專利名稱：薄膜壓電諧振器以及薄膜壓電諧振器濾波器的制作方法
技術領域：
本發明涉及薄膜壓電諧振器以及薄膜壓電諧振器濾波器，特別是關于具有氮化鋁的薄膜壓電諧振器以及薄膜壓電諧振器濾波器。
背景技術：
伴隨著無線通信技術的發展和向新方式的轉移，與多個收發信系統對應的通信裝置的需求增加。并且，伴隨著移動體無線終端等的高性能化和多功能化，裝配的部件數量有大幅增加的趨勢。特別是由于將信號分頻的濾波器占設置空間的比例較大，所以小型化的需求很大。
該濾波器中使用薄膜壓電諧振器(FBARThin Film BulkAcoustic Resonator薄膜腔聲諧振器)時，能夠實現小型化，所以可以期待裝配在吉赫帶W-CDMA用RF天線濾波器和便攜式信息終端用雙工器等上。作為該FBAR主要部分的壓電體，例如可以通過在Al(鋁)電極上生長氮化鋁(AlN)來得到高取向性的AlN膜。但是，由于Al的聲阻抗較小，所以會誘發寄生振動，容易產生無用的噪聲干擾(非專利文獻1)。相反，使用密度比Al大、聲阻抗比Al高的金屬，如鉬(Mo)電極時，雖然能夠抑制寄生振動，但是AlN膜的取向性降低，所以有時不能得到所期望的濾波器特性(專利文獻1)。
2004 IEEE Ultrasonics Symposium Vol.1，P.429-32[專利文獻1]特開2004-64785號公報發明內容根據本發明的一種方式，提供一種薄膜壓電諧振器，具有支撐基板和設置在上述支撐基板上、一部分由上述支撐基板來支撐、另一部分與上述支撐基板相離的層疊體，其特征在于，上述層疊體具有以鋁為主要成分的第1電極，層疊在上述第1電極上、以氮化鋁為主要成分的壓電膜，和層疊在上述壓電膜上、以密度大于等于鋁密度1.9倍的金屬為主要成分的第2電極。
另外，根據本發明另一種方式，提供一種薄膜壓電諧振器濾波器，其特征在于，具有上述薄膜壓電諧振器。
圖1(a)及圖1(b)表示涉及本發明實施方式的FBAR的實施例，圖1(a)為示意性剖面圖，圖1(b)為A-A線的擴大剖面圖。
圖2(a)為圖1(a)的平面圖，圖2(b)為圖1(a)的仰視圖。
圖3(a)及圖3(b)表示作為比較例的FBAR，圖3(a)為示意性剖面圖，圖3(b)為A-A線的擴大剖面圖。
表示本實施方式的圖1中FBAR頻率與阻抗關系的曲線圖。
表示作為比較的圖3中FBAR頻率與阻抗關系的曲線圖。
是作為實施例的圖1中FBAR的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果曲線圖。
是作為比較例的圖3中FBAR的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果曲線圖。
表示作為實施例的圖1中FBAR阻抗的史密斯圖表。
表示作為比較例的圖3中FBAR阻抗的史密斯圖表。
表示用于第2電極60的材料密度與第1電極40應變能比例的關系的曲線圖。
表示本實施方式的FBAR的第2電極60材料的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果的曲線圖。
圖12(a)～圖12(c)表示本實施方式的FBAR制造方法的過程剖面圖。
圖13(a)～圖13(b)表示本發明實施方式的FBAR的第2具體例，圖13(a)為剖面圖，圖13(b)為A-A線的擴大剖面圖。
表示用第1(Al)電極40的膜厚標準化后的第2(Al)電極的膜厚與第1及第2電極60合計的應變能比例的關系的曲線圖。
表示本發明實施方式的FBAR的第3具體例的示意性剖面圖。
表示用本實施方式的FBAR形成的FBAR濾波器15的示意性剖面圖。
FBAR濾波器15的分解平面圖。
表示FBAR濾波器15電路圖的示意圖。
表示頻率與阻抗關系的曲線圖。
表示裝配本實施方式的FBAR的電壓控制振蕩器165的內部電路結構的電路圖。
表示裝配本實施方式的FBAR的移動電話的示意圖。
表示裝配本實施方式的FBAR的PDA的示意圖。
表示裝配本實施方式的FBAR的筆記本電腦的示意圖。
具體實施例方式
下面參照附圖來說明本發明的實施方式。
圖1(a)及圖1(b)表示涉及本發明實施方式的FBAR的實施例，圖1(a)為其示意性剖面圖，圖1(b)為圖1(a)中A-A線的擴大剖面圖。
