專利名稱：一種PIN結構TiO的制作方法
技術領域：
本發明屬于半導體器件領域，具體涉及一種用于紫外光探測的PIN結構的TiO2基紫外光探測器及其制作方法。
背景技術：
紫外光探測器是目前繼紅外和激光傳感技術之后出現的又一軍民兩用光電探測技術。這種探測技術因其性能優異，抗干擾能力強，已廣泛應用在飛行器、火箭及導彈尾焰探測、紫外通訊技術、冶金鍛造、火焰預警等諸多領域。特別是在航空航天領域，對宇宙中重要信息——紫外輻射的探測，大型空間天文儀器的建造等都迫切需要一種先進的紫外線探測器件。因此，世界各國已經把研究性能先進、可靠，成本低廉的全固態紫外光探測器列為研究開發的重點課題。
目前，用于制備紫外光探測器的材料很多，如已投入商業和軍事應用的紫外光電倍增管和硅基紫外光電探測器。光電倍增管需要在高壓下工作，而且體積笨重、效率低，并且所需電路復雜，這在很大程度上限制了它的使用。相比之下作為半導體材料的硅基紫外光電探測器一般體積較小，重量較輕，并且不需要復雜的電路。由于Si材料成熟的技術，使得它已成為制作光探測器的最主要的材料。但是，作為窄禁帶半導體，Si基材料不僅吸收紫外光，而且對可見光同樣存在吸收，這使得硅基紫外光探測器件不得不使用昂貴的濾光片，這就大大提高了探測器的制造成本。而且，由于紫外光探測器大都工作在極其惡劣的環境下，如對火焰燃燒進行監視、在宇宙中對天體輻射進行探測等等，這些都是Si探測器所不能勝任的。
為了解決上述問題，同時保持全固體結型探測器件體積小，重量輕的優點，人們開始關注一些只吸收紫外光，并且耐高溫、適合在惡劣環境中使用的寬帶隙半導體材料。其中，SiC、GaN和金剛石材料因其寬的禁帶寬度和優異的光電性能逐漸成為人們研究的熱點。這些材料不僅禁帶寬度適中，抗干擾能力強，適合在紅外或可見光背景下進行紫外光探測，而且具有優秀的熱導、熱穩定性、化學惰性，非常適合光電子器件的制造。近年來，已有多個專利被提出(Kazushi Hayashi，Kobe；Takeshi Tachibana，Kobe；Yoshihiro Yokota，Kobe；Nobuyuki Kawakami，Kobe.Ultraviolet Sensor and Method for Manufacturing the Same，United States PatentUS 7,193,241 B2；王林軍，夏義本，馬瑩，蘇青峰，劉健敏.紫外光探測器的制備方法，中國CN 1874009A；Gou-Chung Chi；Iinn-Kong Sheu；Meng-Che Chen；Min-Lum Lee.Ultraviolet Detector and Manufacture Method Thereof.United StatesPatentUS 7,009,185，B2；趙德剛，楊輝.PIN結構氮化鎵基紫外探測器，中國CN 1747184A；Giampiero de Cesare；Fernanda Irrera；Fabrizio Palma.Thin Film Detector ofUltraviolet Radiation，with High Spectral Selectivity Option.United States Patent5,682,037；謝家純，王麗玉.SiC肖特基紫外探測器，中國CN 2703329Y)。但這些材料的制備通常需要應用昂貴的制造設備和襯底材料，這在無形中提高的制造成本，而且材料本身的制備工藝難度也較大。
為了進一步降低成本，人們逐漸將目光集中到同為寬帶隙半導體材料的TiO2(帶寬3.2eV)上。這種材料不僅耐高溫、耐用性強，而且制備工藝成熟，工藝難度較低，采用通常方法(氣相沉積、液相沉積法、溶膠-凝膠法等)即可制得高質量、性能穩定的薄膜材料。而且相應的納米晶薄膜材料還將具有高多孔性、高表面積、高光電導性、高光電化學和催化活性等優良特性。正是由于上述諸多優點，該材料已廣泛應用于染料敏化太陽能電池、光催化分解污染物、自清潔薄膜等領域。