專利名稱：光刻設備和裝置制造方法
技術領域：
本發明涉及一種物品支架，構造成支持針對光刻工藝目的尤其針對浸漬光刻工藝目的的物品。
背景技術：
光刻設備是一種把預期圖案應用到襯底，通常是襯底目標部分的機器。光刻設備可以用于制作例如集成電路(IC)。在這種示例中，可以使用備選地稱為掩模或分劃板的構圖裝置，以產生將在IC單個層上形成的電路圖案。這個圖案可以被傳遞到襯底(例如硅晶片)的目標部分(例如包含部分、一個或多個管芯)。該圖案的傳遞通常是通過成像到設置于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底會包括連續圖案化的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括所謂的步進機(stepper)，其中將整個圖案曝光到目標部分一次以輻射各個目標部分，以及所謂的掃描器(scanner)，其中通過輻射束沿特定方向(“掃描”方向)掃描圖案，同時平行或反平行于這個方向同步掃描襯底，從而輻射各個目標部分。還可以通過將圖案壓印到襯底上而將圖案從構圖裝置傳遞到襯底。
在最近發展中，由于對成像分辨率越來越苛刻的要求，特別是在浸漬光刻的新領域，出現了日益增長的提供熱穩定物品例如將接收圖案化射束的襯底或分劃板的問題。這里，由于浸漬液體通過轉變到氣相而會導致熱學冷卻，因此難以實現熱穩定。因此，在需要穩定的物品內會形成相當大的局部熱梯度。另外或備選地，在物品的光刻處理過程中，由于對目標部分的隨后照射，該物品趨于被不均勻地加熱。這種不均勻可能形成導致物品局部變形的熱梯度。對于納米投影精度，這會形成導致聚焦和/或交疊誤差的問題。也就是說，由于熱變形，襯底和/或分劃板的表面彎曲偏離理想的投影平面，這會導致焦距喪失或者至少像平面有效側移，從而出現交疊問題。
發明內容
例如期望提供一種光刻設備，其中一個或多個這些熱問題得到解決并提供物品的改進熱穩定性。
根據本發明一個方面，提供了一種物品支架，其構造成支持針對光刻工藝目的的物品，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述物品提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
根據本發明一方面，提供了一種光刻設備，包括照明系統，配置成調整輻射束；投影系統，配置成把構圖裝置圖案化的所述輻射束投影到襯底的目標部分；以及物品支架，構造成支持所述構圖裝置、所述襯底或二者，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述構圖裝置、所述襯底或二者提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
根據本發明的一個方面，提供了一種浸漬光刻設備，包括照明系統，配置成調整輻射束；投影系統，配置成把構圖裝置圖案化的所述輻射束投影到襯底的目標部分；液體供給系統，配置成將液體供給到所述襯底和所述投影系統之間；以及物品支架，構造成支持所述構圖裝置、所述襯底或二者，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述構圖裝置、所述襯底或二者提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
現在將僅以示例的方式參考所附示意性圖示描述本發明的實施例，附圖中相應的參考符號表示相應的部分，附圖中圖1描述了根據本發明一個實施例的光刻設備；
圖2描述了熱穩定物品的通道布置的第一配置；圖3描述了熱穩定物品的通道布置的備選配置；圖4示出了根據本發明一個實施例的襯底平臺的第一通道配置；圖5示出了根據本發明一個實施例的襯底平臺的第二通道配置；圖6和7示出了特別是圖4和5的通道結構的示意性剖面視圖；具體實施方式
