專利名稱：光耦合型半導體器件及其制造方法和電子器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光耦合型半導體器件，其設置有在其上分別分離地安裝 光發射元件和光接收元件的引線框架和密封光發射元件和光接收元件的樹 脂密封件，還涉及用于生產光耦合型半導體器件和在其上已安裝了光耦合型 半導體器件的電子器件的方法。
背景技術：
近來半導體器件(例如光耦合型半導體器件，其是具有雙模結構的半導 體器件)趨勢表明需要增加電流容量和縮小封裝尺寸。圖8為顯示具有雙模結構的傳統半導體器件的示意構造的透視側視圖。 圖9為示出圖8中所示的傳統半導體器件的一般生產步驟的流程圖。具有雙模結構的傳統半導體應用于例如光耦合型半導體器件。換句話說，圖8顯示了作為半導體器件的光耦合型半導體器件。同樣，圖9顯示了 圖8中所示的光耦合型半導體器件的生產步驟的流程圖。如圖9所示，通過進行管芯鍵合步驟、引線鍵合步驟、成型步驟和其它 步驟的工藝形成光耦合型半導體器件。首先，光發射元件101和光接收元件102分別管芯鍵合到分離的引線框 架(光發射側引線構架103和光接收側引線框架104 )(管芯鍵合步驟)， 和在用例如金線的引線(光發射側線105和光接收側線106)引線鍵合它們 中的每一個之后(引線鍵合步驟)，硅樹脂107作為預涂層應用于光發射元 件101 (預涂層步驟)。接著，設置光發射元件101和光接收元件102，使得它們光學地面對彼 此，采用點焊光發射側引線框架103和光接收側引線框架104 (焊接步驟) 的方法、采用將它們設置到裝載框架(未顯示)上的方法或采用另 一種方法。然后，通過進行用透明樹脂的初次成型而形成第一樹脂密封件108，使 得已被光學定位的光發射元件101和光接收元件102被封住(初次成型步 驟)。在去除初次成型中形成的樹脂毛刺之后，通過進行用光攔截樹脂的第 二次成型而形成第二樹脂密封件109,使得第一樹脂密封件108的外圍被覆 蓋(第二次成型步驟)。隨后，在光發射側引線框架103和光接收側引線框架104的外端部分 103T和104T上實行鍍覆處理(外部鍍覆處理)、桿切斷、引線彎曲(形成 步驟)和其它，并且，在進行了電性能檢查(測試步驟)和外觀檢查(外觀 檢查步驟)之后，實行封裝(封裝步驟)和運輸。上文所描述的半導體器件作為獨立的光耦合型半導體器件已限制了散 熱性能。例如，當封裝尺寸縮小同時保持常規電流容量時、或當電流容量增 大同時保持常規封裝尺寸時，光耦合型半導體器件中的溫度過度升高，且引 起光發射元件101或光接收元件102的退化，其有時導致擊穿。因此，在傳統半導體器件中，當電流容量超過特定水平時，需要通過增 加封裝體的尺寸、在第二樹脂密封件109的外部安裝散熱件或采用另一種方 法而提高散熱性能。例如，在JPH7-130934A (在下文稱為"專利文件1" ) 、 JPH9-213865A (在下文稱為"專利文件2")和JPH7-235689A(在下文稱為"專利文件3") 中，已經公開了通過安裝散熱器等到半導體器件上而提高散熱性能的技術。在專利文件1中公開的半導體器件中，陶瓷基板與引線框架連接，在陶 瓷基板中在用于安裝半導體元件的焊盤部分的背面上形成凹凸，和半導體元 件安裝在陶瓷基板的焊盤部分上。換句話說，通過在已安裝了具有良好熱導 性的陶瓷基板的引線框架上安裝半導體元件，提高散熱性能，并且通過提供 具有凹凸的陶瓷基板來增加表面積而進一 步提高散熱性能。在專利文件2中公開的半導體器件具有一種結構，其包括引線框架，其 設置有用于安裝半導體元件的片、和用于支撐該片的片懸掛引腳、以及連接 到片懸掛引腳的的散熱件，該散熱件用于將半導體元件產生的熱消散到外 部。換句話說，通過采用安裝到片懸掛引腳的散熱件將半導體元件產生的熱 消散到外部而提高散熱性能。在專利文件3中公開的半導體器件是具有雙模結構的光耦合型半導體器 件，并具有一種結構，其中第二側引線框架具有光發射元件、光接收元件和 安裝在其上的功率控制半導體元件，并且第一側引線框架設置有反射部分和 散熱部分。換句話說，由功率控制半導體元件產生的熱經過用光攔截樹脂形 成的第二樹脂密封件而消散到外部。