圖2(a)為圖1(a)的平面圖，圖2(b)為圖1(a)的仰視圖。
本實施方式的FBAR5的結構是在具有空心部(空腔)80的支撐基板10的整個主面上，設置了如由氮化硅(SiNx)構成的第1鈍化層20，其上依次層疊了以鉭鋁合金(TaAl)等非晶金屬為主要成分的底層30、以Al為主要成分的第1電極40、具有壓電體特性的AlN膜50、例如由鉬(Mo)構成的第2電極60、和例如由SiN構成的第2鈍化層70。
這里，形成在支撐基板10上的空腔80與振動方向平行地貫穿，使得當AlN膜50在厚度方向上振動時，不與支撐基板10接觸。而且，如后述，空腔80并不是一定要貫穿支撐基板10，只要不妨礙AlN膜50的振動就可以。例如，可以在犧牲層上形成諧振器，最后通過將犧牲層蝕刻除去來形成空腔80。另外，該空腔80被第1鈍化層20塞住，但也可以上下翻轉薄膜的層疊，由第2鈍化層70來塞住。本實施方式的鈍化層及電極，為了方便，把靠近支撐基板10的作為第1鈍化層20及第1電極40，遠離的作為第2鈍化層70及第2電極60。
第1及第2鈍化層20、70，抑制Mo電極60和TaAl層30被氛圍氣體和濕氣氧化而產生的諧振頻率的變動或者Q值(品質因數)降低等特性變動。另外，以TaAl等非晶金屬為主要成分的底層30，如后述，是作為用于得到高取向性Al電極40的底層來發揮作用。而且，以Al為主要成分的第1電極40，具有降低諧振器電阻和作為形成高取向性AlN膜50的底層的作用。
這里，通過調整AlN膜50的膜厚或空腔80的尺寸能夠調諧FBAR5的通帶。例如，以2吉赫的頻率作為通帶時，AlN膜50的膜厚T1為1.5～2.0微米，鈍化層20、70間的膜厚T2為2.0～2.5微米。另外，例如輸入輸出阻抗為50歐姆時，空腔80的形狀可以為長L及寬W分別為100～200微米的正方形或長方形。
該FBAR5中，當施加在夾著AlN膜50的第1電極40和第2電極60上時，AlN膜50會在垂直方向上彈性震動，所以顯示出后述的圖4所示的頻率特性。利用這種諧振器，連接諧振頻率不同的多個諧振器，能夠實現帶通濾波器。
通過本實施方式，通過使第2電極60的密度大于用于第1電極的Al密度，能夠抑制寄生振動。
圖3(a)及圖3(b)表示作為比較例的FBAR5，圖3(a)為示意性剖面圖，圖3(b)為A-A線的擴大剖面圖。
這些附圖中，與圖1及圖2相同的要素用同一符號表示，省略其詳細說明。
該比較例中，取代圖1所示的具體例中的由MO等構成的第2電極60，使用Al電極140。即，AlN膜50被Al電極40、140夾住。
圖4表示本實施方式的圖1中FBAR5頻率與阻抗關系的曲線圖。
圖5表示作為比較例的圖3中FBAR5頻率與阻抗關系的曲線圖。
這些曲線圖的橫軸為頻率(吉赫)，縱軸為阻抗的絕對值(歐姆)。這些阻抗特性，使用矢量網絡分析儀來評價。
先從圖5所示的比較例來說明。
第2電極60使用Al電極140時，如圖5所示，諧振頻率5R顯示出具有單一尖銳峰值的諧振特性，反諧振頻率5AR中由于寄生振動，峰值分散為多個。
與之相對，根據本實施方式，如圖4所示，諧振頻率5R和反諧振頻率5AR都是具有單一尖銳峰值的諧振特性。可以認為，這種具有單一尖銳峰值的諧振特性是由于第2電極60使用了Mo而抑制了寄生振動。
圖6是作為實施例的圖1中FBAR5的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果曲線圖。
圖7是作為比較例的圖3中FBAR5的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果曲線圖。
這些曲線圖的橫軸為在層疊方向上的距離(納米)，縱軸為應變能(a.u.)。這里，在層疊方向上的距離是從第1(Al)電極40的表面開始沿著層疊方向的距離。
先從圖7的比較例來進行說明。
如圖7所示，代替第2電極60使用Al電極140時，AlN膜50與第1電極40和第2電極140分別形成應變能峰值。Al是比較柔軟的材料，所以容易存儲由振動而產生的應變能。特別是第1電極40中的應變能峰值較高。這是由于，設置在第1電極40下方的Ta Al層30的密度比Al電極40高，應變能極大的位置形成在第1電極40側，應變能滲到第1電極40，寄生振動變大。這時，第1電極40中產生的應變能達到諧振器中存儲的應變能的如8.0％。