圖1示意性描述了根據本發明一個實施例的光刻設備。該設備包括照明系統(照明器)IL，配置成用于調整輻射束B(例如UV輻射)；支架結構(例如掩模平臺)MT，配置成用于支持構圖裝置(例如掩模)MA，并連接到第一定位器PM以根據特定參數精確地定位構圖裝置；襯底平臺(例如晶片平臺)WT，配置成用于支撐襯底(例如涂敷了抗蝕劑的晶片)W，并連接到第二定位器PW以根據特定參數精確地定位襯底；以及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，配置成把由構圖裝置MA作用到輻射束B的圖案成像到襯底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯)。
照明系統可包含各種類型的光學元件，例如用于導向、定形、或控制輻射的折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學元件或其任意組合。
支架結構支撐構圖裝置的方式取決于構圖裝置的取向、光刻設備的設計、以及例如構圖裝置是否保持在真空環境中的其他條件。該支架結構可以使用機械、真空、靜電或者其他夾具技術以支撐構圖裝置。支架結構可以是例如固定的或根據需要可移動的框架或平臺。支架結構可以保證構圖裝置例如相對投影系統位于期望位置。可以認為，這里使用的術語“分劃板”或“掩模”與更為廣義的術語“構圖裝置”同義。
這里使用的術語“構圖裝置”應廣泛地理解成是指，使得輻射束截面具有一種圖案以在襯底目標部分創建圖案的裝置。應該注意的是，作用到輻射束的圖案可能不會與襯底目標部分的期望圖案精確對應，例如如果該圖案包含相位偏移特征或所謂的輔助特征。通常，作用到輻射束的圖案對應于諸如集成電路的裝置內、在目標部分創建的特定功能層。
構圖裝置可以是透射的或是反射的。構圖裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列、以及可編程LCD面板。在光刻中掩模是公知的，包括的掩模類型有諸如二進制交變相移、衰減相移、以及各種混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小型反射鏡的矩陣排列，各個反射鏡可分別傾斜從而把入射輻射束反射到不同方向。傾斜的反射鏡將圖案作用于被反射鏡矩陣反射的輻射束。
這里使用的術語“投影系統”應廣泛地理解成包括任何類型的投影系統，包括適合于例如所采用的曝光輻射或者例如使用浸漬液體或使用真空的其他因素的折射、反射、反射折射、磁性、電磁和靜電光學系統或其任意組合。可以認為，這里使用的術語“投影透鏡”與更為廣義的術語“投影系統”同義。
如這里所描述的，該設備為透射類型(例如采用透射掩模)。備選地，該設備可以為反射類型(例如采用上述的可編程反射鏡陣列類型，或者采用反射掩模)。光刻設備可以為具有兩個襯底平臺(雙工作臺)類型或更多個襯底平臺(和/或兩個或更多個支架結構)的類型。在這些“多工作臺”機器中，可以并行地使用附加的平臺，當一個或多個其它平臺用于曝光時，可以在一個或多個平臺上進行準備步驟。
光刻設備也可以是這樣的類型其中襯底的至少一部分被具有相對較高的折射率例如水的液體覆蓋，以填充投影系統與襯底之間的間隙。浸漬液體也可應用于光刻設備中的其它間隙，例如掩模與投影系統之間。在提高投影系統的數值孔徑的領域中，浸漬技術是公知的。這里使用的術語“浸漬”并不意味著諸如襯底的結構必須浸沒在液體中，而只是指在曝光時該液體位于投影系統和襯底之間。
參考圖1，照明器IL從輻射源SO接收輻射束。該源和光刻設備可以是分離的實體，例如當源為受激準分子激光器時。在這種情況下，并不把源視為形成光刻設備的一部分，借助例如包含適合的導向反射鏡和/或光束擴展器的射束輸送系統BD，輻射束從源SO傳輸到照明器IL。在其他情況下，該源可以是光刻設備的集成部分，例如當該源為汞燈時。可將源SO、照明器IL、以及射束傳輸系統BD(如果需要的話)一起稱為輻射系統。
