專利名稱：：基板處理裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及用于處理半導體晶片、液晶顯示器的玻璃基板、光掩膜的玻璃基板和光盤的基板的基板處理裝置(以下簡稱為“基板”)。
背景技術：
：通常，這種基板處理裝置用在光刻工藝中，用于在基板上形成光致抗蝕劑膜、對具有形成于其上的光致抗蝕劑膜的基板曝光、并對該曝光的基板顯影，例如，如在日本未審專利公開No.6-151293(1994)和8-17724(1996)中所公開的。常規的基板處理裝置包括諸如光致抗蝕劑形成單元和顯影單元的基板處理單元，以及用于在基板處理裝置和其為外部裝置的曝光裝置(步進機)之間輸送基板的接口單元。經由接口單元將涂覆有光致抗蝕劑的基板輸送到曝光裝置。近年來已廣泛使用化學增強(amplified)的光致抗蝕劑。為了保持高的構圖精度，這種類型的光致抗蝕劑需要嚴格控制從曝光到加熱基板的時間。為了滿足這種要求，常規的基板處理裝置具有設置在接口單元中的加熱和冷卻模組，用于迅速加熱曝光的基板。通過接口單元的基板輸送機構，將從曝光裝置送回到接口單元的基板迅速裝載到接口單元中的加熱模組內。然后將加熱了的基板裝載到接口單元的冷卻模組中，以被冷卻到室溫。以這種方式將受到后曝光烘烤(PEB)處理的基板從接口單元傳送到基板處理單元，并在包括在基板處理單元中的顯影單元中顯影。具有這種結構的常規裝置具有以下問題(I)-(VI)問題(I)接口單元的基板輸送機構進行到上述的后曝光烘烤(PEB)的傳輸，除了以從光致抗蝕劑形成單元到曝光裝置的正向輸送以外，還按從曝光裝置到顯影單元的反向輸送。例如，當自曝光裝置移交基板時，接口的傳輸機構正進行正向輸送，移交的基板必須等待直至反向輸送結束。結果，曝光了的基板不能受到迅速的熱處理。問題(II)在基板處理裝置中，對于每個化學處理單元(例如，抗反射膜形成單元和抗蝕劑膜形成單元，該抗反射膜形成單元用于在光致抗蝕劑膜之下形成抗反射膜，目的是減小在曝光時出現的駐波和暈光)，旋轉卡盤和噴嘴通常處于相同的位置關系。也就是說，在抗反射膜形成單元中的旋轉卡盤的右手側上設置噴嘴，且在抗蝕劑膜形成單元中的旋轉卡盤的右手側上設置噴嘴。在該情況下，把基板裝載進抗反射膜形成單元內或把基板從抗反射膜形成單元中卸載的基板輸送機構會妨礙其中的噴嘴，且把基板裝載進抗蝕劑膜形成單元內或把基板從抗蝕劑膜形成單元中卸載的基板輸送機構也會妨礙其中的噴嘴。問題(III)加熱模組的實例具有臨時基板存放點。該加熱模組除了加熱板和臨時基板存放點外，還包括用作局部輸送機構的支承板。該支承板可移動到加熱板和臨時基板存放點、以及可自加熱板和臨時基板存放點移動，且包括冷卻機構。該支承板接收通過加熱板加熱的基板，用冷卻機構冷卻該基板同時支承該基板，且然后將基板放置在臨時基板存放點中。該加熱模組具有在垂直于基板輸送路徑的方向中設置的臨時基板存放點、加熱板和支承板。這種設置在垂直于沿著基板輸送路徑的輸送方向的方向上產生不用的空間。在多個階段堆疊化學處理模組時，將泵一起設置在該裝置的底板上，用于將處理液供給化學處理模組。因此，將處理液移送到如由泵吸收的上個階段中的化學處理模組。然而，泵的吸收作用會削弱處理液的粘性。因此，希望提供泵，用于在多個階段堆疊的各個處理模組。然而，由于不能在上述的垂直方向上節省空間，所以不能將泵設置在多個階段中。問題(IV)分度器(indexer)包括盒臺(cassettetable)，用于接收容納要被處理的基板的盒子。從盒子依次取出要被處理的基板并移送給處理單元。依次從處理單元接收處理了的基板并存放在盒子中。在分度器和鄰接的一個處理單元(例如，抗反射膜形成單元)之間提供用于輸送基板的基板架時，基板架占用了它們自己的安裝空間。問題(V)如上述問題(IV)提到的，需要安裝空間，用于分度器和鄰接的處理單元之間的基板架。在其它鄰接的處理單元之間也需要這種空間。也就是說，在每對鄰接的處理單元之間的基板架占用了它們自己的安裝空間。問題(VI)為了冷卻基板，垂直于基板輸送路徑(在該裝置的正、反面之間延伸的方向上)移動基板。在熱處理模組中熱處理之后輸送基板。冷卻模組常堆疊有加熱模組，且因此會受到熱影響。
發明內容針對上述現有技術的狀況制作了本發明，其目的在于提供基板處理裝置(I)用于在預定的處理單元中順利地處理基板，(II)用于減少基板輸送機構和在化學處理模組中的供給管(噴嘴)之間的干擾，(III)用于在與沿著基板輸送路徑的輸送方向垂直的方向上獲得空間的節省，(IV)用于獲得有關分度器和鄰接的處理單元之間的安裝空間的空間節省，(V)用于相對于每對鄰接的處理單元之間的安裝空間，獲得了空間的節省，以及(VI)當適當地進行化學處理和熱處理時，用于在塊(單元)之間有效地輸送基板。為了解決上述的問題(I)，本發明提供了一種具有用于處理基板的處理單元和基板輸送機構的基板處理裝置，基板輸送機構用于將基板輸送到處理單元和自處理單元輸送基板，該裝置包括第一基板輸送路徑，用于在處理單元之間輸送基板，該第一基板輸送路徑包括多個基板輸送機構，該多個基板輸送機構布置有在介于其之間的用于輸送基板的輸送點；以及第二基板輸送路徑，用于在臨時存儲基板的臨時存儲模組和預定的一個處理單元之間輸送基板，該臨時存儲模組和預定的一個處理單元分別設置在輸送點處，輸送點具有介于其之間的預定的基板輸送機構；以及單一反向路徑，用于在接收來自曝光裝置的基板后在反向上輸送基板，該第二基板輸送路徑被避免與單一反向路徑重疊。根據本發明的上述基板處理裝置提供了與第一基板輸送路徑分開的第二基板輸送路徑，以便可以進行沿著每條基板輸送路徑的基板輸送，而與沿著另一條的基板輸送無關。將預定的主輸送機構插入輸送點之間，該輸送點由用于臨時存儲基板的臨時存儲模組和預定處理單元構成。這種布置形成了第二基板輸送路徑，用于在臨時存儲模組和預定的處理單元之間輸送基板，以在預定的處理單元中順利地進行處理基板。同樣，將基板順利地輸送到臨時存儲模組。在用于解決問題(I)而提供的基板處理裝置中，第一和第二基板輸送路徑可以彼此部分重疊。第一和第二基板輸送路徑可共用一個基板輸送機構，或可通過使用不同的一個基板輸送機構形成。在前者共用同一基板輸送機構的情況下，該基板輸送機構可以沿著第一和第二基板輸送路徑中每一條輸送基板。在后者使用不同的基板輸送機構的情況下，可以減少通過一個基板輸送機構輸送的等待時間，由此可更順利地處理基板。在根據本發明的基板處理裝置的一個具體實例中，設置第一基板輸送路徑，以在處理單元和曝光裝置之間傳送基板，該曝光裝置用作與基板處理裝置并列的外部器件，預定的一個處理單元是后曝光烘烤單元，用于在曝光裝置中曝光后來加熱基板，以及設置第二基板輸送路徑，以在臨時存儲模組和后曝光烘烤單元之間傳輸和輸送基板。在根據本發明的該具體實例中，設置第一基板輸送路徑，以在處理單元和曝光裝置之間輸送基板，該曝光裝置用作與基板處理裝置并列的外部器件。預定的處理單元是后曝光單元，用于在曝光裝置中曝光后來加熱基板。設置第二基板輸送路徑，以在臨時存儲模組和后曝光烘烤單元之間傳輸和輸送基板。因此，通過后曝光烘烤單元順利地處理基板。即，在曝光后迅速進行后曝光烘烤。同樣，可以順利地將通過后曝光烘烤單元加熱的基板輸送到臨時存儲模組。在根據本發明的上述具體實例中，設置第一基板輸送路徑，以用作單一正向路徑，用于在正向輸送基板以將基板輸送到曝光裝置。這種結構有效地減少了由在基板輸送到接收其中的后曝光烘烤處理的后曝光烘烤單元的正向輸送的基板引起的等待時間。同樣，在根據本發明的上述具體實例中，設置第一基板輸送路徑，以用作單一反向路徑，用于在收到自曝光裝置的基板后在反向中輸送基板。這種結構有效地減少了由在受到后曝光烘烤處理的基板輸送到臨時存儲模組的反向輸送的基板引起的等待時間。基板處理裝置還包括用于冷卻基板的冷卻模組，設置用于在冷卻模組、臨時存儲模組和后曝光烘烤單元之間傳輸和輸送基板的第二基板輸送路徑。這種結構可以在后曝光烘烤處理后順利地進行冷卻處理。為了解決上述的問題(II)，本發明提供了一種基板處理裝置，具有用于化學處理基板的化學處理模組和基板輸送機構，該基板輸送機構用于將基板輸送到包括化學處理模組的處理單元和從處理單元中輸送基板，其中每個化學處理模組包括用于支承基板的支架和用于在化學處理時將化學溶液供給基板的供給管，且當將鄰接的各個基板輸送機構和鄰接的各個化學處理模組設置在同一方向時，相對于鄰接的各個基板輸送機構之間的邊緣線，將供給管設置在外部并將支架設置在內部。在根據本發明的基板處理裝置中，相對于鄰接的基板輸送機構之間的邊緣線，將供給管設置在外部并將支架設置在內部。這種結構防止了鄰接的基板輸送機構和供給管之間的干擾，并容易使基板輸送機構將基板輸送到各自的基板支架和自各自的基板支架中輸送基板。為了解決上述的問題(III)，本發明提供一種基板處理裝置，具有用于加熱基板的加熱模組和基板輸送機構，該基板輸送機構用于將基板輸送到包括加熱模組的處理單元和自處理單元輸送基板，其中每個加熱模組都包括用于臨時存儲基板的臨時基板存放點、用于加熱基板的加熱板和支撐板，該支撐板可移動到臨時基板存放點和加熱板、以及自臨時基板存放點和加熱板移動，將臨時基板存放點和加熱板與支撐板沿著形成在處理單元之間的基板輸送路徑并列。該基板處理裝置具有沿著基板輸送路徑設置的臨時基板存放點和加熱板。這種布置實現了在垂直于沿著基板輸送路徑的輸送方向的方向上的空間節省。在用于解決上述問題(III)的基板處理裝置的一個具體實例中，該裝置還包括設置在各個階段用于化學處理基板的化學處理模組，該化學處理模組具有其與在基板輸送路徑兩端的加熱模組相對的各自的泵。在根據本發明的該具體實例中，化學處理模組提供的泵分別與基板輸送路徑兩端的加熱模組相對。因此，將泵設置在由節省空間產生的閑置空間的各個階段中。