然而，在上文提到的專利文件1和專利文件2中公開的半導體器件與雙 模結構不相關并且它們很難應用到光耦合型半導體器件中。例如，如果通過 簡單地應用專利文件2中公開的技術，將散熱件安裝在引線框架的片懸掛引 腳上，則光發射元件和光接收元件經過散熱件彼此連接，導致光發射元件和 光接收元件之間的短路。作為該問題的解決方案，在安裝有散熱件的部分中夾置絕緣樹脂等的方 法是可以想到的，但是在這種情況下，不能滿足空氣清潔、絕緣的漏電距離 和其它由公共團體規定的標準，例如日本電氣設備和材料安全法以及海外安 全標準。換句話說，在不損害安全的情況下，難于在確保絕緣的狀態下通過 安裝散熱件而提高散熱性能。同樣，在專利文件3公開的光耦合型半導體器件中，因為需要設置反射 部分以對應于光發射元件和光接收元件，和需要設置光消散部分以對應于功 率控制半導體元件，所以難于定位光發射元件、光接收元件和功率控制半導如上文所述，光耦合型半導體器件存在的問題在于，即它們的尺寸不能 被縮小，因為難于安裝散熱部分且因此限制了它們的散熱性能。換句話說， 當需要確保散熱性能時，難于縮小光耦合型半導體器件的尺寸。發明內容本發明是考慮到上文所述的情況而得到的，且它的目的是提供一種具有 良好散熱性能的小尺寸光耦合型半導體器件， 一種用于生產光耦合型半導體 器件的方法和一種在其上已安裝了光耦合型半導體器件的電子器件。依照本發明的光耦合型半導體器件是一種光耦合型半導體器件，其設置 有在其上已經分別分離地安裝光發射元件和光接收元件的引線框架、和密封 光發射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中在引線框架上形成多個凸起部 分。這種構造增加了引線框架的表面積，且能夠提高光耦合型半導體器件的 散熱性能。換句話說，由于減輕了通電時的熱生成，當保持相同的電流容量 時，在不損害安全的情況下能夠得到比傳統光耦合型半導體器件更小的光耦 合型半導體器件。同樣，當保持相同的樹脂密封件尺寸時，在不損害安全的情況下能夠得到具有比傳統光耦合型半導體器件的電流容量更大的電流容
量的光耦合型半導體器件。此外，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，可以在從樹脂密封件的 側面引出的引線框架的引出部分上形成凸起部分。這種構造可以在安裝基板時用凸起部分臨時固定到安裝基板。同樣，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，凸起部分可形成在相對 安裝面的面上，在該安裝面上已經安裝了已被樹脂密封件密封的引線框架的 頭部部分的光發射元件或光接收元件。當凸起部分只形成在頭部部分上時由于凸起部分只存在于樹脂密封件同樣，由于當凸起部分形成在頭部部分和引出部分上時引線框架的表面 積增大，能夠進一步提高光耦合型半導體器件的散熱性能。換句話說，由于 進一步減輕通電時的熱產生，在不損害安全的情況下確實能夠得到具有比傳 統光耦合型半導體器件的電流容量更大的電流容量的小尺寸光耦合型半導 體器件。同樣，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，可以采用一種構造，其 中樹脂密封件由覆蓋光發射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外圍的第二樹脂密封件組成，并且凸起部分的底面與第 一樹 脂密封件的外圍面接觸。由于這種構造縮短了凸起部分的頂面與第二樹脂密封件的外圍面之間 的距離，進一步提高了散熱性能。同樣，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，可以采用一種構造，其 中樹脂密封件由覆蓋光發射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外圍的第二樹脂密封件組成，并且頭部部分的安裝面與第一 樹脂密封件的外圍面接觸。由于這種構造進一 步縮短了凸起部分的頂面與第二樹脂密封件的外圍 面之間的距離，進一步提高了散熱性能。同樣，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，凸起部分的頂面可以與 第二樹脂密封件的外圍面接觸。由于在這種構造中凸起部分的頂面暴露于第二樹脂密封件的外部，進一 步提高了散熱性能。同樣，在依照本發明的光耦合型半導體器件中，凸起部分的頂面可以從 第二樹脂密封件的外圍面突出。由于在這種構造中凸起部分的頂面暴露到第二樹脂密封件的外部，進一 步提高了散熱性能。同樣，依照本發明的光耦合型半導體器件的生產方法是這樣一種生產方 法，其包括分別安裝光發射元件和光接收元件到分離的引線框架上的步驟和 用樹脂密封光發射元件和光接收元件的步驟，這種光耦合型半導體器件的生 產方法設置有在引線框架上形成多個凸起部分的步驟。這種構造增大引線框架的表面積，且使得可以容易地以普通方法生產出 具有良好散熱性能的光耦合型半導體器件。也就是說，由于能夠生產在通電 時減輕熱產生的光耦合型半導體器件，所以可以生產具有比傳統光耦合型半 導體器件的電流容量大的電流容量的小尺寸光耦合型半導體器件。同樣，本發明提供一種電子器件，在其上已經安裝了一種本發明的光耦 合型半導體器件。這種構造可以在不損害安全的情況下實現電子器件的尺寸縮小。