與之相對，根據本實施例，如圖6所示，第2電極60使用Mo時，第2電極60中幾乎沒有存儲應變能。這是由于Mo是比較硬的材料，由振動產生的變形很小。另外，用密度大的金屬作為第2電極60的材料，振動能極大的位置移動到第2電極60側。結果，第1電極40中產生的應變能降低，寄生得到抑制。即，第1電極40中存儲的應變能是整個諧振器中存儲的應變能的4.7％，比比較例低，寄生得到抑制。
圖8是表示實施例的圖1中FBAR5的標準化后的阻抗的史密斯圖表。
圖9是表示比較例的圖3中FBAR5的標準化后的阻抗的史密斯圖表。
先從圖9的比較例來說明。
第2電極60使用Al電極140時，如圖9所示，反諧振頻率附近可以看到很強的寄生振動，并且諧振的Q值也很低。這是由于Al中存儲的振動能產生的寄生振動影響。
與之相對，根據本實施例，第2電極60使用Mo時，如圖8所示，反諧振頻率附近的寄生振動得到很大抑制，Q值也得到改善。阻抗軌跡提高。這是由于第2電極60的密度比第1電極使用的Al密度大，寄生振動得到抑制。
下面對第2電極60中使用的材料進行詳細說明。
圖10是表示用于第2電極60的材料密度與第1電極40應變能比例的關系的曲線圖。
這里，橫軸是用Al密度(2.7g/cm3)標準化后的第2電極60的材料密度(g/cm3)，縱軸是第1(Al)電極40的應變能占整體的比例(％)。
伴隨著第2電極60使用的材料密度的增加，第1(Al)電極40的應變能比例有減少的傾向。這里，由于Al電極40的應變能小于等于6.0％時，寄生振動的影響幾乎可以忽視，所以第2電極60使用的材料密度大于等于Al的1.9倍時，寄生振動得到抑制。
用于第2電極60的材料除了Mo，還可以使用如銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎢(W)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)等，其中，由于Cu、Ni、Mo還可以與其他設備制造過程共用，所以比較好。
圖11是表示本實施方式的FBAR 5的第2電極60材料的在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離和應變能關系的模擬結果的曲線圖。
該曲線圖的橫軸是在層疊方向上到第1(Al)電極40的距離(a.u.)，縱軸是應變能(a.u.)。本實施例中，第2電極60的材料使用密度大于等于Al密度2倍的鎳(Ni8.91g/cm3)、銅(Cu8.96g/cm3)、Mo(10.22g/cm3)，比較例使用Al。
表1是表示第2電極60使用的各種材料密度與第1電極40應變能比例關系的一覽圖。這里，寄生影響明顯時為“有”，寄生影響可以忽視時為“無”。
先說明比較例，第2電極60的材料使用Al時，第1電極40的應變能比例例如為6.6％，高于受寄生影響的臨界值6.0％，可知受到寄生的影響。
與之相對，第2電極60的材料使用Ni、Cu或Mo時，第1(Al)電極40的應變能比例例如，Ni時為4.7％，Cu時為4.5％，Mo時為4.4％，低于6.0％，可知，寄生的影響得到抑制。
另外，本發明的第2電極60的膜厚t在約50納米到約700納米之間(50≤t≤700)時，能夠得到所期望的FBAR5特性。該膜厚在50納米以下時，電阻變大，熱損失增加。另外，膜厚在700納米以上時，應變能存儲在第2電極60內部，壓電特性減少。
上面詳細說明了第2電極60所使用的材料。
下面說明本實施方式的FBAR5的制造方法。
圖12(a)～(c)表示本實施方式的FBAR 5制造方法的過程剖面圖。
本實施方式的FBAR5由下述方法制造。
首先，如圖12(a)所示，在由基板厚度約600微米的Si(硅)構成的支撐基板10上形成熱氧化膜(未圖示)，再由CVD(化學汽相淀積)法形成膜厚約為50納米的由氮化硅膜構成的第1鈍化層20。然后由濺射法連續形成層厚為10納米的如由TaAl層構成的非晶合金底層30、電極厚度約為200納米的由Al構成的第1電極40，接著由氯系的RIE形成圖案，形成第1電極40。
