底11的上 面配置導(dǎo)電圖案13及電路元件19。由此，可在電路襯底11的上面配置更多 的導(dǎo)電圖案13及電路元件，使安裝密度提高。特別是控制元件15A與其它電 路元件相比較，是占有的安裝面積大的電路元件。因此，通過在大型的控制 元件15A的下方區(qū)域配置導(dǎo)電圖案13及電路元件19,可將更復(fù)雜且高功能 的電路內(nèi)裝于裝置中。再有，在接合部18A的背面和電路襯底11的上面之間 的間隙中充填有密封樹脂14。
由于使安裝控制元件15A的接合部18A自電路襯底11的上面離開，從 而經(jīng)由電路襯底11的放熱不能得到，因此，控制元件15A產(chǎn)生的熱難以放出
到外部。但是，控制元件15A自身產(chǎn)生的熱是少量的，且經(jīng)由引線25A某種 程度放熱，因此，控制元件15A的加熱引起的特性劣化被抑制。
其次，參照圖3說明連接功率元件15B的構(gòu)造。圖3 (A)及圖3 (B) 是表示粘著功率元件15B的構(gòu)造的剖面圖。
參照圖3 (A)，在此，在覆蓋電路村底11的上面的絕緣層12上直接粘 著有引線25B的接合部18B。該情況下，在B級狀態(tài)的絕緣層12的上面粘貼 了接合部18B之后，將絕緣層12加熱硬化，由此將接合部18B的背面粘著 于電路襯底11上。通過作成這樣的構(gòu)造，介于接合部18B和電路襯底11之 間的只是絕緣層12,因此，能夠?qū)⒐β试?5B產(chǎn)生的熱高效地放出向外部。
圖3 (B)中，接合部18B的背面經(jīng)由焊錫等接合材料16B粘著于絕緣層 12的上面形成的島狀的導(dǎo)電圖案13上。
另外，該情況下，用于功率元件15B的安裝的接合材料16A和用于接合 部18B的安裝的接合材料16B優(yōu)選采用熔點(diǎn)不同的材料。
具體而言，在將功率元件15B粘著于接合部18B的上面后，在電^各襯底 11上安裝接合部18B的背面時(shí)，優(yōu)選設(shè)定接合材料16A熔融的溫度比接合材 料16B的高。由此，在使用熔融的接合材料16B將經(jīng)由接合材料16A粘著了 功率元件15B的接合部18B安裝于電路襯底11上的工序中，可防止接合材料 16A熔融。
另夕卜，在將接合部18B粘著于電路襯底11上后，在接合部18B上安裝功 率元件15B時(shí)，優(yōu)選設(shè)定接合材料16B熔融的溫度比接合材料16A的高。由 此，在使接合材料16A熔融，將功率元件15B安裝于接合部18B的上面的工 序中，可防止用于接合部18B的粘著的接合材料16B熔融。 (第二實(shí)施例)
本實(shí)施例中，參照圖4~圖6說明上述構(gòu)成的混合集成電路裝置的制造方法。
參照圖4,首先準(zhǔn)備設(shè)有多個(gè)引線25的引線架40。圖4(A)是表示設(shè) 于引線架40上的一個(gè)組件46的平面圖，圖4 (B)是表示引線架40整體的 平面圖，圖4 (C)是表示設(shè)于引線25A上的接合部18A的剖面圖。圖4(A) 中，虛線表示之后的工序中載置電路襯底11的區(qū)域。
參照圖4 ( A)，組件46由構(gòu)成一個(gè)混合集成電路裝置的多個(gè)引線25構(gòu) 成，各引線25的一端位于載置電路襯底11的區(qū)域內(nèi)。在此，引線25在紙面
上看，從左右兩方向向載置電路襯底11的區(qū)域延伸。多個(gè)引線25利用從外 框41延伸的系桿44彼此連接，由此防止變形。
另外，本實(shí)施例中，通過將引線25的前端部的寬度部分地加寬，設(shè)置接 合部。具體而言，將引線25A的前端部的寬度加寬，設(shè)置接令部18A，該接 合部18A為用于安裝由LSI等構(gòu)成的控制元件的結(jié)構(gòu)。另外，通過將引線25B 的前端部的寬度加寬，由此設(shè)置接合部18B,該接合部18B為用于安裝功率 MOS等功率系半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)。在此，也可以設(shè)置多個(gè)接合部18A、 18B。