因此，可以將泵和化學處理模組之間的連接設置在水平面上，由此避免由于每種處理液(即，化學溶液)的粘性而引起的吸收作用的困難。為了解決上述的問題(IV)，本發明提供了一種基板處理裝置和基板輸送機構，該基板處理裝置具有設置各個階段用于熱處理基板的熱處理模組，該基板輸送機構，用于將基板輸送到包括熱處理模組的處理單元和自處理單元輸送基板，該裝置包括含有盒臺的分度器，該盒臺用于接收存儲要被處理的基板的盒子，該分度器相繼從盒子取出要被處理的基板，并相繼將處理的基板存放在盒子中，設置預定的處理模組鄰接各個階段的熱處理模組并沿著分度器的輸送路徑，該熱處理模組包括基板架，用于在分度器和預定的處理模組之間輸送基板。該基板處理裝置具有基板架，用于輸送設置在各個階段的熱處理模組中包括的基板。這種結構省略了在分度器和相鄰的處理單元之間的基板架。因此，針對分度器和相鄰的處理單元之間的安裝空間，獲得了空間的節省。為了解決上述的問題(V)，本發明提供了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有用于熱處理基板的熱處理模組和用于將基板輸送到包括熱處理模組的處理單元和自處理模組輸送基板的基板輸送機構，其中該熱處理模組包括用于冷卻基板的冷卻模組和用于加熱基板的加熱模組，冷卻模組和加熱模組彼此熱隔離，該冷卻模組包括基板架，用于通過該基板架輸送基板，且通過基板架相對于基板輸送路徑傾斜地輸送基板。該基板處理裝置以熱的方式分成冷卻模組和加熱模組，在冷卻模組中提供了基板架，并通過基板架相對于基板輸送路徑傾斜地輸送基板。這種結構不需考慮熱影響，且不需要設置在處理單元之間的基板架。因此，相對于處理單元之間的安裝空間，獲得了空間的節省。為了解決上述的問題(VI)，本發明提供了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有用于熱處理基板的熱處理模組、用于化學處理基板的化學處理模組以及用于將基板輸送到包括熱處理模組和化學處理模組的處理單元、以及自處理單元輸送基板的基板輸送機構，其中該熱處理模組包括用于冷卻基板的冷卻模組和用于加熱基板的加熱模組冷卻模組和加熱模組彼此熱隔離，該加熱模組和化學處理模組形成處理塊(treatingblock)，該處理塊與穿過沿著處理單元形成的基板輸送路徑彼此相對，且冷卻模組用于在處理塊之間輸送基板。在該基板處理裝置中，冷卻模組用于在處理塊之間輸送基板。因此，當在各自的處理塊中適當地進行化學處理和熱處理時，在處理塊之間的輸送期間，可以冷卻基板。結果，有效地輸送了基板。為了說明本發明，在附圖中示出了幾種優選的形式，然而應理解的是，本發明并不限于示出的精確的結構和手段。圖1是示出第一實施例中的基板處理裝置的輪廓的平面圖；圖2是示出第一實施例中的裝置的輪廓的正視圖；圖3是熱處理模組的正視圖；圖4A是有關供給系統的說明性視圖，其是噴嘴和旋轉卡盤的平面圖；圖4B是有關供給系統的說明性視圖，其是示出垂直設置的泵的輪廓的側視圖；圖5是示出邊緣曝光模組和接口單元的輪廓的側視圖；圖6A是示出主輸送機構的輪廓的平面圖；圖6B是示于圖6A中的主輸送機構的左側視圖；圖7A是具有臨時基板存放點的加熱模組的剖面側視圖；圖7B是具有臨時晶片存放點的加熱模組的剖面圖；圖8是示出第一實施例的裝置中的單元布置的平面圖；圖9是在第一至第三實施例的裝置中的控制系統的方塊圖；圖10是示出通過第一實施例的第一至第四主輸送機構輸送基板的流程圖；圖11A是示意性地示出第一實施例中的基板輸送路徑的平面圖；圖11B是示意性地示出第二實施例中的基板輸送路徑的平面圖；圖11C是示意性地示出第三實施例中的基板輸送路徑的平面圖；圖12是示出第二實施例中的基板處理裝置的輪廓的平面圖；圖13是示出第二實施例中的裝置的輪廓的正視圖；圖14是熱處理模組的正視圖；圖15是示出第二實施例的裝置中的單元布置的平面圖；圖16是示出通過第二實施例中的第一至第四主輸送機構輸送基板的流程圖；圖17是示出第三實施例中的基板處理裝置的輪廓的平面圖；圖18是示出第三實施例中的裝置的輪廓的正視圖；圖19是熱處理模組的正視圖；圖20是示出在第三實施例的裝置中的單元布置的平面圖；圖21是示出通過第三實施例中的第一至第四主輸送機構輸送基板的流程圖。具體實施例方式參考附圖，以下將詳細地描述本發明的優選實施例。第一實施例圖1是示出第一實施例中的基板處理裝置的輪廓的平面圖。圖2是示出第一實施例中的裝置的輪廓的正視圖。圖3是熱處理模組的正視圖。所說明的裝置是構造的基板處理裝置，以進行化學處理，用于在半導體晶片(以下簡稱“基板或晶片”)上形成抗反射膜和光致抗蝕劑膜并顯影曝光的基板。由根據本發明的基板處理裝置處理的基板當然不限于半導體晶片，而包括各種基板，諸如用于液晶顯示器的玻璃基板。化學處理不限于光致抗蝕劑膜等的形成或顯影，而包括各種其它的化學處理。第一實施例中的基板處理裝置包括分度器單元C1、抗反射膜形成單元C2、抗蝕劑膜形成單元C3、顯影單元C4、后曝光烘烤單元C5、接口單元C6，其中該分度器單元C1用于在多個階段自每個容納多個晶片W的盒子C取出晶片W并將晶片W存放在盒子C中，抗反射膜形成單元C2用于在光致抗蝕劑膜之下形成抗反射膜以便減少在曝光時出現的駐波和暈光，抗蝕劑膜形成單元C3用于在晶片W上形成的抗反射膜之上形成光致抗蝕劑膜，顯影單元C4用于顯影曝光的晶片W，后曝光烘烤單元C5用于在顯影之前加熱曝光的晶片W，接口單元C6用于將晶片W輸送到曝光裝置(例如，步進機)STP和自曝光裝置輸送晶片W，該曝光裝置STP是與基板處理裝置分開的裝置(見圖8)。設置上述的曝光裝置STP與接口單元C6鄰接。首先將描述分度器單元C1。分度器單元C1是用于在多個階段自每個容納多個晶片W的盒子C取出晶片W并將晶片W存放在盒子C中的機構。具體地，分度器單元C1包括用于接收并列的多個盒子C的盒臺6和分度器的輸送機構7，該分度器的輸送機構7用于相繼從每個盒子C取出要被處理的晶片W并相繼將處理了的晶片W存放在每個盒子C中。該輸送機構7具有沿著盒臺6水平移動(在Y方向)的可移動的基座7a。支承臂7b安裝在可移動的基座7a上用于以水平狀態支承晶片W。在可移動的基座7a上，支承臂7b可垂直移動(在Z方向)、可在水平面轉動、以及徑向可延伸和可收縮的轉動運動。以下將描述抗反射膜形成單元C2。抗反射膜形成單元C2是用于在光致抗蝕劑膜的下面形成抗反射膜的機構，目的是減少在曝光時出現的駐波和暈光。具體地，該單元C2包括用于為晶片W的表面涂布抗反射膜的抗反射膜涂布模組8、用于抗反射膜形成時熱處理晶片W的抗反射膜加熱模組9和第一主輸送機構10A，該第一主輸送機構10A用于將晶片W輸送到抗反射膜涂布模組8和抗反射膜加熱模組9以及自抗反射膜涂布模組8和抗反射膜加熱模組9輸送晶片W。在抗反射膜形成單元C2中，涂布模組8和熱處理模組9在第一主輸送機構10A兩端彼此相對。具體地，將涂布模組8設置在該裝置的正面區域，而將熱處理模組9設置在裝置的背面區域。其它的抗蝕劑膜形成單元C3同樣具有在主輸送機構兩端的相對的區域中布置化學處理模組和熱處理模組的上述特征。在這種布置中，化學處理模組和熱處理模組彼此隔開，且因此減少了化學處理模組將來熱處理模組的熱影響下的幾率。在第一實施例中，未示出的熱阻擋層形成在熱處理模組9的正面，以避免抗反射膜涂布模組8的熱影響。同樣在其它的抗蝕劑膜形成單元C3中形成類似的熱阻擋層。如圖2所示，抗反射膜涂布模組8由三個垂直排列的相同結構的抗反射膜涂布模組8a-8c(以下表示為“8”，不再區分單個的涂布模組)組成。每個涂布模組8都包括旋轉卡盤11和噴嘴12，該旋轉卡盤11用于以水平姿態吸附吸附支承和旋轉晶片W，該噴嘴12用于將涂布溶液供給在旋轉卡盤11上支承的晶片W，用于形成抗反射膜。如圖3所示，抗反射膜熱處理模組9包括用于將晶片W加熱到預定溫度的多個加熱板HP、用于將加熱的晶片W冷卻到室溫的多個冷卻板CP和多個粘接模組AHL，該多個粘接模組AHL用于在HMDS(六甲基二硅氮烷)蒸汽的氣氛下熱處理晶片W，目的是提高抗蝕劑膜對晶片W的粘接性。熱處理模組9還包括基板架PASS1和冷卻板CP_PASS，該基板架PASS1用于接收晶片W以在分度器單元C1和抗反射膜形成單元C2之間輸送晶片W，該冷卻板CP_PASS用于冷卻晶片W并在分度器單元C1與抗反射膜形成單元C2之間輸送晶片W。加熱器控制裝置(CONT)設置在這些熱處理模組9以下，且管道系統(piping)、布線和預留空間(reservespaces)配置在熱處理模組9之上的位置處(在圖3中用“X”標記表示)。使用設置于基板架PASS1之下的冷卻板CP_PASS將晶片W從分度器單元C1供給抗反射膜形成單元C2。使用基板架PASS1將晶片W從抗反射膜形成單元C2送回到分度器單元C1。如抗反射膜形成單元C2所示，冷卻板CP_PASS對應于入口基板架，用于使晶片W進入抗反射膜形成單元C2中。特別地，自分度器單元C1向曝光裝置STP輸送晶片W的方向被認為是正向，冷卻板CP_PASS對應供給入口基板架，用于在正向輸送晶片W。另一方面，基板架PASS1是用于將晶片W送出抗反射膜形成單元C2所使用的出口基板架，且特別地對應于在反向(在第一實施例中，自曝光裝置STP向分度器單元C1輸送晶片W的方向)用于輸送晶片W所使用的送回的出口基板架。在以下說明中，除非另作說明，冷卻板CP僅用于冷卻晶片W，而冷卻板CP_PASS冷卻晶片W并在相鄰的單元之間輸送晶片W。每個基板架PASS1和冷卻板CP_PASS都具有多個固定的支承銷。這也是與在以下將要描述的其它單元C3-C6中的其它基板架PASS2-PASS5和冷卻板CP_PASS的例子。基板架PASS1和冷卻板CP_PASS包括未示出的光學傳感器，用于檢測晶片W。