專利名稱：晶粒重新配置的封裝方法
技術領域：
本發明是有關于一種半導體的封裝方法，特別是有關于一種晶粒重新 配置的封裝方法。
背景技術：
半導體技術已經發展的相當迅速，因此微型化的半導體晶粒(Dice)必 須具有多樣化的功能的需求，使得半導體晶粒必須要在很小的區域中配置 更多的輸入/輸出墊(I/Opads)，因而使得金屬接腳(pins)的密度也快速的提高了。因此，早期的導線架封裝技術已經不適合高密度的金屬接腳；故發 展出一種球數組(Ball Grid Array: BGA)的封裝技術，球數組封裝除了有比 導線架封裝更高密度的優點外，其錫球也比較不容易損害與變形。隨著3C產品的流行，例如行動電話(Cell Phone)、個人數字助理 (PDA)或是iPOD等，都必須要將許多復雜的系統芯片放入一個非常小 的空間中，因此為解決此一問題， 一種稱為「晶片級封裝(wafer level package; WLP)」的封裝技術己經發展出來，其可以在切割晶片成為一顆 顆的晶粒之前，就先對晶片進行封裝。美國第5,323,051號專利即揭露了 這種「晶片級封裝」技術。然而，這種「晶片級封裝」技術隨著晶粒主動 面上的焊墊(pads)數目的增加，使得焊墊(pads)的間距過小，除了會導致訊 號耦合或訊讓干擾的問題外，也會因為焊墊間距過小而造成封裝的可靠度 降低等問題。因此，當晶粒再更進一步的縮小后，使得前述的封裝技術都 無法滿足。為解決此一問題，美國第7,196,408號專利已揭露了一種將完成半導 體工藝的晶片，經過測試及切割后，將測試結果為良好的晶粒(good die) 重新放置于另一個基板上，然后再進行封裝工藝，如此，使得這些被重新 放置的晶粒間具有較寬的間距，故可以將晶粒上的焊墊適當分配，例如使 用橫向延伸(fan out)技術，因此可以有效解決因間距過小，除了會導致 訊號耦合或訊讓干擾的問題。然而，為使半導體芯片能夠有較小及較薄的封裝結構，在進行晶片切 割前，會先對晶片進行薄化處理，例如以背磨(backside lapping)方式將 晶片薄化至2~20mil，然后再切割成一顆顆的晶粒。此一經過薄化處理的 晶粒，經過重新配置在另一基板上，再以注模方式將復數個晶粒形成一封 膠體；由于晶粒很薄，使得封膠體也是非常的薄，故當封膠體脫離基板之 后，封膠體本身的應力會使得封膠體產生翹曲，增加后續進行切割工藝的 困難。發明內容有鑒于背景技術中所述的封膠體翹曲的問題，本發明的目的是提供一 種晶粒重新配置的封裝方法，其可以有效地解決封膠體產生翹曲的問題。 為實現上述目的，本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括 提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數
個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一 配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面； 形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；及 脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。 本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面上的 該些焊墊與一配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面上的該些焊墊，以形成 一封裝體；形成復數個電性連接組件，將該些電性連接組件與該些焊墊電性連
接；及切割該封裝體，以形成復數個各自獨立的完成封裝的晶粒，其中每一該晶粒的5個面被該高分子材料所包覆。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面上的該些焊墊與一配置于該基板上的黏著層連接；覆蓋一模具裝置至該基板，以形成一空間；注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面上的該些焊墊，以形成一封裝體。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個凸出肋 (rib);貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附 于該黏著層上且該些晶粒間以該些凸出肋伺:隔；