參照圖4(B)，在長方形狀的引線架40上，上述構(gòu)成的組件46分開配 置多個(gè)。在本實(shí)施例中，通過在引線架40上設(shè)置多個(gè)組件46來制造混合集 成電路裝置，由此一并進(jìn)行引線接合及模制工序等，從而使生產(chǎn)性提高。
參照圖4(C),在此，在引線架40上固定電路襯底11之前，在引線25A 的接合部18A粘著控制元件15A。在此，經(jīng)由由焊錫及導(dǎo)電膏構(gòu)成的接合材 料16將控制元件15A的背面粘著于接合部18A的上面。同樣，在設(shè)于引線 25B的接合部18B的上面也可以安裝功率元件。另外，在此，在引線架40上 固定電路襯底11之前，在接合部18A等的上面安裝電路元件，但在進(jìn)行電路 襯底11對引線架40的固定之后，也可以進(jìn)行電路元件對接合部18A等的安 裝。同樣，就接合部18B而言，也可以以在上面安裝了功率系元件的狀態(tài)來 準(zhǔn)備。
參照圖5,其次，在引線架40上粘著電路襯底11。圖5 (A)是表示引 線架40的組件46的平面圖，圖5 (B)是接合部18A的剖面圖，圖5(C) 是接合部18B的剖面圖。
參照圖5(A),通過在電路襯底11的周邊部形成的焊盤13A上粘著引線 25,將電路襯底11固定在引線架40上。引線架25的前端部經(jīng)由焊錫等粘著 材料粘著于電路襯底11上的焊盤13A上。
再有，在電路襯底11上安裝半導(dǎo)體元件等電路元件。在此，也可以將預(yù) 先安裝有電路元件的電路襯底11固定于引線架40上，還可以在引線架40上 固定了電路襯底11之后,將電路元件安裝于電路襯底11上。再有，安裝好 的電路元件經(jīng)由金屬細(xì)線17與導(dǎo)電圖案13連接。 '
參照圖5(B)，在此，配置于接合部18A的上面的控制元件15A的上面 的電極經(jīng)由金屬細(xì)線17與配置于電路襯底11的上面的焊盤13A連接。另夕卜， 如上所述，接合部18A的下面配置于自電路襯底11的上面離開的上方，因此，
可在對應(yīng)于接合部18A的下方的區(qū)域的電路襯底11的上面配置導(dǎo)電圖案13
及電3各元件。
參照圖5 (C)，引線25B的前端部形成的接合部18B的背面經(jīng)由焊錫等 接合材料16B粘著于島狀的導(dǎo)電圖案13上。另外，在接合部18B的上面， 經(jīng)由接合材料16A粘著功率MOS等功率元件15B。功率元件15B的上面形 成的電極經(jīng)由金屬細(xì)線17與導(dǎo)電圖案13連接。
參照圖6，其次形成密封樹脂，使其覆蓋電路襯底ll。圖6(A)是表示 使用模型模制電路襯底11的工序的剖面圖，圖6 (B)是表示進(jìn)行了模制后 的引線架40的平面圖。
參照圖6 (A)，首先在由上模型22A及下模型22B形成的模穴23中收 納電路襯底ll。在此，通過使上模型22A及下模型22B與引線25相接，將 模穴23內(nèi)部的電路襯底11的位置固定。再有，從設(shè)于模型上的口 (未圖示) 向模型23中注入樹脂，將電路襯底11密封。在本工序中，進(jìn)行使用了熱硬 性樹脂的傳遞膜模制或使用了熱塑性樹脂的注入膜模制。在此，作為密封電 路襯底ll的構(gòu)造，也可以為澆鑄、采用外殼材料的密封等。
如上所述，在本實(shí)施例中，在引線25A的接合部18A的上面安裝有控制 元件15A,接合部18A的背面從電路元件11的上面離開。而且，在接合部 18A的背面和電路襯底11的上面的間隙中也充填密封樹脂。也可以將接合部 18A的下面和電路襯底11的上面離開的距離設(shè)為例如0.5mm以上，使得能夠 最佳地進(jìn)行該充填。
