專利名稱：厚鋁成膜工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種厚鋁成膜工藝方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體產(chǎn)品中，功率器件一般使用厚鋁(一般2個(gè)微米以上)作為頂
層布線。現(xiàn)有的工藝中， 一般淀積方式是不出工藝腔連續(xù)成膜。在淀積過 程中，由于氬離子對靶材的轟擊而產(chǎn)生的能量隨著粒子到達(dá)硅片表面，使 硅片的溫度升高。淀積的膜厚越厚，硅片溫度越高。這時(shí)鋁膜內(nèi)的能量很 高，如果得不到有效而及時(shí)的釋放，就會通過鋁的異常生長的方式釋放能
量，這種異常生長就是須狀缺陷(whisker)。由于須狀缺陷可能導(dǎo)致布線 的短路，所以會影響產(chǎn)品的成品率和可靠性。厚鋁成膜產(chǎn)生須狀缺陷 (whisker)的問題一直是工藝中比較難以解決的問題，業(yè)界一般做法是 通過降低功率解決，這樣會大大降低生產(chǎn)吞吐量，而且效果不夠理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種厚鋁成膜工藝方法，采用該方法 能降低厚鋁成膜須狀缺陷。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法，采用的技術(shù)方案 是，在厚鋁成膜過程中，包括以下步驟
(1)在硅片上淀積一部分厚度的鋁膜；
(2 )將已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片送到到冷卻腔冷卻；(3 )將冷卻后的已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片繼續(xù)淀積鋁膜； (4)多次重復(fù)上述淀積、冷卻過程，最終在硅片上形成要求厚度的鋁膜。
本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法，分多次成膜，中間到冷卻腔冷卻，從而 充分釋放鋁膜的能量，避免因鋁膜內(nèi)的能量過高得不到有效而及時(shí)的釋放 而異常生長須狀缺陷，降低了須狀缺陷的產(chǎn)生，可以使須狀缺陷較常規(guī)厚 鋁成膜工藝減少數(shù)量90%。
下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 圖1是本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法的一實(shí)施方式示意圖； 圖2是本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法的一實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法的一實(shí)施方式如圖1所示，在厚鋁成膜過 程中，首先在硅片上淀積一部分厚度的鋁膜(通常為摻有少量銅的鋁銅合 金)，然后將已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片送到到冷卻腔冷卻，再將冷 卻后的己淀積了一部分厚度鋁膜的硅片繼續(xù)淀積鋁膜，最終在硅片上形成 要求厚度的鋁膜。
本發(fā)明的一實(shí)施例如圖2所示，硅片經(jīng)過載入載出腔11進(jìn)入 Endura5500設(shè)備后，到對準(zhǔn)腔12對準(zhǔn)。再到一個(gè)鋁銅淀積腔13淀積一 半的鋁銅合金,然后進(jìn)入冷卻腔14冷卻約1分鐘，隨后到另外一個(gè)鋁銅淀 積腔13繼續(xù)淀積鋁銅合金到要求的厚度。
上述為一具體實(shí)施例，也可以利用厚鋁成膜設(shè)備的鋁銅淀積腔和冷卻腔進(jìn)行多次淀積、冷卻最終形成要求厚度的厚鋁膜。
本發(fā)明的厚鋁成膜工藝方法，分多次成膜，中間到冷卻腔冷卻，從而 充分釋放鋁膜的能量，避免因鋁膜內(nèi)的能量過高得不到有效而及時(shí)的釋放 而異常生長須狀缺陷，降低了須狀缺陷的產(chǎn)生，可以使須狀缺陷較常規(guī)厚 鋁成膜工藝減少數(shù)量90%。
權(quán)利要求
1、一種厚鋁成膜工藝方法，其特征在于，在厚鋁成膜過程中，包括以下步驟(1)在硅片上淀積一部分厚度的鋁膜；(2)將已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片送到到冷卻腔冷卻；(3)將冷卻后的已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片繼續(xù)淀積鋁膜；(4)多次重復(fù)上述淀積、冷卻過程，最終在硅片上形成要求厚度的鋁膜。
2、 根權(quán)利要求1所述的厚鋁成膜工藝方法，其特征在于，先淀積要 求厚度的一半厚度的鋁膜，然后進(jìn)入冷卻腔冷卻，再淀積另外一半厚度的 鋁膜在硅片上形成要求厚度的鋁膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種厚鋁成膜工藝方法，在厚鋁成膜過程中，包括以下步驟在硅片上淀積一部分厚度的鋁膜；將已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片送到到冷卻腔冷卻；將冷卻后的已淀積了一部分厚度鋁膜的硅片繼續(xù)淀積鋁膜；多次重復(fù)上述淀積、冷卻過程，最終在硅片上形成要求厚度的鋁膜。采用該方法能降低厚鋁成膜須狀缺陷。
文檔編號H01L21/02GK101452846SQ20071009435
公開日2009年6月10日 申請日期2007年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日
發(fā)明者劉艷平, 季芝慧 申請人:上海華虹Nec電子有限公司