專利名稱：采用磁疇壁移動的存儲器裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種存儲器裝置，更具體地講，涉及一種采用使磁材料的磁疇 壁移動來寫入、記錄和刪除數據的原理的存儲器裝置。
背景技術：
由于導致需要高容量的數據存儲的信息技術的發展，使得對能夠存儲大 量數據的數據存儲介質的需求持續增長。因此，數據存儲速度提高，已經研 究出了使存儲裝置小型化的方法，結果，開發出種類廣泛的數據存儲裝置。廣泛使用的數據存儲介質是硬盤驅動器(HDD), HDD包括讀/寫頭和數據記 錄在其上的旋轉介質，并具有記錄100吉字節(GB)的數據或更多數據的容 量。然而，存儲裝置比如HDD中的旋轉部分容易磨損，使得這種裝置在長時 間使用之后的操作過程中失去可靠性。目前，正在進行對利用磁疇壁移動原理的新型數據存儲裝置的研究和開發。圖1A至圖1C是示出了使磁疇壁移動的原理的透視圖。參照圖1A,示 出了磁線，磁線包括第 一磁疇11 、第二磁疇12和在第 一磁疇11和第二磁疇 12之間的磁疇壁13。下文中，在磁材料內的微磁區域被稱作磁疇。在這種磁疇中，電子的旋 轉(即，電子的^f茲矩方向)相同。可以通過改變^f茲材3阡的類型、石茲材料的形 狀和尺寸以及被施加的外部能量，來調節這種》茲疇的尺寸和磁化方向。磁疇 壁是分隔具有不同磁化方向的磁疇的被磁化的材料上的區域。可以通過向磁 材料施加磁場或電流，來使這種磁疇壁沿著被磁化的材料移動或傳播 (propagation )。如圖1A所示，在具有預定寬度和厚度的磁層中創建按預定方向設置的多 個磁疇之后，可以利用磁場或電流使磁疇移動。參照圖IB,當在從第二;茲疇12向第一》茲疇11的方向上沿著^茲線施加磁 場時，磁疇壁13會沿著與施加外部磁場的方向相同的方向移動，即，沿著從
第二磁疇12向第一;茲疇11的方向移動。利用相同的原理，當沿著從第一磁疇11向第二;茲疇12的方向施加》茲場時，磁疇壁13向第二磁疇12移動。參照圖1C,當沿著從第一磁疇11向第二磁疇12的方向提供外部電流時， i茲疇壁13向第一;茲疇11移動。當供應電流時，電子沿著與電流的方向相反 的方向流動，石茲疇壁13與電子沿著相同的方向移動。即，磁疇壁沿著與外部 提供的電流的方向相反的方向移動。當沿著從第二磁疇12向第一磁疇11的 方向提供電流時，》茲疇壁13向第二;茲疇12移動。總而言之，利用有助于,茲疇移動的施加的外部》茲場或電流，》茲疇壁可以 移動。移動磁疇的原理可以應用到存儲器裝置比如HDD或只讀存儲器 (RAM)。具體地講，通過利用移動磁材料的磁疇壁來改變磁材料中的磁布 置的原理，可以執行讀取/寫入二進制數據'0，和'1，的操作，所述磁材料 具有按預定方向磁化的磁疇，其中，磁疇壁表示磁疇之間的邊界。當電流被 施加到線性磁材料時，磁疇壁的位置發生改變，以讀取和寫入數據，致使用 簡單結構來制造高度集成的裝置。因此，移動磁疇壁的原理可以應用于制造 和使用與傳統的存儲器(如鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、磁阻隨機存取存 儲器(MRAM)和相變隨機存取存儲器(PRAM)裝置)相比具有更大存儲 容量的存儲器裝置。然而，將磁疇壁的移動應用于半導體裝置仍然處于研發 的初級階段，并且該裝置具有相對低的數據存儲密度。因此，需要一種具有 為高密度裝置而優化的結構的采用磁疇壁移動的存儲器裝置。發明內容本發明提供了一種采用磁疇壁移動的存儲器裝置，該存儲器裝置具有高 密度數據記錄容量，結構穩定，并不需物理地移動部件如使記錄介質旋轉， A/v而防止磨損和發生失效。根據本發明的一方面，提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括寫 軌道層，設置有^ 茲疇，每個^f茲疇通過疇壁與相鄰疇分隔開；互連層和存儲軌 道層的堆疊，存儲軌道層設置有磁疇，磁疇的每個通過疇壁與相鄰疇分隔開， 其中，互連層和存儲軌道層的堆疊形成在寫軌道層上；其中，互連層由具有 低于寫軌道層的磁各向異性能量常數和存儲軌道層的磁各向異性能量常數的 磁各向異性能量常數的磁材料形成；其中，疇壁沿寫軌道層、互連層和/或存