近年來，有關TiO2基紫外光傳感器的相關研究已日漸增多(MasayukiOkuya，Katsuyuki Shiozaki，Nobuyuki Horikawa，Tsuyoshi Kosugi，G.R.Asoka Kumara，János Madarász，Shoji Kaneko，Gyrgy Pokol.Porous TiO2thin films prepared by spraypyrolysis deposition(SPD)technique and their application to UV sensors，Solid StateIonics 172(2004)527-531；Fu Yao，Cao Wanghe.Preparation of transparent TiO2nanocrystalline film for UV sensor，Chinese Science Bulletin.2006，51(14)1657-1661；甘勇，劉彩霞，張爽，薛海林，董瑋，張歆東，鄒博，吳鳳清，徐寶琨，陳維友.TiO2薄膜紫外探測器的光電特性，半導體學報，2005，26(4)795-797)。
根據基本工作方式的不同，可以將半導體光電探測器分為光電導型探測器件和光伏型探測器件。其中，光伏型探測器又可分為p-n結型、pin結型和肖特基勢壘型等。雖然光電導型器件具有內部光電子增益較高，響應電流大等優點，但是，這種器件存在光電導持續時間，因此響應速度較慢，而且其光響應與入射光之間存在非線性變化關系。所以，以上述這些寬帶隙半導體材料制得的探測器多以光伏型光電器件為主。它們不僅具有體積小巧，結構簡單，靈敏度高、響應特性好的優點，而且在結構上通常包含一個由肖特基勢壘或p-n結形成的耗盡層，由于該耗盡層處于固體器件的內部，所以器件的光電性能很難受外界環境的干擾。加之高電場只施加在耗盡層上，所以通常可以得到令人滿意的探測效果。目前，已提出了一種以肖特基勢壘結為基礎的金屬/半導體/金屬(MSM結構)的TiO2紫外光探測器(薛海林，張歆東，劉彩霞，董瑋，周敬然，阮圣平，陳維友，徐寶琨.金屬/半導體/金屬結構TiO2紫外光探測器及制備.中國CN 1828950A)，該探測器工藝簡單、量子效率高、內部增益低、響應速度快，不存在高溫擴散過程，可得到令人滿意的紫外探測效果。
與這種肖特基勢壘光探測器相比，p-n結型光生伏特探測器不僅工作偏壓低，輸出阻抗和工作頻率高，而且在給定的內建電壓情況下，p-n結中飽和電流要比肖特基勢壘二極管中的飽和電流小幾個數量級。另外，對于同一半導體材料，p-n結中的內建電壓要比肖特基勢壘中的大。這些優勢可以彌補肖特基勢壘型光探測器勢壘偏低、漏電流大的不足。此外，為提高光電探測器的量子效率和響應速度，可以通過在p區和n區之間添加一輕施主摻雜的近本征區來加寬耗盡層的厚度，從而形成pin結構。這樣不僅會極大的提高光響應強度和響應速度，而且也會使漏電流和噪聲顯著減小。但是，由于TiO2為N型導電材料，通常的制備方法又很難獲得P型TiO2導電材料，因此，在工藝上要想形成由pn型或pin型TiO2基結型光探測器件是非常困難的。
發明內容
針對以上技術難題，本發明的目的是提供一種成本低廉、性能穩定的新型TiO2基pin結型紫外光探測器，并提供一種制造該探測器的方法。這種探測器的核心由P型寬帶隙半導體薄膜、N型半導體薄膜、以及二者之間的本征TiO2有源區構成pin結構。
本發明的技術方案是，PIN結構TiO2基紫外探測器包含導電基底1；位于導電基底1上的N型接觸層2；位于N型接觸層2上的作為紫外光吸收層的本征TiO2有源層3；位于本征TiO2有源層3上的P型接觸層4；至少一個位于P型接觸層4上的P型歐姆電極5和至少一個位于導電基底1上的N型歐姆電極6。探測器表面具有探測區，該探測區域具有至少一個子區域暴露于P型歐姆電極5之外。
導電基底1為ITO導電玻璃或FTO導電玻璃；N型接觸層2為N型TiO2、N型NiO、N型ZnO、N型SnO2、N型SiO2材料中的一種；P型接觸層(4)為P型NiO、P型ZnO、P型SnO2或P型TiO2材料材料中的一種，P型歐姆電極5和N型歐姆電極6為點狀結構或環形結構或曲線結構。
