專利名稱：減少晶圓缺陷的制造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件制造工藝，具體地說，涉及一種在蝕刻工藝中 可減少晶圓缺陷的制造方法。
背景技術：
在半導體器件制造過程中，蝕刻工藝是一個非常重要步驟。由于干法蝕刻即電漿蝕刻(plasma etching)采用電漿物理式撞擊，為非等向性蝕刻，可以獲得 良好的尺寸控制，可以實現細微圖形的轉換，所以目前電漿蝕刻被廣泛采用。在進行蝕刻時，將被處理對象晶圓(wafer)放置在的蝕刻機臺的反應室 (chamber)內。晶圓具有半導體村底如硅襯底及沉積于硅襯底上面的做為柵極 的氮化硅層和多晶硅層。在多數情況下，需要蝕刻的圖形密度是不均勻的，因 此在首先對氮化硅層進行蝕刻時，圖形密度低的區域就會受到很大的壓力，容 易造成氮化硅層的變形，嚴重時部分氮化硅層被擠壞。在蝕刻機臺的電場作用 下，擠壞的氮化硅層產生大量的懸浮的微粒物質。當對氮化硅層的蝕刻完成后， 關閉蝕刻機臺電壓，反應室的電場消失，懸浮的微粒物質就會落在晶圓的表面， 污染晶圓造成晶圓的表面缺陷。完成對氮化硅層蝕刻步驟后，需要進一步對多 晶硅進行蝕刻步驟。前一步掉在晶圓表面的微粒物質導致在多晶硅的蝕刻步驟 中發生蝕刻不完全的現象，嚴重影響了晶圓制造的合格率。鑒于上述原因，需要提供一種新的可減少晶圓缺陷的制造方法。發明內容本發明解決的技術問題是提供一種可減少晶圓缺陷的制造方法。 為解決上述技術問題，本發明提供一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括 如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應室，待處理的晶圓被放置在 反應室內；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應室內產生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；C.提供與反應室相通的抽氣裝置，在蝕刻結束后，維持反應室一定的電場，同 時通入不參與反應的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。與現有技術相比，本發明制造方法在蝕刻步驟后增加抽氣步驟，減少了反 應室內的雜質污染晶圓表面的可能性，提高了晶圓制造的合格率。
通過以下對本發明一實施例結合其附圖的描述，可以進一步理解其發明的目的、具體結構特征和優點。其中，附圖為圖1為本發明減少晶圓缺陷的制造方法的流程圖。
具體實施方式
請參閱圖1 ，本發明公開了 一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟 a.提供蝕刻機臺，其具有反應室，待處理的晶圓^皮^:置在反應室內；b.開通蝕 刻機臺的電壓，反應室內產生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應室相 通的抽氣裝置，在蝕刻結束后，維持反應室一定的電場，同時通入不參與反應 的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。晶圓一般包括半導體襯底如硅襯底及在半導體襯底上沉積形成的柵極，柵-極包括上層的氮化硅層和下層的多晶硅層。上述步驟b所述的蝕刻步驟是針對 晶圓的柵極的氮化硅層進行蝕刻步驟，在此步驟中容易產生污染晶圓表面的雜 質如微粒物質，且在反應室電場的作用下，懸浮在反應室內。經過上述步驟c 將反應室內的雜質抽走，避免反應室的電場消失后，雜質掉落在晶圓表面上， 污染晶圓表面。同時，也有效地減少了在接下來的蝕刻多晶硅層的步驟中出現 蝕刻不完全的現象。本發明公開的制造方法有效地減少了晶圓在蝕刻工藝中產 生的缺陷，提高了晶圓的合格率。
權利要求
1. 一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應室，待處理的晶圓被放置在反應室內；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應室內產生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應室相通的抽氣裝置，其特征在于在蝕刻結束后，維持反應室一定的電場，同時通入不參與反應的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。
2、 如權利要求1所述的制造方法，其特征在于所述晶圓包括作為柵極的氮化 硅層以及位于氮化硅層下面的多晶硅層，步驟b是對晶圓的氮化硅層進行蝕刻 步驟。
3、 如權利要求2所述的制造方法，其特征在于在抽氣步驟中，反應室維持適 當的電場，蝕刻氮化硅層過程中所產生的微粒物質被大流量不參與反應的氣體 帶走。
全文摘要
本發明提供一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應室，待處理的晶圓被放置在反應室內；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應室內產生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應室相通的抽氣裝置，在蝕刻結束后，維持反應室一定的電場，同時通入不參與反應的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。與現有技術相比，本發明制造方法在蝕刻步驟后增加抽氣步驟，減少了反應室內的雜質污染晶圓表面的可能性，減少了晶圓缺陷的產生。
文檔編號H01L21/02GK101271843SQ20071003822
公開日2008年9月24日 申請日期2007年3月20日 優先權日2007年3月20日
發明者玉 王, 王亞檀 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司