專利名稱：陣列基板及其制造方法以及修復該陣列基板中的線的方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種陣列基板及其制造 方法以及一種修復該陣列基板中的線的方法。
背景技術：
液晶顯示(LCD)器件基于液晶材料的光學各向異性和極化等特性而驅 動。液晶分子具有長且細的形狀，并且液晶分子沿定向方向規律地排列。光沿 著長且細形的液晶分子穿過LCD器件。液晶分子的定向取決于施加到液晶分 子上的電場的強度或方向。通過控制電場的強度或方向，控制液晶分子的定向， 從而顯示圖像。
現將參照圖1和圖2描述現有技術的LCD器件。
圖1為根據現有技術的LCD器件的示意性橫截面圖，圖2為根據現有技 術的用于LCD器件的陣列基板的平面圖。
如圖1和圖2所示，根據現有技術的LCD器件包括下基板22和上基板 50，液晶層14插入在下基板22和上基板50之間。在下基板22上形成有薄膜 晶體管T、像素電極46、柵線13和數據線42。在上基板50上形成有黑矩陣 52、紅、綠和藍濾色片54a、 54b和54c、以及公共電極56。包括薄膜晶體管 T、像素電極46、柵線13和數據線42的下基板22可以稱作陣列基板。包括 黑矩陣52、紅、綠和藍濾色片54a、 54b和54c、以及公共電極56的上基板 50可以稱作濾色片基板。
柵線13和數據線42彼此交叉以限定像素區P。薄膜晶體管T設置在靠近 柵線13和數據線42的各個交叉點處，并設置在矩陣中。
每個像素電極46設置在每個像素區P處，并且由例如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料形成。像素電極46分別與薄膜晶體管T連接。像素電極46 也設置在矩陣中。
每個薄膜晶體管T包括柵極30、有源層34、以及源極36和漏極38。柵 極30與柵線13連接并提供有來自柵線13的脈沖信號。源極36與數據線42 連接并提供有來自數據線42的數據信號。數據信號通過漏極38提供給像素電 極46，所述漏極38與源極36間隔分開并與像素電極46連接。有源層34被 設置在柵極30與源、漏極36和38之間。
可以通過光刻工序形成陣列基板的元件。在這些工序中，由于產生在基 板表面上的顆粒，柵線和數據線可能斷路。特別是，因為在形成其它元件之后 形成數據線，所以斷路更有可能形成在數據線中而不是在柵線中。
發明內容
因此，本發明致力于提供一種陣列基板、制造該陣列基板的方法以及修 復該陣列基板中的線的方法，其基本上克服因現有技術的局限和缺點而帶來的 一個或多個問題。
本發明的一個優點在于提供一種陣列基板、 一種制造該陣列基板的方法、 以及一種修復該陣列基板中的線的方法，其解決線的斷開問題。
本發明的另一個優點在于提供一種陣列基板、 一種制造該陣列基板的方 法、以及一種修復該陣列基板中的線的方法，其通過向所有像素提供公共信號 而產生均勻且高質量的圖像。
本發明的附加優點和特征將在后面的說明書中得以闡明，部分從說明書 中會顯而易見地得到，或者可通過本發明的實踐得知。本發明的目的和其他優 點可通過書面說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現和得到。
為了實現這些和其它優點，并根據本發明具體實施方式
的目的，如所概 括和廣泛描述的，所述陣列基板包括基板、基板上的柵線、與柵線交叉以限 定像素區的數據線、與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、在像素區中的像素電 極、以及包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共電極，其中，第一部 分和第二部分設置在數據線的兩側，第三部分和第四部分中各與第一部分和第 二部分連接，并且第五部分與第二部分連接并延伸進入與像素區相鄰的下一個 像素區中。應該理解，上面的概括性描述和下面的詳細描述都是示意性和解釋
性的，意欲對本發明的權利要求提供進一步的解釋。
根據另一方面，提供了一種制造陣列基板的方法，包括在基板上形成 柵線；形成與柵線交叉以限定像素區的數據線；形成與柵線和數據線連接的薄 膜晶體管；在像素區中形成像素電極；以及形成包括第一、第二、第三、第四 和第五部分的公共電極，其中所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的兩 側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分 連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
根據另一方面，提供了一種制造陣列基板的方法，包括在基板上形成
柵線、柵極和公共線，其中所述公共線包括第一、第二、第三、第四和第五部
