專利名稱：一種提高壓焊點耐腐蝕性的方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體制造工藝，特別是涉及一種提高壓焊點耐腐蝕 性的方法。
背景技術：
請參閱圖1，這是現有集成電路的制造工藝對壓焊點的處理方法。首先 在硅片上刻蝕出壓焊點，然后對壓焊點的刻蝕殘留物進行處理(通常是去 除這些刻蝕殘留物)，然后就直接進行硅片的減薄劃片。在劃片時通常采用 機械劃片設備，同時采用水作為劃片時的沖洗劑，為防止劃片過程中產生 靜電，在水中摻有二氧化碳等氣體。當硅片上芯片數量較多，或者劃片設備
的速度較慢，都會導致劃片時間較長。當劃片時間超過15分鐘時，水中的 二氧化碳等氣體就會與硅片上的壓焊點發生化學反應，從而導致各個壓焊 點出現不同程度的腐蝕，影響芯片后續封裝的成品率和可靠性。
有鑒于此，本案發明人乃經詳思細索，累積多年的設計經驗，經多方 探討并試作樣品試驗，及多次修正改良，終而開發出一種在集成電路制造 工藝中提高壓悍點耐腐蝕性的方法。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種提高壓焊點耐腐蝕性的方法。 為解決上述技術問題，本發明提高壓焊點耐腐蝕性的方法將刻蝕出壓 焊點的硅片，先去除刻蝕殘留物，再鈍化壓焊點表面的化學活性。所述鈍化壓焊點表面的化學活性包括使用紫外線照射壓焊點，使壓焊 點表面生成耐腐蝕的氧化層。
所述使用紫外線照射壓焊點的時間為90至150秒。
所述使用紫外線照射壓焊點的優選時間為120秒。
所述鈍化壓焊點表面的化學活性是采用汞燈照射壓焊點，所述汞燈的 光譜包括整個紫外線區間。
作為本發明的進一步改進，該方法將硅片放置在加熱設備周圍或內部， 同時鈍化壓焊點表面的化學活性。
所述加熱設備包括加熱板，所述加熱板周圍包括一個或多個墊片，硅 片放置在墊片上，不與加熱板直接接觸。
所述加熱板通過電熱絲加熱，并向周圍散發熱量。
所述壓焊點的成分包括鋁、硅、銅中的一種或多種所構成的合金。
本發明通過鈍化壓焊點表面的化學活性實現提高壓焊點的耐腐蝕性， 還可以通過提高鈍化時的溫度加速實現，對設備要求簡單，作業時間短， 改善效果顯著。
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明
圖1是傳統的對壓焊點的處理方法流程圖2是本發明提高壓焊點耐腐蝕性的方法流程圖3是本發明提高壓焊點耐腐蝕性的方法的實施示意圖。
圖中附圖標記為IO —硅片；ll一硅片正面；12 —硅片背面；13 —壓焊點；20 —汞燈；30 —加熱板；31—墊片。
具體實施例方式
請參閱圖2，這是本發明對壓焊點的處理方法。首先在硅片上刻蝕出壓 焊點，然后去除刻蝕壓焊點所殘留的刻蝕殘留物，接著鈍化壓焊點表面的 化學活性，最后再進行硅片的劃片。
壓焊點的成分包括鋁、硅、銅中的一種，或者鋁、硅、銅的多種所構 成的合金。鈍化壓焊點表面的化學活性包括使用紫外線照射壓焊點，通過 紫外線的照射促使壓焊點表面生成氧化層，生成的氧化層的化學活性較低， 不易與水中的諸如二氧化碳等的雜質發生化學反應。這樣，通過鈍化壓焊 點表面的化學活性，就可以提高壓焊點的耐腐蝕性，實際上是在壓焊點表 面生成了 一層具有較好耐腐蝕性的氧化層。
為了加快鈍化壓焊點表面的化學活性的過程，也就是加快壓焊點表面 生成氧化層的過程，還可以提高壓焊點表面在生成氧化層的過程中的溫度。 例如，將硅片放置在加熱設備周圍或者加熱設備內部，通過加熱設備的熱 量提升壓焊點的溫度，從而加快壓焊點表面生成氧化層的過程。