使用每個傳感器的檢測信號，來確定基板架PASS1或冷卻板CP_PASS是否處于用于將晶片W輸送到分度器的輸送機構7或抗反射膜形成單元C2的第一主輸送機構10A的狀態、或自分度器的輸送機構7或抗反射膜形成單元C2的第一主輸送機構10A輸送晶片W的狀態。在其它單元C3-C6中同樣為其它的基板架PASS2-PASS5和冷卻板CP_PASS提供了類似的傳感器。在抗反射膜熱處理模組9中，垂直地層疊包括基板架PASS1和冷卻板CP_PASS的這些熱處理模組HP、CP和AHL。其它的抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4也具有垂直層疊的化學處理模組和熱處理模組的特征。在每個處理單元C2-C4中的化學處理模組和熱處理模組的垂直布置具有減小由基板處理裝置占用的空間的效果。如本說明書所清楚描述的，用于在分度器單元C1和抗反射膜形成單元C2之間輸送晶片W的基板架PASS1和冷卻板CP_PASS被包含設置在多個階段的熱處理模組9中，且這些基板架PASS1和冷卻板CP_PASS沿著分度器的輸送機構7的輸送路徑鄰接設置。這種布置不再需要如現有技術中用于在分度器和抗反射膜形成單元之間輸送晶片W所需的基板架。可以將基板架PASS1設置在現有的熱處理模組中，由此減小用于安裝基板架的空間(即，對問題(IV)的解決方案)。將參考圖6A和6B描述第一主輸送機構10A。第一主輸送機構10A具有與在其它的抗蝕劑膜形成單元C3、顯影單元C4、后曝光烘烤單元C5和接口單元C6中的第二、第三和第四主輸送機構10B、10C和10D相同的結構。以下第一至第四主輸送機構10A-10D稱作主輸送機構10，不再區分這些輸送機構。圖6A是主輸送機構10的平面圖。圖6B是其左側視圖。主輸送機構10包括垂直排列且彼此靠近用于以水平姿勢支承晶片W的兩個支承臂10a和10b。每個支承臂10a或10b都具有平面圖中的C形的前端和自C形端的內部向內伸出的用于從下面支承晶片W的外圍的多個銷10c。主輸送機構10具有固定到裝置基座上的基座10d。基座10d可旋轉地支承向上延伸的螺桿軸10e。將發動機10f貼附到基座10d上，用于旋轉螺桿軸10e。升降板10g與螺桿軸10e嚙合。當發動機10f旋轉螺桿軸10e時，升降板10g隨著由導引桿10j導引而垂直移動。將臂基座10h裝配在升降板10g上，以可在垂直軸周圍旋轉。將發動機10i裝配在升降板10g中，用于旋轉臂基座10h。上述的兩個支承臂10a和10b垂直地設置在臂基座10h上。支承臂10a和10b在旋轉的臂基座10h的徑向上可伸長和可收縮，且與由裝配在臂基座10h中的驅動機構(未示出)彼此無關。將描述抗蝕劑膜形成單元C3。抗蝕劑膜形成單元C3是用于在晶片W上形成的抗反射膜之上形成光致抗蝕劑膜的機構。第一實施例使用化學增強的抗蝕劑作為光致抗蝕劑。抗蝕劑膜形成單元C3包括用于在涂布有抗反射膜的晶片W上涂敷和形成光致抗蝕劑膜的抗蝕劑膜涂布模組13、用于在光致抗蝕劑膜形成時熱處理晶片W的抗蝕劑膜熱處理模組14、和第二主輸送機構10B，第二主輸送機構10B用于將晶片W輸送到抗蝕劑膜涂布模組13和抗蝕劑膜熱處理模組14、以及自抗蝕劑膜涂布模組13和抗蝕劑膜熱處理模組14輸送晶片W。如圖2所示，抗蝕劑膜涂布模組13由垂直排列的相同結構的三個抗蝕劑膜模組13a-13c(以下表示為“13”，不再區分單個的涂布模組)組成。每個涂布模組13都包括旋轉卡盤15和噴嘴16，該旋轉卡盤15用于吸附支承和以水平姿勢旋轉晶片W，該噴嘴16用于將涂布溶液供給在旋轉卡盤15上支承的晶片W，用于形成抗反射膜。圖4A和4B是有關供給系統的說明性視圖。圖4A是噴嘴和旋轉卡盤的平面圖。圖4B是示出垂直設置的泵的輪廓的側視圖。如圖4A所示，每個抗蝕劑膜涂布模組13都具有設置在旋轉卡盤15的右手側(鄰接顯影單元C4的那側)的噴嘴16，而以上描述的每個抗反射膜涂布模組8都具有設置在旋轉卡盤11的左手側(鄰接分度器單元C1的那側)的噴嘴12。相對于抗反射膜形成單元C2和抗蝕劑膜形成單元C3之間的邊緣線B1，噴嘴12和16布置在外部且旋轉卡盤11和15布置在內部。也就是說，旋轉卡盤11和15與噴嘴12和16在邊緣線B1的周圍是位置對稱的關系。這種布置具有優于現有技術的優點，以避免第一和第二主輸送機構10A和10B與噴嘴12和16之間的干擾，由此易于通過第一和第二主輸送機構10A和10B將晶片W輸送到旋轉卡盤11和15、以及自旋轉卡盤11和15輸送晶片W(即，對問題(II)的解決方案)。如圖3所示，抗蝕劑膜熱處理模組14在左手列(鄰接抗反射膜形成單元C2)包括多個加熱板HP和多個冷卻板CP，該加熱板HP用于將晶片W加熱到預定溫度，該冷卻板CP用于以高的精確度將加熱了的晶片冷卻到室溫。該同一列包括基板架PASS2，用于接收晶片W以在抗反射膜形成單元C2和抗蝕劑膜形成單元C3之間輸送晶片W；和冷卻板CP_PASS，用于冷卻晶片W并在抗反射膜形成單元C2和抗蝕劑膜形成單元C3之間輸送晶片W。而且，抗蝕劑膜熱處理模組14在右手列(鄰接抗蝕劑膜形成單元C3)包括具有臨時基板存放的多個加熱模組PHP，用于將晶片W加熱到預定溫度。因此，垂直地層疊包括基板架PASS2和冷卻板CP_PASS的熱處理模組HP、CP和PHP并位于多個列(在第一實施例中為兩列)中。垂直排列熱處理模組的特征與抗反射膜形成單元C2中的相同。設置在基板架PASS2下面的冷卻板CP_PASS用于將晶片W自抗反射膜形成單元C2供給抗蝕劑膜形成單元C3。使用基板架PASS2將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3供給抗反射膜形成單元C2。如抗反射膜形成單元C2所示，冷卻板CP_PASS對應于供給出口基板架，且如抗蝕劑膜形成單元C3所示，冷卻板CP_PASS對應于供給入口基板架。如抗反射膜形成單元C2所示，基板架PASS2對應于送回入口基板架，且如抗蝕劑膜形成單元C3所示，基板架PASS2對應于送回出口基板架。如上所述，在彼此并列的多列中垂直層疊的熱處理模組群，提供了易于保持熱處理模組的優點，并消除了延伸到大的高度、用于熱處理模組所需的管道、管道系統和電源線的需要。參考圖7A和7B，將描述具有臨時基板存放點的加熱模組PHP。圖7A是加熱模組PHP中之一的剖面側視圖。圖7B是其剖面平面圖。加熱模組PHP，包括加熱板HP，用于加熱放置于其上的晶片W；臨時基板存放點17，用于在遠離加熱板HP的上部位置或下部位置(在第一實施例中為上部位置)保持晶片W；和局部輸送機構18，用于在加熱板HHP和臨時基板存放17之間輸送晶片W。加熱板HP具有可伸出到板的上表面之上和可收縮到板的上表面之下的多個支承銷19。上部蓋20設置于加熱板HP之上，以在熱處理時可垂直移動來覆蓋晶片W。臨時基板存放點17具有多個固定的支承銷21，用于支承晶片W。局部輸送機構18包括用于以水平姿勢保持晶片W的支承板22。支承板22通過螺絲供給機構23可垂直移動，且可通過皮帶傳動機構24延伸和收縮。當支承板22延伸到加熱板HP或臨時基板存放點17之上時，支承板22限定了多個狹縫22a，以避免與可移動支承銷19或固定支承銷21的干擾。局部輸送機構18包括用于冷卻晶片W的器件，同時自加熱板HP將晶片W輸送到臨時基板存放點17。例如，這種冷卻器件具有形成在支承板22內部的冷卻水道22b，用于循環冷卻水。局部輸送機構18與在加熱板HP和臨時基板存放點17兩端的第二主輸送機構10B相對。也就是說，鄰接該裝置的背面設置局部輸送機構18。將加熱板HP和臨時基板存放點17封入外殼25中。該外殼25具有形成在其覆蓋臨時基板存放點17上部的前壁中的開口17a，用作第二主輸送機構10B的入口；和形成在上部的側壁中的開口17b，用作局部輸送機構18的入口。而且，外殼25具有在其覆蓋加熱板HP下部中的封閉的正面，和形成在下部側壁中的開口17c，用作局部輸送機構18的入口。如本說明書所清楚說明的，在沿著分度器單元C1和曝光裝置STP之間的基板輸送路徑的正向和反向中，布置臨時基板存放點17和加熱板HP、以及可移動到臨時基板存放點17和加熱板HP且可自臨時基板存放點17和加熱板HP移動的支承板22(參見圖7A和7B)，該支承板22起裝載和卸載的作用。由于臨時基板存放點17、加熱板HP和支承板22沒有垂直沿著如現有技術中的基板輸送路徑的輸送方向布置，所以在垂直于輸送方向的方向中實現了空間的節省(即，解決的問題(III))。在現在可利用的閑置空間中，與基板輸送路徑兩端的加熱模組PHP相對，如圖4B所示，例如，在各自階段可以為抗反射膜涂布模組8和抗蝕劑膜涂布模組13單獨地提供諸如泵P的供給系統，并連接到抗反射膜涂布模組8的噴嘴12和抗蝕劑膜涂布模組13的噴嘴16(未示出該連接)。以這種方式，可水平地布置泵P和它們的連接，以避免被處理液(光致抗蝕劑溶液和抗反射膜形成溶液)的粘性削弱的吸收作用。如下，將晶片W裝入上述的加熱模組PHP中和自上述的加熱模組PHP卸載晶片W。首先，主輸送機構10(在抗蝕劑膜形成單元C3的例子中的第二主輸送機構10B)將晶片W放置在臨時基板存放點17的固定支承銷21上。然后，將局部輸送機構18的支承板22提升到晶片W之下且略微上升，以從固定支承銷21拾取晶片W。支承晶片W的支承板22離開外殼25，并下降到與加熱板HP相對的位置。此時，加熱板HP的可移動支承銷19位于較低位置，并升高上部蓋20。支承晶片W的支承板22上升到加熱板HP之上。升高可移動支承銷19以拾取晶片W，且此后支承板22離開外殼25。然后，降低可移動支承銷19，以將晶片W放置在加熱板HP上。降低上部蓋20以覆蓋晶片W。在該狀態下加熱晶片W。在熱處理后，升高上部蓋20。升高可移動支承銷19以拾取晶片W。支承板22上升到晶片W之下，然后降低可移動支承銷19以將晶片W放置在支承板22上。