圖1為顯示依照本發明實施例1的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。圖2為顯示依照本發明實施例2的光耦合型半導體器件的示意構造的透視側視圖。圖3為顯示依照本發明實施例3的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。圖4為顯示依照本發明實施例4的光耦合型半導體器件的示意構造的透 -f見側視圖。圖5為顯示依照本發明實施例5的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。圖6為顯示依照本發明實施例6的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。圖7為顯示依照本發明實施例7的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。圖8為顯示依照傳統的半導體器件的示意構造的透視側視圖。
圖9為示出傳統半導體器件的一般生產步驟的流程圖。具體實行方式在下文中，將參考附圖描述本發明的實施例。 <實施例1>圖1為顯示依照本發明實施例1的光耦合型半導體器件的示意構造的透視側視圖。光發射元件1和光接收元件2分別安裝到分離的引線框架(光發射側引 線框架3和光接收側引線框架4 )的頭部部分(光發射側3H和光接收側 4H )。光發射元件1和光接收元件2采用例如金線的引線(光發射側線5和 光接收側線6)進行引線鍵合。同樣，硅樹脂7作為預涂層涂布于光發射元 件1。設置光發射元件1和光接收元件2使得它們光學地面對彼此，且采用樹 脂密封件(第一樹脂密封件8和第二樹脂密封件9)密封元件(光發射元件 l和光接收元件2)。更具體地，光發射元件l、光接收元件2以及引線框架 3和4的頭部部分3H和4H的整體都采用透明樹脂形成的第一樹脂密封件8 進行密封，此外用由光攔截樹脂形成的第二樹脂密封件9整體涂布第一樹脂 密封件8的外圍面8L。從第二樹脂密封件9的側面引出的引線框架3和4的引出部分(光發射 側3T和光接收側4T)具有多個形成在其上的凸起部分(光發射側31 和光接收側41)。換句話說，采用了一種結構，其中可通過形成多個凸起 部分31和41增大引線框架3和4的表面積而提高散熱性能。因此，減輕了通電時的熱量產生且由于能夠縮小封裝尺寸，或當保持同 樣的封裝尺寸時能夠增大電流容量，所以可以得到具有比傳統光耦合型半導 體器件的電流容量大的小尺寸光耦合型半導體器件。同樣，凸起部分31和41形成在引出部分3T和4T上^^而具有一種結構， 其使得可以在安裝基板上進行安裝時用凸起部分31和41臨時固定。此外，以與傳統光耦合型半導體器件的生產步驟幾乎相同的生產步驟 (見圖9)生產依照此實施例的光耦合型半導體器件。換句話說，通過進行 分別安裝光發射元件1和光接收元件2到分離的引線框架上(光發射側引線 框架3和光接收側引線框架4 )的步驟(管芯鍵合步驟和引線鍵合步驟)、用 樹脂密封光發射元件和光接收元件的步驟(初次成型步驟和第二次成型步 驟)以及其它步驟而形成依照此實施例的光耦合型半導體器件。然而，在依照此實施例的光耦合型半導體器件的生產方法中，提供了在 引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框架4)上形成多個凸起部分(光發射側31和光接收側41)的步驟，和由此能夠生產出具有良好散 熱性能的光耦合型半導體器件。如果先于管芯鍵合步驟進行了在引線鍵合3和4上形成凸起部分31和 41的步驟，與傳統生產方法相似的生產方法能夠應用到管芯鍵合步驟種和此 后的步驟中以有利于生產。<實施例2〉圖2為顯示依照本發明實施例2的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。由于依照此實施例的克耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1的 光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與依照實施例1的光耦合型半 導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31 和光接收側41)形成在相對安裝面(光發射側3F和光接收側4F)的 面上，在該安裝面上安裝引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的頭部部分(光發射側3H和光接收側4H)的光發射元件1或光 接收元件2。換句話說，凸起部分31和41能通過增大引線框架3和4的表面積提高 散熱，它們不形成在引出部分(光發射側3T和光接收側4T)上而形成 在將包封在樹脂密封件中(第一樹脂密封件8)的頭部部分3H和4H上，使 得能夠采用與傳統技術相似的方法實行基板安裝。<實施例3>圖3為顯示依照本發明實施例3的光耦合型半導體器件的示意構造的透視側視圖。由于依照此實施例的光耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1和 2的光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與依照實施例1和2的光 耦合型半導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31