分；在柵線、柵極和公共線上形成柵絕緣層；在柵極之上的柵絕緣層上形成有 源層和歐姆接觸層；形成數據線、源極和漏極，其中所述數據線與柵線交叉以 限定像素區，源極和漏極在歐姆接觸層之上間隔分開；在數據線、源極和漏極 上形成鈍化層，其中所述鈍化層包括暴露漏極的接觸孔；以及在像素區中形成 與漏極連接的像素電極，其中所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的兩 側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分 連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
在另一方案中，提供了一種修復陣列基板中的具有斷開部分的數據線的 方法，其中所述陣列基板包括基板、基板上的柵線、與柵線交叉以限定像素 區的數據線、與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、像素區中的像素電極、以及 包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共電極，其中所述第一部分和第 二部分設置在數據線的兩側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連 接，斷開部分設置在第三部分和第四部分之間，并且第五部分與第二部分連接 并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中，該方法包括將第三部分和 第四部分與數據線焊接；以及將第二部分與第三部分和第四部分切斷，從而在 斷開部分的一側處的數據線的第一部分與在斷開部分的另一側處的數據線的 第二部分通過第三部分、第一部分以及第四部分電連接。
應該理解，上面的概括性描述和下面的詳細描述都是示意性和解釋性的， 意欲對本發明的權利要求提供進一步的解釋。
本說明書所包括的附圖用于提供對本發明的進一步理解，并且包括在該 說明書中而作為其一部分，該附圖示出了本發明的具體實施方式
并且連同說明 書一起用于解釋本發明的原理。
在圖中
圖1為根據現有技術的LCD器件的示意性橫截面圖2為根據現有技術的用于LCD器件的陣列基板的平面圖3為根據本發明第一個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面
圖4為根據本發明第一個實施方式的修復LCD器件中的數據線中的斷路 的方法；
圖5為根據本發明第二個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面
圖6為根據本發明第二個實施方式的修復LCD器件中的數據線中的斷路 的方法；
圖7A到圖7D為示出根據本發明第二個實施方式的陣列基板、制造該陣 列基板的方法的橫截面圖8為根據本發明第三個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面 圖；以及
圖9A到圖9H為示出根據本發明第三個實施方式的陣列基板、制造該陣 列基板的方法的橫截面圖。
具體實施例方式
以下將詳細涉及本發明的優選具體實施方式
，其實施例在附圖中示出。 圖3為根據本發明第一個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面圖。
在圖3中，在基板60上沿第一方向形成柵線64，并且沿第二方向形成數 據線76。柵線64和數據線76彼此交叉，以限定像素區P。
薄膜晶體管T形成為靠近柵線64和數據線76的每個交叉點。像素電極 82形成在每個像素區P處。薄膜晶體管T包括柵線62、有源層70、源極72
以及漏極74。柵極62與柵線64連接并接收來自柵線64的掃描信號。有源層 70形成在柵極62之上。源極72與數據線76連接并接收來自數據線76的圖 像信號。漏極74被與源極72間隔分開并與像素電極82連接。
進一步形成公共線。公共線包括對應于每個像素區P的第一部分66a、第 二部分66b、第三部分66c、第四部分66d、以及第五部分66e。第一部分66a 和第二部分66b與數據線76平行并分別設置在數據線76的兩側，從而數據線 76設置在第一部分66a和第二部分66b之間。第三部分66c和第四部分66d 與柵線64并行并分別在像素區P的上下區域中與數據線76交叉。第三部分 66c和第四部分66d與第一部分66a和第二部分66b相連接。第五部分66e與 第二部分66b和另一個第一部分66a， g卩，像素區P的下一個像素區的第一部 分，相連接。第五部分66e可以設置為靠近薄膜晶體管T。因此，在每個像素 區P處，第一部分66a、第二部分66b和第五部分66e具有一致的形狀。當數 據線76斷開時，公共線66a、 66b、 66c、 66d以及66e可以被用作修復線。
在本發明的第一個實施方式中，將參照圖4解釋修復數據線的方法。圖4 為示出當在本發明中數據線斷開時修復數據線的方法。
