具改良式電極結構的發光元件的制作方法

專利名稱：具改良式電極結構的發光元件的制作方法
技術領域：
本發明是關于一種發光元件；特別是有關于一種具改良式電極結構的發 光元件，通過其改良式電極結構可提升電流分布(cmrentspreading)特性，以增 加該發光元件的發光效率及發光亮度。
背景技術：
'發光二極管是現今重要的固態發光元件之一，其將電流轉換為光。發光 二極管主要包含一發光層介于一 P型半導體層與一N型半導體層之間。驅動 電流是施予在分別電氣連接于該P型半導體層與該N型半導體層的一 P型電 氣接觸與一 N型電氣接觸，藉以使得該P型半導體層與該N型半導體層分別 射出電洞及電子至該發光層，而電洞與電子在該發光層結合后放光從該發光 層四面八方發出，并經該發光二極管表面離開。增加發光二極管尺寸大小及 其發光面積是提高該發光二極管發光效率及發光亮度的作法。但是以傳統氮 化物發光二極管而言，由于考慮電流無法從電氣接觸有效地勻均分布至該發 光層，使得該氮化物發光二極管大小的制作受到限制。例如，P型氮化物半導 體層具有相對較低的導電性，使得施予在P型電氣接觸的電流將僅會分布至 位于該P型電氣接觸下方該P型氮化物半導體層的有限面積內，而電流不會 側向分布至整個P型氮化物半導體層，并且該發光二極管會因此產生局部發 熱，使得電氣接觸周圍元件材質提早劣化。至于N型氮化物半導體層雖然具 有較佳的導電性，但其對于電流側向分布仍具有一些電阻性。隨著發光二極 管元件尺寸大小的增加，從N型電氣接觸均勻分布電流至該N型氮化物半導 體層的能力會逐漸降低。因此，傳統氮化物發光二極管大小的制作會受限于該P型氮化物半導體層與該N型氮化物半導體層的電流側向分布特性的影響。 據此，如何改善傳統發光二極管元件的電流側向分布能力，以提高傳統 發光二極管元件的發光效率及發光亮度，是現今發光二極管產業的一重要課 題。發明內容本發明的目的是提供一種具改良式電極結構的發光元件，通過該改良式電極結構的設計可提高該發光元件的P型半導體層及N型半導體層的電流分 布特性，以增加該發光元件的輸出功率及光通量，進而提高其發光強度。本發明提供的具改良式電極結構的發光元件，包括一具第一導電性電極 圖案于一具第一導電性半導體層上及一具第二導電性電極圖案于一具第二導 電性半導體層部份曝露面積上。該具第一導電性電極圖案包含至少一個第一 次電極圖案，該具第二導電性電極圖案包含至少一個第二次電極圖案。該至 少一第一次電極圖案是從相對于一該第二次電極圖案的一部份呈封閉形狀部 份延伸至被該第二次電極圖案的另一部份包圍而呈被封閉形狀部份，并且該 具第一導電性電極圖案每一部份與該具第二導電性電極圖案對應部份之間的 距離大致上相同，進而促進該具第一導電性半導體層與該具第二導電性半導 體層的電流分布特性。再者，本發明該具第一導電性電極圖案及該具第二導 電性電極圖案的次電極圖案設計可在幾何形狀上不具有任何尖銳曲度(sharp curvature),因此可避免發光元件在電極的尖銳曲度部份附近產生高電場點 (high field point),進一步可提高本發明發光元件的發光均勻度。本發明改良式電極結構的設計適合于一般標準大小的發光元件制作或較 大發光元件的制作。在本發明一具體實施例中，該發光元件包括一具第一導電性半導體層、一具第二導電性半導體層、 一發光層介于該具第一導電性半導體層及該具第 二導電性半導體層之間、 一基底位于該具第二導電性半導體層下方、 一具第一導電性電極圖案形成于該具第一導電性半導體層上方，及一具第二導電性 電極圖案形成于該具第二導電性半導體層的部份曝露面積上。該具第一導電 性電極圖案包含至少一個第一次電極圖案，及該具第二導電性電極圖案包含 至少一個第二次電極圖案。該具第一導電性電極圖案的至少一該第一次電極 圖案是從相對于一該第二次電極圖案的一部份呈封閉形狀部份延伸至被該第 二次電極圖案的另一部份包圍而呈被封閉形狀部份，并且該具第一導電性電 極圖案每一部份與該具第二導電性電極圖案對應部份之間的距離大致上相 同。除了提升發光元件電流分布特性外，本發明為增加發光層面積，進一步 在另一具體實施例中提供一種具改良式電極結構的發光元件，其包括 一具 第一導電性半導體層； 一發光層形成于該具第一導電性半導體層下方； 一具第二導電性半導體層形成于該發光層下方； 一基底，位于該具第二導電性半導體層下方； 一具第一導電性電極圖案，形成于該具第一導電性半導體層上 方并與其電性接觸，該具第一導電性電極圖案包含至少一個第一次電極圖案； 一具第二導電性電極圖案，形成于該具第一導電性半導體層上方，該具第二 導電性電極圖案包含至少一個第二次電極圖案，該具第二導電性電極圖案具 有復數個通孔分布于其下方朝下延伸至該具第二導龜性半導體層，其中該具 第一導電性電極圖案的至少一該第一次電極圖案是從相對于一該第二次電極 圖案的一部份呈封閉形狀部份延伸至被該第二次電極圖案的另一部份包圍而 呈被封閉形狀部份；及復數個具第二導電性接觸形成于所述的通孔中，且每 一該具第二導電性接觸僅電性連接該具第二導電性電極圖案與該具第二導電 性半導體層。在此一具體實施例中，該發光元件僅有對應所述的通孔的部份該具第一 導電性半導體層與部份該發光層被刻蝕至該具第二導電性半導體層，故可使 該發光元件的發光面積進一步增加，而進一步提高發光強度。


圖1為本發明具改良式電極結構的發光元件的第一具體實施例的立體示 意圖；圖2為本發明具改良式電極結構的發光元件的第一具體實施例的平視示 意圖；圖3為本發明具改良式電極結構的發光元件的第二具體實施例的立體示 意圖；圖4為本發明具改良式電極結構的發光元件的第二具體實施例的平視示 意圖；圖5為本發明具改良式電極結構的發光元件的第三具體實施例的立體示 意圖；圖6為本發明具改良式電極結構的發光元件的第三具體實施例的平視示 意圖；圖7為本發明具改良式電極結構的發光元件的第四具體實施例的立體示 意圖；圖8為本發明具改良式電極結構的發光元件的第四具體實施例的平視示 意圖；圖9為本發明具改良式電極結構的發光元件第四具體實施例的一變化例 的平視示意圖；圖10為本發明具改良式電極結構的發光元件的第五具體實施例的立體示 意圖；圖11為本發明具改良式電極結構的發光元件的第五具體實施例的平視示 意圖；圖12為本發明具改良式電極結構的發光元件的第六具體實施例的立體示 意圖；圖13為本發明具改良式電極結構的發光元件的第六具體實施例的平冬見示意圖；圖14為本發明具改良式電極結構的發光元件的第一具體實施例的一z變4七 例的立體示意圖；及圖15A至圖15C為本發明反射器結構的各種變化例。 