儲軌道層移動。互連層和存儲軌道層可交替地層疊。可沿平行于、正交于或交叉于設置寫軌道層的方向設置存儲軌道層<存儲軌道層的長度可短于寫軌道層的長度。寫軌道層和存儲軌道層均可由磁各向異性能量常數值在105J/m3和 107 J/m3之間的磁材料形成。寫軌道層和存儲軌道層均可由包含CoPt和FePt中的至少一種的材料形成。寫軌道層和存儲軌道層均可為線或帶的形式。例如，寫軌道層和存儲軌 道層均可具有在lnm和100nm之間的厚度。寫軌道層和存儲軌道層均可具有在10nm和500nm之間的寬度。 互連層可形成為單層結構或多層結構。互連層可由磁各向異性能量常數在104/1113和1031/1113之間的磁材料形成。 互連層的厚度可在10nm和100nm之間。 互連層可由NiFe和CoFe中的至少一種形成。所述堆疊可具有交替層疊的多個互連層和多個存儲軌道層，遠離寫軌道 層形成的存儲軌道層的長度大于靠近寫軌道層形成的存儲軌道層的長度。
通過參照附圖對本發明的示例性實施例進行詳細的描述，本發明的以上 和其它特征和優點將變得更清楚，在附圖中圖1A至圖1C是示出了使磁疇壁移動的原理的透視圖；圖2A是根據本發明實施例的釆用磁疇壁移動的存儲器裝置的透視圖；圖2B是圖2A中的存儲器裝置的側視圖；圖3A是根據本發明另一實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置的透視圖；圖3B是圖3A中的存儲器裝置的側視圖；圖4A至圖4H是示出了根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝 置中的數據寫入方法的透視圖；圖5A至圖5G是示出了根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置中的數據讀取方法的側視圖；圖6A至圖6E是示出了根據本發明實施例的采用^t疇壁移動的存儲器裝 置中數據讀取的原理的側視圖；圖7是根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置的設計的示例。
具體實施方式
現在，將參照附圖更充分地描述根據本發明的采用磁疇壁移動的存儲器 裝置，在附圖中示出了本發明的示例性實施例。在附圖中，為了清晰起見， 夸大了層的厚度和寬度。本發明提供了一種存儲器裝置，該存儲器裝置包括寫軌道，沿第一方 向形成；存儲軌道，沿第二方向形成；軟磁互連層，形成在寫軌道和存儲軌 道之間以及形成在存儲軌道之間。圖2A是根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置的透視圖。參照圖2A,存儲裝置包括形成有寫軌道的層(以下，稱作"寫軌道"21) ,沿第一方向設置；多個各形成有存儲軌道的層(以下，稱作"存儲軌道，，22) ，沿垂直于寫軌道21的第二方向設置；軟磁互連層23，形成在寫軌道21磁阻傳感器24形成在寫軌道21的底部上。可選4奪地， 一磁阻傳感器24可形成 在寫軌道21的頂部上。存儲軌道22和軟磁互連層23交替地堆疊在寫軌道 21上。形成在寫軌道21的相同區域上的互連層23和存儲軌道22的堆疊限 定了列結構。圖2A示出了沿寫軌道21的長度方向形成在寫軌道21上的IO個列，其 中，在堆疊的結構中， 一個列包含5個存儲軌道22。然而，寫軌道21上的 列的數量不限于此，包括在每列中的存儲軌道22的數量不限于此。圖2B是圖2A中的存儲器裝置的側視圖。參照圖2B，在寫軌道21上交 替地形成互連層23和存儲軌道22。在圖2B示出的實施例中，在堆疊中有5 個存儲軌道22,并且存儲軌道22形成為沿著向上的方向逐漸變長，即，形 成在堆疊中的較高部分(即，遠離寫軌道21 )的存儲軌道22比形成在堆疊 中的較低部分(即，靠近寫軌道21 )的存儲軌道22長。為了易于形成用于 將電流施加到每個存儲軌道22的端部上的電極(未示出)，可將存儲軌道22 形成為不同的長度。如果電極形成在存儲軌道22的側面，則對存儲軌道22 的長度沒有限制。