照明器IL可以包含用于調整輻射束強度的角度分布的調整器AD。一般而言，至少可以調整照明器光瞳面內的外部和/或內部徑向范圍(通常分別稱為σ-外部及σ-內部)的強度分布。此外，照明器IL可包含諸如積分器IN和聚光器CO的各種其他元件。照明器可用于調整輻射束，使其截面具有期望的均勻性和強度分布。
輻射束B入射到支撐在支架結構(例如掩模平臺MT)上的構圖裝置(例如掩模MA)上，構圖裝置對輻射束B構圖。輻射束B透過構圖裝置MA之后穿過投影系統PS，投影系統PS把射束聚焦到襯底W的目標部分C上。借助第二定位器PW及位置傳感器IF(例如干涉測量裝置、線性編碼器、或電容性傳感器)，可以精確地移動襯底平臺WT，例如從而定位輻射束B路徑內的不同目標部分C。類似地，可以使用第一定位器PM和其他位置傳感器(未在圖1中明確示出)，例如從掩模庫機械檢索后或在掃描時，精確地定位構圖裝置MA相對于輻射束B路徑的位置。通常，可以借助形成第一定位器PM一部分的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精細定位)，實現支架結構MT的移動。類似地，可以借助形成第二定位器PW一部分的長沖程模塊和短沖程模塊，實現襯底平臺WT的移動。對于(與掃描器相反的)步進機來講，支架結構MT可以僅連接到短沖程執行器，或者可以固定。可以使用構圖裝置對準標記M1、M2及襯底對準標記P1、P2來對準構圖裝置MA與襯底W。盡管襯底對準標記如圖所示地占據專用的目標部分，但這些標記可以位于目標部分(已知為劃片線對準標記)之間的間隙。類似地，對于在構圖裝置MA上設置有不止一個管芯的情形，構圖裝置對準標記可位于管芯之間。
所描述的設備可以用于下述模式中的至少一種1.在分步模式中，支架結構MT和襯底平臺WT基本上保持靜止，而將作用于輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C(即單次靜態曝光)。隨后沿X和/或Y方向平移襯底平臺WT，以曝光不同目標部分C。在分步模式中，曝光場的最大尺寸限制了單次靜態曝光中被成像的目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，支架結構MT和襯底平臺WT被同步掃描，同時作用到輻射束的圖案被投影到目標部分C(即單次動態曝光)。襯底平臺WT相對支架結構MT的速度和方向由投影系統PS的(縮小)放大及圖像反向特性確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單次動態曝光中目標部分(沿非掃描方向)的寬度，而掃描動作的長度決定了目標部分(沿掃描方向)的高度。
3.在其他模式中，支持可編程構圖裝置的支架結構MT基本上保持靜止，襯底平臺WT被移動或掃描，同時作用到投影束的圖案被投影到目標部分C。在該模式下，通常使用脈沖輻射源，且在每次移動襯底平臺WT之后或者在掃描時的連續輻射脈沖之間根據需要更新可編程構圖裝置。該工作模式可以容易地應用于使用諸如上面提及類型的可編程反射鏡陣列的可編程構圖裝置的無掩模光刻。
可以采用上述模式的組合和/或變形，也可以采用與上述模式完全不同的模式。
圖2和圖3描述用于襯底支架2的通道結構1的實施例。從圖中顯而易見的是，襯底支架2通過卡盤3移動到投影系統4(結合圖1中PS所述)下方，投影系統4提供圖案化的輻射束5以照射襯底6上的目標部分(如前所述)。在這種配置中，一般稱為“晶片平臺”的支架結構2是通常由玻璃類型或陶瓷材料制成的剛性結構，該支架結構為襯底6提供平坦的支持面并直接接觸襯底6。通常，支架結構2包括多個凸出(未示出)，這限制了接觸面積以降低導致支架結構2或襯底6的理想平面畸變的沾污的可能性。在圖2中，支架結構2設有將結合圖4和5進一步描述的通道結構1。備選地或者可能另外地，如圖3所描述，通道結構1可以設置于襯底支架2的下部，其如圖2所示通過支架結構2間接熱耦合到襯底6。