附圖標號10、30、 50、 70、,80、90—-發光元件101、301、502、702、謝—--P型半導體層102、303、504、704、803—--N型半導體層103、302、503、703、802—-發光層104、304、505、705、804—--基底105、305、506、706、805—-P型電極圖案畫、306、507、707、806—--N型電極圖案105a、 506b-…扭曲S型電極圖案 105b、 506b——扭曲倒置S型電極圖案 1050、 1052、 5060、 5062——指狀電極107、 307、 510、 710——第一接觸墊108、 308、 512、 712——第二接觸墊109、 309、 513、 713——位置對齊標記 110—-反射器 111——金屬層112--透光介電層 113--布拉格反射器113a， 113b--透光介電層305a、 305b、 706a、 706b——弧狀電極305c、 706c——倒置Y型分支電極501、 701——第一絕緣層508、 708——第二絕緣層509、 709——N型接觸5070、 7070——通孔805a----扭曲E型電極圖案805b-—-扭曲倒置E型電極圖案8051、 8052…-L型分支電極807——第一接觸墊 808-—第二接觸墊901——第一絕緣層 902--P型半導體層903--發光層 904--N型半導體層905——基底 906——P型電極圖案907—-N型電極圖案 908--—通孔909-—第二絕緣層 910-—N型接觸906a-—-扭曲E型電極圖案906b--扭曲倒置E型電極圖案911——第一接觸墊 912-—第二接觸墊9061、 9062…-L型分支電極具體實施方式
本發明具改良式電極結構的發光元件通過以下具體實施例配合附圖將予 以詳細說明如下。圖1及圖2為本發明具改良式電極結構的發光元件的一第一具體實施例 的立體示意圖及平視示意圖。在第一具體實施例中，本發明具改良式電極結 構的發光元件10包括一P型半導體層101、 一N型半導體層102、 一發光層 103、 一基底104、 一 P型電極圖案105及一 N型電極圖案106。該發光層103 介于該P型半導體層101及該N型半導體層102之間，而該基底104位于該 N型半導體層102下方。該P型電極圖案105形成于該P型半導體層101上 方，該P型電極圖案105包含一扭曲S型電極圖案105a與一扭曲倒置S型電極圖案105b，而一對指狀電極1050、 1052分別從該S型電極圖案105a與該 倒置S型電極圖案105b的一端沿著該P型半導體層101周緣朝向該N型電極 圖案106延伸。該S型電極圖案105a與該倒置S型電極圖案105b呈對映關 系且彼此電性連接。該N型電極圖案106形成于該N型半導體層102的部份 曝露面積上，而該N型電極圖案106與該P型電極圖案105呈匹配關系，以 使該P型電極圖案105每一部份與該N型電極圖案106對應部份之間的距離 大致上相同。 一對第一接觸墊107分別形成于該S型電極圖案105a與該倒置 S型電極圖案105b靠近該發光元件10周緣的一部份，該對第一接觸墊107 用以使該P型電極圖案105與外界產生電氣接觸。 一對第二接觸墊108分別 形成于該N型電極圖案106靠近該發光元件10周緣的一部份，該對第二接觸 墊108用以使該N型電極圖案106與外界產生電氣接觸。該對第一接觸墊107 及該對第二接觸墊108的位置以離發光區域愈遠為佳。換言之，該對第一接 觸墊107及第二接觸墊108較佳形成于靠近該發光元件晶粒邊緣的對應電極 外緣部份，以利于后續的打線工藝(wire bonding process),進而防止焊接至前 述第一接觸墊107及第二接觸墊108的焊線阻擋到該發光元件晶粒頂面的出 射光。在考慮該P型半導體層101 —般具有較高電阻率的情況下，本發明可 在該P型半導體層101上方先形成一透光的電流分布層(current spreading layer)(未示出)，而通過該電流分布層使該P型電極圖案105的電流能更均勻 地分布于該P型半導體層101。該電流分布層可是一氮化鈦(TiN)層或一透光 的金屬氧化物層，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxides (ITO))層、鉻鈦氧化物 (Chromium Titanium Oxide, CTO)、 二氧化錫:銻(Sn02:Sb)、三氧化二鎵錫 (Ga203:Sn)、氧化鎳(NiO)、氧化銦:鋅(Iri203:Zn)、氧化銀銦錫(Agln02:Sn)、 氧化銅鋁(CuA102)、鑭銅氧硫(LaCuOS)、氧化銅鎵(CuGa02)、氧化鍶銅 (SrCu202)、氧化錳(MnO)、氧化銅(CuO)、氧化錫(SnO)或氮化鎵(GaN)。本發明發光元件可選自下列任一者發光二極管、發光異質接面(light emitting heterojunctions)、發光量子井結構及其它發光固態元件。本發明發光元件可采用任何適當的材料系統，包括例如n-vi材料系統及m-v材料系統，如第III族氮化物(m-nitride)系統、第III族磷化物(III-phosphide)系統及第III 族砷化物(m-arsenide)系統。該P型電極圖案105及該N型電極圖案106以具 有低電阻率及低光吸收度的材質為佳。例如就第III族氮化物系統的發光元件 而言，該P型電極圖案105的材質可以是銀、鋁、金、銠或鉑，而該N型電 極圖案106的材質可以是鋁或銀。就第III族磷化物系統的發光元件而言，該 P型電極圖案105的材質可以是金/鋅合金、金/鈹合金、鋁、鉑、鈀、銠或銀， 而該N型電極圖案106的材質可以是金/締合金、金/錫合金、金/鍺合金、銀、 鋁、鉑、銠或鈀。再者，本發明中可以刻蝕方式在該基底104周緣適當位置形成復數個位 置對齊標記(alignment key)109，做為該發光元件10進行圖案辨識(pattem recognition)的參考位置。例如，在該發光元件10后段封裝工藝中前述位置對 齊標記109較佳形成于該發光元件10的高光反射區域，以相對第一接觸墊107 及第二接觸墊108建立一參考位置，以利于該發光元件晶粒焊接及打線工藝 的進行。換句話說，本發明利用前述位置對齊標記109做為參考位置，可在 該發光元件IO上進行快速且精準的圖案辦識，以加速后段涉及晶粒焊接及打 線的封裝工藝，進而提高該發光元件10的產率。就該發光元件IO而言，該P 型半導體層101及該N型半導體層102的相對位置可以互換，而該P型電極 圖案105及該N型電極圖案106的導電性也隨之互換。