形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出復數條渠道于該高分子材料表面上，以形成一封裝體。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個凸出肋(rib);貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附于該黏著層上且該些晶粒間以該些凸出肋間隔； 覆蓋一模具裝置至該基板，以形成一空間；注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間 并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出復數條渠道于 該高分子材料表面，以形成一封裝體。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊； ；…
貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一 配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒，其中該模具裝置上配置有復數個凸出肋(rib);脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并形成復數條渠道于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個第一凸出肋(rib);貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附于該點著層上且該些晶粒間以該些凸出肋間隔； 形成一高分子材料于該基板及部份該晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒，其中該模具裝置上配置 有復數個第二凸出肋(rib);脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的一第一表面，并形成復數條第一渠道于該曝露的一第一表面上；及 脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出該高分子材料 的一第二表面，以形成一封裝體，其中該第二表面上具有復數第二條渠道。 本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該復數個晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面 與一配置于該基板上的黏著層連接；覆蓋一模具裝置至該基板上，以形成一空間，其中該模具裝置上配置有復數個凸出肋(rib);注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并形成復數條渠道于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。 上述的封裝方法，其進一步于脫離該模具裝置之前，執行一烘烤步驟以固化該高分子材料。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法所形成的封裝體結構，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊 墊，貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一 配置于該基板上的黏著層連接，覆蓋一模具裝置至該基板上，以形成一空間，其中該模具裝置上配置有復數個凸出肋(rib);注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并 形成復數條渠道于該曝露的高分子材料表面上；脫離該基板，以曝露出每 一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體，此封裝體的特征在于 已曝露的每一該晶粒的該高分子材料的四個角均為鈍角。 本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，使封膠體本身可以克服應力 而會使得封膠體在脫離基板后，保持平整，可有效提高制造的良率及可靠 度。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，其可以將12吋晶片所切割 出來的晶粒重新配置于8吋晶片的基板上，如此可以有效運用8吋晶片的 即有的封裝設備，而無需重新設立12吋晶片的封裝設備，可以降低12吋 晶 片的封裝成本。本發明提供的晶粒重新配置的封裝方法，使得進行封裝的芯片都是 "己知是功能正常的芯片"(Known good die),可以節省封裝材料，故也 可以降低工藝的成本。
圖1是公知技術的示意圖；圖2A 2C是本發明的一實施例的剖視圖；圖3A 3C是本發明的另一實施例的剖視圖；圖4A 4C是系本發明的另一實施例的剖視圖；及圖5A、 5B是本發明的另一實施例的剖視圖。附圖中主要組件符號說明100基板110晶粒111悍墊115鈍角120金屬線130導電組件200黏著層210凸出肋220渠道楊高分子材料410切割道500模具裝置510凸出肋520渠道具體實施方式