和光接收側41 )形成在引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的引出部分(光發射側3T和光接收側4T)上和頭部部分上(光發 射側3H和光接收側4H )。頭部部分3H和4H的凸起部分31和41形成 在相對安裝面(光發射側3F和光接收側4F)的面上，在該安裝面上安 裝光發射元件1或光接收元件2。換句話說，由于凸起部分31和41形成在頭部部分3H和4H上和引出 部分3T和4T上，引線框架3和4的表面積比相同封裝尺寸的依照實施例1 和2的光耦合型半導體器件的大，且散熱性能進一步得到提高。因此，進一步減輕通電時的熱產生，并且由于封裝尺寸能進一步縮小， 或當保持相同封裝尺寸時電流容量能進一步增大，所以可以得到具有比傳統 光耦合型半導體器件的電流容量大的小尺寸光耦合型半導體器件。<實施例4>圖4為顯示依照本發明實施例4的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。由于依照此實施例的光耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1至 3的光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與^^照實施例1至3的光 耦合型半導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31 和光接收側41)形成在引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的頭部部分(光發射側3H和光接收側4H)上，與依照實施例2 的光耦合型半導體器件相似(見圖2)。換句話說，凸起部分31和41形成在 相對安裝面(光發射側:3F和光接收側4F)的面上，在該安裝面上安裝 光發射元件1或光接收元件2。然而，與依照實施例2的光耦合型半導體器件不同的是，凸起部分31 和41的底面(光發射側31B和光接收側41B )與第一樹脂密封件8的外 圍面8L相接觸，使得凸起31和41包封在第二樹脂密封件9中。凸起部分 31和41的底面31B和41B是不具有形成在其上的凸起部分31或41的部分 并且是與引線框架3和4的外圍面相匹配的部分。換句話說，與相同封裝尺寸的依照實施例2的光耦合型半導體器件相比 較，在凸起部分31和41 (光發射側31T和光接收側41T)的頂面與第二 樹脂密封件9的外圍面9L之間的距離更短了 ，并且此結構有利于通電時產
生的熱消散到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此實施例的光耦合 型半導體器件具有比相同封裝尺寸的依照實施例2的光耦合型半導體器件更好的散熱性能。與依照實施例3的光耦合型半導體器件(見圖3)相似，通過在引線框 架3和4的引出部分3T和4T上設置凸起部分31和41同樣可進一步提高散 熱性能。<實施例5>圖5為顯示依照本發明實施例5的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。由于依照此實施例的光耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1至 4的光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與依照實施例1至4的光 耦合型半導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31 和光接收側41)形成在引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的頭部部分(光發射側3H和光接收側4H)上，與依照實施例2 和4的光耦合型半導體器件相似(見圖2和4 )。換句話說，凸起部分31和 41形成在相對安裝面(光發射側3F和光接收側4F)的面上，在該安裝 面上安裝光發射元件1或光接收元件2。然而，與依照實施例2和4不同的是，頭部部分3H和4H的安裝面3F 和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸，且頭部部分3H和4H包封 在第二樹脂密封件9中。換句話說，與相同封裝尺寸的依照實施例4的光耦合型半導體器件相比 較，在凸起部分31和41的頂面31T和41T與第二樹脂密封件9的外圍面 9L之間的距離還是更短了，并且此結構進一步有利于通電時產生的熱消散 到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此實施例的光耦合型半導體器 件仍具有比相同封裝尺寸的依照實施例4的光耦合型半導體器件更好的散熱 性能。與依照實施例3的光耦合型半導體器件(見圖3)相似，通過在引線框 架3和4的引出部分3T和4T上設置凸起部分31和41同樣可進一步提高散熱性能。<實施例6〉