該下部通常稱為“卡盤”3或者第二定位器PW，尤其是結合圖1所解釋的精細沖程模塊根據圖4和5，示出了包括介質流輸入7和介質流輸出8的襯底支架2的實施例，其中流輸入7連接到輸入通道結構9(淺色結構)，輸出8連接到輸出通道結構10(深色結構)。輸入和輸出通道結構9和10設置為巢狀配置并通過相連的精細柵格結構11相互連接，該精細柵格結構11設置于襯底支架2表面12附近并分別連接輸入和輸出通道結構9和10。具體而言，圖4示出了具有巢狀梳式配置的襯底支架2。在這種配置中，輸入和輸出通道9和10設置于襯底支架的外圍，各個外圍通道13分支形成布置成巢狀梳齒的輸入和輸出通道14，其中“齒”14布置成橫切外圍通道13。僅僅出于理解的原因，示出了有限數目的通道14。由橫切梳齒14的基本上平行的微通道15形成該相連的精細柵格結構11。術語微通道是指間隙至多為幾mm且通道寬度小于1mm的通道結構。在一個實施例中，對于用于剖面為300mm的襯底的襯底支架，存在多于1000的微通道，在一些實施例中甚至多于10000。
通過簡單的計算，直徑為D柱形通道中熱流的熱傳輸H為H＝λ*Nu/D其中λ為介質的熱傳輸系數(對于水，該系數為0.6W/m/K)，Nu為Nusselt數，其范圍為約4至約20，依賴于流類型(分別為層流-湍流)。該介質可以是例如水或氣體的流體。
盡管湍流可提供更高的熱傳輸率，但是其底側為更高的壓力差(pressure drop)，這限制了熱穩定介質的流速。因此，實際情況為熱傳輸效率降低，除非允許高的壓力差。通常，壓力差引起對于工作臺動力學是不利的振動。因此，在一個實施例中使用了層流，其中通過減小通道的寬度(例如直徑)提高有效熱傳輸。為了限制壓力差，因此也限制連接通道距離(后續輸入和輸出通道之間的間隙)。示例性的目標流速為，熱量在0.2秒內從連接通道傳輸到輸出通道。
圖5示出了備選的巢狀通道結構1。在該實施例中，襯底支架2設有徑向取向的輸入通道9(淺色結構)和徑向取向的輸出通道10(深色結構)的巢狀配置。徑向輸入和輸出通道9和10分別分支形成交替布置的同心的輸入和輸出通道16。連接微通道結構包括分別橫切同心的輸入和輸出通道9和10的徑向取向通道17。
圖4中和圖5中所示通道結構可以根據下述兩個實施例示意性尺寸進行配置襯底支架的通道數目1200，備選15000相連通道的長度75mm，備選6mm相連通道的剖面尺寸0.3×0.3mm，備選0.2×0.05mm介質(水)流速0.4m/s熱傳輸8000W/m2K壓力差0.12巴，備選0.14巴圖6和圖7示出了通道結構，尤其是圖4和圖5所示結構的示意性剖面視圖。參照圖6所述實施例，通過提供鍵合在一起的分層結構18，通道結構l可以集成到支架結構2內。在鍵合層19或21之一或二者內提供通道布局以在該鍵合配置中形成管道。所示剖面中示出了以交替方式設置于襯底支架2內的輸入和輸出流通道9和10。流通道9和10通過精細柵格結構11相連接。可選地，例如圖6所示存在蓋層19，在一個實施例中該蓋層為例如SiSiC或SiC的導熱材料。在圖7中，不存在該蓋層，由將受到輻射的襯底20下側提供該熱穩定介質的上方限制。參照圖6，在一個實施例中，在蓋層19內提供精細柵格結構11，從而為流過結構11的熱穩定介質提供最佳的熱傳輸。
盡管未在圖中詳細示出，精細柵格結構11的多種實施例是可行的，特別是圖4和圖5所詳細描述的微通道結構。例如可以提供多孔結構，例如設有分別從輸入到輸出通道結構9和10的泄漏的粗糙表面。可以由內部樹節結構提供精細柵格結構11。這種結構特征在于多個分隔引腳或樹節，其分隔襯底支架的下壁和上壁。上壁可以形成襯底支架2的表面部分12，而下壁可分別連接到輸入和輸出通道結構9和10。
如圖6所示，在一個實施例中，輸入和輸出通道結構9和10設置為與精細柵格結構11相比更遠離表面12。此外，通道尺寸調整為使得相對于連接結構11的熱傳輸而言，輸入和輸出通道結構9和10內的熱傳輸相對最小化。當輸入和輸出通道結構9和10設置于隔熱層21中時，該隔熱層為本領域技術人員公知的材料例如Zerodur、ULE或堇青石，可以更進一步提供該效果。