在本發明中，存儲軌道22的長度可短于寫軌道21的長度。 原因在于根據磁疇的旋轉方向將存儲軌道22上的數據記錄為"0"或"1"。 為了讀取數據，使存儲軌道22的磁疇向寫軌道21移動，以通過磁阻傳感器 24被讀取。圖3A是根據本發明另一實施例的釆用磁疇壁移動的存儲器裝置的透視圖。參照圖3A，寫軌道21沿第一方向形成，多個存儲軌道22沿垂直于寫軌 道21的第二方向形成，互連層23形成在寫軌道21和最靠近寫軌道21的存 儲軌道22之間以及各存儲軌道22之間。磁阻傳感器24形成在寫軌道21的 底部上。可選#^也，》茲阻傳感器24可形成在寫4九道21的頂部上。與圖2A 示出的結構相似，存儲軌道22和互連層23交替地堆疊在寫軌道21上，并且 該堆疊沿著寫軌道21的長度方向(即，圖2A中的"x"方向)形成。在寫 軌道21的同一區域上的互連層23和存儲軌道22的堆疊限定了列結構。在圖 3A示出的實施例中，存儲軌道22和寫軌道21形成交叉結構，而圖2A示出 了存儲軌道22和寫軌道21形成正交結構的實施例。大量的交替的存儲軌道 22和互連層23的堆疊沿寫軌道21的長度方向形成。圖3B是圖3A的存儲器裝置的側視圖。參照圖3B,互連層23形成在寫 軌道21和一個最靠近寫軌道21的存儲軌道22之間以及各存儲軌道22之間。 與圖2B中示出的結構相同，存儲軌道22形成為沿著向上的方向逐漸變長。 為了易于形成用于將電流施加到每個存儲軌道22的末端(tip)的電極(未示 出)，存儲軌道22的長度不同。如果電極形成在存儲軌道22的側面，則對存 儲軌道22的長度沒有限制。在本發明中，存儲軌道22的長度可短于寫軌道 21的長度。以下，將對形成根據本發明實施例的存儲器裝置的各層的材料進行詳細 的描述。寫軌道21和存儲軌道22由具有高的磁各向異性能量特性的材料形成。 例如，它們可由磁各向異性常數為1()Sj/m3或更高的高Ku材料形成。在一個 實施例中，所述材料的磁各向異性常數在1()Sj/m3和lC^J/m3之間的范圍內。 具體地講，所述材料可為具有垂直磁特性的CoPt或FePt，或者可為包括CoPt 或FePt的合金。寫軌道21和存儲軌道22可形成為單層結構或多層結構。當 形成為多層結構時，第一層可由MgO、 B203、 Ag或C形成，第一層上的第 二層可由CoPt或FePt形成，之后將第一層和第二層交替地堆疊。寫軌道21 和存儲軌道22的寬度和厚度可以根據它們被使用的環境來調節，并且不過度 地限制。例如，寬度可以在10nm和500nm之間，厚度可為從lnm到100nm。互連層23可由低Ku材料形成，該低Ku材料的磁各向異性特性低于寫 軌道21和存儲軌道22的磁各向異性特性，并且互連層23可形成為單層結構 或多層結構。當互連層23由磁各向異性常數低于1(^J/m3的材料形成時，它 可由磁各向異性常數在10S/m3和1()Sj/m3之間的材料形成。這種材料的具體 示例包括NiFe和CoFe,但不限于此。對互連層23的厚度沒有具體的限制， 在一個實施例中，互連層23的厚度可在10nm和100nm之間。磁阻傳感器24可為在存儲器裝置(如HDD)中使用的傳統的巨磁阻 (GMR)傳感器或者穿隧磁阻(TMR)傳感器。以下，將描述根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置的操作 原理，即，數據寫入和讀取過程。圖4A至圖4H是示出了根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝 置中的數據寫入方法的透視圖。參照圖4A,沿寫軌道21的長度方向在寫軌道21上形成了與寫軌道21 交叉的存儲軌道22的兩個堆疊。互連層23形成在寫軌道21和一個最靠近寫 軌道21的存儲軌道22之間以及各存儲軌道22之間。在圖4A中，示出了兩 列，每列包括兩個存儲軌道22和兩個互連層23,且存儲軌道22和互連層23 各交替地形成在寫軌道21上。寫軌道21的兩端和存儲軌道22的端部具有形 成在其上用于對其施加電流的電極E。寫軌道21具有第一磁疇21a和第二磁 疇21b以及在第一》茲疇21a和第二磁疇21b之間的邊界處的磁疇壁W,其中， 第一磁疇21a和第二磁疇21b各具有相反的磁化。第一磁疇21a的磁化位于 向上的方向，第二磁疇21b的磁化位于向下的方向，或者反之亦然，從而分 別將數據表示為"0"和T。參照圖4B，從存儲軌道22中選擇將要在其上寫入數據的軌道。例如， 選擇存儲軌道22a，以下，該存儲軌道22a稱作第一數據存儲軌道22a。為了 使第一數據存儲軌道22a磁化以具有與第一磁疇21a的磁化方向相同的磁化 方向，寫軌道21的任意一端上的電極E1和E2被切換為ON。第一數據存儲 軌道22a的電極E3被設置為OFF。