在圖4中，當數據線之一 76斷開時，將與斷開的數據線76交叉的公共 線的第三部分66c和第四部分66d用激光焊接并與斷開的數據線76連接。用 激光將第二部分66b從與斷開的數據線76連接的第三部分和第四部分66c和 66d分開。進一歩地，在前像素區P中，第二部分66b也從第三部分66c和第 四部分66d分開，其中，所述前像素區P相鄰于與斷開的數據線76連接的第 三部分和第四部分66c和66d。
相應地，與斷開的數據線76連接的第三部分和第四部分66c和66d以及 與第三部分和第四部分66c和66d連接的第一部分66a用作修復線。
與斷開的數據線76電連接的第一部分66a可以從前像素區P的第五部分 66e分開，以減少修復線的電阻。因為第一部分66a和第五部分66e在像素電 極82之上連接，所以當切斷前像素區P的第一部分66a和第五部分66e時， 第--部分66a或第五部分66e可與像素電極82短路。因此，第二部分66b可 以從第三部分66c和第四部分66d分開，所述第三部分66c和第四部分66d在 前像素區P中的數據線76和第二部分66b之間，在前像素區P中不存在像素 電極。
在根據第一個實施方式的LCD器件中，可以稱作數據信號的圖像信號能
夠順序地傳輸通過斷開的(斷路的)數據線76的上部、第三部分66c、第一 部分66a、第四部分66d、以及斷開的數據線76的下部。
在第一個實施方式中，不能將公共信號提供給設置修復線的前像素區P， 這是因為在前像素區P中的一部分公共線與其它部分間隔分開。本發明的第二 個實施方式具有解決上述問題的結構。
圖5為根據本發明第二個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面圖。
在圖5中，在基板100上沿著第一方向形成柵線104，沿著第二方向形成 數據線118。柵線104和數據線118彼此交叉，以限定像素區P。
薄膜晶體管T形成為靠近柵線104和數據線118的每個交叉點處。像素 電極124形成在每個像素區P處。薄膜晶體管T包括柵極102、有源層110、 歐姆接觸層(未示出)、源極114和漏極116。柵極102與柵線104連接并接 收來自柵線104的掃描信號。有源層110和歐姆接觸層順序地形成在柵極102 之上。源極114和漏極116形成在歐姆接觸層之上。源極114與數據線118連 接并接收來自數據線118的圖像信號。漏極116從源極〗.14間隔分開并與像素 電極124連接。
進一步形成公共線。公共線包括對應于每個像素區P的第一部分106a、 第二部分106b、第三部分106c、第四部分106d、以及第五部分106e。第一部 分106a和第二部分106b與數據線118平行并設置在數據線118的兩側，從而 數據線118設置在第一部分106a和第二部分106b之間。第三部分106c和第 四部分106d與柵線104平行并在圖中的像素區P的上區域和下區域中分別與 數據線118交叉。第三部分和第四部分106c和106d與第一部分106a和第二 部分106b連接。第五部分106e沿著第一方向與像素區P交叉并接觸像素區P 中的第二部分106b。第五部分106e還與下一個像素區P的另一個第二部分 106b連接。第五部分106e可以設置為靠近薄膜晶體管T。
當液晶面板制造完成并不存在斷開的數據線時，第一、第二、第三、第 四和第五部分106a、 106b、 106c、 106d和106e用作接收公共信號的公共線。 當數據線118之一斷開時，第一、第三和第四部分106a、 106c和106d用作修 復線，并且第二和第五部分106b和106e用作公共線。
在本發明的第二個實施方式中，將參照圖6解釋修復數據線的方法。圖6
為根據本發明第二個實施方式的修復LCD器件中的數據線中的斷路的方法。
在圖6中，當數據線118之一斷開時，用激光將第三部分106c和第四部 分106d在交叉點CR1和CR2處焊接并與斷開的數據線118連接，其中，所 述第三部分106c和第四部分106d設置在斷開部分OP的上部和下部處并與斷 開的數據線118交叉。然后，使用激光將與斷開的數據線118相鄰的第二部分 106b從與斷開的數據線118連接的第三部分和第四部分106c和106d斷開。 將與斷開的數據線118連接的第三部分和第四部分106c和106d以及連接其 上的第一部分106a電連接至斷開的數據線118并從公共線的其它部分間隔分 開。被斷開的第二部分106b仍然與斷開的數據線118相鄰的前像素區P的第 五部分106e連接。
相應地，與斷開的數據線118連接的第三部分106c和第四部分106d以及 與第三部分106c和第四部分106d連接的第一部分106a用作修復線。在相鄰 于斷開的數據線118的前像素區P至中，第二部分106b和第五部分106e用作 公共線。公共信號能夠傳輸到與斷開的數據線118相鄰的前像素區P，并且在 像素區P和前像素區P的充電特性之間不存在差別。能夠將圖像中的差別最小 化。