支承晶片W的支承板22離開外殼25，上升并將晶片W輸送到臨時基板存放點17中。通過支承板22的冷卻作用來冷卻由臨時基板存放點17中的支承板22支承的晶片W。支承板22將冷卻了(即，恢復到室溫)的晶片W輸送到臨時基板存放點17中的固定支承銷21上。主輸送機構10取出并輸送晶片W。如上所述，主輸送機構10僅將晶片W輸送到臨時基板存放點17和自臨時基板存放點17輸送晶片W，且沒有輸送到加熱板HP和自加熱板HP輸送。因此，主輸送機構10沒有溫度增加。將描述顯影單元。顯影單元C4是用于顯影曝光的晶片W的機構。具體地，顯影單元C4，包括顯影模組26，用于顯影曝光的晶片W；兩組熱處理模組27和28，用于熱處理涉及顯影的晶片W；和第三主輸送機構10C，用于將晶片W輸送到顯影模組26與熱處理模組27和28、以及自顯影模組26與熱處理模組27和28輸送晶片W。如圖2所示，顯影模組26由垂直排列且并排的相同結構的六個顯影模組26a-26f(以下表示為“26”，不再區分單個的顯影模組)構成。每個顯影模組26都包括旋轉卡盤29和噴嘴30，該旋轉卡盤29用于吸附支承且以水平姿勢旋轉晶片W，該噴嘴30用于將顯影液供給在旋轉卡盤29上支承的晶片W。在抗反射膜形成單元C2和抗蝕劑膜形成單元C3中，將化學處理模組布置在該裝置的正面，而將熱處理模組布置在該裝置的背面。因此，化學處理模組和熱處理模組在主輸送機構的兩端彼此相對。在顯影單元C4中，熱處理模組27設置到第三主輸送機構10C的左邊(鄰接抗蝕劑膜形成單元C3)，而熱處理模組28設置到第三主輸送機構10C的右邊(鄰接接口單元C6)。因此，熱處理模組27和28在第三主輸送機構10C的兩端彼此相對。如圖3所示，熱處理模組27包括多個冷卻板CP和還有兩個冷卻板CP_PASS，該冷卻板CP_PASS用于冷卻晶片W并在抗蝕劑膜形成單元C3與顯影單元C4之間輸送晶片W。對于兩個冷卻板CP_PASS，上冷卻板CP_PASS用來將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3供給顯影單元C4，且下冷卻板CP_PASS用來將晶片自顯影單元C4送回到抗蝕劑膜形成單元C3。如抗蝕劑膜形成單元C3所示，上冷卻板CP_PASS對應于供給出口基板架，且如顯影單元C4所示，上冷卻板CP_PASS對應于供給入口基板架。如抗蝕劑膜形成單元C3所示，下冷卻板CP_PASS對應于送回入口基板架，且如顯影單元C4所示，下冷卻板CP_PASS對應于送回出口基板架。如圖3所示，熱處理模組28包括多個加熱板HP、多個冷卻板CP和冷卻板CP_PASS，該冷卻板CP_PASS用于冷卻晶片W并在顯影單元C4與后曝光烘烤單元C5之間輸送晶片W。冷卻板CP_PASS用來將晶片W自顯影單元C4供給后曝光烘烤單元C5。如顯影單元C4所示，冷卻板CP_PASS對應于供給出口基板架，且如后曝光烘烤單元C5所示，冷卻板CP_PASS對應于供給入口基板架。將描述后曝光烘烤單元C5。后曝光烘烤單元C5是用于在顯影之前加熱曝光的晶片W的機構。具體地，后曝光烘烤單元C5，包括熱處理模組31、具有兩個邊緣曝光模組EEW的垂直層疊結構、供給緩沖器SBF、基板送回緩沖器RBF以及基板架PASS4和PASS5，該熱處理模組31用于在顯影之前對加熱曝光的晶片W后曝光烘烤，該邊緣曝光模組EEW用于曝光涂布有光致抗蝕劑的晶片W的周邊。提供第四主輸送機構10D，用于將晶片W輸送到垂直的層疊結構和用于后曝光烘烤的熱處理模組31、以及自垂直的層疊結構和熱處理模組31輸送晶片W。熱處理模組31包括具有臨時基板存放點的多個加熱模組PHP和用于在顯影單元C4與后曝光烘烤單元C5之間輸送晶片W的基板架PASS3。基板架PASS3用來將晶片W自后曝光烘烤單元C5送回到顯影單元C4。如顯影單元C4所示，基板架PASS3對應于送回入口基板架，且如后曝光烘烤單元C5所示，基板架PASS3對應于送回出口基板架。如圖2所示，每個邊緣曝光模組EEW都包括旋轉卡盤32和光發射器33，該旋轉卡盤32用于以水平姿勢吸附支承和旋轉晶片W，該光發射器33用于曝光在旋轉卡盤36上支承的晶片W的周邊。將兩個邊緣曝光模組EEW布置成一個在另一個之上。鄰接邊緣曝光模組EEW和用于后曝光烘烤的熱處理模組31設置的第四主輸送機構10D，具有與圖6A和6B中所述的主輸送機構10相同的結構。參考圖5，將描述邊緣曝光模組EEW和接口單元C6。圖5是邊緣曝光模組EEW和接口單元C6的側視圖。將上述的供給緩沖器SBF和基板送回緩沖器RBF設置在兩個邊緣曝光模組EEW的下面，且在緩沖器RBF的下面，將兩個基板架PASS4和PASS5布置成一個在另一個之上。當曝光裝置STP不能接收晶片W時，提供供給緩沖器SBF用于臨時存儲要被曝光的晶片W。例如，當顯影單元C4由于某故障不能顯影晶片W時，提供基板送回緩沖器RBF，用于臨時存儲受到在后曝光烘烤單元C5的熱處理模組31中包括的加熱模組PHP中的后曝光烘烤處理的晶片W。供給緩沖器SBF和基板送回緩沖器RBF每一個都是存儲架的形式，用于存儲在多個階段的多個晶片W。基板架PASS4用于將晶片W自后曝光烘烤單元C5供給接口單元C6。基板架PASS5用于將晶片W自接口單元C6送回后曝光烘烤單元C5。如后曝光烘烤單元C5所示，基板架PASS4對應于供給出口基板架，且如接口單元C6所示，基板架PASS4對應于供給入口基板架。如后曝光烘烤單元C5所示，基板架PASS5對應于送回入口基板架，且如接口單元C6所示，基板架PASS5對應于送回出口基板架。接口單元C6是用于將晶片W輸送到曝光裝置STP和用于自曝光裝置STP輸送晶片的機構，該曝光裝置STP是與基板處理裝置分開的外部裝置。接口單元C6包括接口的輸送機構34，用于將晶片W輸送到曝光裝置STP和自曝光裝置STP輸送晶片W。如圖1和5所示，接口的輸送機構34具有在Y方向水平移動的可移動基座34a和裝配在可移動基座34a上用于支承晶片W的支承臂34b。支承臂34b是垂直可移動的、可轉動的以及可徑向延伸和收縮的轉動運動。在垂直布置的基板架PASS4和PASS5的下面，接口的輸送機構34具有其輸送路徑延伸的一個端部(圖5中示出的位置P1)。在位置P1，接口的輸送機構34將晶片W輸送到曝光裝置STP和自曝光裝置STP輸送晶片W。在輸送路徑的另一端部位置P2，接口的輸送機構34將晶片W輸送到基板架PASS4和PASS5、以及自基板架PASS4和PASS5輸送晶片W。具有上述結構的基板處理裝置將向下流動的純凈空氣供給到分度器單元C1、各個處理單元C2-C5和接口單元C6中，以避免由在這些單元中的漂浮的顆粒和氣流對處理施加的不利影響。使每個單元的內部都保持在比該裝置的外部環境略高的氣壓，以防止顆粒、雜質等從外部環境進入。具體地，將抗反射膜形成單元C2設置到比分度器單元C1高的大氣壓。由于分度器單元C1中的大氣不會流入抗反射膜形成單元C2中，所以可以在不會受到外部大氣的影響的情況下在各個單元C2-C5中進行熱處理。在第一實施例中以及在以下描述的第二和第三實施例中，處理單元和單個主輸送機構構成了單個控制單元，該處理單元用于進行所需的基板處理的處理單元，該單個主輸送機構用于將基板輸送到處理單元和自處理單元輸送基板。將這種控制單元并置，以形成基板處理裝置。如彼此區分開的、每個控制單元都包括入口基板架，用在其上放置引入的基板；和出口基板架，用于在其上防止引出的基板。各個控制單元的主輸送機構經由入口基板架和出口基板架輸送基板。每個控制單元都包括控制器件，用于至少控制每個控制單元的主輸送機構的基板輸送操作。每個控制單元的控制器件都進行一系列有關基板輸送的控制，而與其它控制器件無關，該基板輸送包括將基板輸送到處理單元、自處理單元輸送和將基板輸送到基板架、自基板架輸送基板。上述的控制單元對應于各個單元C1-C6。圖8示出了構成第一實施例中的裝置的控制系統的單元的布置。在單元C1-C6之間是隔板(未示出)，用于防止來自鄰接單元的熱影響。第一實施例中的裝置具有上述的以并列布置的六個單元C1-C6。在單元C1-C6之間通過基板架PASS1-PASS10輸送晶片W。換句話說，本發明中的每個控制單元(元件)都包括單個主輸送機構和處理模組，在將晶片W放置在具體的出口基板架上之前，該處理模組將自具體的入口基板架接收的晶片W輸送到主輸送機構，以及自主輸送機構輸送自具體的入口基板架接收的晶片W。如圖9所示，單元C1-C6獨立包括單元控制器(單元控制器件)CT1-CT6，用于分別至少控制主輸送機構(包括分度器的輸送機構7和接口的輸送機構34)的基板輸送操作。每個單元控制器CT1-CT6都獨立地進行一系列控制，以收到自預定入口基板架的晶片W開始，且以在預定出口基板架上放置晶片W結束。具體地，各自單元C1-C6的單元控制器CT1-CT6以如下方式交換信息，一個控制器將信息發送到晶片W被放置在預定基板架上的下一單元的控制器，且已接收晶片W的下一個單元的單元控制器將信息送回到前述單元的、晶片W已接收自預定基板架的單元控制器。經由連接到各自單元控制器CT1-CT6的主要控制器(主要控制器件)MC進行這種信息的交換，用于進行其全部控制。主要控制器MC還連接到以下描述的數據給定器(datasetter)HC，用于與數據給定器HC通信。每個單元控制器CT1-CT6僅進行用于在其單元內的晶片W輸送的控制，而與鄰接單元中的主輸送機構的運動無關。因此，單元控制器CT1-CT6在減少了的控制載荷下工作。在第一實施例中，控制器CT1-CT6在如上所述的減少了控制載荷下工作，且由此基板處理裝置相應地具有提高的產量。在第一實施例中的控制方法中，容易添加單元，因為其不會影響鄰接的單元。可添加的單元并不限于特殊的類型。例如，可以將檢測單元添加在抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4之間，用于檢測形成在晶片W上的抗蝕劑膜的厚度或用于檢測顯影了的抗蝕劑膜的線寬。