參照圖4C,從電極El向電極E2供應電流，這樣電子沿從電極E2向電 極E1的方向流動，如箭頭所示。因此，第一磁疇21a和第二磁疇21b之間的 磁疇壁W根據電子從電極E2到電極E1的流動而移動。參照圖4D,對電極El和電極E2之間連續施加電壓直到第一磁疇21a 和第二-茲疇21b之間的》茲疇壁W穿過第一數據存儲軌道22a和寫軌道21之 間的互連層23a。 /磁疇壁W向第二-茲疇21b的移動導致第一^茲疇21a擴大， 以覆蓋寫軌道21的其上形成有互連層23a的區域。然后，互連層23a采用與 第 一磁疇21 a的；茲化方向相同的磁化方向。參照圖4E,電極El被設置為OFF,電極E2和E3被設置為ON。參照 圖4F,從電極E3向電極E2供應電流。電子從電極E2流向電極E3，因此， 第 一磁疇21 a穿過互連層23a，并向第 一數據存儲軌道22a擴大。接下來，將描述在第一數據存儲軌道22a上形成具有與寫軌道21的第二 磁疇21b的；茲化方向相同的磁化方向的磁疇的過程。參照圖4G，電極El和E2被設置為ON,從電極E2向電極El供應電 流。因此，電子從電極E1流向電極E2，如箭頭所示，寫軌道21的第一磁疇 21a和第二;茲疇21b之間的》茲疇壁W向電極E2移動。施加電壓直到第二不茲 疇21b擴大為覆蓋寫軌道21的其上形成有互連層23a的區域。這樣使得互連 層23a采用與第二f茲疇21b的》茲化方向相同的》茲化方向。參照圖4H,電極El和E3被設置為ON，電極E2被設置為OFF。從電 極E3向電極E1供應電流，從而電子從電極E1流向電極E3，寫軌道21的第 二磁疇21b穿過互連層23a并朝向第一數據存儲軌道22a延伸。結果，具有 與第二磁疇21b的磁化方向相同的磁化方向的磁疇形成在第一數據存儲軌道 22a上。可以使用上述方法在存儲軌道22的目標區域上形成具有預定磁化方向 的磁疇，這表示數據可以被存儲。圖5A至圖5G是示出了根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝 置中的數據讀取方法的側視圖。參照圖5A，存儲軌道22的堆疊形成在寫軌道21上的列中并沿著寫軌道 21的長度方向形成，以與寫軌道21交叉。互連層23形成在寫軌道21和一 個最靠近寫軌道21放置的存儲軌道22之間以及各存儲軌道22之間。磁阻傳 感器24形成在寫軌道21的底部上。圖5A示出了10個列，每個列包含5個
存儲軌道22。用于讀取;茲阻傳感器24的阻值的電極Sl形成在》茲阻傳感器24 上，用于對寫軌道21施加電流的電極S2和S3在磁阻傳感器24的兩側形成 在寫軌道21上。首先，選擇用于讀取數據的存儲軌道22。參照圖5A，當選擇在寫軌道 21右側上的第二存儲軌道22b時，從電極El向電極E2供應電流。磁化方向 相反的兩個》茲疇形成在寫軌道21上，從電極E1向電才及E2供應電流直到向 電極El移動的磁疇壁W穿過電極S2。使石茲疇壁W向電極El移動穿過電極 S2的原因在于保持在寫入過程中形成的在寫軌道21中具有相反-茲化方向的 磁疇。參照圖5B至5D,形成在第二存儲軌道22b的端部上的電極E4和電極 S2被設置為ON。然后在電極S2和電極E4之間施加電壓。當電流從電極S2 流向電極E4時，電子沿從電極E4到電極S2的方向流動。因此，第二存儲 軌道22b的磁疇穿過互連層23并向寫軌道21移動。由于沒有電流從寫軌道 21的電極El流向電極S2,所以位于電極El和S2之間的磁疇沒有發生變化。 因此，圖5A至圖5D中的寫軌道21的磁疇壁W的位置沒有發生變化。