圖6為顯示依照本發明實施例6的光耦合型半導體器件的示意構造的透 視側視圖。由于依照此實施例的光耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1至5的光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與依照實施例1至5的光 耦合型半導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31 和光接收側41 )形成在引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的頭部部分(光發射側3H和光接收側4H)上，與依照實施例2、 4和5的光耦合型半導體器件相似(見圖2、 4和5 )。換句話說，凸起部分 31和41形成在相對安裝面(光發射側3F和光接收側4F )的面上，在該 安裝面上安裝光發射元件1或光接收元件2。同樣，與依照實施例5的光耦合型半導體器件(見圖5)相似，頭部部 分3H和4H的安裝面3F和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸。此外，依照此實施例，凸起部分31和41的頂面(光發射側31T和光 接收側41T)與第二樹脂密封件9的外圍面9L相接觸。換句話說，依照此 實施例的光耦合型半導體器件具有一種結構，其中凸起部分31和41的頂面 31T和41T暴露到第二樹脂密封件9的外部，并且與相同封裝尺寸的依照實 施例5的光耦合型半導體器件相比較，此結構進一步有利于通電時產生的熱 消散到第二樹脂密封件9的外部。換句話說，依照此實施例的光耦合型半導 體器件仍具有比相同封裝尺寸的依照實施例5的光耦合型半導體器件更好的 散熱性能。如上所述，依照此實施例的光耦合型半導體器件具有一種結構，其中頭 部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第 一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸， 但是由于凸起部分31和41的頂面31T和41T暴露到第二樹脂密封件9的外 部，所以甚至在具有與依照實施例4的光耦合型半導體器件(見圖4)相似 的結構的光耦合型半導體器件中(在這種結構中凸起部分31和41的底面31B 和41B與第一樹脂密封件8的外圍面8L接觸且此外凸起部分31和41的頂 面31T和41T與第二樹脂密封件9的外圍面9L接觸)，也能夠得到與依照 此實施例的光耦合型半導體器件的效果相似的效果。同樣，與依照實施例3的光耦合型半導體器件(見圖3)相似，通過在 虧1線框架3和4的引出部分3T和4T上設置凸起部分31和41同樣可進一步 提高散熱性能。 <實施例7>圖7為顯示依照本發明實施例7的光耦合型半導體器件的示意構造的透 一見側浮見圖。由于依照此實施例的光耦合型半導體器件的基本構造與依照實施例1至 6的光耦合型半導體器件的構造相似，下文將描述與依照實施例1至6的光 耦合型半導體器件的不同點。在依照此實施例的光耦合型半導體器件中，凸起部分(光發射側31 和光接收側41 )形成在引線框架(光發射側引線框架3和光接收側引線框 架4)的頭部部分(光發射側3H和光接收側4H)上，與依照實施例2、 4至6的光耦合型半導體器件相似(見圖2、 4至6)。換句話說，凸起部分 31和41形成在相對安裝面(光發射側3F和光接收側4F )的面上，在該 安裝面上安裝光發射元件1或光"l妄收元件2。同樣，與依照實施例5和6的光耦合型半導體器件(見圖5和6 )相似， 頭部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接 觸。此外，凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9的外圍 面9L突出。換句話說，依照此實施例的光耦合型半導體器件具有一種結構， 其中凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9突出，并且與 相同封裝尺寸的依照實施例6的光耦合型半導體器件相比較，此結構進一步 有利于通電時產生的熱消散到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此 實施例的光耦合型半導體器件仍具有比相同封裝尺寸的依照實施例6的光耦 合型半導體器件更好的散熱性能。