本發明在此所探討的方向為一種晶粒重新配置的封裝方法，將復數個 晶粒重新配置于另一基板上，然后進行封裝的方法。為了能徹底地了解本 發明，將在下列描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地，本發明的施行 并未限定芯片堆棧方式的技術人員所熟悉的特殊細節。另一方面，眾所周 知的芯片形成方式以及芯片薄化等后段工藝的詳細步驟并未描述于細節 中，以避免造成本發明不必要的限制。然而，對于本發明的較佳實施例，
則會詳細描述如下，然而除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地施 行在其它的實施例中，且本發明的范圍不受限定，其以申請的權利范圍為 準。在現代的半導體封裝工藝中，均是將一個已經完成前段工藝(Front End Process)的晶片(wafer)先進行薄化處理(Thinning Process),例如 將芯片的厚度研磨至2~20 mil之間；然后，進行晶片的切割(sawing process)以形成一顆顆的晶粒110;然后，使用取放裝置(pick and place) 將一顆顆的晶粒逐一放置于另一個基板100上，如圖1所示。很明顯地， 基板100上的晶粒間隔區域比晶粒110大，因此，可以使得這些被重新放 置的晶粒110間具有較寬的間距，故可以將晶粒110上的焊墊適當分配。 此外，本實施例所使用的封裝方法，可以將12吋晶片所切割出來的晶粒 110重新配置于8吋晶片的基板上，如此可以有效運用8吋晶片即有的封 裝設備，而無需重新設立12吋晶片的封裝設備，可以降低12吋晶片的封 裝成本。然后要強調的是，本發明的實施例并未限定使用8吋晶片大小的 基板，其只要能提供承載的功能者，例如玻璃、石英、陶瓷、電路板或 金屬薄板(metal foil)等，均可作為本實施例的基板100，因此基板100 的形狀也未加以限制。接著，請參考圖2A，是本發明相對圖1的AA線段的剖面示意圖。 如圖2A所示，首先，在基板100上配置有一黏著層200，此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，例如硅橡膠(silicone rubber)、硅樹脂(silicone resin)、彈性PU、多孑L PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)或晶粒切割膠等。 接著7使用取放裝置(未顯示于圖中)將晶粒110逐一放置并貼附至基板100上的黏著層200，其中晶粒110是以覆晶(flip chip)方式將其主動面 上的焊墊Ul與基板上的黏著層200連接；接著，于基板100及部份晶粒 110上涂布高分子材料400，并且使用一模具裝置500將高分子材料400 壓平，使得高分子材料400形成一平坦化的表面并且使得高分子材料400 充滿于晶粒110之間并包覆每一晶粒110;此高分子材料400可以為硅膠、 環氧樹脂、丙烯酸(acrylic)、或苯環丁烯(BCB)等材料。接著，可以選擇性地對平坦化的高分子材料400進行一烘烤程序，以 使高分子材料400固化。再接著，進行脫模程序，將模具裝置500與固化 后的高分子材料400分離，以裸露出平坦化的高分子材料400的表面；然 后，使用切割刀(未顯示于圖中)在高分子材料400的表面上形成復數條 切割道410,如圖2B所示；每一切割道410的深度為0.5-1密爾(mil)， 而切割道410的寬度則為5至25微米。在一較佳得實施例中，此切割道 410可以是相互垂直交錯，并且可以作為實際切割晶粒時的參考線。最后，將高分子材料400與黏著層200分離，例如將高分子材料400 與基板100 —起放入去離子水的槽中，使高分子材料400與黏著層200分 離，形成一個封裝體；此封裝體包覆每一顆晶粒110，并且只曝露出每一 晶粒110的主動面上的焊墊111。由于封裝體的相對于晶粒110的主動面 的背面上有復數條切割道410，因此當高分子材料400與基板100剝離后， 封裝體上的應力會被這些切割道410所形成的區域所抵消，故可有效地解 決封裝體翹曲的問題。接著，如圖2C所示，在晶粒110的焊墊111上形成復數個延長的金 屬線120，每一金屬線120的一端與焊墊111電性連接，并且再于金屬線 120的另一端上形成復數個導電組件130后，例如錫球，即可進行最后 的晶粒切割，以完成封裝工藝。很明顯地，在本實施例中的每一顆晶粒110的5個面都被高分子材料400所包覆每一顆晶粒110，僅有晶粒no的主動面上的焊墊111曝露出來。在上述實施例中，形成平坦化的高分子材料400的方式可以選擇使用 注模方式(molding process)來形成。此時，將一模具裝置500覆蓋至基 板100上，并且使模具裝置500與晶粒110間保持一空間，因此可以將高 分子材料400，例如環氧樹脂模封材料(Epoxy Molding Compound; EMC)， 注入模具裝置500與晶粒110的空間中，使得高分子材料400形成一平坦 化的表面并且使得高分子材料400充滿于晶粒110之間并包覆每一晶粒 110。