參照圖5E和圖5F，當第二存儲軌道22b的磁疇接近磁阻傳感器24時， 電極S2被切換為OFF,電極El被切換為ON。然后，從電極El向電極E4 供應電流。因此，電子從電極E4流向電極El ，電極El和E4之間的磁疇向 電極El移動。當；茲疇穿過磁阻傳感器24時，通過電極Sl讀取f茲阻傳感器 24基于磁疇的磁化方向的電阻變化，因此，可以從第二存儲軌道22b讀取數 據。最后，參照圖5G,通過施加電壓，使得電流從電極E4流向電極E1，磁 疇從寫軌道21向第二存儲軌道22b移動。另外，當圖5A至圖5F示出的過 程反過來時，恢復原始狀態，并完成讀取過程。圖6A至圖6E是示出了根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝 置中數據讀取的原理的視圖。在圖5A至圖5G中，示出了從位于寫軌道21 上的磁阻傳感器24的右邊的存儲軌道22讀取數據的過程。這里，將描述從 位于磁阻傳感器24的左邊的存儲軌道22讀取數據的過程。參照圖6A,為了讀取寫入在第三存儲軌道22c上的數據，所述第三存儲 軌道22c形成在寫軌道21上的磁阻傳感器24的左邊，電極El和電極E2被 設置為ON,并且從電極E2向電極E1供應電流。位于形成在寫軌道21上的
兩個磁化方向相反的》茲疇的邊界處的/F茲疇壁W向電極E2移動，并且供應電流直到磁疇壁W移動到電極S3的右邊。參照圖6B和圖6C，電極S3和形成在第三存儲軌道22c的端部上的電 極E5被設置為0N。然后，從電極S3向電極E5供應電流。當電流/人電極 S3流向電極E5時，電子從電極E5流向電極S3。因此，第三存儲軌道22c 的磁疇穿過互連層23,并向寫軌道21移動。由于沒有電流^v寫軌道21的電 極S3向電極E2流動，所以在電極S3和E2之間的》茲疇沒有發生變化，從而 寫軌道21的磁疇壁W的位置沒有發生變化。參照圖6D,當第三存儲軌道22c的磁疇到iiJ茲阻傳感器24的位置時， 電極S3被設置為OFF,電極E2被設置為ON。另外，沿從電極E2向電極 E5的方向供應電流。因此，電子沿從電極E5向電極E2的方向移動，并且電 極E5和電極E2之間的磁疇向電極E2移動。當第三存儲軌道22c的磁疇沿 磁阻傳感器24上方的寫軌道21移動時，通過電極Sl來檢測》茲阻傳感器24 基于磁疇的磁化方向的電阻的變化。最后，參照圖6E,通過施加電壓，使電流從電極E5流向電極E2,磁疇 從寫軌道21向第三存儲軌道22c移動。另外，當圖6A至圖6D中示出的過 程反過來時，磁疇可被恢復到它們的原始狀態。如上所述，根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置不具有在 數據的寫入、讀取和刪除的過程中物理移動的組件，僅僅是電流流動。具體 地講，與傳統的包含易于磨損或失效的磁頭的磁記錄系統不同，根據本發明 實施例的采用^t疇壁移動的存儲器裝置不使用易于磨損或失效的物理移動的 組件。圖7是根據本發明實施例的采用磁疇壁移動的存儲器裝置的設計的示 例。參照圖7,磁阻傳感器24形成在寫軌道21的中心部分，從而存儲軌道 沿寫軌道21的長度方向關于中心部分處的磁阻傳感器24對稱地布置。這種 結構僅僅是一個示例性設計，并且實施方式不限于此。如上所述，寫軌道21 上的列的位置、列的數量和形成在一列中的存儲軌道22的數量不受限制，并 且可以改變。本發明包括下面的優點。首先，當操作存儲器裝置時，與HDD中不同，組件不會機械地或物理地 移動或被接觸地放置，同時能夠執行數據的記錄和讀取。因此，不發生機械
磨損，使得裝置適于應用在移動裝置中。存儲器裝置可以被制造成能夠以兆兆比特/平方英寸(terabits/in2)的密度來存儲數據的小型高密度裝置。其次，產品的結構簡單，使得批量生產和再現可行。 雖然已經參照本發明的示例性實施例具體示出和描述了本發明，但是本領域 的普通技術人員應該理解，在不脫離如權利要求限定的本發明的精神和范圍 的情況下，可以對本發明做出各種形式和細節上的改變。例如，根據本發明 的存儲器裝置可以是這樣的存儲裝置，比如添加有讀/寫頭的半導體裝置(如 HDD)、還包括讀/寫電極的存儲器裝置(如RAM)或邏輯裝置(如果需要的 話)。因此，本發明的范圍不是由對本發明的詳細描述來限定的，而是由權利 要求限定的，在范圍內的所有差別將被理解為包括在本發明內。