以下將參照圖7A到圖7D描述根據本發明第二個實施方式的用于LCD器 件的陣列基板的制造方法。圖7A到圖7D為示出制造工序中的根據本發明第 二個實施方式的陣列基板的橫截面圖。圖7A到圖7D對應于圖5的線V-V。
圖7A表示第一和第二掩模工序。在圖7A中，像素區P和開關區S限定 在基板100上。
將第一金屬材料沉積在基板100上，并通過第一掩模工序對其構圖，由 此形成圖5的柵極102和柵線104。同時，形成公共線。柵極102對應于開關 區S，并且柵線104沿著像素區P的第一側延伸。公共線包括第一、第二、第 三、第四和第五部分，即圖5的106a、 106b、 106c、圖5的106d、以及106e。 第一部分106a和第二部分106b設置在與像素區P的第一側相鄰的像素區P 的相對側處。圖5的第三部分106c和第四部分106d與彼此相鄰的第一部分 106a和第二部分106b相連接。第五部分106e與第二部分106b和與像素區P 相鄰的另一個像素區的第二部分106b相連接。
第一金屬材料為選自包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、例如 氮化鋁(AlNd)的鋁合金、銅(Cu)和鈦(Ti)的導電金屬組的一種或多種。
柵絕緣層108形成在包括圖5的柵極102和柵線104在內的基板100的 整個表面上。
接著，將本征非晶硅(a-Si:H)和摻雜非晶硅(n+a-Si:H)沉積在包括柵 絕緣層108的基板100的整個表面上，并通過第二掩模工序對其構圖。由此， 有源層110和歐姆接觸層112形成在柵極102之上的柵絕緣層108上。
圖7B示出第三掩模工序。在圖7B中，將第二金屬材料沉積在包括有源 層和和歐姆接觸層112的整個表面上，然后通過第三掩模工序對其構圖，以形 成源極114和漏極116以及數據線118。源極114和漏極H6在歐姆接觸層112 之上彼此間隔分開。數據線118沿著與圖5的柵線104垂直的像素區P的第二 側延伸。數據線118與源極114連接。第二金屬材料可以為選自上述導電金屬 組中的一種或多種。
圖7C示處第四掩模工序。在圖7C中，將有機材料涂覆在包括源極114 和漏極116以及數據線118在內的基板100的整個表面，以形成鈍化層120。 通過第四掩模工序對鈍化層120構圖，以形成部分暴露漏極116的漏接觸孔 122。有機材料可以為選自包括苯并環丁烯(BCB)和丙烯酸樹脂的有機材料 的一種或多種。
圖7D示出第五掩模工序。在圖7D中，將透明導電材料沉積在包括鈍化 層120的基板100的整個表面上，然后通過第五掩模工序對其構圖，以形成像 素電極124。將像素電極124設置在像素區P處。像素電極124通過漏接觸孔 122接觸漏極116。透明導電材料可以為選自包括氧化銦鋅(IZO)和氧化銦 錫(ITO)的透明導電材料組中的一種。
可以通過上述五個掩模工序制造用于LCD器件的陣列基板。
通過減少掩模工序，可以減少制造成本和時間，以增加產率。
圖8為根據本發明第三個實施方式的用于LCD器件的陣列基板的平面圖。
在圖8中，在基板200上沿著第一方向形成柵線204，沿著第二方向形成 數據線226。柵線204和數據線226彼此交叉，以限定像素區P。
薄膜晶體管T形成為靠近柵線204和數據線226的每個交叉點處。像素
電極244形成在每個像素區P處。薄膜晶體管T包括柵極202、有源層232、 歐姆接觸層(未示出)、源極236和漏極238。柵極202與柵線204連接并接 收來自柵線204的掃描信號。有源層232和歐姆接觸層構成第一半導體層220a， 并順序地形成在柵極202之上。源極236和漏極238形成在歐姆接觸層之上。 源極236與數據線226連接，并接收來自數據線226的圖象信號。漏極238 從源極236間隔分開并與像素電極244連接。第二半導體層220b形成在數據 線226之下。第二半導體層220b延伸自第一半導體層220a并包括本征非晶硅 層210和摻雜非晶硅層(未示出)。本征非晶硅層210暴露于數據線226之外。
進一步形成公共線。公共線包括對應于每個像素區P的第一部分206a、 第二部分206b、第三部分206c、第四部分206d、以及第五部分206e。第一部 分206a和第二部分206b與數據線226平行，并設置在數據線226的兩側，從 而數據線216設置在第一部分206a和第二部分206b之間。第三部分206c和 第四部分206d與柵線204平行并分別與附圖中像素區P中的上下區域的數據 線226交叉。第三部分206c和第四部分206d與第一部分206a和第二部分206b 連接。第五部分206e沿著第一方向與像素區P交叉，并接觸像素區P中的第 二部分206b。第五部分206e還與下一個像素區P的另一個第二部分206b相 連接。第五部分206e可以設置為靠近薄膜晶體管T。