在該情況下，該檢測單元，如在第一實施例中的其它單元那樣，包括用于檢測基板的基板檢測模組和主輸送機構，該主輸送機構用于將基板輸送到檢測模組和自檢測模組輸送基板。在檢測單元和鄰接單元之間經由入口基板架和出口基板架輸送基板。接下來將描述第一實施例中的基板處理裝置的工作情況。參見圖10，具體地用于由抗反射膜形成單元C2、抗蝕劑膜形成單元C3、顯影單元C4和后曝光烘烤單元C5的主輸送機構10A-10D進行的輸送步驟。首先，將分度器單元C1的分度器輸送機構7水平地移動到與預定盒子C相對的位置。然后，通過垂直移動以及延伸和收縮支承臂7b，從盒子C取出將要被處理的晶片W。用通過支承臂7b支承的晶片W，分度器的輸送機構7水平地移動到與抗反射膜熱處理模組9的基板架PASS1和冷卻板CP_PASS相對的位置。然后，輸送機構7把由支承臂7b支承的晶片W放置在下部的、基板供給冷卻板CP_PASS上。當在上部的送回基板架PASS1上存在處理了的晶片W時，則分度器輸送機構7把處理了的晶片W裝載在支承臂7b上，并將該處理了的晶片W存放在預定的盒子C中。隨后，輸送機構7重復操作，從盒子C取出要被處理的晶片W、將晶片W輸送到冷卻板CP_PASS、接收自基板架PASS1處理了的晶片W、并將處理了的晶片W存放在盒子C中。將描述抗反射膜形成單元C2的工作情況。在將要被處理的晶片W放置在抗反射膜熱處理模組9的冷卻板CP_PASS上(如自抗反射膜形成單元C2所示的“供給入口基板架”)后，如圖10所示，單元C2的第一主輸送機構10A將支承臂10a和10b一起垂直移動并轉動到與基板架PASS1和冷卻板CP_PASS相對的位置。然后，第一主輸送機構10A升高支承臂10a，并為支承臂10a裝載自冷卻板CP_PASS要被處理的晶片W。裝載有晶片W的支承臂10a收回到最初位置。接下來，略微一起升高支承臂10a和10b，且將支承處理了的晶片W的支承臂10b升高，以在基板架PASS1(如自抗反射膜形成單元C2所示的“送回出口基板架”)上放置處理了的晶片W。通過圖10中的第一主輸送機構10A的輸送步驟(1+α)表示上述將要被處理的晶片W和處理了的晶片W輸送到基板架PASS1和冷卻板CP_PASS以及自基板架PASS1和冷卻板CP_PASS輸送。這里，“α”表示部分輸送步驟，用于將支承臂10a和10b自與冷卻板CP_PASS相對的位置略微升高到與基板架PASS1相對的位置，目的是將處理了的晶片W輸送到基板架PASS1。如上所述，垂直且彼此靠近布置基板架PASS1和冷卻板CP_PASS。在基板架PASS1和冷卻板CP_PASS之間的移動中耗費的時間是短暫且可忽略的。因此，輸送步驟(1+α)可以被認為成一個輸送步驟(即，在第一實施例中在預定時間內(例如，四秒)由主輸送機構進行的基板輸送操作)。一旦完成晶片W輸送到基板架PASS1和冷卻板CP_PASS、以及自基板架PASS1和冷卻板CP_PASS輸送晶片W，第一主輸送機構10A就一起垂直移動和轉動支承要被處理的晶片W的支承臂10a和沒有將晶片W保持到與預定的一個抗反射膜涂布模組8相對的位置的支承臂10b。通常，在該抗反射膜涂布模組8中存在以前處理了的晶片W。因此，首先升高未裝載的支承臂10b，以自該抗反射膜涂布模組8中的旋轉卡盤11拾取處理了的晶片W。然后，升高支承晶片W的支承臂10a，以將晶片W放置在旋轉卡盤11上。放置在旋轉卡盤11上的晶片W涂布有抗反射膜，同時主輸送機構10A進行其它的輸送操作。晶片W輸送到旋轉卡盤11和自旋轉卡盤11輸送晶片對應于圖10中所示的第一主輸送機構10A的輸送步驟(2)。圖10中的“BARC”表示該抗反射膜涂布模組8。一旦完成晶片W輸送到旋轉卡盤11和自旋轉卡盤11輸送晶片W，第一主輸送機構10A就一起垂直移動和轉動未保持晶片W的支承臂10a和將涂布有抗反射膜的晶片W保持到與預定的加熱板HP相對的位置的支承臂10b。通常，在該加熱板HP上還存在以前處理了的晶片W。因此，首先升高未裝載的支承臂10a，以自加熱板HP拾取加熱了的晶片W。然后，升高支承臂10b，以將要被處理的晶片W放置在加熱板HP上。熱處理放置在加熱板HP上的晶片W以將多余的溶劑自晶片W上的抗反射膜去除，同時主輸送機構10A進行其它的輸送操作。晶片W輸送到加熱板HP和自加熱板HP輸送晶片對應于圖10中所示的第一主輸送機構10A的輸送步驟(3)。一旦完成晶片W輸送到加熱板HP和自加熱板HP輸送晶片W，第一主輸送機構10A就將支承加熱了的晶片W的支承臂10a和未裝載的支承臂10b、一起垂直移動和轉動到與抗蝕劑膜熱處理模組14的基板架PASS2和冷卻板CP_PASS相對的位置。升高支承晶片W的支承臂10a，以將晶片W放置在冷卻板CP_PASS上(如自抗反射膜形成單元C2所示的“供給出口基板架”)。將放置在冷卻板CP_PASS上的晶片W以高的精確度冷卻到室溫，同時主輸送機構10A進行其它的輸送操作。通常，上部的基板架PASS2(如自抗反射膜形成單元C2所示的“送回入口基板架”)正保持經由抗蝕劑膜形成單元C3自顯影單元C4送到此處的顯影了的晶片W。在一起略微升高支承臂10a和10b后，升高未裝載的支承臂10b，以自基板架PASS2拾取顯影了的晶片W。將晶片W輸送到基板架PASS2和冷卻板CP_PASS、以及自基板架PASS2和冷卻板CP_PASS輸送晶片W對應于圖10中所示的第一主輸送機構10A的輸送步驟(4+α)。如上所述，“α”表示用于略微升高和降低支承臂10a和10b的簡短的部分輸送步驟。因此，輸送步驟(4+α)可以被認為成一個輸送步驟。抗反射膜形成單元C2的第一主輸送機構10A重復上述的輸送步驟(1+α)至輸送步驟(4+α)。如前述說明書清楚描述的，由加熱板HP加熱的晶片W總是由上部的支承臂10a支承。由于加熱的晶片W的熱影響強烈地向上延伸，所以下部的支承臂10b在加熱了的晶片W的影響下抑制了溫度增加。盡管已受到熱影響的支承臂10a用于將晶片W自抗反射膜形成單元C2供給下一個抗蝕劑膜形成單元C3，但仍經由被冷卻到室溫的冷卻板CP_PASS供給晶片W，同時主輸送機構10A進行其它輸送操作。因此，晶片W不會受到由抗蝕劑膜形成單元C3接收時的熱影響。隨后，受到抗蝕劑膜涂布處理的晶片W抑制了溫度變化。將描述抗蝕劑膜形成單元C3的工作情況。在將涂布有抗反射膜的晶片W放置在冷卻板CP_PASS(如抗蝕劑膜形成單元C3所示的“供給入口基板架”)上后，如圖10所示，如同在上述的第一主輸送機構10A的情況，單元C3的第二主輸送機構10B將自冷卻板CP_PASS的晶片W裝載到支承臂10a上。然后，第二主輸送機構10B升高支承顯影了的晶片W的支承臂10b，以將顯影了的晶片W放置在基板架PASS2(如抗蝕劑膜形成單元C3所示的“送回出口基板架”)上。由圖10中的第二主輸送機構10B的輸送步驟(1+α)表示將晶片W輸送到基板架PASS2和冷卻板CP_PASS、以及自基板架PASS2和冷卻板CP_PASS輸送晶片。如上所述，“α”表示可忽略的次數，且輸送步驟(1+α)被認為是一個輸送步驟。一旦完成晶片W輸送到基板架PASS2和冷卻板CP_PASS、以及自基板架PASS2和冷卻板CP_PASS輸送晶片W，第二主輸送機構10B就將支承晶片W的支承臂10a和未保持晶片W的支承臂10b一起移動到與預定的一個抗蝕劑膜涂布模組13相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10a，以自抗蝕劑膜涂布模組13中的旋轉卡盤15拾取處理了的晶片W。然后，升高保持晶片W的支承臂10a，以將晶片W放置在旋轉卡盤15上。放置在旋轉卡盤15上的晶片W涂布有抗蝕劑膜，同時主輸送機構10B進行其它的輸送操作。將晶片W輸送到旋轉卡盤15和自旋轉卡盤15輸送晶片W對應于圖10中所示的第二主輸送機構10B的輸送步驟(2)。圖10中的“PR”表示抗蝕劑膜涂布模組13。一旦完成晶片W輸送到旋轉卡盤15和自旋轉卡盤15輸送晶片W，第二主輸送機構10B就將未支承晶片W的支承臂10a和支承涂布有抗蝕劑膜的晶片W的支承臂10b、一起移動到與具有臨時基板存放點17的預定加熱模組抗蝕劑膜涂布模組13相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10a，以自加熱模組PHP的臨時基板存放點17拾取處理了的晶片W。然后，升高支承臂10b，以將要被處理的晶片W放置臨時基板存放點17上。同時主輸送機構10B進行其它的輸送操作，局部輸送機構18將放置在臨時基板存放點17上的晶片W輸送到用于熱處理的加熱模組PHP中的加熱板HP。通過同一局部輸送機構18，將在加熱板HP上的熱處理的晶片W送回到臨時基板存放點17。如由局部輸送機構18的支撐板22所支承的那樣，將晶片W送回臨時基板存放點17，且通過支承板22中的冷卻機構冷卻。將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W對應于圖10中所示的第二主輸送機構10B的輸送步驟(3)。一旦完成晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W，第二主輸送機構10B就將支承加熱了的晶片W的支承臂10a和未裝載的支承臂10b移動到與用于顯影的熱處理模組27的冷卻板CP_PASS相對的位置。升高支承晶片W的支承臂10a，以將晶片W放置在上部的冷卻板CP_PASS(如抗蝕劑膜形成單元C3所示的“供給出口基板架”)上。將放置在上部冷卻板CP_PASS上的晶片W以高的精確度冷卻到室溫，同時主輸送機構10B進行其它的輸送操作。