如上所述，依照此實施例的光耦合型半導體器件具有一種結構，其中頭 部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第 一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸， 但是由于凸起部分(光發射側31和光接收側41 )的頂面31T和41T從 第二樹脂密封件9突出，所以甚至在具有與依照實施例4的光耦合型半導體 器件(見圖4)相似的結構的光耦合型半導體器件中(在這種結構中凸起部 分31和41的底面31B和41B與第 一樹脂密封件8的外圍面8L接觸且此外 凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9的外圍面9L突出)， 也能夠得到與依照此實施例的光耦合型半導體器件的效果相似的效果。
同樣，與依照實施例3的光耦合型半導體器件(見圖3)相似，通過在可1線框架3和4的引出部分3T和4T上設置凸起部分31和41同樣可進一步 提高散熱性能。 <實施例8>依照此實施例的電子器件(未顯示)是在其上安裝了依照實施例1至7 中任意之一的光耦合型半導體器件的電子器件。由于電子器件具有安裝在其 上散熱性能良好的小尺寸光耦合型半導體器件，所以可以得到高安全性的'J、尺寸電子器件。如果應用在那些需要增大電流容量的電子器件中，例如電源設備、辦公 自動化設備、家用電器和工廠自動化設備，或當電子器件需要縮小尺寸同時 保持電流容量時，能夠獲得很大的效果。在不背離本發明的精神或本質特征的情況下本發明可以包含各種其它的形式。本申請中公開的實施例在所有方面被認為是說明性的而非限制性 的。本發明的范圍是由所附的權利要求而不是由前述的描述所闡述的，并且 在權利要求的等同物的意義和范圍內產生的所有修改或變化都旨在包括在其中。本申請要求于2006年10月16日在日本提交的專利申請第2006-281552號的優先權，其所有內容以引用的方式引入于此。
權利要求
1.一種光耦合型半導體器件，包括在其上已經分別分離地安裝光發射元件和光接收元件的引線框架和密封所述光發射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中多個凸起部分形成在所述引線框架上。
2. 根據權利要求1的光耦合型半導體器件，其中所述凸起部分形成在從 所述樹脂密封件的側面引出的所述引線框架的引出部分上。
3. 根據權利要求1的光耦合型半導體器件，其中所述凸起部分可形成在 相對安裝面的面上，在所述安裝面上已經安裝了已被所述樹脂密封件密封的 所述引線框架的頭部部分的所述光發射元件或光接收元件。
4. 根據權利要求3的光耦合型半導體器件，其中樹所述脂密封件包括覆 蓋所述光發射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件 的外圍的第二樹脂密封件，和其中所述凸起部分的底面與第一樹脂密封件的所述外圍面接觸。
5. 根據權利要求3的光耦合型半導體器件，其中樹脂密封件包括覆蓋所 述光發射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外 圍的第二樹脂密封件，和其中所述頭部部分的所述安裝面與第一樹脂密封件的所述外圍面接觸。
6. 根據權利要求4或5的光耦合型半導體器件，其中所述凸起部分的頂 面與第二樹脂密封件的所述外圍面接觸。
7. 根據權利要求4或5的光耦合型半導體器件，其中所述凸起部分的頂 面從第二樹脂密封件的所述外圍面突出。
8. —種光耦合型半導體器件的生產方法，包括分別安裝光發射元件和光 接收元件到分離的引線框架上的步驟和用樹脂密封所述光發射元件和光接 收元件的步驟，所述光耦合型半導體器件的生產方法包括在所述引線框架上形成多個 凸起部分的步驟。
9. 一種電子器件，在其上已經安裝了根據權利要求1至7中任意之一的 光耦合型半導體器件。
全文摘要
本發明公開了一種光耦合型半導體器件及其制造方法和包括其的電子器件。該光耦合型半導體器件包括在其上已經分別分離地安裝光發射元件和光接收元件的引線框架和密封所述光發射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中多個凸起部分形成在所述引線框架上。這種構造增加了引線框架的表面積，且能夠提高光耦合型半導體器件的散熱性能。
文檔編號H01L31/12GK101165926SQ20071015248
公開日2008年4月23日 申請日期2007年10月15日 優先權日2006年10月16日
發明者佐田尚記 申請人:夏普株式會社