專利名稱：：控制蝕刻偏差的系統及方法
技術領域：
：本發明涉及半導體的蝕刻制程，尤其涉及一種控制蝕刻偏差的系統及方法。技術背景ADICD(CriticalDimension)是光刻顯影后特定圖形尺寸的大小，AEICD是蝕刻后介質層尺寸的大小。Etchbias是蝕刻偏差，其是根據AEICD與ADICD的差值得到。在實際的蝕刻制程中，蝕刻偏差是影響蝕刻的一個重要參數。當工廠進行一個新產品生產時，通常無法事先估算精確的ADICD數值以獲取所需的AEICD數值，為了將AEICD控制在一個預定的范圍，通常預先根據經驗值估算ADICD的取值，采用測試晶圓進行預生產。根據測試晶圓生產出的刻蝕偏差再調整ADICD的取值，很明顯，這種方法通常需要進行很多次實驗才能確定一個恰當的ADICD取值，生產效率很低。
發明內容本發明的目的在于提供一種控制蝕刻偏差的系統，用于精確控制整個圖案化制程尺寸。為實現上述目的，本發明提供的一種控制蝕刻偏差的系統，其包括一個制造工程系統，用于精確控制整個圖案化制程尺寸；其中，該系統還包括一個光罩數據系統，其與制造工程系統相連接，光罩數據系統用于獲取光罩透光率，并將獲取的透光率數據傳輸給制造工程系統；制造工程系統會自動辨識該光罩透光率的范圍，并計算出最佳的光刻制程尺寸大小。本發明還提供一種控制蝕刻偏差的方法，其中，該方法包括如下步驟a.獲取光罩透光率；b.根據光罩透光率得到蝕刻偏差值。與現有技術相比，本發明利用了光罩透光率和燭刻偏差之間的線形對應關系，制造工程系統從光罩數據系統獲取光罩透光率，就可以獲取對應的蝕刻偏差值，從而計算出最佳的光刻制程尺寸大小；本發明利用制造工程系統與光罩數據系統間的連接與反饋，能精確控制整個圖案化制程的最終尺寸，無需采用測試晶圓進行實驗，有效提高了生產效率，節約了生產成本。通過以下對本發明一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其實用新型的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為圖1為晶圓完成蝕刻制程后的剖視示意圖。具體實施方式請參閱圖l，在蝕刻制程完成后，晶圓l上覆蓋的一層金屬介質層3，在金屬介質層3上覆蓋了一層光阻5。本發明利用了蝕刻偏差(Etchbias)與光罩透光率(Masktransmissionrate)之間的關系以及蝕刻偏差是AEICD與ADICD的差值。其中，ADICD(CriticalDimension)是光刻顯影后特定圖形尺寸的大小，AEICD是蝕刻后介質層尺寸的大小。在本發明的實施例中，以0.13jum的制程為例，但本發明也適用于其他制程。請參閱表1,其列舉了蝕刻偏差與光罩透光率(Masktransmissionrate)基本成線形關系。在此情況下，假定制程所需AEICD的目標值為0.2nm，就可以從這個線性關系推算出ADICD的最佳值。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>本發明利用制造工程系統(MES,ManufacturingEngineeringSystem)控制蝕刻偏差系統。本發明控制蝕刻偏差的系統的特點在于制造工程系統與光罩數據系統相連接，制造工程系統用于精確控制整個圖案化制程尺寸，光罩數據系統用于獲取光罩透光率，并將獲取的光罩透光率的數據傳輸給制造工程系統。制造工程系統已經存儲了表1所列的所有數據，當接收到光罩透光率后，制造工程系統會自動辨識該光罩透光率的范圍，并計算出對應的ADICD最佳值，根據該ADICD的耳又值控制蝕刻制程所造成的偏差。權利要求1.一種控制蝕刻偏差的系統，其包括一個制造工程系統，用于精確控制整個圖案化制程尺寸；其特征在于該系統還包括一個光罩數據系統，其與制造工程系統相連接，光罩數據系統用于獲取光罩透光率，并將獲取的透光率數據傳輸給制造工程系統；制造工程系統會自動辨識該光罩透光率的范圍，并計算出最佳的光刻制程尺寸大小。2、如權利要求1所述的控制蝕刻偏差的系統，其特征在于光罩透光率和蝕刻偏差之間的線形對應關系，制造工程系統從光罩數據系統獲^^光罩透光率，就可以獲取對應的刻蝕偏差，從而計算出最佳的光刻制程尺寸大小。3、如權利要求2所述的控制蝕刻偏差的系統，其特征在于所述蝕刻偏差值是根據光刻顯影后特定圖形尺寸之大小與蝕刻后尺寸的大小的差值，根據蝕刻偏差值和光刻顯影后特定圖形尺寸之大小可以得到蝕刻后尺寸的大小。4、一種利用權利要求1所述系統控制刻蝕偏差的方法，其特征在于該方法包括如下步驟a.獲取光罩透光率；b.根據光罩透光率得到蝕刻偏差值。5、如權利要求4所述的控制刻蝕偏差的方法，其特征在于光罩透光率與蝕刻偏差呈線形關系。6、如權利要求5所述的控制蝕刻偏差的方法，其特征在于所述蝕刻偏差值是根據光刻顯影后特定圖形尺寸之大小與蝕刻后尺寸的大小的差值，根據蝕刻偏差值和光刻顯影后特定圖形尺寸之大小可以得到蝕刻后尺寸的大小。全文摘要本發明提供一種控制蝕刻偏差的系統，其包括一個制造工程系統，用于精確控制整個圖案化制程尺寸；其中，該系統還包括一個光罩數據系統，其與制造工程系統相連接，光罩數據系統用于獲取光罩透光率，并將獲取的透光率數據傳輸給制造工程系統；制造工程系統會自動辨識該光罩透光率的范圍，并計算出最佳的光刻制程尺寸大小。本發明還提供一種控制蝕刻偏差的方法。本發明利用了光罩透光率和蝕刻偏差之間的線形對應關系，制造工程系統從光罩數據系統獲取光罩透光率，就可以獲取對應的蝕刻偏差，從而計算出最佳的光刻制程尺寸大小；本發明利用制造工程系統與光罩數據系統間的連接與反饋，能精確控制整個圖案化制程的最終尺寸，有效提高了生產效率，節約了生產成本。文檔編號H01L21/66GK101281867SQ20071003919公開日2008年10月8日申請日期2007年4月6日優先權日2007年4月6日發明者曾坤賜申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司