權利要求
1、 一種存儲器裝置，包括寫軌道層，設置有;茲疇，每個》茲疇通過疇壁與相鄰疇分隔開； 互連層和存儲軌道層的堆疊，存儲軌道層設置有石茲疇，磁疇的每個通過 疇壁與相鄰疇分隔開，其中，寫軌道層和存儲軌道層均具有從互連層延伸的部分，所述部分不與互連層接觸，互連層和存儲軌道層的堆疊形成在寫軌道層上；其中，互連層由具有低于寫軌道層的磁各向異性能量常數和存儲軌道層 的磁各向異性能量常數的磁各向異性能量常數的磁材料形成；其中，通過施加磁場或電流，疇壁沿寫軌道層、互連層和/或存儲軌道層移動。
2、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，互連層和存儲軌道層交替 地層疊。
3、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，沿平行于、正交于或交叉 于設置寫軌道層的方向設置存儲軌道層。
4、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，寫軌道層和存儲軌道層均 形成為單層結構或多層結構。
5、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，存儲軌道層的長度短于寫 軌道層的長度。
6、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，寫軌道層和存儲軌道層均 由磁各向異性能量常數值在10"/1113和1(^J/m3之間的磁材料形成。
7、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，寫軌道層和存儲軌道層由 包含CoPt和FePt中的至少一種的材料形成。
8、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，寫軌道層和存儲軌道層均 具有在lnm和100nm之間的厚度。
9、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，寫軌道層和存儲軌道層均 具有在10nm和500nm之間的寬度。
10、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，互連層形成為單層結構 或多層結構。
11、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，互連層由磁各向異性能量常數在10勺/m3和1(^J/m3之間的磁材料形成。
12、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，互連層的厚度在10nm 和100nm之間。
13、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，互連層由MFe和CoFe 中的至少一種形成。
14、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，還包括形成在寫軌道層上的磁阻傳感器。
15、 根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述堆疊具有交替層疊 的多個互連層和多個存儲軌道層，遠離寫軌道層形成的存儲軌道層的長度大 于靠近寫軌道層形成的存儲軌道層的長度。
全文摘要
本發明提供了一種采用磁疇壁移動的存儲器裝置。該存儲器裝置包括寫軌道和列結構。寫軌道形成了具有預定的磁化方向的磁疇。列結構形成在寫軌道上并包括至少一個互連層和至少一個存儲軌道。
文檔編號H01L27/22GK101145571SQ20071015409
公開日2008年3月19日 申請日期2007年9月14日 優先權日2006年9月15日
發明者林志慶, 金恩植, 黃仁俊 申請人:三星電子株式會社