當液晶面板制造完成并且不存在斷開的數據線時，第一、第二、第三、 第四和第五部分206a、 206b、 206c、 206d和206e用作接收公共信號的公共線。 當數據線226之一斷開時，第一、第三部分和第四部分206a、 206c和206d用 作修復線，第二和第五部分206b和206e用作公共線。
相應地，公共信號能夠傳輸到所有的像素區P，并且不存在像素區P的充 電特性之間的區別。圖像中的區別能夠最小化并且能夠解決圖像質量的降低問 題。
以下將參照圖9A到圖9H描述根據第三個實施方式的用于LCD器件的陣 列基板的制造方法。圖9A到圖9H為示出制造工序中根據本發明第三個實施 方式的陣列基板的橫截面圖。圖9A到圖9H對應于圖8的線VII-VII。
圖9A示出第一掩模工序。在圖9A中，在基板200上限定出像素區P、 開關區S和數據區D。像素區P可以包括開關區S。
將金屬材料沉積在包括開關區S、像素區P和數據區D的基板200上，
然后通過第一掩模工序對其構圖，由此形成圖8的柵極202和柵線204。柵極 202對應于開關區S并接收來自圖8的柵線204的信號。公共線與圖8的柵極 202和柵線204同時形成。公共線包括第一、第二、第三、第四和第五部分， 即圖8的206a、 206b、 206c，圖8的206d、和206e。第-一部分206a和第二部 分206b設置在與圖8的柵線204相鄰的像素區P的相對側。圖8的第三部分 206c和第四部分206d與彼此相鄰的第一部分206a和第二部分206b連接。第 五部分206e與第二部分206b和相鄰于像素區P的另一個像素區的第二部分 206b連接。
金屬材料可以為選自包括鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋁(Al)、例如 氮化鋁(AlNd)的鋁合金、銅(Cu)和鈦(Ti)的導電金屬組中的一種或多 種。
柵絕緣層208形成在包括圖8的柵極202和柵線204的基板200的整個 表面上。可以通過沉積包括氮化硅(SiNx)或二氧化硅(Si02)的無機絕緣材 料或者包括苯并環丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂的有機絕緣材料而形成柵絕緣層 208。
圖9B到圖9F示出第二掩模工序。
在圖9B中，將本征非晶硅(a-Si:H)層210、摻雜非晶硅(n+或p+ a-Si:H) 層212以及導電金屬層214順序地沉積在包括柵絕緣層208的基板200的整個 表面上。可以通過沉積選自上述導電金屬組的一種或多種而形成導電金屬層 214。
接著，通過涂覆光刻膠，在包括導電金屬層214的基板200的整個表面 上形成光刻膠層216。掩模M設置在光刻膠層216之上。掩模M包括光透射 部分B1、光阻擋部分B2和光半透射部分B3。更具體地，光半透射部分B3 和光阻擋部分B2對應于開關區S，從而光阻擋部分B2設置在光半透射部分 B3的兩側，其中，光半透射部分B3對應于柵極202。光阻擋部分B2還對應 于數據區D。光透射部分Bl對應于除開關區S和數據區D以外的其它區域。 光半透射部分B3可以為半透明的，以部分傳輸入射到光半透射部分B3上的 光，或者可以包括狹縫，以通過衍射減少通過那里的光強。 光刻膠層216曝光于通過掩模M的光，然后進行顯影。 在圖9C中，形成第一光刻膠圖案218a和第二光刻膠圖案218b，以暴露
導電金屬層214。第一光刻膠圖案218a具有在開關區S中的第一部分和第二 部分。第一部分對應于柵極202，第二部分比第一部分厚。第二光刻膠圖案218b 設置在數據區D中。第二光刻膠圖案218b具有與第一光刻膠圖案218a的第 二部分基本相同的厚度。
然后，選擇性地去除暴露的導電金屬層214、摻雜非晶硅層212和本征非 晶硅層210。可以濕刻導電金屬層214，并且可以干刻摻雜非晶硅層212和本 征非晶硅層210。或者，如果導電金屬層由能夠干刻的金屬形成，可以一次干 刻所有的層214、 212和210。
在圖9D中，源-漏金屬層224和第一半導體層220a形成在第一光刻膠圖 案218a之下，并且數據線226和第二半導體層220b形成在第二光刻膠圖案 218b之下。第一和第二半導體層220a和220b中的每一個層包括本征非晶硅 層210和摻雜非晶硅層212。數據線226與源-漏金屬層224連接。數據線226 與圖8的柵線204交叉。
實施灰化工序，以去除對應于柵極202的第一光刻膠圖案218a的第一部分。
在圖9E中，第一光刻膠圖案218a具有彼此間隔開的兩部分，其基本為 第二部分，并且暴露源-漏金屬層224。第一光刻膠圖案218a的第二部分和第 二光刻膠圖案也被部分去除并具有減小的厚度。
此夕卜，去除第一和第二光刻膠圖案218a和218b的邊緣，由此曝光源-漏 金屬層224和數據線226的周邊。
接著，去除暴露的源-漏金屬層224和摻雜非晶硅層212。