請參閱圖3，這是本發明的一個實施例的示意圖。其中，硅片10包括 硅片正面11和硅片背面12。硅片正面11上包括一個或多個刻蝕出的壓焊 點13。汞燈20發出的紫外線照射硅片正面11上的壓焊點13，使壓焊點13 表面生成具有較好耐腐蝕性的氧化層。硅片背面12放置在一個或多個墊片 31上，墊片31分布在加熱板30周圍，這樣加熱板30散發的熱量接觸到硅 片背面12，從而提高硅片10上的壓焊點13的溫度，可以減少壓焊點13生成氧化層的時間。發明人經由圖3所示的實施例進行試驗，發現可以顯著提高壓焊點的 耐腐蝕性。紫外線照射壓焊點的時間可以是90秒、100秒、110秒、120秒、 130秒、140秒或150秒，經過反復試驗發現紫外線照射壓焊點的優選時間 為120秒。通過本發明所述方法使用汞燈發射的紫外線照射120秒后的壓 焊點，經過30分鐘的劃片，也未出現壓焊點腐蝕現象；而未通過本發明所 述方法處理的壓焊點，經過15分鐘的劃片，就出現了壓焊點腐蝕現象。由 此本發明通過簡單的設備與工序，即實現了較佳的實施效果，實乃對當今 集成電路生產工藝的一大改進。
權利要求
1.一種提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是該方法將刻蝕出壓焊點的硅片，先去除刻蝕殘留物，再鈍化壓焊點表面的化學活性。
2. 根據權利要求1所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是所 述鈍化壓焊點表面的化學活性包括使用紫外線照射壓焊點，使壓焊點表面 生成耐腐蝕的氧化層。
3. 根據權利要求2所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是所 述使用紫外線照射壓焊點的時間為90至150秒。
4. 根據權利要求2或3所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是: 所述使用紫外線照射壓悍點的優選時間為120秒。
5. 根據權利要求2所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是所述鈍化壓焊點表面的化學活性是采用汞燈照射壓焊點，所述汞燈的光譜包 括整個紫外線區間。
6. 根據權利要求1所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是該方法將硅片放置在加熱設備周圍或內部，同時鈍化壓焊點表面的化學活性。
7. 根據權利要求6所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是:所述加熱設備包括加熱板，所述加熱板周圍包括一個或多個墊片，硅片放置 在墊片上，不與加熱板直接接觸。
8. 根據權利要求7所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是所述加熱板通過電熱絲加熱，并向周圍散發熱量。
9. 根據權利要求1所述的提高壓焊點耐腐蝕性的方法，其特征是所 述壓焊點的成分包括鋁、硅、銅中的一種或多種所構成的合金。
全文摘要
本發明公開了一種提高壓焊點耐腐蝕性的方法，該方法將刻蝕出壓焊點的硅片，先去除刻蝕殘留物，再鈍化壓焊點表面的化學活性。所述鈍化壓焊點表面的化學活性包括使用紫外線照射壓焊點，使壓焊點表面生成耐腐蝕的氧化層。作為本發明的進一步改進，該方法將硅片放置在加熱設備周圍或內部，同時鈍化壓焊點表面的化學活性。由此，本發明通過鈍化壓焊點表面的化學活性實現提高壓焊點的耐腐蝕性，還可以通過提高鈍化時的溫度加速實現，對設備要求簡單，作業時間短，改善效果顯著。
文檔編號H01L21/02GK101409242SQ20071009413
公開日2009年4月15日 申請日期2007年10月12日 優先權日2007年10月12日
發明者徐俊杰, 王樂平 申請人:上海華虹Nec電子有限公司