另一方面，該P型電 極圖案105及該N型電極圖案106的形狀也可互換。圖3及圖4為本發明具改良式電極結構的發光元件的一第二具體實施例 的立體示意圖及平視示意圖。在第二具體實施例中，本發明具改良式電極結 構的發光元件30包括一P型半導體層301、 一發光層302、 一N型半導體層 303、 一基底304、 一 P型電極圖案305及一 N型電極圖案306。該發光層302 介于該P型半導體層301與該N型半導體層303之間，而該基底304位于該 N型半導體層303下方。該P型電極圖案305形成于該P型半導體層301上方，該P型電極圖案305包含彼此電性連接的一對弧狀電極305a及305b及 由該對弧狀電極305a及305b中間朝發光面延伸的一倒置Y型分支電極305c， 并且該倒置Y型分支電極305c的二分支具有弧度。該N型電極圖案306形成 于該N型半導體層303的部份曝露面積上。該N型電極圖案306形狀與該P 型電極圖案305形狀呈匹配關系，以縮短該P型電極圖案305與該N型電極 圖案306之間的距離，并使該P型電極圖案305每一部份與該N型電極圖案 306對應部份之間的距離大致上相同。 一第一接觸墊307形成于該對弧狀電極 305a及305b中間靠近該發光元件30的周緣，用以使該P型電極圖案305與 外界產生電氣接觸。 一第二接觸墊308形成于該N型電極圖案306的一對稱 位置并且靠近該發光元件30的周緣，用以使該N型電極圖案306與外界產生 電氣接觸。該第一接觸墊307及該第二接觸墊308的位置以距發光區域愈遠 為佳。換言之，該對第一接觸墊307及第二接觸墊308較佳形成于靠近該發 光元件晶粒邊緣的對應電極部份，以利于后續的打線工藝(wire bonding process),進而防止悍接至前述第一接觸墊307及第二接觸墊308的焊線阻擋 到該發光元件晶粒頂面的出射光。相同于前述第一具體實施例，可加入一透 光電流分布層(未示出)于該P型半導體層301上，藉以促進該P型電極圖案 305電流的側向分布能力，進而提升該P型半導體層301的電流分布均勻性。在第二具體實施例中，本發明可以刻蝕方式在該基底304的二角落分別 形成一位置對齊標記(alignment key) 309，以做為該發光元件30進行圖案辨識 (pattern recognition)的參考位置。就該發光元件30而言，該P型半導體層301 及該N型半導體層303的相對位置可以互換，而該P型電極圖案305及該N 型電極圖案306的導電性也隨之互換。該P型電極圖案305及該N型電極圖 案306的形狀也可互換。第二具體實施例與第一具體實施例的發光元件結構最大不同處在于兩者 的P型電極圖案與N型電極圖案具有不同的形狀設計，因而所搭配與外界產 生電氣接觸的接觸墊位置及數量隨之做調整，并且供圖案辨識作用的位置對齊標記在基底上的位置也做調整。第二具體實施例的該發光元件30的各層材質與第一具體實施例的該發光元件io相同，在此不再重述。
本發明具改良式電極結構的發光元件通過P型電極圖案與N型電極圖案分別具有復數個曲線形分支電極并且使二者的形狀互相匹配的設計概念，提供該發光元件以下的優點(l)使P型半導體層及N型半導體層具有更佳的電 流側向分布能力，以提高該兩層的電流分布均勻性，以增進該發光層的發光效率及發光亮度；(2)使P型電極圖案與N型電極圖案兩者間的距離大致上保持一致，以增加發光層的電流密度均勻性，以提高該發光層的發光均勻度；及(3)避免因電極具有尖銳曲度(sharpcurves)所產生的高電場作用。
另一方面，本發明以下其它具體實施例除了可提高發光元件的電流分布 特性外，同時可增加發光層面積。
圖5及圖6為本發明具改良式電極結構的發光元件的第三具體實施例的 立體示意圖及平視示意圖。在第三具體實施例中，本發明具改良式電極結構 的發光元件50包括一第一絕緣層501、 一P型半導體層502、 一發光層503、 一N型半導體層504、 一基底505、 一P型電極圖案506、 一 N型電極圖案 507、 一第二絕緣層508及復數個N型接觸509。該P型半導體層502形成于 該第一絕緣層501下方，該發光層503形成于該P型半導體層502下方，而 該N型半導體層504形成于該發光層503下方，該基底505位于該N型半導 體層504下方。該P型電極圖案506形成于該第一絕緣層501中并與該P型 半導體層502電性接觸，該P型電極圖案506包含一扭曲S型電極圖案506a 與一扭曲倒置S型電極圖案506b，其中該S型電極圖案506a與該倒置S型電 極圖案506b呈對映關系且彼此電性連接，而一對指狀電極5060、 5062分別 從該S型電極圖案506a與該倒置S型電極圖案506b的一端沿著該第一絕緣 層501周緣朝向該N型電極圖案507延伸。該N型電極圖案507形成于該第 一絕緣層501上方，該N型電極圖案507與該P型電極圖案506呈匹配關系， 以縮短該P型電極圖案506與該N型電極圖案507之間的距離，并使該P型電極圖案506每一部份與該N型電極圖案507對應部份之間的距離大致上相 同，而該N型電極圖案507具有復數個通孔5070沿著其圖案形狀分布于其下 方并且從該第一絕緣層501向下延伸至該N型半導體層504。前述通孔5070 的截面形狀除了圓形之外，仍可以是楕圓形、正方形或矩形。該第二絕緣層 508形成于每一該通孔5070的內周壁，并且該第二絕緣層508可選自下列任 一介電材質二氧化硅、玻璃(glass)及旋轉涂布玻璃(Spin on Glass)。所述的N 型接觸509形成于所述的通孔5070中，以電性連接該N型電極圖案507與該 N型半導體層504。此外，該第一絕緣層501形成于該P型半導體層502上方 的同時也可以形成于每一該通孔5070的內周壁，也即該第二絕緣層508與該 第一絕緣層501為同一層。另一方面，該第一絕緣層501及第二絕緣層508也可以是空氣，在此情 況下，該P型電極圖案506直接形成于該P型半導體層502上，而該N型電 極圖案507通過所述的N型接觸509與該N型半導體層504電性接觸，并且 該N型電極圖案507通過空氣做為絕緣材質而與該P型半導體層502電性隔 離，所述的N型接觸509周緣也由空氣做電性隔離。該P型電極圖案506包含一對第一接觸墊510分別連接該S型電極圖案 506a與該倒置S型電極圖案506b并且靠近該第一絕緣層501的周緣，以提供 該P型電極圖案506與外界的電氣接觸。該對第一接觸墊510的位置以距發 光區域愈遠并為高光反射區為佳。該N型電極圖案507包含一對第二接觸墊 512靠近該第一絕緣層501的二角落，以提供該N型電極圖案507與外界的 電氣接觸。