N型接觸層2、本征TiO2有源層3和P型接觸層4的制備方法包括溶膠-凝膠法、液相沉積法、氣相沉積法、磁控濺射。
P型歐姆電極5和N型歐姆電極6的制備方法包括濺射工藝、氣相沉積工藝、離子鍍工藝、蒸鍍工藝。
本發明提出的TiO2基PIN結型紫外光探測器的制備步驟如下A、對導電基底1進行預處理，預處理方法為，導電基底(1)經丙酮和質量分數為10％的NaOH溶液超聲清洗10-20min后，于除油劑(NaOH 76g/L、Na3PO426g/L、Na2CO330g/L)中煮沸，然后在沸騰的去離子水中清洗干凈并自然涼干，除油劑的組分及含量為NaOH76g/L，Na3PO426g/L，Na2CO330g/L。
B、在預處理后的導電基底1上制備N型接觸層2，該N型基礎層2的面積小于導電基底1的面積；C、在N型接觸層2上制備本征TiO2有源層3；D、采用干法刻蝕技術對本征TiO2有源層3四周進行部分刻蝕；E、在本征有源層3的刻蝕部分制備P型接觸層4；F、在P型接觸層4上制作P型歐姆電極5；G、在導電基底1上制作N型歐姆電極6；制得PIN結構TiO2基紫外探測器。
導電基底1為ITO導電玻璃或FTO導電玻璃，厚度為0.1-2mmN型接觸層2為N型TiO2、N型NiO、N型ZnO、N型SnO2、N型SiO2材料中的一種。厚度0.5-10μm，電子濃度大于1×1018cm-3。
其中本征TiO2有源層3為TiO2納米管薄膜或多晶顆粒薄膜或單晶薄膜材料，厚度0.1-10μm。
本征TiO2有源層3四周經刻蝕后形成的臺階寬度為1-5mm，厚度為0.05-1μm。
P型接觸層4為P型NiO、P型ZnO、P型SnO2以及P型TiO2中的一種，厚度0.05-1μm，自由載流子濃度小于1×1016cm-3。
由于產生于P區和N區的光生載流子必須先擴散至空間電荷區才能在內建電場作用下快速漂移運動，因此，時間響應較慢，會產生延遲電流。應盡量減小P型接觸層4的厚度，增大本征TiO2有源層3的厚度，使光吸收主要發生在空間電荷區。同時，要保證有源層3的厚度不要過大大，以確保耗盡層電場足夠強，這樣可以有效抑制光生載流子的復合，提高探測器1的響應速度。
P型歐姆電極5和N型歐姆電極6為點狀結構或環形結構或曲線結構，由Au或Pd或Pt或Ni或Al制得，厚度為0.1-5μm。
本發明采用本征TiO2薄膜作為有源區，P型寬帶隙半導體薄膜作為P型接觸層，N型半導體薄膜作為N型接觸層構成了PIN結構器件。器件中，本征TiO2有源層大大增加了耗盡區的寬度，當波長小于380nm的紫外光照射到器件上時，入射光被本征TiO2有源層吸收后，產生光生電子-空穴對，這些光生電子-空穴對在內建電場的作用下被有效分離，并被掃出耗盡區，形成光生電流，從而避免了光生電子-空穴對的大量復合。由于探測器的P型接觸層被P型歐姆電極覆蓋，實際受光部分為暴露在外面的TiO2本征層，這就使得P型接觸層不會產生光生電子-空穴對，從而避免了延遲電流的產生，因此，探測器光響應速度快，穩定性高。
本發明的有益效果是，具有外量子效率和靈敏度高、響應速度快、暗電流小、體積小巧等諸多優點。薄膜制備工藝簡便成熟，可采用低成本的制備方法，如溶膠-凝膠、液相沉積、氣相沉積等方法制備納米TiO2及半導體薄膜，鈦源為比較便宜的鈦酸四丁酯、四氯化鈦或硫酸氧鈦。所制備的探測器不僅成本低廉，而且使用壽命長，并且只對波長短于380nm的紫外光具有高靈敏度的響應輸出，而對紅外和可見光沒有任何響應，可防止除紫外光以外的其它光源的干擾。
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步的說明。
圖1是本發明提出的PIN結構的TiO2基紫外光探測器的剖面示意圖。
圖2是本發明提出的PIN結構的TiO2基紫外光探測器的平面示意圖。
圖3是本發明的實施例1中TiO2薄膜的紫外-可見吸收光譜分析圖。
圖4是本發明的實施例2中TiO2∶Zn薄膜的紫外-可見吸收光譜分析圖。
圖中，1、導電基底，2、N型接觸層，3、本征TiO2有源層，4、P型接觸層，5、P型歐姆電極，6、N型歐姆電極。