然后，升高未裝載的支承臂10b，以自下部冷卻板CP_PASS拾取顯影的晶片W(如抗蝕劑膜形成單元C3所示的“送回入口基板架”)。將晶片W輸送到冷卻板CP_PASS和自冷卻板CP_PASS輸送晶片W對應于圖10中所示的第二主輸送機構10B的輸送步驟(4+α)。輸送步驟(4+α)被認為是一個輸送步驟。抗蝕劑膜形成單元C3的第二主輸送機構10B重復上述的輸送步驟(1+α)至輸送步驟(4+α)。將描述顯影單元C4的工作情況。在將涂布有抗蝕劑膜的晶片W放置在熱處理模組27中的上冷卻板CP_PASS(如自顯影單元C4所示的“供給入口基板架”)上后，如圖10所示，單元C4的第三主輸送機構10C自冷卻板CP_PASS將晶片W裝載到支承臂10b上。然后，第三主輸送機構10C升高支承顯影了的晶片W的臂10a，并將晶片W放置在下冷卻板CP_PASS(如自顯影單元C4所示的“送回出口基板架”)上。由圖10中的第三主輸送機構10C的輸送步驟(1+α)表示將晶片W輸送到冷卻板CP_PASS和自冷卻板CP_PASS輸送晶片W。一旦完成晶片W輸送到冷卻板CP_PASS和自冷卻板CP_PASS輸送晶片W，第三主輸送機構10C就將未支承晶片W的支承臂10a和支承晶片W的支承臂10b移動到與用于后曝光烘烤的熱處理模組31的基板架PASS3相對的位置。然后，升高未裝載的支承臂10a，以自基板架PASS3拾取受到后曝光烘烤處理的晶片W(如顯影單元C4所示的“送回入口基板架”)。自基板架PASS3接收晶片W對應于圖10中所示的第三主輸送機構10C的輸送步驟(2)。一旦完成自基板架PASS3接收晶片W，第三主輸送機構10C就將都支承晶片W的支承臂10a和支承臂10b移動到與熱處理模組28的冷卻板CP_PASS相對的位置。然后，升高支承晶片W的臂10b，以將晶片W放置在冷卻板CP_PASS(如顯影單元C4所示的“供給出口基板架”)上。將放置在冷卻板CP_PASS上的晶片W以高的精確度冷卻到室溫，同時主輸送機構10C進行其它的輸送操作。晶片W到冷卻板CP_PASS的輸送對應于圖10中所示的第三主輸送機構10C的輸送步驟(3)。一旦完成晶片W到冷卻板CP_PASS的輸送，第三主輸送機構10C就將支承晶片W的支承臂10a和未裝載的支承臂10b移動到與預定的一個顯影模組26相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10b，以自顯影模組26中的旋轉卡盤29拾取處理了的晶片W。然后，升高支承晶片W的臂10a，以將晶片W放置在旋轉卡盤29上。顯影放置在旋轉卡盤29上的晶片W，同時主輸送機構10C進行其它的輸送操作。將晶片W輸送到旋轉卡盤29和自旋轉卡盤29輸送晶片W對應于圖10中所示的第三主輸送機構10C的輸送步驟(4)。圖10中的“SD”表示顯影模組26。一旦完成晶片W輸送到旋轉卡盤29和自旋轉卡盤29輸送晶片W，第三主輸送機構10C就將未裝載的支承臂10a和支承顯影了的晶片W的支承臂10b移動到與預定的加熱板HP相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10a，以自加熱板HP拾取處理了的晶片W。然后，升高支承臂10b，以將晶片W放置在加熱板HP上。熱處理放置在加熱板HP上的晶片W，同時第三主輸送機構10C進行其它的輸送操作。將晶片W輸送到加熱板HP和自加熱板HP輸送晶片W對應于圖10中所示的第三主輸送機構10C的輸送步驟(5)。顯影單元C4的第三主輸送機構10C重復上述的輸送步驟(1+α)至輸送步驟(5)。將描述后曝光烘烤單元C5的工作情況。在將涂布有抗蝕劑膜的晶片W放置在用于顯影的熱處理模組28的冷卻板CP_PASS(如后曝光烘烤單元C5所示的“供給入口基板架”)上后，如圖10所示，單元C5的第四主輸送機構10D將晶片W自冷卻板CP_PASS裝載到支承臂10b上。自冷卻板CP_PASS接收晶片W對應于圖10中的第四主輸送機構10D的輸送步驟(1)。一旦完成自冷卻板CP_PASS的晶片W接收，第四主輸送機構10D就將支承已受到后曝光烘烤處理的晶片W的支承臂10a和支承涂布有抗蝕劑膜的晶片W的支承臂10b移動到與用于后曝光烘烤的熱處理模組31的基板架PASS3相對的位置。然后，升高支承臂10a，以將晶片W放置在基板架PASS3(如自后曝光烘烤單元C5的“送回入口基板架”)上。晶片W到基板架PASS3的輸送對應于圖10中所示的第四主輸送機構10D的輸送步驟(2)。一旦完成晶片W到基板架PASS3的輸送，就將未裝載的支承臂10a和支承晶片W的支承臂10b移動到與預定的一個邊緣曝光模組EEW相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10a，以自邊緣曝光模組EEW中的旋轉卡盤32拾取邊緣曝光的晶片W。然后，升高支承晶片W的支承臂10a，以將要被處理的晶片W放置在旋轉卡盤32上。放置在旋轉卡盤32上的晶片W具有其曝光了的周邊，同時主輸送機構10D進行其它的輸送操作。將晶片W輸送到旋轉卡盤32和自旋轉卡盤32輸送晶片W對應于圖10中所示的第四主輸送機構10D的輸送步驟(3)。一旦完成晶片W輸送到旋轉卡盤32和自旋轉卡盤32輸送晶片W，第四主輸送機構10D就將支承邊緣曝光的晶片W的支承臂10a和未裝載的支承臂10b移動到與基板架PASS4和PASS5相對的位置。然后，升高保持晶片W的支承臂10a以將晶片W放置在基板架PASS4(如后曝光烘烤單元C5所示的“送回出口基板架”)上，且升高未裝載的支承臂10b以自基板架PASS5(如后曝光烘烤單元C5所示的“送回入口基板架”)拾取在曝光裝置STP中曝光的晶片W。將晶片W輸送到基板架PASS4和PASS5、以及自基板架PASS4和PASS5輸送晶片W對應于圖10中所示的第四主輸送機構10D的輸送步驟(4+α)。一旦完成晶片W輸送到基板架PASS4和PASS5、以及自基板架PASS4和PASS5輸送晶片W，第四主輸送機構10D就將未裝載的支承臂10a和支承曝光的晶片W的支承臂10b移動到與具有熱處理模組31的臨時基板存放點的預定加熱模組PHP相對的位置。首先升高未裝載的支承臂10a，以拾取曝光和自加熱模組PHP(更具體地，自臨時基板存放點17)加熱的晶片W。然后，升高支承臂10b，以將曝光的晶片W放置在加熱模組PHP(更具體地，自臨時基板存放點17)中。當主輸送機構10D進行其它的輸送操作時，局部輸送機構18就將放置在臨時基板存放點17上的晶片W輸送到用于熱處理的加熱板HP。隨后，通過同一局部輸送機構18將晶片W送回到臨時基板存放點17。將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W對應于圖10中所示的第四主輸送機構10D的輸送步驟(5)。圖10中的“PEB”表示用于后曝光烘烤的熱處理模組31的加熱模組PHP。后曝光烘烤單元C5的第四主輸送機構10D重復上述的輸送步驟(1)至(5)。將描述接口單元C6的工作情況。在將邊緣曝光的晶片W放置在基板架PASS4(如自接口單元C6所示的“供給入口基板架”)上后，接口單元C6的輸送機構34接收自基板架PASS4的晶片W，且將晶片W傳送到鄰接曝光裝置STP上。而且，接口的輸送機構34接收來自曝光裝置STP的曝光晶片W，并將晶片W放置在基板架PASS5(如接口單元C6所示的“送回出口基板架”)上。接口的輸送機構34重復該基板輸送操作。在第一實施例中的基板處理裝置中，如上所述，各自單元C1-C6在控制器CT1-CT6的控制下通過使用主輸送機構10(然而，分度器單元C1使用分度器的輸送機構7，而接口單元C6使用接口的輸送機構34)輸送晶片W。兩個鄰接單元交換基板輸送的信息，僅表示晶片已被放置在基板架PASS上且已收到晶片W。也就是說，各個單元在其自身內且獨立地進行基板輸送，而不會受到鄰接單元中的基板輸送的監視狀態。因此，該單元不必同時移交晶片W，而是有一定的時滯。然而，這種時滯被在基板架上保持晶片W的各種長度的時間占用，提供該基板架以在鄰接單元之間輸送晶片W。在鄰接單元之間的基板輸送中的時滯不會妨礙基板輸送。因此，根據第一實施例，控制器CT1-CT6具有減少的控制單元C1-C6的載荷，由此基板處理裝置提供了相對提高的產量，且具有相對簡化的結構。在適當的單元之間可容易安裝包括基板檢測模組和主輸送機構的基板檢測單元，其使得基板處理裝置具有高的撓性。而且，在該裝置包括比其它單元較少輸送步驟的單元時，容易將新處理模組(例如，基板檢測模組)添加到該單元，而不會影響其它單元。在化學增強抗蝕劑用作光致抗蝕劑時，晶片W在曝光后需要迅速加熱。因此，將曝光的晶片W迅速輸送到熱處理模組31的加熱模組PHP，以接受后曝光烘烤處理。當由于某故障顯影單元C4不能顯影晶片W時，將曝光了的晶片W裝載在用于臨時存儲的基板送回緩沖器RBF中。用于在不同處理模組之間輸送晶片W的基板輸送路徑，被認為是具有多個主輸送機構(包括分度器的輸送機構7和接口的輸送機構34)，上述主輸送機構具有用于輸送晶片W插入的輸送點(例如，基板架和冷卻板)。如圖11A的平面圖中示意性所示，例如，用于在正向將晶片W輸送到曝光裝置STP的基板輸送路徑R1(即，專用的正向路徑)，包括如以規定的順序布置的鄰接的顯影單元C4和后曝光烘烤單元C5、第三主輸送機構10C、用于顯影(輸送點)的熱處理模組28的冷卻板CP_PASS、第四主輸送機構10D和基板送回緩沖器RBF(臨時基板架)。另一方面，介于基板送回緩沖器RBF和用于后曝光烘烤(圖11A中的“PEB”)的熱處理模組31的加熱模組PHP之間的預定的第四主輸送機構10D，被認為是緩沖器RBF和加熱模組PHP之間輸送晶片W的單一PEB基板輸送路徑(PEB-onlysubstratetransportpath)R2，如圖11A所示。