盡管圖6示出了的輸入和輸出通道的通道結構深埋在該材料內，但通過附加(垂直)微通道結構22相連接，該附加結構可以省略，如圖7所示。盡管所示實施例涉及用于支持將接收圖案化射束的襯底的襯底支架，該結構非常適用于分劃板支架或者需要熱穩定的任何其他支架。
盡管在本說明書中具體地參考在IC制作中光刻設備的使用，但應該理解，這里描述的光刻設備可以具有其它用途，例如集成光學系統、用于磁疇存儲器的引導和探測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制作。技術人員將理解，在這些備選應用的情況中，任何使用術語“晶片”或“管芯”可以分別視為與更廣義的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底在曝光之前或曝光之后可以在例如涂膠顯影(通常把抗蝕劑層涂敷到襯底上并對曝光后抗蝕劑進行顯影的一種工具)、測量工具和/或檢查工具內進行處理。在本發明可應用的場合中，此處所披露的內容可應用于這些以及其他襯底處理工具。此外，例如，不止一次地處理襯底以創建多層IC，因此這里使用的術語襯底也可指已經包括多個已處理過的層的襯底。
盡管上面具體地參考本發明實施例在光學光刻情形中的使用，但是將會理解，本發明可以用于例如壓印光刻的其它用途，且在情況允許的場合中，本發明不限于光學光刻。在壓印光刻中，構圖裝置中的形貌定義在襯底上產生的圖案。構圖裝置的形貌被壓到涂敷到襯底上的抗蝕劑層上，通過對該抗蝕劑施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而使其固化。在該抗蝕劑固化之后，從抗蝕劑移出構圖裝置，在該抗蝕劑中形成圖案。
這里使用的術語“輻射”及“射束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如，波長為大約365、355、248、193、157、或126nm)與超紫外(EUV)輻射(例如，波長范圍為5至20nm)，以及例如離子束或電子束的粒子束。
這里使用的術語“透鏡”在情況允許的情形中指各種類型的光學元件的任意一個或組合，包括折射、反射、磁性、電磁、以及靜電光學元件。
盡管上面已經描述了具體實施例，但是將會理解，可以以不同于所述方式實踐本發明。例如，本發明可采取包含一個或多個描述上述方法的機器可讀取指令序列的計算機程序的形式，或者是其中存儲了這種計算機程序的數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。
上述說明書是闡述性的，而非限制性的。因此，本領域技術人員顯而易見的是，在不離開下述權利要求書所界定范圍的情況下可對本發明進行變型。
權利要求
1.一種物品支架，其構造成支持針對光刻工藝目的的物品，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述物品提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
2.權利要求1所述的物品支架，其中所述精細柵格結構包括(i)致密微通道結構、(ii)包括分隔上壁和下壁的多個分隔引腳的引腳結構、(iii)多孔結構、或者(iv)任意組合的(i)-(iv)。
3.權利要求1所述的物品支架，其中所述輸入和輸出通道結構設置為粗略柵格配置。
4.權利要求1所述的物品支架，其中所述輸入和輸出通道結構設置為與所述精細柵格結構相比更遠離所述物品。
5.權利要求4所述的物品支架，其中所述輸入和輸出通道結構設置于隔熱材料內，且所述精細柵格結構設置于導熱材料內。
6.權利要求5所述的物品支架，其中所述隔熱材料包括Zerodur、ULE、堇青石或其任意組合，所述導熱材料包括SiSiC、SiC或二者。
7.權利要求1所述的物品支架，其中所述輸入通道結構、所述輸出通道結構、或二者的通道寬度大于所述精細柵格結構的通道寬度。