在圖9F中，將源極和漏極236和238形成在柵極202之上并彼此間隔開， 歐姆接觸層234形成在源極236和漏極238之下。圖9F的本征非晶硅層210 變成歐姆接觸層234之下的有源層232。有源層232的周邊暴露于歐姆接觸層 234和源極236和漏極238的邊緣之外。此外，第二半導體層220b的本征非 晶硅層210的外周暴露于數據線226和摻雜非晶硅層212的邊緣之外。
然后，去除第一和第二光刻膠圖案218a和218b。
圖9G示出第三掩模工序。在圖9G中，將無機絕緣材料沉積在或者將有 機絕緣材料涂覆在包括源、漏極236和238以及數據線226的基板200的整個 表面上，以形成鈍化層240。通過第三掩模工序對鈍化層240構圖，以形成部分暴露漏極238的漏接觸孔242。無機絕緣材料可以為選自包括氮化硅(SiNx) 和二氧化硅(Si02)的無機絕緣材料組中。有機絕緣材料可以為選自包括苯并 環丁烯(BCB)和丙烯酸樹脂的有機絕緣材料組中的一種或多種。
圖9H示出第四掩模工序。在圖9H中，將透明導電材料沉積在包括鈍化 層240的基板200的整個表面上，然后通過第四掩模工序對其構圖，以形成像 素電極244。像素電極244設置在像素區P中。透明導電材料可以為選自包括 氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫(ITO)的透明導電材料組中的一種或多種。
根據本發明，在像素區中， 一部分公共線用于修復斷開的數據線，而其 它部分公共線仍然用于傳輸公共信號。在像素的充電特性之間不存在區別，并 且能夠獲得高質量的LCD器件。
對于本領域技術人員顯而易見的，在不背離本發明精神或范圍的條件下可 以做出各種變型和修改。因此，倘若本發明的修改和變型在權利要求及其等同 物的范圍之內，本發明應包括這些修改和變型。
權利要求
1、一種陣列基板，包括基板；基板上的柵線；與柵線交叉以限定像素區的數據線；與柵線和數據線連接的薄膜晶體管；在像素區中的像素電極；以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共電極，其中，所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，并且第五部分與第二部分連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
2、 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第五部分與下一 個像素區中的第二部分直接連接。
3、 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括 與柵線連接的柵極、在柵極之上的有源層、在有源層之上的歐姆接觸層、與數 據線連接的源極、以及在歐姆接觸層之上與源極間隔分開的漏極。
4、 根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，進一步包括數據線之 下的半導體層，其中所述半導體層包括從有源層延伸出的層和歐姆接觸層之一
5、 一種制造陣列基板的方法，包括 在基板上形成柵線；形成與柵線交叉的數據線以限定像素區； 形成與柵線和數據線連接的薄膜晶體管； 在像素區中形成像素電極；以及形成包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共 電極，其中所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和 第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分連接并延伸進入 與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
6、 根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第五部分與下一個像素區中的第二部分直接連接。
7、根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成數據線包括在數據線 之下形成半導體層。
8、 一種制造陣列基板的方法，包括在基板上形成柵線、柵極和公共線，其中所述公共線包括第一部分、第 二部分、第三部分、第四部分和第五部分；在柵線、柵極和公共線上形成柵絕緣層； 在柵極之上的柵絕緣層上形成有源層和歐姆接觸層；形成數據線、源極和漏極，其中所述數據線與柵線交叉以限定像素區， 并且源極和漏極在歐姆接觸層之上間隔分開-,在數據線、源極和漏極上形成鈍化層，其中所述鈍化層包括暴露漏極的 接觸孔；以及在像素區中形成與漏極連接的像素電極，其中，所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分 和第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分連接并延伸進 入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