具體實施例方式
實施例1本征TiO2溶膠的制備以鈦酸四丁酯為前驅體。將鈦酸四丁酯和二乙醇胺溶于無水乙醇(占總量的60％)，攪拌30-60min得到混合溶液。另將去離子水與無水乙醇(占總量的40％)混和均勻后，于不斷攪拌下逐滴滴入到上述混合液中，滴加結束后繼續攪拌30-120min，得到均勻、透明的淡黃色TiO2溶膠。反應物配比鈦酸四丁酯∶無水乙醇∶去離子水∶二乙醇胺＝20∶100∶1∶6(體積比)。
ZnO∶Al溶膠的制備將一定量的(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚和單乙醇胺(MEA)的混合溶液中，[Zn2+]∶[MEA]＝1∶1，配成鋅離子濃度為0.5-1.0mol/L的混合溶液。然后在50-70℃水浴中充分攪拌1-5小時即得到性能穩定、無色透明的溶膠A。按1-3wt％的比例將適量AlCl3·6H2O溶于乙二醇甲醚中制成透明的0.1-0.3mol/L的溶液B，并滴入到不斷攪拌中的溶膠A中，得到ZnO∶Al溶膠。
導電基底的預處理ITO導電玻璃經丙酮和質量分數為10％的NaOH溶液超聲清洗10-20min后，于除油劑(NaOH 76g/L、Na3PO426g/L、Na2O330g/L)中煮沸，然后在沸騰的去離子水中清洗干凈并自然涼干。
用錫箔做掩膜，將經過預處理的ITO導電玻璃的四周邊緣遮擋住，覆蓋寬度為2mm。用陳化后的ZnO∶Al溶膠在導電基底上采用浸漬-提拉法制備ZnO∶Al薄膜，提拉速度2mm/s。每次拉膜后將基片放入溫度為80-120℃的烘箱中干燥10-20min，即完成一次涂膜過程。通過增加涂膜次數增加薄膜厚度。將制備好的薄膜于電阻爐中500-900℃焙燒30-120min，之后薄膜隨爐冷卻至室溫，得到厚度為0.2-1μm，電阻率為5×10-2Ω·cm的N型ZnO∶Al薄膜。
采用相同方法利用本征TiO2溶膠在N型ZnO∶Al薄膜上制備本征TiO2薄膜，厚度0.2-2μm。采用干法刻蝕技術對制得的本征TiO2薄膜層四周進行部分刻蝕，形成寬1-5mm，高0.05-1μm的臺階。
用錫箔遮擋住未經刻蝕的TiO2薄膜和導電基底區域，僅在臺階區域利用化學氣相沉積方法制備厚度為0.05-1μm的P型ZnO∶P薄膜。具體過程為分別以高純二乙基鋅(純度＞991999％)為鋅源，O2(純度＞991999％)作為氧源，N2作為載氣(純度＞991999％)，高純P2O5粉末作為磷的摻雜源。利用熱蒸發器使P2O5升華，蒸發器的加熱溫度在600～900℃之間。生長室壓力為133Pa，生長溫度為350-550℃，制得的P型ZnO∶P薄膜的空穴濃度1.5×1018cm-3，電阻率4.82Ω·cm。
取下導電基底四周的錫箔，另用錫箔遮擋住ZnO及TiO2薄膜表面，利用磁控濺射技術在導電基底邊緣濺射厚度0.1-5μm的Al作為N型歐姆電極。
用錫箔做掩膜，將濺射后的Al遮擋住，另將覆蓋于ZnO表面的錫箔取下，利用磁控濺射技術在暴露的ZnO薄膜表面濺射厚度0.1-5μm的Au作為P型歐姆電極，得到Al-N+/ZnO-TiO2-P/ZnO-Au結構。
N型歐姆電極和P型歐姆電極分別用導線連接，最后進行管芯分割、壓焊、封裝，制得pin結構TiO2基紫外光探測器。
圖3是所制備的TiO2薄膜的紫外-可見吸收光譜，可以看出，薄膜對波長小于380nm的紫外光存在很強的吸收，而對波長大于380nm的可見光則基本沒有吸收。
利用偏置電壓電路向紫外光探測器提供反向偏置電壓。當紫外光照射到探測器薄膜上時，本征TiO2薄膜中產生光生電子-空穴對，在內建電場的作用下，光生電子、空穴分別向P區和N區快速漂移，并經P型和N型歐姆電極分別傳入外電路，產生光電流信號，從而達到紫外光探測的目的。
實施例2TiO2∶Zn溶膠的制備按1-4wt％的比例將適量Zn(NO3)2溶于20-40ml無水乙醇，再加入10-15ml鈦酸四丁酯和3-4.5ml二乙醇胺，攪拌30-120min得到混合溶液。另將0.5-1ml去離子水與10-30ml無水乙醇混和均勻，于不斷攪拌下逐滴滴入到上述混合液中，滴加結束后繼續攪拌30-120min，得到均勻、透明的TiO2∶Zn溶膠。反應物體積比鈦酸四丁酯∶無水乙醇∶去離子水∶二乙醇胺＝20∶100∶1∶6。