同樣地，該對第一接觸墊510及第二接觸墊512較佳形成于靠近 該發光元件晶粒邊緣的對應電極外緣部份，以利于后續的打線工藝(wire bonding process),進而防止焊接至前述第一接觸墊510及第二接觸墊512的焊 線阻擋到該發光元件晶粒頂面的出射光。相同于前述具體實施例，可加入一 透光電流分布層(未示出)于該P型半導體層502上，使該P型電極圖案506與 .該透光電流分布層電氣接觸，藉以促進該P型電極圖案506電流的側向分布能力，進而提升該P型半導體層502的電流分布均勻性。在第三具體實施例中，本發明可以刻蝕方式在該基底505的二角落分別 形成一位置對齊標記(alignment key) 513，做為該發光元件50進行圖案辨識 (pattern recognition)的參考位置。就該發光元件50而言，該P型半導體層502 及該N型半導體層504的相對位置可以互換，而該P型電極圖案506及該N 型電極圖案507的導電性也隨之互換。該P型電極圖案506及該N型電極圖 案507的形狀也可互換。請參考圖2及圖6，第三具體實施例的發光元件50與第一具體實施例的 發光元件10不同處在于第三具體實施例的發光元件50的該P型電極圖案506 形成在該第一絕緣層501中，而該N型電極圖案507形成在該第一絕緣層501 上方，該第一絕緣層501對應該P型電極圖案506的部份是經刻蝕至該P型 半導體層502，以使該P型電極圖案506電氣接觸該P型半導體層502。該第 一絕緣層501、該P型半導體層502及該發光層503僅有對應該N型電極圖 案507的所述的通孔5070的部份被刻蝕移除至該N型半導體層504，并通過 前述N型接觸509形成于所述的通孔5070中，以電氣連接該N型電極圖案 507與該N型半導體層504。至于在第一具體實施例中，該發光元件10的該 P型電極圖案105及該N型電極圖案106分別形成在該P型半導體層101上 及被曝露的部份該N型半導體層102上。也就是說，該P型半導體層101及 該發光層103對應該N型電極圖案106及所述的第二接觸墊108的部份被刻 蝕移除至該N型半導體層102，以使該N型電極圖案106及所述的第二接觸 墊108電氣接觸該N型半導體層102。所以第三具體實施例的發光元件30相 較于第一具體實施例的發光元件10，其發光面積會相對地增加，而更進一步 提高該發光元件30的發光效率及發光強度。圖7及圖8為本發明具改良式電極結構的發光元件的第四具體實施例的 立體示意圖及平視示意圖。在第四具體實施例中，本發明具改良式電極結構 的發光元件70包括一第一絕緣層701、 一P型半導體層702、 一發光層703、一N型半導體層704、 一基底705、 一P型電極圖案706、 一 N型電極圖案 707、 一第二絕緣層708及復數個N型接觸709。該P型半導體層702形成于 該第一絕緣層701下方，該發光層703形成于該P型半導體層702下方，而 該N型半導體層704形成于該發光層703下方，該基底705位于該N型半導 體層704下方。該P型電極圖案706形成于該第一絕緣層701中并且與該P 型半導體層702電性接觸。也就是說，該第一絕緣層701對應該P型電極圖 案706的部份經刻蝕移除至該P型半導體層702，以使該P型電極圖案706 電氣接觸該P型半導體層702。該P型電極圖案706包含彼此電性連接的一對 弧狀電極706a及706b及由該對弧狀電極706a及706b中間朝發光面延伸的一 倒置Y型分支電極706c，而該倒置Y型分支電極706c的二分支呈弧狀。該 N型電極圖案707形成于該第一絕緣層701上方，該N型電極圖案707與該 P型電極圖案706呈匹配關系，以縮短該P型電極圖案706與該N型電極圖 案707之間的距離，并使該P型電極圖案706每一部份與該N型電極圖案707 對應部份之間的距離大致上相同。該N型電極圖案707具有復數個通孔7070 沿其圖案形狀分布于其下方并且從該第一絕緣層701向下延伸至該N型半導 體層704。前述通孔7070的截面形狀除了圓形之外，仍可以是楕圓形、正方 形或矩形。該第二絕緣層708形成于每一該通孔7070的內周壁，并且該第二 絕緣層708可以是選自下列任一介電材質二氧化硅、玻璃(glass)及旋轉涂布 玻璃(Spin on Glass)。而所述的N型接觸709形成于所述的通孔7070中，以 電性連接該N型電極圖案707與該N型半導體層704。此外，該第一絕緣層 701形成于該P型半導體層702上方的同時也可以形成于每一該通孔7070的 內周壁，也即該第二絕緣層708與該第一絕緣層701為同一層。另一方面， 該第一絕緣層701及第二絕緣層708也可以是空氣，在此情況下，該P型電 極圖案706直接形成于該P型半導體層702上，而該N型電極圖案707通過 所述的N型接觸709與該N型半導體層704電性接觸，并且該N型電極圖案 707通過空氣做為絕緣材質而與該P型半導體層702電性隔離，所述的N型接觸709周緣也由空氣做電性隔離。 一第一接觸墊710形成于該對弧狀電極 706a及706b中間靠近該發光元件70的周緣，用以使該P型電極圖案706與 外界產生電氣接觸。 一第二接觸墊712形成于該N型電極圖案707的一對稱 位置并且靠近該發光元件70的周緣，用以使該N型電極圖案707與外界產生 電氣接觸。該第一接觸墊710及該第二接觸墊712的位置以距發光區域愈遠 并位于高反光區域為佳。換言之，該對第一接觸墊710及第二接觸墊712較 佳形成于靠近該發光元件晶粒邊緣的對應電極部份，以利于后續的打線工藝 (wire bonding process),進而防止焊接至前述第一接觸墊710及第二接觸墊712 的焊線阻擋到該發光元件晶粒頂面的出射光。相同于前述第二具體實施例， 可加入一透光電流分布層(未示出)于該P型半導體層702上，使該P型電極圖 案706電氣接觸該透光電流分布層，藉以促進該P型電極圖案706電流的側 向分布能力，進而提升該P型半導體層702的電流分布均勻性。在第四具體實施例中，本發明可以刻蝕方式在該基底705的二角落分別 形成一位置對齊標記(alignment key) 713，做為該發光元件70進行圖案辨識 (pattern recognition)的參考位置。就該發光元件70而言，該P型半導體層702 及該N型半導體層704的相對位置可以互換，而該P型電極圖案706及該N 型電極圖案707的導電性也隨之互換。該P型電極圖案706及該N型電極圖 案707的形狀也可互換。