將理解，雖然部分重復，但單一正向路徑(forwarddirection-onlypath)R1和單一PEB基板輸送路徑R2形成不同的基板輸送路徑。單一正向路徑R1對應于本發明中的第一基板輸送路徑。單一PEB基板輸送路徑R2對應于本發明中的第二基板輸送路徑。利用與如上所述的單一正向路徑R1(第一基板輸送路徑)分開提供的單一PEB基板輸送路徑R2(第二基板輸送路徑)，可以沿著彼此無關的兩條輸送路徑R1和R2輸送晶片W。在輸送點處預定的第四主輸送機構10D的布置形成用于在緩沖器RBF和加熱模組PHP之間輸送晶片W的單一PEB基板輸送路徑R2，該第四主輸送機構10D介于用于臨時存儲晶片W的基板送回緩沖器RBF(臨時基板架)和加熱模組PHP之間。因此，在加熱模組PHP中順利地進行后曝光烘烤處理。即，在曝光后迅速進行后曝光加熱。同樣地，可以將晶片W順利地輸送到緩沖器RBF(即，對問題(I)的解決方案)。在第一實施例中，單一正向路徑R1和單一PEB基板輸送路徑R2彼此部分重疊。在收到自曝光裝置STP的晶片W后，用于在反向中輸送晶片W的基板輸送路徑(單一反向路徑)和單一PEB基板輸送路徑R2在所有部分中彼此重疊。即，這些基板輸送路徑是相同的。因此，當由于顯影模組中的故障而將受到后曝光烘烤處理的晶片W輸送到緩沖器RBF時，在反向輸送的晶片W將引起受到后曝光烘烤處理的晶片W的等待時間。在該情況下，希望是在下面的第三實施例中描述的結構。即，使單一PEB基板輸送路徑R2不與單一正向路徑重疊。當然，可以提供單一正向路徑和單一PEB基板輸送路徑在所有部分彼此重疊的結構，且單一正向路徑和單一PEB基板輸送路徑形成不同的輸送路徑。同樣希望構建單一PEB基板輸送路徑R2以經由冷卻板CP延伸。使用這種結構，在后曝光烘烤處理后可以順利地進行冷卻處理。第二實施例接下來，將參考附圖描述本發明的第二實施例。圖12是第二實施例中的基板處理裝置的平面圖。圖13是其正視圖。圖14是熱處理模組的正視圖。圖15是示出該裝置中的單元布置的平面圖。圖16是示出由第一至第四主輸送機構的基板輸送的流程圖。第二實施例中的基板處理裝置具有如圖12和15所示布置的單元C1-C6。第二實施例中的抗反射膜形成單元C2包括抗反射膜涂布模組8、兩組抗反射膜熱處理模組9和第一主輸送機構10A。抗反射膜涂布模組8和一組抗反射膜熱處理模組9在第一主輸送機構10A的兩端彼此相對。該另一組抗反射膜熱處理模組9在沿著基板輸送路徑的正向/反向上與第一主輸送機構10A并置。如圖14所示，與抗反射膜涂布模組8相對的抗反射膜熱處理模組9包括具有臨時基板存放點的、垂直層疊的加熱模組PHP。與第一主輸送機構10A并置的抗反射膜熱處理模組9包括垂直層疊的基板架PASS1和冷卻板CP_PASS。在第二實施例中，冷卻板CP_PASS用作基板架，用于將晶片W自分度器單元C1供給抗反射膜形成單元C2。基板架PASS1用于將晶片W自抗反射膜形成單元C2送回分度器單元C1。抗蝕劑膜形成單元C3包括抗蝕劑膜涂布模組13、三組抗蝕劑膜熱處理模組14和第二主輸送機構10B。布置在單元C3的外部位置中的兩組抗蝕劑膜熱處理模組14具有垂直層疊的基板架PASS2、冷卻板CP_PASS和冷卻板CP。在中間的該組抗蝕劑膜熱處理模組14具有垂直層疊的粘接模組AHL和加熱模組PHP。鄰接抗反射膜形成單元C2的冷卻板CP_PASS用作基板架，用于將晶片W自抗反射膜形成單元C2供給抗蝕劑膜形成單元C3。基板架PASS2用于將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3送回抗反射膜形成單元C2。鄰接顯影單元C4的一個冷卻板CP_PASS用作基板架，用于將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3供給顯影單元C4，且另一個冷卻板用作基板架，用于將晶片W自顯影單元C4送回抗蝕劑膜形成單元C3。顯影單元C4包括顯影模組26、用于顯影的兩組熱處理模組27和第三主輸送機構10C。顯影模組26和一組熱處理模組27在第三主輸送機構10C的兩端彼此相對。另一組熱處理模組27在沿著基板輸送路徑的正向/反向上與第三主輸送機構10C并置。與顯影模組26相對的熱處理模組27包括垂直層疊的加熱模組PHP。與第三主輸送機構10C并置的熱處理模組27包括垂直層疊的基板架PASS3和冷卻板CP_PASS。冷卻板CP_PASS用作基板架，用于將晶片W自顯影單元C4供給后曝光烘烤單元C5。冷卻板CP_PASS3用于將晶片W自后曝光烘烤單元C5送回顯影單元C4。后曝光烘烤單元C5包括用于后曝光烘烤的熱處理模組31、邊緣曝光模組EEW、基板送回緩沖器RBF、基板架PASS4和PASS5以及第四主輸送機構10D。用于后曝光烘烤的熱處理模組31包括垂直層疊的加熱模組PHP。將供給緩沖器SBF設置在接口單元C6中。基板架PASS4用于將晶片W自后曝光烘烤單元C5供給接口單元C6。基板架PASS5用于將晶片W自接口單元C6送回后曝光烘烤單元C5。如自該結構清楚所示的，用熱的方法將熱處理模組分成加熱處理和冷卻處理，且通過與冷卻處理有關的處理模組相對基板輸送路徑傾斜地輸送晶片W(在該情況下，冷卻模組CP_PASS還用作基板架)。利用該布置，不必在單元之間提供基板架，以減少用于安裝基板架的空間。同樣不必考慮熱影響(即，對問題(V)的解決方案)。用熱的方法劃分還用作基板架的加熱模組(在該情況下，具有臨時基板存放點的加熱模組PHP)和冷卻模組(在該情況下，冷卻模組CP_PASS)。每個單元都具有在與分度器單元C1(即，在單元之間的基板輸送路徑的兩端)中的輸送方向平行的方向上布置有化學處理模組(抗反射膜涂布模組8、抗蝕劑膜涂布模組13或顯影模組26)的加熱模組。在單元之間布置還用作基板架的冷卻模組。因此，在各個單元中適當地進行化學處理和熱處理，且可以在單元之間的輸送期間冷卻晶片W(即，對問題(VI)的解決方案)。由第二實施例中的主輸送機構10A-10D執行的輸送步驟示于圖16中。具體地，抗反射膜形成單元C2的第一主輸送機構10A將晶片W輸送到抗反射膜熱處理模組9的冷卻板CP_PASS和基板架PASS1、以及自抗反射膜熱處理模組9的冷卻板CP_PASS和基板架PASS1輸送晶片W，將晶片W輸送到抗反射膜涂布模組8的旋轉卡盤11和自抗反射膜涂布模組8的旋轉卡盤11輸送晶片W，將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W，并且將晶片W輸送到抗蝕劑膜熱處理模組14的基板架PASS2和冷卻板CP_PASS、以及自抗蝕劑膜熱處理模組14的基板架PASS2和冷卻板CP_PASS輸送晶片W。抗蝕劑膜形成單元C3的第二主輸送機構10B將晶片W輸送到抗蝕劑膜熱處理模組14的基板架PASS2和冷卻板CP_PASS、以及自抗蝕劑膜熱處理模組14的基板架PASS2和冷卻板CP_PASS輸送晶片W，將晶片W輸送到抗蝕劑膜涂布模組13的旋轉卡盤15和自抗蝕劑膜涂布模組13的旋轉卡盤15輸送晶片W，將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W，并且將晶片W輸送到抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_PASS、以及自抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_PASS輸送晶片W。顯影單元C4的第三主輸送機構10C將晶片W輸送到抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_PASS、以及自抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_PASS輸送晶片W，將晶片W輸送到用于顯影的熱處理模組27的基板架PASS3和冷卻板CP_PASS、以及自熱處理模組27的基板架PASS3和冷卻板CP_PASS輸送晶片W，將晶片W輸送到顯影模組26的旋轉卡盤29和自顯影模組26的旋轉卡盤29輸送晶片W，并將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W。后曝光烘烤單元C5的第四主輸送機構10D將晶片W輸送到用于顯影的熱處理模組27的基板架PASS3和冷卻板CP_PASS、以及自熱處理模組27的基板架PASS3和冷卻板CP_PASS輸送晶片W，將晶片W輸送到邊緣曝光模組EEW和自邊緣曝光模組EEW輸送輸送晶片W，將晶片W輸送到基板架PASS4和PASS5、以及自基板架PASS4和PASS5輸送晶片W，并將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W。通過圖12的結構和上述的輸送步驟，應明白，如圖11B所示，相同的輸送路徑R1用作在正向將晶片W輸送到曝光裝置STP的基板輸送路徑(即，專用于正向的路徑)；并用作在收到自曝光裝置STP的晶片W后以反向輸送晶片W的基板輸送路徑(即，專用于反向的路徑)。該輸送路徑R1和單一PEB基板輸送路徑R2形成不同的基板輸送路徑。具體地，基板輸送路徑R1包括如以規定的順序或反向的順序布置的鄰接的顯影單元C4和后曝光烘烤單元C5、第三主輸送機構10C、基板架PASS3和冷卻板CP_PASS、第四主輸送機構10D和基板送回緩沖器RBF(臨時基板架)。另一方面，單一PEB基板輸送路徑R2包括按順序排列的加熱模組PHP、第四主輸送機構10D和緩沖器RBF。特別地，在加熱模組PHP和第四主輸送機構10D之間的輸送路徑不與基板輸送路徑R1重疊。在第二實施例中，由基板輸送路徑R1和單一PEB基板輸送路徑R2共用同一個主輸送機構(在該情況下，第四主輸送機構10D)。