9、 根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第五部分與下一個像 素區中的第二部分直接連接。
10、 根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在使用不同掩模的各自 掩模工序中執行形成有源層和歐姆接觸層以及形成數據線、源極和漏極的步 驟。
11、 根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在使用一個掩模的相同掩 模工序中執行形成有源層和歐姆接觸層以及形成數據線、源極和漏極的步驟。
12、 根據權利要求ll所述的方法，其特征在于，所述掩模工序包括形成本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和導電層；在導電層上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，其中所述第一光刻 膠圖案包括第一部分以及比第一部分厚的第二部分；使用作為蝕刻掩模的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，通過選擇性去 除導電層、慘雜非晶硅層以及本征非晶硅層，形成源-漏金屬層、數據線、第 一半導體層和第二半導體層，其中所述源-漏金屬層和第一半導體層設置在第 一光刻膠圖案之下，數據線和第二半導體層設置在第二光刻膠圖案之下，第一 半導體層和第二半導體層各包括本征非晶硅圖案和慘雜非晶硅圖案； 去除第一光刻膠圖案的第一部分，從而暴露源-漏金屬層；使用作為蝕刻掩模的第一光刻膠圖案的第二部分，去除暴露的源-漏金屬 層和摻雜非晶硅圖案，從而形成源極和漏極以及歐姆接觸層，其中第一半導體 層的本征非晶硅圖案用作有源層；以及去除第一光刻膠圖案的第二部分和第二光刻膠圖案。
13、 根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一半導體層和第 二半導體層的本征非晶硅圖案暴露于源極和漏極的邊緣之外。
14、 根據權利要求12所述的方法，其特征在于，形成第一光刻膠圖案和 第二光刻膠圖案包括形成光刻膠層，將光刻膠層曝光于通過掩模的光，以及對 曝光的光刻膠層進行顯影，其中所述掩模包括光透射部分、光阻擋部分、以及 光半透射部分，所述光阻擋部分對應于第一光刻膠圖案的第二部分和第二光刻 膠圖案，光半透射部分對應于第一光刻膠圖案的第一部分。
15、 一種修復陣列基板中的具有斷開部分的數據線的方法，其中所述陣 列基板包括基板、基板上的柵線、與柵線交叉以限定像素區的數據線、與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、像素區中的像素電極、以及包括第一部分、第 二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共電極，其中所述第一部分和第 二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二 部分連接，斷開部分設置在第三部分和第四部分之間，并且第五部分與第二部分連接并延伸入與所述像素區相鄰的下一個像素區中，所述方法包括 將第三部分和第四部分與數據線焊接；以及將第二部分與第三部分和第四部分切斷，從而在所述斷開部分的一側處 的數據線的第一部分與在所述斷開部分的另一側處的數據線的第二部分通過 第三部分、第一部分以及第四部分電連接。
全文摘要
本發明公開了一種陣列基板，其包括基板、基板上的柵線、與柵線交叉以限定像素區的數據線、與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、在像素區中的像素電極、以及包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共電極，其中所述第一部分和第二部分設置在數據線的兩側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，并且第五部分與第二部分連接并延伸進入與像素區相鄰的下一個像素區中。
文檔編號H01L27/12GK101202287SQ20071016559
公開日2008年6月18日 申請日期2007年11月22日 優先權日2006年12月12日
發明者林鳳默, 金定煥, 金殷泓 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社