請參考圖4及圖8，第四具體實施例的發光元件70與第二具體實施例的 發光元件30不同處在于第四具體實施例的發光元件70的該P型電極圖案706 形成在該第一絕緣層701中，而該N型電極圖案707形成在該第一絕緣層701 上方，該第一絕緣層701對應該P型電極圖案706的部份經刻蝕至該P型半 導體層702，以使該P型電極圖案706電氣接觸該P型半導體層702。該第一 絕緣層701、該P型半導體層702及該發光層703僅有對應該N型電極圖案 707的所述的通孔7070的部份被刻蝕移除至該N型半導體層704，并通過前 述N型接觸709形成于所述的通孔7070中，以電氣連接該N型電極圖案707與該N型半導體層704。至于在第二具體實施例中，該發光元件30的該P型 電極圖案305及該N型電極圖案306分別形成在該P型半導體層301上及被 曝露的部份該N型半導體層303上。也就是說，該P型半導體層301及該發 光層302對應該N型電極圖案306及該第二接觸墊308的部份被刻蝕移除至 該n型半導體層303，以使該n型電極圖案306及該第二接觸墊308電氣接 觸該N型半導體層303。所以第四具體實施例的發光元件70相較于第二具體 實施例的發光元件30，其發光面積會相對地增加，而更進一步提高發光元件 70的發光效率及發光強度。圖9為第四具體實施例的一個變化例的平視示意圖，其中所述的通孔7070 沿著該N型電極圖案707輪廓走向的洞徑大小隨著遠離前述第二接觸墊712 而逐漸加大，以利于電流更均勻分布在該N型半導體層704上。同樣地，第 三具體實施例的發光元件50的所述的通孔5070沿著該N型電極圖案507輪 廓走向的洞徑大小可隨著遠離前述第二接觸墊512而逐漸加大，以利于電流 更均勻分布在該N型半導體層504上。圖IO及第圖11為本發明具改良式電極結構的發光元件的第五具體實施 例的立體示意圖及平視示意圖。在第五具體實施例中，本發明具改良式電極 結構的發光元件80包括一P型半導體層801、 一N型半導體層803、 一發光 層802、 一基底804、 一P型電極圖案805及一N型電極圖案806。該發光層 802介于該P型半導體層801及該N型半導體層803之間，而該基底804位 于該N型半導體層803下方。該P型電極圖案805形成于該P型半導體層801 上方，該P型電極圖案805包含一扭曲E型電極圖案805a及一 L型分支電極 8051從該E型電極圖案805a的一端向下延伸及一扭曲倒置E型電極圖案805b 與一 L型分支電極8052從該扭曲倒置E型電極圖案805b的一端向下延伸。 該E型電極圖案805a及該扭曲倒置E型電極圖案805b彼此呈對映關系且彼 此電性連接。該N型電極圖案806形成于該N型半導體層803的部份曝露面 積上，而該N型電極圖案806與該P型電極圖案805呈匹配關系，以使該P型電極圖案805每一部份與該N型電極圖案806對應部份之間的距離大致上 相同。 一對第一接觸墊807分別形成于該E型電極圖案805a與該扭曲倒置E 型電極圖案805b靠近該發光元件80周緣的一部份，該對第一接觸墊807用 以使該P型電極圖案805與外界產生電氣接觸。 一對第二接觸墊808分別形 成于該N型電極圖案806靠近該發光元件80周緣的一部份，該對第二接觸墊 808用以使該N型電極圖案806與外界產生電氣接觸。該對第一接觸墊807 及該對第二接觸墊808的位置以離發光區域愈遠為佳。換言之，該對第一接 觸墊807及第二接觸墊808較佳形成于靠近該發光元件晶粒邊緣的對應電極 部份，以利于后續的打線工藝(wire bonding process),進而防止焊接至前述第 一接觸墊807及第二接觸墊808的焊線阻擋到該發光元件晶粒頂面的出射光。 在考慮該P型半導體層801 —般具有較高電阻率的情況下，本發明可在該P 型半導體層801上方先形成一透光的電流分布層(current spreading layer)(未示 出)，而通過該電流分布層使該P型電極圖案805的電流能更均勻地分布于該 P型半導體層801 。該電流分布層可是一氮化鈦(TiN)層或一透光的金屬氧化物 層，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxides (ITO))層、鉻鈦氧化物(Chromium Titanium Oxide， CTO)、 二氧化錫:銻(Sn02:Sb)、三氧化二鎵錫(Ga203:Sn)、氧化鎳(NiO)、 氧化銦鋅(Iri203:Zn)、氧化銀銦錫(Agln02:Sn)、氧化銅鋁(CuA102)、鑭銅 氧硫(LaCuOS)、氧化銅鎵(CuGa02)、氧化鍶銅(SrQi202)、氧化錳(MnO)、氧 化銅(CuO)、氧化錫(SnO)或氮化鎵(GaN)。就該發光元件80而言，該P型半導體層801及該N型半導體層803的相 對位置可以互換，而該P型電極圖案805及該N型電極圖案806的導電性也 隨之互換。該P型電極圖案805及該N型電極圖案806的形狀也可互換。圖12及圖13為本發明具改良式電極結構的發光元件的第六具體實施例 的立體示意圖及平視示意圖。在第六具體實施例中，本發明具改良式電極結 構的發光元件90包括一第一絕緣層901、 一 P型半導體層902、一發光層903、 一N型半導體層904、 一基底905、 一P型電極圖案906、 一 N型電極圖案907、 一第二絕緣層909及復數個N型接觸910。該P型半導體層902形成于 該第一絕緣層901下方，該發光層903形成于該P型半導體層902下方，而 該N型半導體層904形成于該發光層903下方，該基底905位于該N型半導 體層卯4下方。該P型電極圖案906形成于該第一絕緣層901中并與該P型 半導體層902電性接觸，該P型電極圖案906包含一扭曲E型電極圖案906a 及一 L型分支電極9061從該E型電極圖案906a的一端向下延伸及一扭曲倒 置E型電極圖案906b與一L型分支電極9062從該扭曲倒置E型電極圖案906b 的一端向下延伸。前述扭曲E型電極圖案906a及L型分支電極9061與前述 扭曲倒置E型電極圖案906b及L型分支電極9062呈對映關系且彼此電性連 接。該N型電極圖案907形成于該第一絕緣層901上方而與該P型電極圖案 906呈匹配關系，以使該P型電極圖案906每一部份與該N型電極圖案907 對應部份之間的距離大致上相同。該N型電極圖案907具有復數個通孔908 沿著其圖案形狀分布于其下方并且從該第一絕緣層901向下延伸至該N型半 導體層904。前述通孔908的截面形狀除了圓形之外，仍可以是楕圓形、正方 形或矩形。