然后，如圖12(b)所示，同樣由濺射法形成膜厚為1.8微米的AlN膜50，由氯系的RIE法進行加工。接著，形成層厚為250納米的如由Mo構成的第2電極60后，形成圖案，形成第2電極60，在其上由CVD法形成膜厚約50納米的氮化硅膜即第2鈍化層70。
最后，如圖12(c)所示，從支撐基板10的背面由Deep-RIE(深反應離子蝕刻)法等干蝕或使用如氫氧化鉀(KOH)水溶液和氫氧化四甲銨(TMAH)水溶液等蝕刻劑的濕蝕來除去Si，形成空腔(開口)。
這里，本具體例中，支撐基板10使用了Si，可以使用其他材料如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、石英、玻璃、或者約具有200℃耐熱性的塑料等。另外，本具體例中，第1鈍化膜20的材料使用平滑性好的SiNx膜，但如果重視結晶性、取向性的話，可以使用二氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)和氧化鋁(Al2O3)等。另外，該非晶合金底層30具有形成高取向性Al電極40的作用，將該Al電極40作為底層使用，可以使AlN膜50成為c軸取向，能夠實現濾波器的低損失化和寬帶化。
另外，作為該Deep-RIE法中使用的腐蝕氣體，可以例舉六氟化硫(SF6)氣體和氟里昂(例如C4F8)氣體的混合氣體。這時，SF6氣體的作用是蝕刻支撐基板10而形成空腔80，C4F8氣體的作用是在該空腔80的側壁上形成聚合物保護膜，交替提供這兩種氣體，能夠形成所期望的空腔80。由此，完成本實施方式的FBAR5的主要部分。
上面說明了本實施方式的FBAR5的制造方法。
下面參照圖13至圖16來說明本實施方式的FBAR5的其他具體例。這些附圖中，與圖1至圖12中相同的要素用同一符號表示，省略其詳細說明。
圖13(a)及(b)表示本發明實施方式的FBAR5的第2具體例，圖13(a)為其剖面圖，圖13(b)為(a)的A-A線的擴大剖面圖。
本具體例的基本結構與圖1一樣，AlN膜50上設置了密度比Al高的、如使用了Mo的第2電極160B，其上形成了以Al為主要成分的上層電極140B。這種結構中，通過設置以Al為主要成分的上層電極140B，能夠降低諧振器的電阻。而且通過限制上層電極140B的膜厚，能夠抑制寄生。
圖14表示用第1(Al)電極40的膜厚標準化后的第2上層(Al)電極140B的膜厚與使用Al的第1及第2上層電極合計的應變能比例的關系的曲線圖。這里，橫軸為以第1(Al)電極40的膜厚標準化后的第2上層(Al)電極140B的膜厚，縱軸為第1及第2上層(Al)電極的應變能合計占諧振器中存儲的總應變能的比例(％)。
可知，伴隨著標準化后的第2上層(Al)電極140B膜厚的減少，第1電極40及第2上層電極140B的應變能合計的比例降低。如此，根據本具體例，將Mo用于電極中，可以有效增大機電耦合系數，同時通過在上面設置Al電極140B來降低電阻。這里，Mo的電阻例如為5.2×10-6歐姆厘米，與之相對，Al為2.7×10-6歐姆厘米，為低電阻。
如前對于圖10的評述，Al電極的應變能小于等于6.0％時，寄生振動的影響幾乎沒有，所以第2(Al)電極的膜厚小于等于第1電極40的約0.9倍時，第1(Al)電極40及第2上層(Al)電極140B的應變能合計的比例能夠小于等于6.0％，能夠抑制寄生振動。
圖15是表示本發明實施方式的FBAR5的第3具體例的示意性剖面圖。
該具體例的結構是，在具有大致為平面狀的主面的支撐基板10的主面上形成具有分離部的層疊體，層疊體的分離部和支撐基板10之間設置了空洞80B。這樣的結構中，振動的FBAR5不與支撐基板10接觸，所以能夠得到良好的阻抗特性。另外，通過這樣的結構，能夠得到阻抗特性與圖1一樣的FBAR5，且不需要由Deep-RIE法等形成空腔80，所以能夠縮短制造工序的完成時間。
形成該諧振器時，為了形成所期望的空洞80B，首先用CVD法等在支撐基板10上形成由硅酸鹽玻璃等構成的犧牲層。然后，跨過該犧牲層和支撐基板10的表面的一部分形成層疊體后，例如使用氟化銨和稀氟酸等蝕刻劑除去犧牲層形成空洞80B。