由于，使用注模方式來包覆每一晶粒110后，其制造過程與前述方 式相同，故不再贅述。接下來，請參考圖3A，是本發明的晶粒重新配置封裝方法的另一實 施例。如圖3A所示，在基板100上配置有一黏著層200，此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，同時，于黏著層200上再形成復數個凸出肋(ribs) 210。在一較佳實施例，此復數個凸出肋210是以相互垂直交錯的 方式形成；而此黏著層200可以是硅橡膠(silicone rubber)、硅樹脂(silicone resin)、彈性PU、多孔PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)或晶粒切割膠等 材料所形成；而凸出肋210則可以是硅橡膠(silicone rubber)、硅樹脂(silicone resin)、彈性PU、多孑L PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber)、polyimide 或晶粒切割膠等材料所形成。接著，使用取放裝置(未顯示于圖中)將晶 粒110逐一放置并貼附至基板100上的黏著層200以及凸出肋210之間，其中晶粒110是以覆晶(flip chip)方式將其主動面上的焊墊111與基板上 的黏著層200連接；接著，于基板100及部份晶粒110上涂布高分子材料400，并且使用一模具裝置500將高分子材料400壓平，使得高分子材料 400形成一平坦化的表面并且使得高分子材料400充滿于晶粒110之間并 包覆每一晶粒110;此高分子材料400可以為硅膠、環氧樹脂、丙烯酸 (acrylic)、或苯環丁烯(BCB)等材料。此外，高分子材料400也可以選擇使用注模方式(molding process) 來形成。同樣地，將模具裝置500覆蓋至基板100上，并且使模具裝置500 與晶粒110間保持一空間，因此可以將高分子材料400，例如環氧樹脂模 封材料(Epoxy Molding Compound; EMC)，注入模具裝置500與晶粒110 的空間中，使得高分子材料400形成一平坦化的表面并且使得高分子材料 400充滿于晶粒110之間并包覆每一晶粒110。接著，在完成高分子材料400的程序后，可以選擇性地對平坦化的高 分子材料400進行一烘烤程序，以使高分子材料400固化。再接著，進行 脫模程序，將模具裝置500與固化后的高分子材料400分離，以裸露出平 坦化的高分子材料400的表面，如圖3B所示。最后，將高分子材料400 與黏著層200分離，例如將高分子材料400與基板100 —起放入去離子水 的槽中，使高分子材料400與黏著層200分離，形成一個封裝體；此封裝 體包覆每一顆晶粒110，并且曝露出每一晶粒110的主動面上的焊墊111 以及復數條由肋210所形成的渠道220于高分子材料表面上，如圖3C所 示。由于封裝體的高分子材料400與基板IOO剝離后，封裝體上的應力會 被復數條渠道220所抵消，故可有效地解決封裝體翹曲的問題。同樣地，
可以在晶粒110的焊墊111上形成復數個延長的金屬線120，每一金屬線120的一端與焊墊111電性連接，并且再于金屬線120的另一端上形成復數個導電組件130后，例如錫球，即可進行最后的晶粒切割，以完成封裝工藝。很明顯地，在本實施例中的每一顆晶粒110的5個面都被高分子 材料400所包覆每一顆晶粒110，僅有晶粒110的主動面上的焊墊111曝 露出來。接下來，請參考圖4A，是本發明的晶粒重新配置封裝方法的再一實 施例。如圖4A所示，在基板100上配置有一黏著層200，此黏著層200 為一具有彈性的黏著材料，而此黏著層200可以是硅橡膠(silicone rubber)、 硅樹脂(silicone resin)、彈性PU、多孔PU、丙烯酸橡膠(acrylic rubber) 或晶粒切割膠等材料所形成。接著，使用取放裝置(未顯示于圖中)將晶 粒110逐一放置并貼附至基板100上的黏著層200以及凸出肋210之間， 其中晶粒110是以覆晶(flip chip)方式將其主動面上的焊墊111與基板上 的黏著層200連接；接著，于基板100及部份晶粒110上涂布高分子材料 400，并且使用一個具有復數個凸出肋510的模具裝置500將高分子材料 400壓平，使得高分子材料400充滿于晶粒110之間并包覆每一晶粒110; 此高分子材料400可以為硅膠、環氧樹脂、丙烯酸(acrylic)、或苯環丁烯 (BCB)等材料。此外，高分子材料400也可以選擇使用注模方式(molding process) 來形成，如圖4B所示。同樣地，將一個具有復數個凸出肋510的模具裝 置500覆蓋至基板100上，并且使具有復數個凸出肋510的模具裝置500 與—晶粒110間保持一空間，因此可以將高分子材料400，例如環氧樹脂模