該第二絕緣層909形成于每一該通孔908的內周壁，其可以是選 自下列任一介電材質二氧化硅、玻璃(glass)及旋轉涂布玻璃(Spin on Glass)。 所述的N型接觸910形成于所述的通孔908中，以電性連接該N型電極圖案 907與該N型半導體層卯4。此外，該第一絕緣層901形成于該P型半導體層 902上方的同時也可以形成于每一該通孔908的內周壁，也即該第二絕緣層 909與該第一絕緣層901為同一層。另一方面，該第一絕緣層901及第二絕緣 層908也可以是空氣，在此情況下，該P型電極圖案906直接形成于該P型 半導體層902上，而該N型電極圖案907通過所述的N型接觸909與該N型 半導體層904電性接觸，并且等該N型電極圖案907通過空氣做為絕緣材質 而與該P型半導體層902電性隔離，所述的N型接觸909周緣也通過空氣做 電性隔離。該P型電極圖案906包含一對第一接觸墊911分別連接前述扭曲E型電極圖案906a及L型分支電極9061與前述扭曲倒置E型電極圖案906b與L型 分支電極9062，并且前述第一接觸墊911靠近該第一絕緣層901的周緣，以 提供該P型電極圖案906與外界的電氣接觸。該對第一接觸墊911的位置以 距發光區域愈遠并為高光反射區為佳。該N型電極圖案907包含一對第二接 觸墊912靠近該第一絕緣層901的周緣，以提供該N型電極圖案907與外界 的電氣接觸。同樣地，該對第一接觸墊911及第二接觸墊912較佳形成于靠 近該發光元件晶粒邊緣的對應電極部份，以利于后續的打線工藝(wire bonding process),進而防止焊接至前述第一接觸墊911及第二接觸墊912的焊線阻擋 到該發光元件晶粒頂面的出射光。相同于前述具體實施例，可加入一透光電 流分布層(未示出)于該P型半導體層902上，使該P型電極圖案906與該透光 電流分布層電氣接觸，藉以促進該P型電極圖案906電流的側向分布能力， 進而提升該P型半導體層902的電流分布均勻性。另外，所述的通孔908沿著該N型電極圖案907輪廓走向的洞徑大小也 可隨著遠離前述第二接觸墊912而逐漸加大，以利于電流更均勻分布在該N 型半導體層904上。請參考圖10及圖12，第六具體實施例的發光元件90與第五具體實施例 的發光元件80不同處在于第六具體實施例的發光元件90的該P型電極圖案 906形成在該第一絕緣層90r中，而該N型電極圖案907形成在該第一絕緣 層901上方，該第一絕緣層901對應該P型電極圖案906的部份經刻蝕至該P 型半導體層902，以使該P型電極圖案卯6電氣接觸該P型半導體層902。該 第一絕緣層901、該P型半導體層902及該發光層903僅有對應該N型電極 圖案907的所述的通孔908的部份被刻蝕移除至該N型半導體層904，并通 過前述N型接觸910形成于所述的通孔908中，以電氣連接該N型電極圖案 907與該N型半導體層904。再者，本發明前述第三、四及第六具體實施例也可有如下變化例(未示出)， 即除了前述N型電極圖案下方分布有復數個通孔外，以形成所述的N型接觸外，同樣地對應的P型電極圖案可形成于該第一絕緣層上方，并且復數個通 孔分布于該P型電極圖案下方而延伸至前述P型半導體層，其內周壁形成有 絕緣層，及形成P型接觸于所述的通孔中，以與該P型半導體層產生電性導 通。前述P型電極圖案對應的所述的通孔截面形狀設計可與該N型電極圖案 對應的所述的通孔一樣。如此一來，可更進一步增加本發明發光元件發光面 積。另外，本發明前述各層絕緣層可以是選自下列任一介電材質二氧化硅、玻璃(glass)及旋轉涂布玻璃(Spin on Glass)。另一方面，本發明可在前述每一發光元件的基底下方形成一反射器結構。 該反射器結構可以是一金屬層，例如鋁、銀或銀鋁合金，可以是一透光介電 層與一金屬層組成的迭層結構，例如二氧化硅層/鋁金屬層的迭層結構，而該 二氧化硅層的厚度可以從2500埃至7500埃。該透光介電層的折射系數小于 該透光基底的折射系數，使穿透前述發光元件基底的發射光可在該基底與該 透光介電層的接口產生全反射，而被導引朝向該發光元件表面發射。至于該 透光介電層下方的該金屬層仍可將穿透該透光介電層的部份發射光反射回 去。前述反射器結構也可以是透光介電層/布拉格反射器/金屬層的迭層結構， 其中該透光介電層的折射系數小于該發光元件的折射系數，而該金屬層可以 是鋁，至于該布拉格反射器可以是由復數層透光介電層組成，所述的透光介 電層兩兩之間的折射系數呈高低周期性變化，并且每一該透光介電層的厚度 應為該發光元件發光波長的四分之一(l/4入)。前述透光介電層/布拉格反射器/ 金屬層的迭層結構可以是二氧化硅/布拉格反射器/金屬層的迭層結構，其中二 氧化硅的厚度可以從2500埃至7500埃。以下以圖14及圖15A至圖15C說明本發明發光元件加入反射器的變化例。請參考圖14，本發明在前述發光元件10的該基底104下方形成一反射器 110。該反射器110的變化例如圖15A至圖15C所示，可以是一金屬層lll、 一透光介電層112/—金屬層111的迭層結構或一透光介電層112/—布拉格反 射器113/—金屬層111的迭層結構。該布拉格反射器113由一透光介電層113a及一透光介電層113b交互堆棧組成。以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并非用以限定本發明的權利要求；凡其它未脫離本發明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包 含在權利要求內。
權利要求
1.一種具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該發光元件包括一具第一導電性半導體層；一具第二導電性半導體層；一發光層介于所述的具第一導電性半導體層及所述的具第二導電性半導體層之間；一基底，位于所述的具第二導電性半導體層下方；一具第一導電性電極圖案，形成于所述的具第一導電性半導體層上方，該具第一導電性電極圖案包含至少一個第一次電極圖案；及一具第二導電性電極圖案，形成于所述的具第二導電性半導體層的部份曝露面積上，該具第二導電性電極圖案包含至少一個第二次電極圖案；其中，所述的具第一導電性電極圖案的至少一第一次電極圖案是從相對于一第二次電極圖案的一部份呈封閉形狀部份延伸至被該第二次電極圖案的另一部份包圍而呈被封閉形狀部份。
2. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的具第一導電性電極圖案與所述的具第二導電性電極圖案呈匹配關系。
3. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的具第一導電性電極圖案包含兩個呈鏡像關系的第一次電極圖案，及所述的 具第二導電性電極圖案包含兩個呈鏡像關系的第二次電極圖案。
4. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的具第一導電性電極圖案每一部份與所述的具第二導電性電極圖案對應部份之間的距離大致上一致。
5. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的第一次電極圖案具有一第一接觸墊靠近所述的發光元件周緣，及所述的第 二次電極圖案具有一第二接觸墊靠近該發光元件周緣。
6. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的具第一導電性電極圖案包含一扭曲S型電極圖案與一扭曲倒置S型電極圖 案，其中該S型電極圖案與該倒置S型電極圖案呈對映關系且彼此電性連接。
7. 如權利要求6所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述 的具第一導電性電極圖案包含一對指狀電極分別從所述的S型電極圖案與所述的倒置S型電極圖案的一端沿著所述的具第一導電性半導體層周緣朝向所 述的具第二導電性電極圖案延伸。
8. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該發 光元件還包含一電流分布層形成于所述的具第一導電性電極圖案與所述的具 第一導電性半導體層之間。
9. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該發 光元件還包含復數個位置對齊標記形成于所述的基底周緣的部份曝露面積 上。
10. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含彼此電性連接的一對弧狀電極及由該對弧狀 電極中間朝發光面延伸的一倒置Y型分支電極。
11. 如權利要求10所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案的所述的倒置Y型電極的二分支具有弧度。
12. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的第一導電性電極圖案包含一扭曲E型電極圖案及一 L型分支電極從該E 型電極圖案的一端向下延伸及一扭曲倒置E型電極圖案與一 L型分支電極從 該扭曲倒置E型電極圖案的一端向下延伸。
13. —種具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該發光元件包括 一具第一導電性半導體層；一發光層形成于所述的具第一導電性半導體層下方； 一具第二導電性半導體層形成于所述的發光層下方；一基底，位于所述的具第二導電性半導體層下方；一具第一導電性電極圖案，形成于所述的具第一導電性半導體層上方并與其電性接觸，該具第一導電性電極圖案包含至少一個第一次電極圖案；一具第二導電性電極圖案，形成于所述的具第一導電性半導體層上方， 所述的具第二導電性電極圖案包含至少一個第二次電極圖案，該具第二導電性電極圖案具有復數個通孔分布于其下方朝下延伸至所述的具第二導電性半 導體層，其中所述的具第一導電性電極圖案的至少一所述的第一次電極圖案 是從相對于一所述的第二次電極圖案的一部份呈封閉形狀部份延伸至被該第 二次電極圖案的另一部份包圍而呈被封閉形狀部份；及復數個具第二導電性接觸形成于所述的通孔中，且每一該具第二導電性 接觸僅電性連接所述的具第二導電性電極圖案與具第二導電性半導體層。
14. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的具第一導電性電極圖案與所述的具第二導電性電極圖案呈匹配關系。
15. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的具第一導電性電極圖案包含呈鏡像關系的兩個第一次電極圖案，及所述 的具第二導電性電極圖案包含兩個呈鏡像關系的第二次電極圖案。
16. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案每一部份與所述的具第二導電性電極圖案對應部 份之間的距離大致上一致。
17. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的具第一導電性電極圖案直接接觸所述的具第一導電性半導體層。
18. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的第一導電性電極圖案包含一扭曲S型電極圖案與一扭曲倒置S型電極圖 案，該S型電極圖案與該倒置S型電極圖案呈對映關系且彼此電性連接。
19. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含至少一個第一接觸墊連接所述的第一次電極圖案，及所述的具第二導電性電極圖案包含至少一第二接觸墊連接所述的第 二次電極圖案，其中所述的第一接觸墊及所述的第二接觸墊靠近所述的發光 元件的周緣。
20. 如權利要求19所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的通孔沿著所述的具第二導電性電極圖案分布的通孔開口大小隨著愈遠離 所述的第二接觸墊而逐漸加大。
21. 如權利要求18所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含一對指狀電極分別從所述的S型電極圖案與 所述的倒置S型電極圖案的一端沿著所述的具第一導電性半導體層周緣朝向 所述的具第二導電性電極圖案延伸。
22. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該 發光元件還包含一電流分布層形成于所述的具第一導電性電極圖案與所述的 具第一導電性半導體層之間，并且該具第一導電性電極圖案與所述的電流分 布層電性接觸。
23. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該 發光元件還包含復數個位置對齊標記形成于所述的基底周緣的部份曝露面積 上。
24. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含彼此電性連接的一對弧狀電極及由所述的對 弧狀電極中間朝發光面延伸的一倒置Y型分支電極。
