專利名稱：一種倒裝發光二極管芯片的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光器件，特別涉及一種倒裝發光二極管芯片。
背景技術：
傳統倒裝發光二極管芯片的，P型半導體層，N型半導體層在暴露在同 一側，能夠將陰、陽極制作于發光二極管的同一側上，這種結構的發光二極 管直接設置在基板上，需要通過切割、固晶等封裝步驟與電路板連結，然而 這種結構方式設置的倒裝發光二極管芯片由于電極與基板接觸面小，不能及 時地將發光二極管產生的熱量發散出去，另一方面，因固晶等方式與基板結 合處的焊塊或焊點吸收部分光線所以影響出光效率。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供散熱性能更好，出光效率高的倒裝發 光二極管芯片。
本發明通過以下技術方案解決上述問題 一種倒裝發光二極管芯片，其特征在于，包括
一發光器件，該發光器件包括第一導電層、設置在第一導電層上的有源 層、以及設置在有源層上的第二導電層；所述第一導電層和二導電層與有源 層的同一側面形成一斜坡面；
覆蓋在上述第二導電層及斜坡面上的反射層，該反射層由絕緣材料構成;
完全覆蓋在上述反射層上的第一絕緣層；
設置在第一導電層上并與第一導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層 上的第一金屬層；設置在第二導電層上并與第二導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層 上的第二金屬層；
設置在第一金屬層與第二金屬層之間并使第一金屬層與第二金屬層絕緣 隔離開的第二絕緣層。
所述的第一金屬層作為第一電極，第二金屬層作為第二電極； 所述第一金屬層與第二金屬層作為發光器件的散熱路徑。 本發明的有益效果是通過第一金屬層和第二金屬層可以將發光器件中 的熱量更好地散出，從而使倒裝發光二極管芯片有更好地散熱性能，另一方 面，通過覆蓋在第二導電層及斜坡面上的反射層可以將發光器件中的光線反 射出去，因此可以極大地提高倒裝發光二極管芯片的出光效率。
下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明， 圖1是本發明實施例結構示意具體實施例方式
參照圖l，發光二極管100，包括一發光器件lll，該發光器件lll包括 一第一導電層2作為一包覆層、設置在第一導電層2上的有源層3作為發光 層、以及設置在有源層3上的第二導電層4作為另一包覆層，其中第一導電 層2和第二導電層4與有源層3的同一側面形成一斜坡面122，這種結構可 以增大發光面積，發光器件還可以包括襯底1。第一導電層2上具有暴露部 分2a，在暴露部分2a上具有一接合墊9b，另在第二導電層4上具有一接合 墊9a。接合墊9a與9b的材料與制作應為本技術領域技術人員所熟知，在此 不在敘述。此外，在實施例中，發光器件111還包括一保護層5，以保護發光器件111;此保護層材料與制作亦為本技術領域技術人員所熟知，在此不
在敘述。覆蓋在上述第二導電層4及斜坡面122上的反射層6，該反射層6 由絕緣材料構成；發光二極管100包括設置在反射層6上的第一絕緣層7， 第一絕緣層7材料可由二氧化硅、氮化硅、或是其組合，其制成可由MOCVD 或是MBE;發光二極管100包括設置在第一絕緣層7上的第二絕緣層8，第 二絕緣層8可由二氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺其中之一組成，其制成可由一 印刷技術形成；發光二極管100包括設置在發光器件111上與第一導電層2 電連接并且與第一絕緣層7部分接觸的第一金屬層10a;以及設置在第一絕 緣層7與第二導電層3上并且與第二導電層3電連接的第二金屬層10b。其 中第一絕緣層7和第二絕緣層8隔絕第一金屬層10a和第二金屬層10b，第 一金屬層10a和第二金屬層10b的材料可以選自金、鋁、銀等導電、導熱性 能好的材料，第一金屬層10a和第二金屬層10b的制作可以通過印刷技術共 同形成。在實施例中，發光二極管100設有反射層6，反射層6可以將發光 器件111發出的光線發散出去，因而可以有效提升倒裝發光二極管芯片的出 光效率。此外，第一金屬層10a和第二金屬層10b具有較大的接觸面積，有 助于將發光器件111產生的熱量有效且快速的散發到外部。
以上所述僅為本發明的優選實施例，并非用以限定本發明的申請專利范 圍；凡其他未脫離本發明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包 括在下述的權利要求內。
權利要求
1.一種倒裝發光二極管芯片，其特征在于包括一發光器件，該發光器件包括第一導電層、設置在第一導電層上的有源層、以及設置在有源層上的第二導電層；所述第一導電層和二導電層與有源層的同一側面形成一斜坡面；覆蓋在上述第二導電層及斜坡面上的反射層，該反射層由絕緣材料構成；完全覆蓋在上述反射層上的第一絕緣層；設置在第一導電層上并與第一導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第一金屬層；設置在第二導電層上并與第二導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第二金屬層；設置在第一金屬層與第二金屬層之間并使第一金屬層與第二金屬層絕緣隔離開的第二絕緣層。
2. 根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于第 一金屬層作為第一電極，第二金屬層作為第二電極。
3. 根據權利要求1所述的倒裝發光二極管芯片，其特征在于第 一金屬層與第二金屬層將發光器件中的熱量散發到外部。
全文摘要
本發明公開了一種倒裝發光二極管芯片，包括一發光器件，該發光器件包括第一導電層、設置在第一導電層上的有源層、以及設置在有源層上的第二導電層；所述第一導電層和二導電層與有源層的同一側面形成一斜坡面；覆蓋在上述第二導電層及斜坡面上的反射層；覆蓋在上述反射層上的第一絕緣層；設置在第一導電層上并與第一導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第一金屬層；設置在第二導電層上并與第二導電層電連接、且部分覆蓋在第一絕緣層上的第二金屬層；設置在第一金屬層與第二金屬層之間并使第一金屬層與第二金屬層絕緣隔離開的第二絕緣層。此結構設計更好地增大散熱性能和提高出光效率。
文檔編號H01L23/36GK101409315SQ20071003079
公開日2009年4月15日 申請日期2007年10月8日 優先權日2007年10月8日
發明者楊文明 申請人:楊文明