本具體例的FBAR5中，如前對圖10的評述，第2電極60的材料使用Mo等金屬，能夠降低第1電極(Al)40中的應變能、抑制寄生。另外，本具體例中，如前對圖13的評述，第2電極60，通過在由Mo等構成的下層電極上層疊由Al構成的上層電極，能夠降低電阻，另外，通過限制由Al構成的上層電極的厚度，能夠抑制寄生。
上面說明了本實施方式的FBAR5。
下面說明通過連接諧振頻率不同的多個圖1的FBAR5而形成的FBAR濾波器15。
圖16是表示用本實施方式的FBAR5形成的FBAR濾波器15的示意性剖面圖。
圖17是其分解平面圖。
圖18是表示圖16的FBAR濾波器15電路圖的示意圖。
圖19是表示頻率與阻抗關系的曲線圖。
本實施方式的FBAR濾波器15，如圖16至圖18所示，是將諧振頻率不同的圖1的FBAR5以并聯4個、串聯3個的方式排列而形成的梯形FBAR濾波器15，組合各FBAR5的第1電極40和第2電極60，電連接所有的FBAR5。該FBAR濾波器15，例如從輸入端FBAR5(F1、F2、F3)輸入，經由FBAR5(F4)，從輸出端FBAR5(F5、F6、F7)輸出。這時，將輸入端和輸出端調換也能夠得到同樣效果。
這樣，通過組合并聯FBAR95和串聯FBAR100，如圖19所示，從輸入端92輸入的信號由并聯FBAR95的諧振頻率95R和串聯FBAR100的反諧振頻率100AR大幅衰減，在各諧振頻率間形成通帶，能夠從輸出端94中只取出特定的頻率。
這樣的FBAR濾波器15，由于不需要形成精細圖案所以能夠高頻率化，能夠增大電極的耐電力性。另外，由于形成在由半導體構成的支撐基板10上，所以RF濾波器的單片化也容易實現。通過本實施方式，如前對圖1～圖15的評述，通過使用抑制了寄生的FBAR5，能夠實現濾波器特性好、高效率的FBAR濾波器15。
以上，參照具體例說明了本發明的實施方式。但本發明并不限定于此。例如，本實施方式的FBAR的振動部平面形狀，除了正方形，還可以是長方形等四邊形、三角形、多角形、不等邊多角形等形狀，也能夠得到與本實施方式同樣的效果。
圖20是表示裝配本實施方式的FBAR的電壓控制振蕩器165的內部電路結構的電路圖。
該電壓控制振蕩器(Voltage Controlled OscillatorVCO)165，具有FBAR5、放大器170、緩沖放大器175、可變電容器C1、C2，能夠只將通過FBAR濾波器15的頻率分量反饋到放大器170的輸入上，然后取出輸出信號，由此能夠調整頻率。
上述VCO165，可以裝配在如圖21所示的移動電話、圖22所示的PDA或圖23所示的筆記本電腦等信息終端裝置上，能夠用于防止干擾。
構成本發明FBAR及FBAR濾波器的各要素的材料、組成、形狀、圖案、制造工序等，即使有適當改變，只要包含本發明的要領，就在本發明的范圍內。
另外，各具體例的結構，只要技術上能夠實現，可以互相進行適當的組合，通過組合得到的FBAR濾波器也包含在本發明的范圍內。
權利要求
1.一種薄膜壓電諧振器，具有支撐基板，設置在上述支撐基板上、一部分由上述支撐基板來支撐、另一部分與上述支撐基板相離的層疊體；其特征在于，上述層疊體具有以鋁為主要成分的第1電極，層疊在上述第1電極上、以氮化鋁為主要成分的壓電膜，層疊在上述壓電膜上、以密度大于等于鋁密度1.9倍的金屬為主要成分的第2電極。
2.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述金屬是從鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎢(W)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)構成的群中選擇出的任一種。
3.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述金屬是從鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)構成的群中選擇出的任一種。