25. 如權利要求24所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含一第一接觸墊形成于所述的對弧狀電極中 間，及所述的具第二導電性電極圖案包含一第二接觸墊位于所述的具第二導 電性電極圖案的一對稱位置。
26. 如權利要求25所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的通孔沿著所述的具第二導電性電極圖案分布的通孔開口大小隨著愈遠離所述的第二接觸墊而逐漸加大。
27. 如權利要求24所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案的所述的倒置Y型電極的二分支具有弧度。
28. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含一扭曲E型電極圖案及一 L型分支電極從所 述的E型電極圖案的一端向下延伸及一扭曲倒置E型電極圖案與一 L型分支 電極從所述的扭曲倒置E型電極圖案的一端向下延伸。
29. 如權利要求28所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性電極圖案包含至少一第一接觸墊及所述的具第二導電性電極圖案包含至少一第二接觸墊，其中所述的第一接觸墊及第二接觸墊靠近所 述的發光元件的周緣。
30. 如權利要求29所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的通孔沿著所述的具第二導電性電極圖案分布的通孔開口大小隨著愈遠離 所述的第二接觸墊而逐漸加大。
31. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該 發光元件還包含一絕緣層形成于所述的具第一導電性電極圖案與所述的具第 一導電性半導體層之間，并且所述的具第一導電性電極圖案下方具有復數個 具第一導電性接觸貫穿所述的絕緣層直至所述的具第一導電性半導體層。
32. 如權利要求31所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的絕緣層選自下列任一材質二氧化硅、玻璃及旋轉涂布玻璃。
33. 如權利要求1所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該 發光元件還包含一反射器形成于所述的基底下方。
34. 如權利要求33所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的反射器包含一金屬層。
35. 如權利要求34所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的金屬層包含鋁、銀或銀鋁合金。
36. 如權利要求33所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的反射器為一迭層結構，包含一透光介電層及一金屬層，所述的透光介電 層形成于所述的基底下方。
37. 如權利要求36所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的反射器包含一二氧化硅層及一鋁金屬層。
38. 如權利要求33所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的反射器為一迭層結構，包含一二氧化硅層、 一布拉格反射器及一金屬層。
39. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該 發光元件還包含一反射器形成于所述的基底下方。
40. 如權利要求39所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的反射器包含一金屬層。
41. 如權利要求40所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的金屬層包含鋁、銀或銀鋁合金。
42. 如權利要求39所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所述的反射器為一迭層結構，包含一透光介電層及一金屬層，該透光介電層形 成于所述的基底下方。
43. 如權利要求42所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的反射器包含一二氧化硅層及一鋁金屬層。
44. 如權利要求39所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的反射器為一迭層結構，包含一二氧化硅層、 一布拉格反射器及一金屬層。
45. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的通孔的截面形狀選自下列任一者圓形、楕圓形、正方形及矩形。
46. 如權利要求31所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的具第一導電性接觸截面形狀選自下列任一者圓形、楕圓形、正方形及 矩形。
47. 如權利要求13所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，該發光元件還包含一絕緣層形成于所述的具第二導電性電極圖案與所述的具第 一導電性半導體層之間及每一所述的通孔的內周壁。
48.如權利要求47所述的具改良式電極結構的發光元件，其特征在于，所 述的絕緣層選自下列任一材質空氣、二氧化硅、玻璃及旋轉涂布玻璃。
全文摘要
本發明提供一種具改良式電極結構的發光元件，包括一具第一導電性電極圖案及一具第二導電性電極圖案。該具第一導電性電極圖案包含至少一個第一次電極圖案，該具第二導電性電極圖案包含至少一個第二次電極圖案。至少一該第一次電極圖案是從相對于一該第二次電極圖案的一部份呈封閉形狀部份延伸至被該第二次電極圖案另一部份包圍而呈被封閉形狀部份，并且該具第一導電性電極圖案每一部份與該具第二導電性電極圖案對應部份之間的距離大致上相同。
文檔編號H01L33/00GK101335315SQ200710112660
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月26日 優先權日2007年6月26日
發明者恒 劉, 梁兆煊, 法蘭克·修恩, 蘇偉邁 申請人:普瑞光電股份有限公司