封材料(Epoxy Molding Compound; EMC)，注入具有復數個凸出肋510的 模具裝置500與晶粒110的空間中，使得高分子材料400充滿于晶粒110 之間并包覆每一晶粒U0。接著，在完成高分子材料400的程序后，可以選擇性地對平坦化的高 分子材料400進行一烘烤程序，以使高分子材料400固化。再接著，進行 脫模程序，將具有復數個凸出肋510的模具裝置500與固化后的高分子材 料400分離，在高分子材料400的表面上裸露出復數條由肋510所形成的 渠道520。最后，將高分子材料400與黏著層200分離，例如將高分子材 料400與基板100 —起放入去離子水的槽中，使高分子材料400與黏著層 200分離，形成一個封裝體。此封裝體包覆每一顆晶粒110，并且曝露出 每一晶粒110的主動面上的焊墊111，而在晶粒110的主動的背面側的高 分子材料表面上則有復數條渠道520，如圖4C所示。由于封裝體的高分 子材料400與基板100剝離后，封裝體上的應力會被復數渠道520所抵消， 故可有效地解決封裝體翹曲的問題。同樣地，可以在晶粒110的焊墊111 上形成復數個延長的金屬線120，每一金屬線120的一端與焊墊111電性 連接，并且再于金屬線120的另一端上形成復數個導電組件130后，例如 錫球，即可進行最后的晶粒切割，以完成封裝工藝。很明顯地，在本實施 例中的每一顆晶粒110的5個面都被高分子材料400所包覆每一顆晶粒 110，僅有晶粒U0的主動面上的焊墊111曝露出來。在此要強調的是，在本實施例進行注模的過程中，使用具有復數個凸 出肋510的模具裝置500覆蓋至基板100上，因為當模流注入后「由于大 氣壓力的原因，會在凸出肋510的每一個封閉的角落上形成氣室，使得模
流無法注入，而形成近似圓弧形的鈍角115結構，如圖4C所示。接下來，請參考圖5A，是本發明的晶粒重新配置封裝方法的再一實施例。如圖5A所示，是將圖3A與圖4A的實施例合并使用，而其形成的 過程不再贅述。很明顯地，本實施例可以在高分子材料400的正面與背面 均形成復數條渠道220/520，故封裝體上的應力會被復數條渠道220/520 所抵消，故可有效地解決封裝體翹曲的問題。同樣地，可以在晶粒110的 焊墊111上形成復數個延長的金屬線120，每一金屬線120的一端與焊墊 111電性連接，并且再于金屬線120的另一端上形成復數個導電組件130 后，例如錫球，即可進行最后的晶粒切割，以完成封裝工藝。很明顯地， 在本實施例中的每一顆晶粒110的5個面都被高分子材料400所包覆每一 顆晶粒IIO，僅有晶粒110的主動面上的焊墊111曝露出來，如圖5B所示。在此要強調的是，在本實施例進行注模的過程中，使用具有復數個凸 出肋510的模具裝置500覆蓋至基板IOO上，因為當模流注入后，由于大 氣壓力的原因，會在凸出肋510的每一個封閉的角落上形成氣室，使得模 流無法注入，而形成近似圓弧形的頓角115結構。顯然地，依照上面實施例中的描述，本發明可能有許多的修正與差異。 因此需要在其附加的權利要求范圍內加以理解，除了上述詳細的描述外， 本發明還可以廣泛地在其它的實施例中施行。上述僅為本發明的較佳實施 例而已，并非用以限定本發明申請的權利要求范圍；凡其它未脫離本發明 所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在申請的權利要求范 圍內。
權利要求
1、一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。
2、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面上的 該些焊墊與一配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面上的該些焊墊，以形成 一封裝體；形成復數個電性連接組件，將該些電性連接組件與該些焊墊電性連接；及切割該封裝體，以形成復數個各自獨立的完成封裝的晶粒，其中每一 該晶粒的5個面被該高分子材料所包覆。
3、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面上的 該些焊墊與一配置于該基板上的黏著層連接；覆蓋一模具裝置至該基板，以形成一空間；注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面上的該些焊墊，以形成一封裝體。
4、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個凸出肋； 貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附 于該黏著層上且該些晶粒間以該些凸出肋間隔；形成一高分子材料于該基板及部份該些晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出復數條渠道于該高分子材料表面上，以形成一封裝體。