參照圖6(B)，在上述的模制工序結(jié)束之后，將引線25從引線架40分 離。具體而言，在設(shè)有系桿44的部位將引線25個(gè)別分離。將圖1所示的混 合集成電路裝置從引線架40分離。
權(quán)利要求
1、一種電路裝置，具備，電路襯底、所述電路襯底的上面形成的導(dǎo)電圖案、與所述導(dǎo)電圖案電連接的電路元件、與所述電路元件電連接并導(dǎo)出向外部的引線，其特征在于在由所述引線的一部分構(gòu)成的接合部的上面安裝半導(dǎo)體元件；使所述接合部的下面從所述電路襯底的上面離開。
2、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在安裝于所述接合部 的所述半導(dǎo)體元件的上面設(shè)置的電極經(jīng)由金屬細(xì)線與由所述導(dǎo)電圖案構(gòu)成 的焊盤連接。
3、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在所述接合部下方的 區(qū)域的所述電路襯底上，使所述導(dǎo)電圖案延伸。
4、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在所述接合部的下方 區(qū)域的所述電路襯底上配置所述電路元件。
5、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，形成密封樹脂，使其 覆蓋所述電路元件及所述導(dǎo)電圖案，將所述密封樹脂充填于所述接合部和所述電路襯底之間。
6、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，設(shè)置覆蓋所述導(dǎo)電圖 案的至少 一部分的樹脂皮膜，在所述樹脂皮膜的上面載置所述接合部。
7、 如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在覆蓋所述電路襯底 的上面的絕緣層的上面形成所述導(dǎo)電圖案，并且形成密封樹脂，使其覆蓋所 述電路元件及所述導(dǎo)電圖案，在所述絕緣層中充填比所述密封樹脂的量多的充填物。
8、 一種電路裝置，具備，電路襯底、覆蓋所述電路襯底的上面的絕緣層、所述絕緣層的上面形成 的導(dǎo)電圖案、與所述導(dǎo)電圖案電連接的電路元件、與所述電路元件電連接并 導(dǎo)出向外部的引線，其特征在于，所述電路元件含有小信號系的半導(dǎo)體元件、和與所述小信號系的半導(dǎo)體 元件相比有大的電流通過的大信號系的半導(dǎo)體元件，所述小信號系的半導(dǎo)體元件由所述引線的一部分構(gòu)成，且安裝于從所述 絕緣層離開的接合部的上面，所述大信號系的半導(dǎo)體元件安裝在所述導(dǎo)電圖案或粘著于所述導(dǎo)電圖 案上的散熱片上。
全文摘要
一種電路裝置，提高其安裝密度。本發(fā)明的電路裝置具備由絕緣層(12)覆蓋了表面的電路襯底(11)、絕緣層(12)的表面形成的導(dǎo)電圖案(13)、與導(dǎo)電圖案(13)電連接的電路元件、與由導(dǎo)電圖案(13)構(gòu)成的焊盤(13A)連接的引線(25)。另外，在由引線(25A)的一部分構(gòu)成的接合部(18A)的上面粘著有控制元件(15A)，接合部(18A)的背面從電路襯底(11)的上面離開。
文檔編號H01L25/00GK101174616SQ20071016800
公開日2008年5月7日 申請日期2007年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月31日
發(fā)明者三野勝義, 坂本則明, 高草木貞道 申請人:三洋電機(jī)株式會社;三洋半導(dǎo)體株式會社