導電基底的預處理方法同實施例1。
用錫箔做掩膜，將經過預處理的ITO導電玻璃的四周邊緣遮擋住，遮蓋寬度為2mm。采用電子束蒸發法制備N型ZnO∶Al薄膜，具體方法為選用純度為99.7％的ZnO粉末，按質量比為1-3％摻入純度為99.99％的氧化鋁粉末，充分研磨使其混合均勻，然后在10MPa的壓力下經20-40s壓制成靶材，并置于鍍膜機坩堝中，ITO導電玻璃放在基片架上。通入少量氧氣，控制氧分壓為1×10-2Pa，束流為40mA，在150-300℃的襯底溫度下蒸發制得N型ZnO∶Al透明薄膜，薄膜電阻率6×10-3Ω·cm。
采用實施例1中本征TiO2薄膜的制備方法，利用TiO2∶Zn溶膠在N型ZnO∶Al薄膜上制備TiO2∶Zn薄膜，厚度0.2-2μm。采用干法刻蝕技術對制得的TiO2∶Zn薄膜層四周進行部分刻蝕，形成寬1-5mm，高0.05-1μm的臺階。
P型ZnO∶P薄膜接觸層和P、N型歐姆電極的制備及紫外光探測器器件的組裝同實施例1。
圖4是所制備的TiO2∶Zn薄膜的紫外-可見吸收光譜，薄膜對波長小于380nm的紫外光存在很強的吸收，而對波長大于380nm的可見光則基本沒有吸收。
實施例3本征TiO2溶膠的制備及導電基底的預處理同實施例1。
用錫箔做掩膜，將預處理后的ITO導電玻璃的四周邊緣遮擋住，遮蓋寬度為2mm。通過熱蒸鍍法在ITO導電玻璃上沉積10nm厚的In薄膜。以高純二乙基鋅(純度＞991999％)作為鋅源，O2(純度＞991999％)作為氧源，N2作為載氣(純度＞991999％)，利用化學氣相沉積法在In薄膜上制備厚度為0.1-1μm的ZnO薄膜。生長室壓力為133Pa，生長溫度為350-550℃。沉積后制得的ZnO/In薄膜經600-1000℃熱處理30-120min，得到N型ZnO∶In薄膜。
利用實施例1的制備方法，在N型ZnO∶In薄膜上制備厚度0.2-2μm的本征TiO2有源層。采用干法刻蝕技術對制得的本征TiO2薄膜層四周進行部分刻蝕，形成寬1-5mm，高0.05-1μm的臺階。
器件的其它制備過程同實施例1。
實施例4ZnO∶Al溶膠、TiO2溶膠的制備、導電基底的預處理、N型ZnO∶Al接觸層、TiO2本征有源層的制備同實施例1。
P型接觸層的制備方法為利用超聲霧化熱分解技術，分別以Zn(CH3COO)2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O和CH3COONH4溶液為Zn、Al和N源。按Zn∶Al＝20∶3的比例配置溶液，溶液中Zn(CH3COO)2·2H2O濃度為0.1mol/L。以高純N2為載氣，經超聲霧化器霧化后，在TiO2薄膜上制備厚度0.05-1μm的ZnO∶N，Al薄膜，生長溫度350-550℃，薄膜生長時間10-60min。自然冷卻至室溫后取出薄膜。薄膜載流子濃度4.6×1018cm-3。
用錫箔遮擋住ZnO及TiO2薄膜表面，利用磁控濺射技術在ITO導電基底邊緣濺射厚度0.1-5μm的Al作為N型歐姆電極。
用錫箔做掩膜，將濺射后的Al遮擋住，另將覆蓋于ZnO表面的錫箔取下，利用磁控濺射技術在暴露的ZnO薄膜表面濺射厚度0.1-5μm的Au作為P型歐姆電極，得到Al-N+/ZnO-TiO2-P/ZnO-Au結構。
將N型歐姆電極、P型歐姆電極分別用導線連接，最后進行管芯分割、壓焊、封裝，制得pin結構的TiO2基紫外光探測器。
實施例5N型ZnO∶Al接觸層、TiO2本征有源層、P型ZnO∶P接觸層的制備同實施例1。
N型歐姆電極和P型歐姆電極均以Au為原材料通過磁控濺射法制得。
器件的組裝同實施例1。
權利要求
1.一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，包括導電基底(1)，位于導電基底(1)上的N型接觸層(2)，位于N型接觸層(2)上的作為紫外光吸收層的本征TiO2有源層(3)，位于本征TiO2有源層(3)上的P型接觸層(4)，至少一個位于P型接觸層(4)上的P型歐姆電極(5)和至少一個位于導電基底(1)上的N型歐姆電極(6)。