5、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個凸出肋； 貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附 于該黏著層上且該些晶粒間以該些凸出肋間隔； 覆蓋一模具裝置至該基板，以形成一空間；注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出復數條渠道于該高分子材料表面，以形成一封裝體。
6、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括 提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一配置于該基板上的黏著層連接；形成一高分子材料于該基板及部份該晶粒上；覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒，其中該模具裝置上配置 有復數個凸出肋；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并形成復數條渠道 于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。
7、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；提供一黏著層，固接于一基板上，該黏著層上配置有復數個第一凸出肋；貼附該些晶粒至該基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面貼附 于該黏著層上且該些晶粒間以該些凸出肋間隔；形成一高分子材料于該基板及部份該晶粒上； …覆蓋一模具裝置至該高分子材料上，以平坦化該高分子材料，使該高 分子材料充滿于該些晶粒之間并包覆每一該晶粒，其中該模具裝置上配置 有復數個第二凸出肋；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的一第一表面，并形成復數 條第一渠道于該曝露的一第一表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面及曝露出該高分子材料 的一第二表面，以形成一封裝體，其中該第二表面上具有復數第二條渠道。
8、 一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數 個焊墊；貼附該復數個晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一配置于該基板上的黏著層連接；覆蓋一模具裝置至該基板上，以形成一空間，其中該模具裝置上配置 有復數個凸出肋；注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間 并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并形成復數條渠道 于該曝露的高分子材料表面上；及脫離該基板，以曝露出每一該晶粒的該主動面，以形成一封裝體。
9、 根據權利要求1、 2、 3、 4、 5、 6、 7或8所述的封裝方法，其進 一步于脫離該模具裝置之前，執行一烘烤步驟以固化該高分子材料。
10、 一種晶粒重新配置的封裝方法所形成的封裝體結構，包括提供 復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊， 貼附該些晶粒至一基板上，每一該晶粒是以覆晶方式將該主動面與一配置 于該基板上的黏著層連接，覆蓋一模具裝置至該基板上，以形成一空間， 其中該模具裝置上配置有復數個凸出肋；及注入一高分子材料于該空間中，使該高分子材料充滿于該些晶粒之間 并包覆每一該晶粒；脫離該模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面，并 形成復數條渠道于該曝露的高分子材料表面上；脫離該基板，以曝露出每 -皿該晶粒的該主動面，以形成一封裝體，此封裝體的特征在于已曝露的每一該晶粒的該高分子材料的四個角均為鈍角。
全文摘要
一種晶粒重新配置的封裝方法，包括提供復數個晶粒，每一該晶粒具有一主動面且該主動面上配置有復數個焊墊；貼附復數個晶粒至一基板上，每一晶粒以覆晶方式將主動面與配置于基板上的黏著層連接；接著形成一高分子材料于基板及部份晶粒上；然后覆蓋模具裝置至高分子材料上，以平坦化高分子材料，使高分子材料充滿于每一顆晶粒之間并包覆每一顆晶粒；然后脫離模具裝置，以曝露出該高分子材料的表面；形成復數條切割道于曝露的高分子材料表面上；最后，脫離基板，以曝露出每一晶粒的主動面，以形成一封裝體。
文檔編號H01L21/60GK101399212SQ200710153248
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月29日 優先權日2007年9月29日
發明者屈子正, 沈更新, 陳煜仁 申請人:南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司