8.權利要求1所述的物品支架，其中所述巢狀配置包括外圍輸入流通道和外圍輸出流通道的巢狀梳式配置，所述外圍輸入和輸出流通道分支形成布置成巢狀梳齒的輸入和輸出流通道。
9.權利要求8所述的物品支架，其中所述精細柵格結構包括與所述梳齒橫切的基本上平行的通道。
10.權利要求1所述的物品支架，其中所述巢狀配置包括徑向取向的輸入流通道和徑向取向的輸出流通道，所述徑向輸入和輸出流通道分支形成交替布置成同心的輸入和輸出流通道。
11.權利要求10所述的物品支架，其中所述精細柵格結構包括橫切所述同心的輸入和輸出流通道的徑向通道。
12.權利要求1所述的物品支架，其中所述輸入和輸出通道結構包括剖面寬度大于1mm的通道，其中所述精細柵格結構包括剖面寬度不大于1mm的通道，或兩者都滿足。
13.一種光刻設備，包括照明系統，配置成調整輻射束；投影系統，配置成把構圖裝置圖案化的所述輻射束投影到襯底的目標部分；以及物品支架，構造成支持所述構圖裝置、所述襯底或二者，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述構圖裝置、所述襯底或二者提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
14.權利要求13所述的光刻設備，其中所述巢狀配置包括外圍輸入流通道和外圍輸出流通道的巢狀梳式配置，所述外圍輸入和輸出流通道分支形成布置成巢狀梳齒的輸入和輸出流通道。
15.權利要求13所述的光刻設備，其中所述巢狀配置包括徑向取向的輸入流通道和徑向取向的輸出流通道，所述徑向輸入和輸出流通道分支形成交替布置成同心的輸入和輸出流通道。
16.權利要求13所述的光刻設備，其中所述輸入和輸出通道結構設置為與所述精細柵格結構相比更遠離所述構圖裝置、所述襯底或二者。
17.權利要求13所述的光刻設備，其中所述輸入和輸出通道結構包括剖面寬度大于1mm的通道，其中所述精細柵格結構包括剖面寬度不大于1mm的通道，或兩者都滿足。
18.一種浸漬光刻設備，包括照明系統，配置成調整輻射束；投影系統，配置成把構圖裝置圖案化的所述輻射束投影到襯底的目標部分；液體供給系統，配置成將液體供給到所述襯底和所述投影系統之間；以及物品支架，構造成支持所述構圖裝置、所述襯底或二者，所述物品支架包括布置成引導所述物品支架內的熱穩定介質從而為所述構圖裝置、所述襯底或二者提供熱穩定的通道配置，其中所述通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，所述輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于所述物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。
19.權利要求18所述的浸漬光刻設備，其中所述巢狀配置包括外圍輸入流通道和外圍輸出流通道的巢狀梳式配置，所述外圍輸入和輸出流通道分支形成布置成巢狀梳齒的輸入和輸出流通道。
20.權利要求18所述的浸漬光刻設備，其中所述巢狀配置包括徑向取向的輸入流通道和徑向取向的輸出流通道，所述徑向輸入和輸出流通道分支形成交替布置成同心的輸入和輸出流通道。
全文摘要
本發明公開了一種物品支架，其構造成支持針對光刻工藝目的的物品。該物品支架包括布置成引導該物品支架內的熱穩定介質從而為該物品提供熱穩定的通道配置，其中該通道配置包括輸入通道結構和輸出通道結構，該輸入和輸出通道結構布置成巢狀配置并通過設置于該物品支架表面上或附近的精細柵格結構而相互連接。本發明還公開了一種結合了該物品支架的光刻設備和裝置制造。
文檔編號H01L21/027GK101075097SQ20071010253
公開日2007年11月21日 申請日期2007年5月14日 優先權日2006年5月15日
發明者E·R·盧普斯特拉, J·J·奧坦斯 申請人:Asml荷蘭有限公司