2.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的導電基底(1)為ITO導電玻璃或FTO導電玻璃，厚度為0.1-2mm。
3.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的N型接觸層(2)為N型TiO2、N型NiO、N型ZnO、N型SnO2或N型SiO2材料中的一種，厚度為0.5-10μm，電子濃度大于1×1018cm-3，并且N型接觸層(2)的面積小于導電基底(1)的面積。
4.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的本征TiO2有源層(3)為TiO2納米管薄膜或納米多晶顆粒薄膜或單晶薄膜材料，中心厚度0.1-10μm，四周經刻蝕后形成的臺階寬度為1-5mm，厚度為0.05-1μm。
5.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的P型接觸層(4)為P型NiO、P型ZnO、P型SnO2或P型TiO2材料材料中的一種，厚度為0.05-1μm，自由載流子濃度小于1×1016cm-3。
6.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的P型歐姆電極(5)和N型歐姆電極(6)為點狀結構或環形結構或曲線結構，由Au或Pd或Pt或Ni或Al制得，厚度為0.1-5μm。
7.根據權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器，其特征在于，所述的探測器表面具有探測區域，該探測區域具有至少一個子區域暴露于P型歐姆電極(5)之外。
8.制備權利要求1所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器的方法，其特征在于，制備步驟包括對導電基底(1)進行預處理；在導電基底(1)上制備N型接觸層(2)，該N型接觸層(2)的面積小于導電基底(1)面積；在N型接觸層(2)上制備本征TiO2有源層(3)；采用干法刻蝕技術對本征TiO2有源層(3)四周進行部分刻蝕；在本征TiO2有源層(3)的刻蝕部分制備P型接觸層(4)；在P型接觸層(4)上制作P型歐姆電極(5)在導電基底(1)上制作N型歐姆電極(6)；制得pin結構TiO2基紫外探測器。
9.根據權利要求8所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器的制備方法，其特征在于，所述的導電基底(1)的預處理方法為，導電基底(1)經丙酮和質量分數為10％的NaOH溶液超聲清洗10-20min后，于除油劑(NaOH 76g/L、Na3PO426g/L、Na2CO330g/L)中煮沸，然后在沸騰的去離子水中清洗干凈并自然涼干，除油劑的組分及含量為NaOH76g/L，Na3PO426g/L，Na2CO330g/L。
10.根據權利要求8所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器的制備方法，其特征在于，所述的N型接觸層(2)、本征TiO2有源層(3)和P型接觸層(4)的制備方法包括溶膠-凝膠法、液相沉積法、氣相沉積法、磁控濺射法。
11.根據權利要求8所述的一種pin結構的TiO2基紫外光探測器制備方法，其特征在于，所述的P型歐姆電極(5)和N型歐姆電極(6)的制備方法包括濺射工藝、氣相沉積工藝、離子鍍工藝、蒸鍍工藝。
全文摘要
本發明涉及一種用于紫外光探測的PIN結構的TiO
文檔編號H01L31/18GK101055902SQ20071001120
公開日2007年10月17日 申請日期2007年4月29日 優先權日2007年4月29日
發明者曹望和, 付姚, 羅昔賢 申請人:大連海事大學