而且，與第一實施例中一樣，輸送路徑R1和R2彼此部分重疊，且與第一實施例中所述的一樣，當由于顯影模組中的故障而將受到后曝光烘烤處理的晶片W輸送到緩沖器RBF時，在反向上輸送的晶片W將使受到后曝光烘烤處理的晶片W有一等待時間。在該情況下，希望是在以下的第三實施例中描述的結構。第三實施例接下來，將參考附圖描述本發明的第三實施例。圖17是第三實施例中的基板處理裝置的平面圖。圖18是其正視圖。圖19是熱處理模組的正視圖。圖20是示出在該裝置中的單元布置的平面圖。圖21是示出由第一至第四主輸送機構輸送基板的流程圖。第三實施例中的基板處理裝置具有如圖17和20中所示布置的單元C1-C6。第三實施例中的抗反射膜形成單元C2包括抗反射膜涂布模組8、兩組抗反射膜熱處理模組9和第一主輸送機構10A。抗反射膜涂布模組8和一組抗反射膜熱處理模組9在第一主輸送機構10A的兩端彼此相對。另一組抗反射膜熱處理模組9與沿著基板輸送路徑的正向/反向中的第一主輸送機構10A并置。如圖19所示，與抗反射膜涂布模組8相對的抗反射膜熱處理模組9包括垂直層疊的具有臨時基板存放點的加熱模組PHP。冷卻板CP_movePASS設置在這些抗反射膜熱處理模組9的上端，來延伸到鄰接抗蝕劑膜熱處理模組14。冷卻板CP_movePASS用于將晶片W冷卻到室溫，并在正向將晶片W自抗反射膜熱處理模組9輸送到抗蝕劑膜熱處理模組14。與第一主輸送機構10A并置的抗反射膜熱處理模組9包括垂直層疊的粘接模組AHL、基板架PASS1和冷卻板CP_PASS。基板架PASS1和冷卻板CP_PASS的作用與第一實施例中的相同，故不再描述。抗蝕劑膜形成單元C3包括抗蝕劑膜涂布模組13、上述的抗蝕劑膜熱處理模組14和第二主輸送機構10B。抗蝕劑膜熱處理模組14包括垂直層疊的加熱模組PHP和設置在其上端的上述的冷卻板CP_movePASS。提供基板架PASS2，以橋接抗反射膜形成單元C2和抗蝕劑膜形成單元C3。該基板架PASS2用作送回基板架，用于在反向將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3送回到抗反射膜形成單元C2。如上述說明書清楚描述的，橋接抗反射膜熱處理模組9和抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_movePASS用作供給基板架，用于將晶片W自抗反射膜形成單元C2供給抗蝕劑膜形成單元C3。顯影單元C4包括顯影模組26、用于顯影的兩組熱處理模組27和28、以及第三主輸送機構10C。用于顯影的熱處理模組27包括垂直層疊的、用于在正向將晶片W自抗蝕劑膜形成單元C3供給顯影單元C4的冷卻板CP_movePASS(供給基板架)和用于在反向將晶片W自顯影單元C4送回抗蝕劑膜形成單元C3的冷卻板CP_movePASS(送回基板架)。將邊緣曝光模組EEW層疊在用于顯影的熱處理模組27的下面。用于顯影的熱處理模組28包括垂直層疊的冷卻板CP_PASS，且將供給緩沖器SBF裝配在熱處理模組28上。冷卻板CP_PASS用作供給基板架，用于在正向上將晶片W自顯影單元C4略過后曝光烘烤單元C5而供給接口單元C6。后曝光烘烤單元C5包括用于后曝光烘烤的熱處理模組31、基板送回緩沖器RBF和第四主輸送機構10D。用于后曝光烘烤的熱處理模組31包括垂直層疊的加熱模組PHP。第三實施例中的第四主輸送機構10D接收在曝光裝置STP中曝光的晶片W。第三實施例中的接口單元C6的輸送機構34接收來自熱處理模組28的冷卻板CP_PASS的邊緣曝光的晶片W，并相繼將這些晶片W輸送到曝光裝置STP。在第三實施例中，接口的輸送機構34僅在正向輸送晶片W，而不接收來自曝光裝置STP的曝光的晶片W。由第三實施例中的主輸送機構10A-10D執行的輸送步驟示于圖21中。具體地，抗反射膜形成單元C2的第一主輸送機構10A將晶片W輸送到抗反射膜熱處理模組9的冷卻板CP_PASS和基板架PASS1、以及自抗反射膜熱處理模組9的冷卻板CP_PASS和基板架PASS1輸送晶片W，將晶片W輸送到抗反射膜涂布模組8的旋轉卡盤11和自抗反射膜涂布模組8的旋轉卡盤11輸送晶片W，將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W，將晶片W輸送到橋接抗反射膜熱處理模組9和抗蝕劑膜熱處理模組14的冷卻板CP_movePASS，以將晶片W自抗反射膜形成單元C2供給抗蝕劑膜形成單元C3，并自基板架PASS2接收自抗蝕劑膜形成單元C3送回的晶片W。抗蝕劑膜形成單元C3的第二主輸送機構10B自冷卻板CP_movePASS接收自抗反射膜形成單元C2的晶片W，將晶片W輸送到抗蝕劑膜涂布模組13的旋轉卡盤15和自抗蝕劑膜涂布模組13的旋轉卡盤15輸送晶片W，將晶片W輸送到加熱模組PHP和自加熱模組PHP輸送晶片W，將晶片W輸送到抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4之間的冷卻板CP_movePASS、以及自抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4之間的冷卻板CP_movePASSW輸送晶片，并將晶片W輸送到基板架PASS2以將晶片W送回抗反射膜形成單元C2。顯影單元C4的第三主輸送機構10C將晶片W輸送到抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4之間的冷卻板CP_movePASS、以及自抗蝕劑膜形成單元C3和顯影單元C4之間的冷卻板CP_movePASSW輸送晶片，將晶片W輸送到邊緣曝光模組EEW和自邊緣曝光模組EEW輸送晶片W，將晶片W輸送到冷卻板CP_PASS以在正向上將晶片W供給接口單元C6而略過后曝光烘烤單元C5，接收來自用于后曝光烘烤的熱處理模組31的加熱板PHP的晶片W，將晶片W輸送到冷卻板CP和自冷卻板CP輸送晶片W，并將晶片W輸送顯影模組26的旋轉卡盤29和自顯影模組26的旋轉卡盤29輸送晶片W。通過圖17的結構和上述的輸送步驟，應明白，如圖11C所示，用于在正向將晶片W輸送到曝光裝置STP的基板輸送路徑R1(即，專用于正向的路徑)包括如以規定的順序布置的鄰接的顯影單元C4和后曝光烘烤單元C5、第三主輸送機構10C、用于顯影的熱處理模組28的冷卻板CP_PASS(輸送點)和接口的輸送機構34。在收到來自曝光裝置STP的晶片W后，用于在反向輸送晶片W的基板輸送路徑R1′(即，專用于反向的路徑)包括如以規定的順序布置的第四主輸送機構10D、加熱板PHP和第三主輸送機構10C。單一PEB基板輸送路徑R2和正向路徑R1沒有其彼此重疊的部分。分開的單個輸送機構(即，用于路徑R1的接口輸送機構34，和用于路徑R2的第四主輸送機構10D)用來形成基板輸送路徑(專用于正向)R1和單一PEB基板輸送路徑R2。因此，當由于顯影模組中的故障而將受到后曝光烘烤處理的晶片W輸送到緩沖器RBF時，在反向輸送的晶片W具有減少使受到后曝光烘烤處理的晶片W等待時間的幾率。在輸送到緩沖器RBF時包括的等待時間很可能比在同一基板輸送機構用于路徑R1和R2時的時間少。該布置使進行后曝光烘烤處理更順利。本發明不限于上述的實施例，但可以按如下修改(1)在上述的各個實施例中，已描述了用于后曝光烘烤的加熱板PHP，如預定的處理模組形成第二基板輸送路徑。只要由介于兩個并置的輸送點之間預定的基板輸送機構分離且獨立地形成第二基板輸送路徑，即一個是臨時基板架用于臨時存儲基板和另一個是預定的處理模組，則用于后曝光烘烤的加熱板PHP就不是限定性的。例如，形成第二基板輸送路徑，用于在邊緣曝光模組EEW和供給緩沖器SBF之間輸送基板。在不脫離本發明的精神或基本屬性的條件下，可以以其它的具體形式具體化本發明，因此，由于權利要求書表示本發明的范圍，所以授權范圍應當是所附的權利要求書，而不是上述的說明書。權利要求1.一種基板處理裝置，具有用于熱處理基板的熱處理模組和基板輸送機構，該基板輸送機構用于將基板輸送到處理單元和自處理單元輸送基板，該處理單元包括熱處理模組，其中所述的熱處理模組包括用于冷卻基板的冷卻模組和用于加熱基板的加熱模組；將所述的冷卻模組和所述的加熱模組彼此熱隔絕；所述的冷卻模組包括基板架，用于經由基板架輸送基板；以及通過相對于基板輸送路徑傾斜的基板架輸送基板。2.一種基板處理裝置，具有用于熱處理基板的熱處理模組、用于化學處理基板的化學處理模組和基板輸送機構，該基板輸送機構用于將基板輸送到處理單元和自處理單元輸送基板，該處理單元包括熱處理模組和化學處理模組，其中所述的熱處理模組包括用于冷卻基板的冷卻模組和用于加熱基板的加熱模組；將所述的冷卻模組和所述的加熱模組彼此熱隔絕；所述的加熱模組和所述的化學處理模組形成處理塊，所述的處理塊跨過沿著處理單元形成的基板輸送路徑彼此相對；以及所述的冷卻模組用于在所述處理塊之間輸送基板。全文摘要形成單一正向路徑(第一基板輸送路徑)，用于在正向輸送基板以將基板輸送到曝光裝置上。形成分開的基板輸送路徑(第二基板輸送路徑)，專用于后曝光烘烤(PEB)。沿著每條路徑進行基板輸送，而與沿著另一條的基板輸送無關。將第四主輸送機構插入輸送點之間作為預定的基板輸送機構，該輸送點由用作臨時存儲模組的臨時存儲基板的緩沖器和對應預定處理單元的后曝光烘烤(PEB)單元組成。這種布置形成用于在緩沖器和PEB單元之間輸送基板的路徑，以使基板的PEB處理順利進行。同樣，順利地將基板輸送到緩沖器。文檔編號H01L21/67GK101034666SQ200710096850公開日2007年9月12日申請日期2004年12月11日優先權日2003年12月11日發明者山田芳久,前田正史,田口隆志申請人:日本網目版制造株式會社