4.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述層疊體還具有層疊在上述第2電極上、以鋁為主要成分的第3電極。
5.根據權利要求4所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述第3電極的厚度小于等于上述第1電極厚度的0.9倍。
6.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述層疊體還具有層疊在上述第1電極之下、以非晶金屬為主要成分的底層。
7.根據權利要求6所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述非晶金屬為TaAl。
8.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述第2電極的厚度大于等于50納米、小于等于700納米。
9.根據權利要求1所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述壓電膜為c軸取向。
10.一種薄膜壓電諧振器，其特征在于，具有以鋁為主要成分的第1電極，層疊在上述第1電極上的壓電膜，層疊在上述壓電膜上、以密度大于等于鋁密度1.9倍的金屬為主要成分的第2電極。
11.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述壓電薄膜以氮化鋁為主要成分。
12.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述金屬是從鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎢(W)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)構成的群中選擇出的任一種。
13.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，還具有層疊在上述第2電極上、以鋁為主要成分的第3電極。
14.根據權利要求13所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述第3電極的厚度小于等于上述第1電極厚度的0.9倍。
15.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，還具有層疊在上述第1電極之下、以非晶金屬為主要成分的底層。
16.根據權利要求15所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述非晶金屬為TaAl。
17.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述第2電極的厚度大于等于50納米、小于等于700納米。
18.根據權利要求10所述的薄膜壓電諧振器，其特征在于，上述壓電膜為c軸取向。
19.一種薄膜壓電諧振器濾波器，其特征在于，具有權利要求1所述的薄膜壓電諧振器。
20.根據權利要求19所述的薄膜壓電諧振器濾波器，其特征在于，上述金屬是從鉬(Mo)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釕(Ru)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎢(W)、銥(Ir)、銀(Ag)、金(Au)構成的群中選擇出的任一種。
全文摘要
提供一種薄膜壓電諧振器，具有支撐基板和設置在上述支撐基板上、一部分由上述支撐基板來支撐、另一部分與上述支撐基板相離的層疊體；其特征在于，上述層疊體具有以鋁為主要成分的第1電極，層疊在上述第1電極上、以氮化鋁為主要成分的壓電膜，層疊在上述壓電膜上、以密度大于等于鋁密度1.9倍的金屬為主要成分的第2電極。
文檔編號H01L41/09GK101022271SQ200710005320
公開日2007年8月22日 申請日期2007年2月14日 優先權日2006年2月14日
發明者尾原亮一, 梁瀨直子, 佐野賢也, 安本恭章, 板谷和彥 申請人:株式會社東芝